JP2654555B2 - Superconducting device manufacturing method - Google Patents

Superconducting device manufacturing method

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JP2654555B2
JP2654555B2 JP3094819A JP9481991A JP2654555B2 JP 2654555 B2 JP2654555 B2 JP 2654555B2 JP 3094819 A JP3094819 A JP 3094819A JP 9481991 A JP9481991 A JP 9481991A JP 2654555 B2 JP2654555 B2 JP 2654555B2
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oxide superconducting
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舜平 山崎
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は薄膜のセラミック系超電
導(超伝導ともいうがここでは超電導と記す)材料に関
する。本発明は、体上に薄膜化して形成された材料を
覆って非超電導材料を設けることにより、超電導材料の
多層配線をせしめ、かかる構成を用いて超電導電子装置
を作らんとするものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic-based superconducting thin film (also referred to as superconducting, but also referred to as superconducting). The present invention, by covering the material formed is thinned on the base body provided with a non-superconductive material, allowed the multi-layer wiring of a superconducting material, it is an does make a superconducting electronic device using such configuration .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、超電導材料はNb−Ge(例えば
NbGe)の金属材料が用いられている。この材料は
金属であるため延性、展性を高く有し、超電導マグネッ
ト用のコイル巻等を行うことが可能であり、また構造と
して異方性がないために配向性等を考えることなく電子
装置の作製が可能であった。
Conventionally, superconducting materials metallic material Nb-Ge (e.g. Nb 3 Ge) is used. Since this material is a metal, it has high ductility and malleability, and can be used for winding coils for superconducting magnets, etc. In addition, since there is no anisotropy in the structure, electronic devices can be used without considering orientation. Was possible.

【0003】しかし、これらの金属材料を用いた超電導
材料はTc(超電導臨界温度を以下単にTcという)が
小さく23Kまたはそれ以下しかない。これに対し、工
業上の応用を考えるならば、このTcが77K好ましく
は室温またはそれ以上であるとさらに有効である。
However, superconducting materials using these metallic materials have a small Tc (the superconducting critical temperature is hereinafter simply referred to as Tc), which is only 23 K or less. On the other hand, if industrial application is considered, it is more effective that Tc is 77 K, preferably room temperature or higher.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このため、Tcの高い
材料として金属ではなくセラミック系材料、特に酸化物
セラミック系材料が注目されている。しかしこの注目さ
れているセラミック系超電導材料はTcが高いにもかか
わらず、曲げ性、延性、展性にとぼしく、少し曲げても
われてしまう。いわんや0.1〜30μmといった厚さ
の薄膜を円筒状または円板状の基体上に形成し、この薄
膜の一部または全部を選択的に除去することはまったく
不可能であるとされていた。特にこれに半導体集積回路
と同様のフォトリソグラフィ技術を用い多層配線を行っ
たり、この薄膜超電導を用いて新しい電子ディバイスを
作ることはまったく不可能であった。
Therefore, ceramic materials, especially oxide ceramic materials, have attracted attention as materials having a high Tc, instead of metals. However, despite the high Tc of the ceramic-based superconducting material which has been attracting attention, the ceramic superconducting material has poor bendability, ductility, and malleability, and is slightly bent. It has been said that it is impossible at all to form a thin film having a thickness of 0.1 to 30 μm on a cylindrical or disk-shaped substrate and selectively remove part or all of the thin film. In particular, it has been impossible at all to perform multilayer wiring using the same photolithography technology as that of a semiconductor integrated circuit or to make a new electronic device using this thin film superconductivity.

【0005】さらに多層配線、特にコイル等を設けよう
とした場合、その集合した全体を同一主成分とすること
により、熱膨張係数を合わせることがクラック等を防止
させるために重要である。このため、基体それ自体を酸
化物超電導材料と異種材料とし、長期使用条件下におい
て実使用することは、信頼性上大問題を内在させてしま
っていた。
Further, in the case where a multilayer wiring, particularly a coil or the like, is to be provided, it is important to match the coefficient of thermal expansion by preventing the cracks and the like by making the entire assembly the same main component. For this reason, using the substrate itself as a material different from the oxide superconducting material and actually using it under long-term use conditions has posed a serious problem in reliability.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明はかかる酸化物超
電導材料の薄膜と、それを挟む同一主成分の酸化物非超
電導材料の層間分離膜とを用いて電子ディバイスを作ら
んとしたものである。前記酸化物非超電導材料の特性と
しては、その組成等により、半導体性、絶縁性等がある
が、その特性は所望の電子ディバイスによって選ばれる
ことは言うまでもない。
According to the present invention, an electronic device is formed by using a thin film of such an oxide superconducting material and an interlayer separation film of an oxide non-superconducting material of the same main component sandwiching the thin film. is there. The properties of the oxide non-superconducting material include semiconducting properties and insulating properties depending on its composition and the like. Needless to say, the properties are selected depending on the desired electronic device.

