JP2649528B2 - 半導体レーザの出力制御装置 - Google Patents
半導体レーザの出力制御装置Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の技術分野） 本発明は、レーザプリンタ，ファクシミリ，デジタル
複写機等のデータ書込みに半導体レーザを用いる場合の
出力制御装置に関するものである。
複写機等のデータ書込みに半導体レーザを用いる場合の
出力制御装置に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体レーザの自動出力制御回路では、例えば
８ビットのD/A変換器を１個用いて、1/256の分解能を達
成していたが、量子化誤差のため半導体レーザの出力変
動が大きく、例えば20mA〜120mAの範囲で制御するには
十分な精度ではなかった。また、８ビットを12ビット等
に上げたD/A変換器を用い、量子化精度を良くした自動
出力制御回路があるが、最初の出力セットで過剰に時間
を要することがあり、速応性に欠けた。また、ビット数
の多い分だけコスト高になる。ちなみに12ビットD/A変
換器は８ビットD/A変換器２個分より高価となる。
８ビットのD/A変換器を１個用いて、1/256の分解能を達
成していたが、量子化誤差のため半導体レーザの出力変
動が大きく、例えば20mA〜120mAの範囲で制御するには
十分な精度ではなかった。また、８ビットを12ビット等
に上げたD/A変換器を用い、量子化精度を良くした自動
出力制御回路があるが、最初の出力セットで過剰に時間
を要することがあり、速応性に欠けた。また、ビット数
の多い分だけコスト高になる。ちなみに12ビットD/A変
換器は８ビットD/A変換器２個分より高価となる。
第４図は従来の半導体レーザの出力制御回路例で、第
５図にその出力制御特性を示す。これを簡単に説明する
と、半導体レーザ10を駆動するため、半導体レーザ（L
D）駆動回路11に一定の駆動信号（図示せず）を印加
し、一定強度のレーザ光が射出され、ホトセンサ12で受
光される。この受光出力は、レーザ光の強度に比例した
電流を出力し、増幅器13で電圧変換され、電圧値VMとし
て比較器14に印加され、基準電圧Vref1と比較され、そ
の大小関係に応じてＨレベルまたはＬレベルとなり、ア
ップ／ダウンカウンタ15（以下、単にカウンタという）
のカウントモードを制御する。例えば、VM＜Vref1のと
き、即ち半導体レーザ10の出力強度が基準値Ｐに達しな
いときは、比較器14の出力がＨレベルとなり、カウンタ
15はアップカウンタとして作動するアップモードとな
り、VM＞Vref1のときはダウンモードとなる。
５図にその出力制御特性を示す。これを簡単に説明する
と、半導体レーザ10を駆動するため、半導体レーザ（L
D）駆動回路11に一定の駆動信号（図示せず）を印加
し、一定強度のレーザ光が射出され、ホトセンサ12で受
光される。この受光出力は、レーザ光の強度に比例した
電流を出力し、増幅器13で電圧変換され、電圧値VMとし
て比較器14に印加され、基準電圧Vref1と比較され、そ
の大小関係に応じてＨレベルまたはＬレベルとなり、ア
ップ／ダウンカウンタ15（以下、単にカウンタという）
のカウントモードを制御する。例えば、VM＜Vref1のと
き、即ち半導体レーザ10の出力強度が基準値Ｐに達しな
いときは、比較器14の出力がＨレベルとなり、カウンタ
15はアップカウンタとして作動するアップモードとな
り、VM＞Vref1のときはダウンモードとなる。
フリップフロップF/F16は、スタンバイモードの始め
にパワーセット記号（S1）によりセット（Ｓ）されて出
力信号を生じ、カウンタ15のディスエーブル状態を解除
し、クロックパルス発生器17からのクロックパルスを比
較器14からの入力に応じてアップまたはダウンカウント
する。
にパワーセット記号（S1）によりセット（Ｓ）されて出
力信号を生じ、カウンタ15のディスエーブル状態を解除
し、クロックパルス発生器17からのクロックパルスを比
較器14からの入力に応じてアップまたはダウンカウント
する。
カウント15のカウント出力は、半導体レーザ10の発光
強度の変化に応じ計数値が徐々に増加（または減少）
し、D/A変換器18にて発光強度に対応したアナログ信号
に変換され、LD駆動回路11に印加され、駆動信号を変化
させる。これによって、半導体レーザ10の発光強度が変
化する。なお、エッジ検出回路19は、比較器14の立上り
（または立下り）のエッジを検出してフリップフロップ
F/F16をリセット（Ｒ）とし、カウンタ15をディスエー
ブル状態に復帰させる。
強度の変化に応じ計数値が徐々に増加（または減少）
し、D/A変換器18にて発光強度に対応したアナログ信号
に変換され、LD駆動