【0007】本発明は予め所望の形状を有する母体、例
えば電子ディバイスとして超電導コイルを作製する場合
は、円筒状または円板状の母体の被形成面上に酸化物超
電導材料と同一主成分材料の非超電導材料を形成する。
この材料を基体とする。またこの形成後もとの母体を除
去してしまうことにより、非超電導材料のみを基体とし
て用いても良い。勿論、母体として用いる材料自身が超
電導材料と熱膨張係数が近い材料である場合には、その
まま基体として用いうる。本発明はかかる酸化物非超電
導材料等よりなる被形成面を有する基体上に、酸化物超
電導材料または酸化雰囲気でアニール後、超電導特性を
有する出発材料(これらを合わせて以下酸化物超電導材
料または単に超電導材料という)の膜をスパッタ法、印
刷法例えばスクリーン印刷法、スプレー法、プラズマス
プレー法、電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法、その
他の方法により形成する。
According to the present invention, when a superconducting coil having a desired shape is prepared in advance, for example, a superconducting coil as an electronic device, the same main component material as the oxide superconducting material is formed on the surface of the cylindrical or disc-shaped base on which the superconducting coil is formed. Form a non-superconducting material.
This material is used as a substrate. Further, by removing the original base after the formation, only the non-superconducting material may be used as the base. Of course, when the material used as the base material itself is a material having a thermal expansion coefficient close to that of the superconducting material, it can be used as it is as the base. The present invention provides an oxide superconducting material or a starting material having superconductivity after annealing in an oxidizing atmosphere on a substrate having a surface to be formed of such an oxide non-superconducting material or the like. A film of a superconducting material) is formed by a sputtering method, a printing method such as a screen printing method, a spray method, a plasma spray method, an electron beam evaporation method, a plasma CVD method, or another method.

【0008】例えばマグネトロンスパッタ法で基板温度
650℃、Ar(酸素を20%混入)雰囲気で形成す
る。この時被形成面上に酸化物超電導材料のab面(c
面即ちc軸に垂直な面)が平行になるように形成する。
このため、基体上に被膜を形成する際、この被形成面
(円筒状にあってはその円の接線方向の面)に垂直方向
に磁界を加える。すると本発明に用いる変形ペロブスカ
イト構造の酸化物超電導材料は電流の特に流れやすいa
b面に平行な面が被形成面に平行に構成される。この磁
界はスパッタ法で形成された膜を酸素中で850℃,8
時間、4℃/分の速度で徐冷中、400℃,2時間のア
ニールの間も加える。
For example, the substrate is formed by magnetron sputtering at a substrate temperature of 650 ° C. in an Ar (20% oxygen mixed) atmosphere. At this time, the ab plane (c
(I.e., a plane perpendicular to the c-axis).
Therefore, when a film is formed on the substrate, a magnetic field is applied in a direction perpendicular to the surface on which the film is to be formed (the surface tangential to the circle in the case of a cylindrical shape). Then, the oxide superconducting material having a modified perovskite structure used in the present invention has a
A plane parallel to the b-plane is configured to be parallel to the formation surface. This magnetic field is applied to a film formed by the sputtering method at 850 ° C., 8 ° C. in oxygen.
During the slow cooling at a rate of 4 ° C./min, the annealing is also applied during the annealing at 400 ° C. for 2 hours.

【0009】本発明はかかる酸化物超電導材料が昇華性
を有し、エキシマレーザまたはYAGレーザによりスク
ライブ加工(切断)が容易に行い得る材料であることを
実験的に発見した。このため本発明はかかる形成された
超電導薄膜に対し、焼成前または焼成後に選択的にレー
ザ光を照射、さらに必要に応じ走査(スキャン)を加
え、一定の領域、例えば一定の巾を有する帯状にこの酸
化物超電導材料を除去する。するとこのレーザ照射によ
り開溝が作られた以外の部分のみ一定のTcを有する超
電導薄膜の帯とすることができる。
The present invention has experimentally discovered that such an oxide superconducting material has sublimability and can be easily scribed (cut) by an excimer laser or a YAG laser. For this reason, the present invention selectively irradiates the formed superconducting thin film with a laser beam before or after firing, and further performs scanning (scanning) as necessary, so as to form a strip having a certain area, for example, a certain width. This oxide superconducting material is removed. Then, a band of the superconducting thin film having a constant Tc can be formed only in a portion other than the portion where the groove is formed by the laser irradiation.

【0010】スパッタ法等で形成される膜は、ターゲッ
トを調整し、形成後の酸化物超電導材料が例えば、(A
1−xBx)yCuzOw但しx=0.1〜1好ましく
は0.6〜0.7,y=2.0〜4.0好ましくは2.
5〜3.5,z=1.0〜4.0好ましくは1.5〜
3.5,w=4.0〜10.0好ましくは6〜8であっ
て、Aは元素周期表3a族特にイットリウム(Y)また
はランタノイドより選ばれた1種類または複数種類の元
素、Bは元素周期表2a族のBa(バリウム),Sr
(ストロンチウム)またはCa(カルシウム)より選ば
れた1種類または複数種類の元素、例えばバリウム(B
a)となるようにする。
In a film formed by a sputtering method or the like, a target is adjusted, and the formed oxide superconducting material is, for example, (A
1-x Bx) yCuzOw where x = 0.1 to 1, preferably 0.6 to 0.7, y = 2.0 to 4.0, preferably 2.
5 to 3.5, z = 1.0 to 4.0, preferably 1.5 to
3.5, w = 4.0 to 10.0, preferably 6 to 8, wherein A is one or more elements selected from Group 3a of the periodic table, particularly yttrium (Y) or a lanthanoid, and B is Ba (barium), Sr of group 2a of the periodic table
(Strontium) or one or more elements selected from Ca (calcium), for example, barium (B
a).

【0011】さらに層間分離膜(超伝導コイルにおいて
は該層間分離膜は層間絶縁膜である必要がある)は、
((A’pA’’1−p)1−x(B’qB’’
1−q)x)y(CurX1−r)zOwx=0〜1.
0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜4.0,w=
4.0〜10.0を有し、A’はY(イットリウム),
Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu
(ユーロピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプ
ロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウ
ム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc
(スカンジウム)およびその他のランタノイドより選ば
れた1種または複数種の元素よりなり、B’はBa(バ
リウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウ
ム)より選ばれた元素を有するとともに、A’’,
B’’,XはMg(マグネシウム)Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバ
ルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チ
タン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニウム)より
選ばれた1つまたは複数種類の元素よりなる酸化物超電
導材料を用いた。このとき、この非超電導材料とするた
めの添加物は1〜20体積%(p,qまたはrの値とし
ては0.99〜0.80)を加えた。特に酸化物絶縁物
となる程度が大きいMg,Alはその添加量が1〜5%
と少なくてすみ、好都合であった。
Further, an interlayer separation film (in a superconducting coil, the interlayer separation film needs to be an interlayer insulating film)
((A'pA " 1- p) 1-x (B'qB"
1- q) x) y (CurX1 -r ) zOwx = 0-1.
0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-4.0, w =
4.0 to 10.0, and A ′ is Y (yttrium),
Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu
(Europium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium), Sc
(Scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, and B 'has an element selected from Ba (barium), Sr (strontium) and Ca (calcium), and A'' ,
B ″ and X are Mg (magnesium) Be (beryllium), Al (aluminum), Fe (iron), Co (cobalt), Ni (nickel), Cr (chromium), Ti (titanium), Mn (manganese), An oxide superconducting material made of one or more elements selected from Zr (zirconium) was used. At this time, as an additive for making this non-superconducting material, 1 to 20% by volume (0.99 to 0.80 as a value of p, q or r) was added. In particular, Mg and Al, which have a large extent as oxide insulators, are added in an amount of 1 to 5%.
It was convenient.

【0012】絶縁領域を作るために、エキシマレーザを
用いたレーザスクライブを行う場合は、パルス巾が20
n秒と小さいため、除去する領域の深さ方向の制御がよ
り容易となる。本発明はエキシマレーザを光学系でしぼ
ることにより円(直径10〜100μm)のレーザビー
ムを作ることができ、このレーザビームを酸化物超電導
膜に照射しつつ基体または基体とレーザビーム光とを移
動する。そして所望の位置の酸化物超電導薄膜を昇華ま
たは飛翔化して除去する。
When laser scribing using an excimer laser is performed to form an insulating region, a pulse width of 20
Since it is as small as n seconds, it is easier to control the region to be removed in the depth direction. In the present invention, a circular (diameter: 10 to 100 μm) laser beam can be formed by squeezing an excimer laser with an optical system, and the substrate or the substrate and the laser beam light are moved while irradiating the oxide superconducting film with the laser beam. I do. Then, the oxide superconducting thin film at a desired position is removed by sublimation or flying.

【0013】この除去されるべき領域に対し、本発明で
用いるMg(マグネシウム),Be(ベリリウム),A
l(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),
i(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チタン),M
n(マンガン)より選ばれた1種または複数種をイオン
注入法等により選択的に注入して絶縁化してもよい。か
くすると、この絶縁領域と超電導領域との上表面を互い
に滑らかな平坦にできる特長を有するが、注入量が多
く、生産性の上で十分でない。
For the region to be removed, Mg (magnesium), Be (beryllium), A
l (aluminum), Fe (iron), Co (cobalt),
i (nickel), Cr (chromium), Ti (titanium), M
One or more kinds selected from n (manganese) may be selectively implanted by an ion implantation method or the like for insulation. This has the feature that the upper surfaces of the insulating region and the superconducting region can be made smooth and flat to each other, but the injection amount is large and the productivity is not sufficient.

【0014】本発明はかくの如く、酸化物超電導材料と
同一主成分の酸化物非超電導材料とを基体またはその上
部および層間分離物として用いることにより、酸化物超
電導材料と概略同一の熱膨張係数および同様の構造を有
する酸化物非超電導材料を電気的分離用の層間膜とす
る。そしてさらにこの後、第2の酸化物超電導薄膜を積
層し、再び第1の酸化物超電導材料と同様に選択的に不
要物をレーザスクライブ法等により除去した。これを繰
り返して多層に捲かれたコイルを構成せしめた。
As described above, the present invention uses the oxide superconducting material and the oxide non-superconducting material of the same main component as the base or the upper part thereof and the interlayer separator, thereby obtaining the same thermal expansion coefficient as that of the oxide superconducting material. An oxide non-superconducting material having a similar structure is used as an interlayer film for electrical isolation. Then, after that, a second oxide superconducting thin film was laminated, and unnecessary substances were selectively removed again by a laser scribe method or the like in the same manner as the first oxide superconducting material. This was repeated to form a multilayer wound coil.

【0015】本発明において、基体材料としてその後も
残存させる場合は、アルミナ、YSZ(イットリア・ス
タビライズド・ジルコン)、酸化マグネシウム(Mg
O),ジルコニア、イットリア、チタン酸ストロンチウ
ム(SrTiO)、ガラスまたは酸化物超電導材料と
同一主成分材料の非超電導材料を用いた。また金属等の
基体上に酸化物非超電導薄膜を形成して複合基体を用い
てもよい。
In the present invention, when the substrate material is to remain thereafter, alumina, YSZ (yttria stabilized zircon), magnesium oxide (Mg)
O), zirconia, yttria, strontium titanate (SrTiO 3 ), glass, or a non-superconducting material of the same main component as the oxide superconducting material was used. Further, a composite substrate may be used by forming an oxide non-superconducting thin film on a substrate such as a metal.

【0016】母体上に基体を設け、基体を構成後除去す
る場合は、母体として有機溶剤でとける有機樹脂を用い
た。
[0016] The substrate provided on the mother, when removing after constituting the base used was melted organic resin with an organic solvent as a matrix.

【0017】[0017]

【作用】従来、金属の超電導材料を用いる場合、その工
程としてまず線材とする。これを所定の基体にまいてゆ
くことによりコイルを構成せしめた。
Conventionally, when a metal superconducting material is used, a wire rod is first formed as a process. This was applied to a predetermined base to form a coil.

【0018】しかし、本発明の酸化物超電導体を用いる
コイルに関しては、最終形状を有する基体、例えば円板
または円筒状(ボビン)構造を用いる。この基体上に帯
状に超電導を熱処理の後、超電導を呈すべき酸化物超電
導材料を膜状に形成する。そしてこの膜に対し選択的に
第1のパターニングを行うことにより他部の残存した領
域により帯状のコイルを構成せしめる。さらにその上面
に酸化物超電導材料と同一主成分材料の酸化物非超電導
材料を形成する。すると同一主成分であるため、クラッ
ク等が発生しにくく、高信頼性を得ることができる。さ
らにこの酸化物非超電導材料の連結部にて連結しつつ、
第2の酸化物超電導薄膜を形成する。この薄膜に対し、
第2のパターニングを行う。酸化物超電導材料および非
超電導材料の熱アニールまたは酸化処理はこれをすべて
の工程を行った後に行っても、またそれぞれの工程毎に
行ってもよい。
However, for a coil using the oxide superconductor of the present invention, a substrate having a final shape, for example, a disk or a cylindrical (bobbin) structure is used. After heat treatment of the superconductivity in a strip shape on the substrate, an oxide superconducting material to be provided with superconductivity is formed in a film shape. By selectively performing the first patterning on this film, a band-shaped coil is formed by the remaining region of the other portion. Further, an oxide non-superconducting material having the same main component as the oxide superconducting material is formed on the upper surface. Then, since they are the same main component, cracks and the like hardly occur, and high reliability can be obtained. Furthermore, while connecting at the connecting portion of this oxide non-superconducting material,
A second oxide superconducting thin film is formed. For this thin film,
Perform second patterning. The thermal annealing or oxidation treatment of the oxide superconducting material and the non-superconducting material may be performed after performing all the steps, or may be performed for each step.

【0019】以下に実施例に従って本発明を説明する。The present invention will be described below with reference to examples.

【0020】[0020]

【実施例】「実施例1」 図1は本発明の実施例を示す。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

【0021】図1(A)において、母体(1)は後から
除去できる材料、例えば超電導材料が溶解せず、かつ母
体が溶去できる材料を用いればよい。さらに母体(1)
上に((A’pA’’1−p)1−x(B’qB’’
1−q)x)y(CurX1−r)zOwx=0.1〜
1.0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜4.0,w
=4.0〜10.0を有し、A’はY(イットリウ
ム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウ
ム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エ
ルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),
Sc(スカンジウム)およびその他のランタノイドより
選ばれた1種または複数種の元素よりなり、B’はBa
(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシ
ウム)より選ばれた元素を有するとともに、A’’,
B’’またはXはMg(マグネシウム),Be(ベリリ
ウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コ
バルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti
(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニウム)
より選ばれた1つまたは複数種類の元素を1〜20体積
%含む酸化物非超電導膜(1’)を約10〜5000μ
m例えば20μmの厚さに形成したものを用いた。する
と、その上面には酸化物超電導薄膜と同程度(±50%
以内)の熱膨張係数の差を作ることができる。この差が
大きすぎるとアニール後応力歪を有し、超電導を呈する
温度が小さく、また膜に生ずるクラックにより超電導が
観察されなくなってしまう。この実施例では円板状を有
する母体(1)上に酸化物非超電導膜(1’)を形成し
たものを基体として使用する。この基体上に、スパッタ
法または印刷法例えばスクリーン印刷法により0.1〜
50μm例えば20μmの厚さに酸化物超電導薄膜
(2)を形成した。
In FIG. 1A, a material that can be removed later, for example, a material that does not dissolve the superconducting material and can dissolve the mother material, may be used for the matrix (1). Further mother (1)
On top of ((A'pA " 1- p) 1-x (B'qB"
1- q) x) y (CurX1 - r) zOwx = 0.1-
1.0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-4.0, w
= 4.0 to 10.0, and A ′ represents Y (yttrium), Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu (europium), Tb (terbium), D
y (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium),
Sc (scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, B 'is Ba
(Barium), Sr (strontium), and Ca (calcium).
B ″ or X is Mg (magnesium), Be (beryllium), Al (aluminum), Fe (iron), Co (cobalt), Ni (nickel), Cr (chromium), Ti
(Titanium), Mn (manganese), Zr (zirconium)
An oxide non-superconducting film (1 ′) containing 1 to 20% by volume of one or more elements selected from about 10 to 5000 μm
m, for example, 20 μm thick. Then, on the upper surface, it is almost the same as the oxide superconducting thin film (± 50%
) Can be made. If this difference is too large, it has stress strain after annealing, the temperature at which superconductivity is exhibited is low, and superconductivity is no longer observed due to cracks generated in the film. In this embodiment, an oxide non-superconducting film (1 ') is formed on a disk-shaped base (1).
Is used as a substrate. On this substrate , a sputtering method or a printing method, for example, 0.1 to
The oxide superconducting thin film (2) was formed to a thickness of 50 μm, for example, 20 μm.

【0022】それを酸素雰囲気で加熱処理を行った。5
00〜1000℃例えば900℃で15時間行った。そ
の後、200℃/分以下の降温例えば10℃/分で徐冷
し、さらに450℃,1時間保存して酸化処理を行っ
た。かくして酸化物超電導膜を形成させた。この後、エ
キシマレーザ(254nm)(4)をレーザスクライブ
を行うために照射した。このレーザ光(4)図1では
矢印(11)示すように左端より中央部に走査し、かつ
円板状基体を矢印(12)示すように回転した。かくし
て開溝(3)を作製した。レーザ光はピーク出力は10
〜10W/秒であった。これを強くしすぎると基体
(1),(1’)をも損傷させてしまうため注意を要す
る。
It was subjected to a heat treatment in an oxygen atmosphere. 5
The test was performed at 00 to 1000 ° C, for example, at 900 ° C for 15 hours. Thereafter, it was gradually cooled at a temperature of 200 ° C./min or less, for example, at 10 ° C./min, and further stored at 450 ° C. for 1 hour to perform an oxidation treatment. Thus, an oxide superconducting film was formed. Thereafter, an excimer laser (254 nm) (4) was applied to perform laser scribe. This laser beam (4) is shown in FIG.
Scanning was performed from the left end to the center as shown by the arrow (11) , and the disk-shaped substrate was rotated as shown by the arrow (12) . Thus, a groove (3) was prepared. Laser light has peak output of 10
It was 6 to 10 8 W / sec. Care must be taken if this is too strong, since it will damage the substrates (1) and (1 ').

【0023】図1(B)は、図1(A)の1層配線の
後、これらの全面に((A’pA’’1−p)
1−x(B’qB’’1−q)x)y(CurX
1−r)zOwx=0〜1.0,y=2.0〜4.0,
z=1.0〜4.0,w=4.0〜10.0を有し、
A’はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Y
b(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb
(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホル
ミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),L
u(ルテチウム),Sc(スカンジウム)およびその他
のランタノイドより選ばれた1種または複数種の元素よ
りなり、B’はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム)より選ばれた元素を有すると
ともに、A’’,B’’またはXはMg(マグネシウ
ム),Be(ベリリウム),Al(アルミニウム),F
e(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッケル),Cr
(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr
(ジルコニウム)より選ばれた1つまたは複数種類の元
素を1〜20体積%含有する酸化物非超電導薄膜(6)
層間分離膜(9)として形成し、連結部(8)で開穴
を行う。さらに第2の(A1−xBx)yCuzOw
x=0〜1.0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜
4.0,w=4.0〜10.0を有し、AはY(イット
リウム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウ
ム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エ
ルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),
Sc(スカンジウム)およびその他のランタノイドより
選ばれた1種または複数種の元素よりなり、BはBa
(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシ
ウム)より選ばれた1種または複数種の元素が添加さ
酸化物超電導薄膜(7)を積層し、レーザスクライブ
をして帯状に(7−1),(7−2)・・・を成形した
ものであり、第1図(A)のA−A’の断面に対応す
る。
FIG. 1B shows that ((A′pA ″ 1 -p)) is formed on the entire surface after the one-layer wiring of FIG.
1−x (B′qB ″ 1− q) x) y (CurX
1- r) zOwx = 0-1.0, y = 2.0-4.0,
z = 1.0 to 4.0, w = 4.0 to 10.0,
A 'is Y (yttrium), Gd (gadolinium), Y
b (ytterbium), Eu (europium), Tb
(Terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), L
u (lutetium), Sc (scandium) and other lanthanoids, and one or more elements selected from the group consisting of Ba (barium), Sr (strontium) and Ca (calcium). A '', B '' or X is Mg (magnesium), Be (beryllium), Al (aluminum), F
e (iron), Co (cobalt), Ni (nickel), Cr
(Chromium), Ti (titanium), Mn (manganese), Zr
Oxide non-superconducting thin film containing 1 to 20% by volume of one or more elements selected from (zirconium) (6)
Is formed as an interlayer separation film (9), and a hole is formed in the connection portion (8).
I do. Further, the second (A 1 -xBx) yCuzOw
x = 0-1.0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-
4.0, w = 4.0 to 10.0, and A is Y (yttrium), Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu (europium), Tb (terbium), D
y (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium),
Sc (scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, B is Ba
(Barium), Sr (strontium), one or more elements selected from Ca (calcium) is added
Oxide superconductor thin film (7) was laminated, laser scribing was
(7-1), (7-2) ...
And corresponds to the section taken along line AA ′ of FIG. 1 (A).

【0024】図面より明らかな如く、第1の酸化物超電
導薄膜(2)は帯状に(5−1),(5−2)・・・と
して残存してコイル(5)を構成する。そして連結部
(8)にて、コイル(5)は第2の酸化物超電導薄膜を
レーザスクライブしたコイル(7)に連結されている。
As is clear from the drawing, the first oxide superconducting thin film (2) remains as a strip (5-1), (5-2)... To form a coil (5) . The coil (5) is connected to the coil (7) obtained by laser scribing the second oxide superconducting thin film at the connecting portion (8).

【0025】かくして円板状に帯状線を配線し、かつそ
の多層巻きが可能となった。
Thus, the strip-shaped wires are wired in a disk shape, and the multilayer winding can be performed.

【0026】第1、第2の帯状の超電導薄膜の上または
下に銀等の金属を設けた多層膜としてもよい。
A multilayer film having a metal such as silver provided above or below the first and second strip-shaped superconducting thin films may be used.

【0027】「実施例2」 図2は本発明の他の実施例を示す。Embodiment 2 FIG. 2 shows another embodiment of the present invention.

【0028】図面において基体は円筒状(ボビン形状)
を有する。ここに実施例1と同様に膜状に酸化物超電導
材料(2)を形成する。
In the drawings, the substrate is cylindrical (bobbin shape)
Having. Here, the oxide superconducting material (2) is formed in a film-like manner as in the first embodiment.

【0029】この作製はスプレー法で円筒の母体(1)
上に((A’pA’’1−p)1−x(B’qB’’
1−q)x)y(CurX1−r)zOwx=0.1〜
1.0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜4.0,w
=4.0〜10.0を有し、A’はY(イットリウ
ム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウ
ム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エ
ルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),
Sc(スカンジウム)およびその他のランタノイドより
選ばれた1種または複数種の元素よりなり、B’はBa
(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシ
ウム)より選ばれた元素を有するとともに、A’’,
B’’,XはMg(マグネシウム),Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバ
ルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チ
タン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニウム)より
選ばれた1種または複数種の元素よりなる酸化物非超電
導材料(1’)(図2(A)では図示されていない)
作製して基体とした。この後この母体(1)を除去し、
酸化物非超電導材料(1’)のみからなる円筒状の基体
としてもよい。さらにこの基体を矢印(12)に示す如
くに回転しつつ酸化物超電導材料(2)をディポジッシ
ョンすればよい。
This production is performed by a spray method and a cylindrical base (1).
On top of ((A'pA " 1- p) 1-x (B'qB"
1- q) x) y (CurX1 - r) zOwx = 0.1-
1.0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-4.0, w
= 4.0 to 10.0, and A ′ represents Y (yttrium), Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu (europium), Tb (terbium), D
y (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium),
Sc (scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, B 'is Ba
(Barium), Sr (strontium), and Ca (calcium).
B ″ and X are Mg (magnesium), Be (beryllium), Al (aluminum), Fe (iron), Co (cobalt), Ni (nickel), Cr (chromium), Ti (titanium), Mn (manganese) , Zr (zirconium), an oxide non-superconducting material (1 ′) (not shown in FIG. 2A) made of one or more elements. After this, this mother (1) is removed,
Cylindrical substrate made only of oxide non-superconducting material (1 ')
It may be. Further, the oxide superconducting material (2) may be deposited while rotating the substrate as shown by the arrow (12).

【0030】このスプレー法では超電導材料を構成する
元素の硝酸塩、臭酸塩または塩酸塩を水で十分混合し、
アンモニアで中和した極微粒子を構成させる。これらを
被塗布面にコートし、乾燥させた後焼成する。
In this spray method, nitrates, bromates or hydrochlorides of the elements constituting the superconducting material are sufficiently mixed with water,
Ultrafine particles neutralized with ammonia are formed. These are coated on the surface to be coated, dried, and fired.

【0031】この焼成をオゾン中で行うことにより、よ
り低温化することは有効である。さらにこのスプレー作
業を磁場を加えたオゾンまたは活性酸素中で被塗布面に
形成して膜を構成させればよい。
It is effective to lower the temperature by performing this firing in ozone. Furthermore, this spraying operation may be formed on the surface to be coated in ozone or active oxygen to which a magnetic field has been applied to form a film.

【0032】次にこれら膜を熱アニールさせた後、この
膜にYAGレーザ(4)ビーム(径50μm)を照射し
つつ、このレーザ光を矢印(11)の方向に徐々に移
す。同時に円筒状母体(1)を矢印(12)の方向に回
転させる。するとこの円筒状基体に対し一本の連続した
帯状のスクライブライン(3)を構成させることができ
る。この開溝によりそれぞれの酸化物超電導材料(2)
が帯状に(5−1),(5−2)として形成され、それ
ぞれは電気的に分離されて、超電導領域(5)を構成さ
せ得る。ここではこの超電導領域(5)はコイル状を有
し、実質的に超電導マグネットコイルを構成させること
ができた。
Next, after these films are thermally annealed, the laser light is gradually transferred in the direction of arrow (11) while irradiating the films with a YAG laser (4) beam (diameter: 50 μm). At the same time, the cylindrical body (1) is rotated in the direction of the arrow (12). Then, one continuous band-shaped scribe line (3) can be formed on the cylindrical substrate. Due to this groove, each oxide superconducting material (2)
Are formed as strips (5-1) and (5-2), which are electrically separated from each other to form the superconducting region (5) . Here, the superconducting region (5) had a coil shape, and could substantially constitute a superconducting magnet coil.

【0033】この実施例はかかる工程の後これら全体を
酸素中で焼成し、(A1−xBx)yCuzOwx=
0.1〜1.0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜
4.0,w=4.0〜10.0を有し、AはY(イット
リウム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウ
ム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エ
ルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),
Sc(スカンジウム)およびその他のランタノイドより
選ばれた1種または複数種の元素よりなり、BはBa
(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシ
ウム)より選ばれた1種類または複数種類の元素よりな
る酸化物超電導材料に変成した。そして超電導マグネッ
トとさせることができた。このコイルの始点と終点とを
超電導線で連結することにより、エネルギー蓄積装置と
することが可能である。
In this embodiment, after these steps, all of them are calcined in oxygen, and (A 1-x Bx) yCuzOwx =
0.1-1.0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-
4.0, w = 4.0 to 10.0, and A is Y (yttrium), Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu (europium), Tb (terbium), D
y (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium),
Sc (scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, B is Ba
The oxide superconducting material was transformed from one or more elements selected from (barium), Sr (strontium), and Ca (calcium). And it could be made a superconducting magnet. By connecting the start point and the end point of this coil with a superconducting wire, it is possible to provide an energy storage device.

【0034】図2(B)は図2(A)のA−A’の断面
図に対応する。図2(A)は図面の複雑化を避けるため
1層目のみを示し、また母体(1)の表面に形成された
酸化物非超電導薄膜(1’)を省略した。本発明はこれ
を多層化せしめたものである。図2(B)において、
((A’pA’’1−p)1−X(B’qB’’
1−q)x)y(CurX1−r)zOwx=0〜1.
0,y=2.0〜4.0,z=1.0〜4.0,w=
4.0〜10.0を有し、A’はY(イットリウム),
Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu
(ユーロピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプ
ロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウ
ム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc
(スカンジウム)およびその他のランタノイドより選ば
れた1種または複数種の元素よりなり、B’はBa(バ
リウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウ
ム)より選ばれた元素を有するとともに、A’’,
B’’,XはMg(マグネシウム),Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバ
ルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チ
タン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニウム)より
選ばれた1つまたは複数種類の元素よりなる酸化物非超
電導薄膜(1’)を有する体(1)上に、図2(A)
に示した如くにして第1の酸化物超電導材料(2)を帯
状に成形して第1の超電導領域(5)を形成する。さら
にこれら全体を同一元素を有する酸化物非超電導薄膜を
同様の方法のスプレー法で層間分離膜(6)として形成
する。連結部(8)で開穴を行った後、これら全体に第
2の酸化物超電導薄膜を形成して、連結部(8)にて第
1の酸化物超電導領域(5)に連結する。さらに第1の
超電導薄膜と同様にレーザスクライブをして帯状に(7
−1),(7−2)・・・成形して第2の超電導領域
(7)を作る。さらに層間分離膜(9)として第2の酸
化物超電導薄膜(6’)を形成し、連結部(8’)で
開穴を行う。さらに第3の酸化物超電導材料を形成し
て、連結部(8’)にて第2の超電導領域(7)に連結
し、帯状に形成した。外部取り出しは、層間分離膜
(6),(9)に第1の超電導領域(5)に達する開口
を形成し、そこに取り出し電極(10)を形成すること
で行っている。これを繰り返し行うことにより、3層だ
けではなく任意の多層とすることができる。
FIG. 2B corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. FIG. 2A shows only the first layer to avoid complication of the drawing, and is formed on the surface of the mother body (1).
The oxide non-superconducting thin film (1 ') was omitted . In the present invention, this is multi-layered. In FIG. 2 (B),
((A'pA " 1- p) 1-X (B'qB"
1- q) x) y (CurX1 - r) zOwx = 0-1.
0, y = 2.0-4.0, z = 1.0-4.0, w =
4.0 to 10.0, and A ′ is Y (yttrium),
Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu
(Europium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium), Sc
(Scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, and B 'has an element selected from Ba (barium), Sr (strontium) and Ca (calcium), and A'' ,
B ″ and X are Mg (magnesium), Be (beryllium), Al (aluminum), Fe (iron), Co (cobalt), Ni (nickel), Cr (chromium), Ti (titanium), Mn (manganese) , Zr on maternal having an oxide non-superconducting thin film made of one or more kinds of elements selected from zirconium () (1 ') (1), FIG. 2 (a)
The first superconducting region (5) is formed by shaping the first oxide superconducting material (2) as shown in FIG. Further, an oxide non-superconducting thin film having the same element is entirely formed as an interlayer separation film (6) by a spray method of the same method. After the opening is made at the connecting portion (8), a second oxide superconducting thin film is formed on the whole of these, and the second oxide superconducting thin film is formed at the connecting portion (8).
1 to the oxide superconducting region (5) . Further, laser scribe is performed in the same manner as the first superconducting thin film to form a strip (7).
-1), (7-2) ... molded second superconducting region
Make (7) . Further, a second oxide non- superconducting thin film (6 ′) is formed as an interlayer separation film (9), and the second oxide non- superconductive thin film is
Make a hole . Further, a third oxide superconducting material was formed, connected to the second superconducting region (7) at the connecting portion (8 ') , and formed in a belt shape. External take-out, interlayer separation membrane
(6), (9) opening reaching the first superconducting region (5)
Is formed, and an extraction electrode (10) is formed there. By repeating this, not only three layers but also an arbitrary multilayer can be obtained.

【0035】その他は実施例1と同様である。The other parts are the same as in the first embodiment.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によりこれまでまったく不可能と
されていた酸化物超電導材料を用いた電子装置を作製す
ることが可能になった。
According to the present invention, it has become possible to manufacture an electronic device using an oxide superconducting material which has been impossible at all.

【0037】かくして、曲げるとすぐわれてしまうセラ
ミックス超電導材料をして導線、電極または超電導素子
を構成させるためのアイソレイションをして膜状または
帯状に作ることができた。
Thus, the ceramic superconducting material, which breaks off immediately upon bending, could be formed into a film or band by performing isolation for forming a conductor, an electrode or a superconducting element.

【0038】本明細書において、実施例としてコイルに
応用した例を示した。しかし、他の電子装置にも応用可
能であることは言うまでもない。例えば、層間分離膜の
電気的特性を半導体性とし、超伝導−半導体−超伝導と
した構成の近接効果を用いたディバイスとしうる。その
際には、超電導薄膜を形成した後、公知のフォトリソグ
ラフィ技術等を用い、所定のパターニングをして超電導
素子または超電導配線とすれば良い
In this specification, an example in which the present invention is applied to a coil is shown. However, it is needless to say that the present invention can be applied to other electronic devices. For example, a device using a proximity effect in which the electrical characteristics of the interlayer isolation film are semiconductive and superconducting-semiconductor-superconducting can be used. In that case, after forming a superconducting thin film, it is sufficient to form a superconducting element or a superconducting wiring by performing predetermined patterning using a known photolithography technique or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の酸化物超電導材料を用いた超電導コイ
ルの実施例
FIG. 1 shows an embodiment of a superconducting coil using the oxide superconducting material of the present invention.

【図2】本発明の酸化物超電導材料を用いた超電導コイ
ルの実施例
FIG. 2 shows an embodiment of a superconducting coil using the oxide superconducting material of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・母体 2・・・酸化物超電導材料 3・・・開溝 4・・・レーザ光 5・・・超電導を呈する領域 6,9・層間分離膜 7・・・第2の酸化物超電導材料DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base body 2 ... Oxide superconducting material 3 ... Groove 4 ... Laser beam 5 ... Region exhibiting superconductivity 6, 9- Interlayer separation film 7 ... 2nd oxide superconductivity material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特公 昭61−61555(JP,B2) 電子情報通信学会技術研究報告 Vo l.87 No.137 P.49−54 Japanese Journal of Applied physics Vol.26 No.3(1987).P. L203−205 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-B-61-61555 (JP, B2) IEICE Technical Report Vol. 87 No. 137 p. 49-54 Japanese Journal of Applied Physics Vol. 26 No. 3 (1987). P. L203-205

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基体上に(A1−xBX)yCuzOw
x=0.1〜1.0,y=2.0〜4.0,z=1.0
〜4.0,w=4.0〜10.0を有し、構造としてペ
ロブスカイト型構造を有し、AはY(イットリウム),
Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu
(ユーロピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプ
ロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウ
ム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc
(スカンジウム)及びその他のランタノイドより選ばれ
た1種または複数種の元素よりなり、BはBa(バリウ
ム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウム)よ
り選ばれた1種または複数種の元素を有する酸化物超電
導薄膜を形成する工程と、 前記酸化物超電導薄膜上に((A’pA’’,
1−p),1−x(B’qB’’1−q)x)y(Cu
rX1−r)zOwx=0〜1.0,y=2.0〜4.
0,z=1.0〜4.0,w=4.0〜10.0を有
し、A’はY(イットリウム),Gd(ガドリニウ
ム),Yb(イッテルビウム),Eu(ユーロピウ
ム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),
Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリ
ウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム)お
よびその他のランタノイドより選ばれた1種または複数
種より選ばれた元素よりなり、B’はBa(バリウ
ム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウム)よ
り選ばれた1種または複数種の元素を有するとともに、
A’’,B’’またはXはMg(マグネシウム),Be
(ベリリウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),
Co(コバルト),Ni(ニッケル),Cr(クロ
ム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジル
コニウム)より選ばれた1種または複数種の元素が添加
された非超電導特性を有し、前記酸化物超伝導材料と同
様のペロブスカイト型構造を有する材料を積層して設け
る工程と、 を有し、 前記酸化物超電導薄膜を形成する工程において、被形成
面に対して垂直方向に磁界を加えることを特徴とする超
電導電子装置の作製方法。
1. A method according to claim 1, wherein (A 1-x BX) yCuzOw is formed on the substrate.
x = 0.1-1.0, y = 2.0-4.0, z = 1.0
~ 4.0, w = 4.0 ~ 10.0, having a perovskite structure as the structure, A is Y (yttrium),
Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu
(Europium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium), Sc
(Scandium) and one or more elements selected from other lanthanoids, and B has one or more elements selected from Ba (barium), Sr (strontium), and Ca (calcium). Forming an oxide superconducting thin film; and ((A′pA ″,
1- p), 1-x (B'qB " 1- q) x) y (Cu
rX1 -r ) zOwx = 0-1.0, y = 2.0-4.
0, z = 1.0 to 4.0, w = 4.0 to 10.0, and A ′ is Y (yttrium), Gd (gadolinium), Yb (ytterbium), Eu (europium), Tb ( Terbium), Dy (dysprosium),
Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium), Sc (scandium) and other elements selected from a plurality of lanthanoids, and B 'is Ba ( Barium), Sr (strontium), Ca (calcium)
A ″, B ″ or X is Mg (magnesium), Be
(Beryllium), Al (aluminum), Fe (iron),
It has non-superconducting properties to which one or more elements selected from Co (cobalt), Ni (nickel), Cr (chromium), Ti (titanium), Mn (manganese), and Zr (zirconium) are added. Laminating a material having a perovskite structure similar to that of the oxide superconducting material, and forming the oxide superconducting thin film, wherein a magnetic field is applied in a direction perpendicular to a surface on which the oxide superconducting thin film is formed. A method for manufacturing a superconducting electron device, comprising:
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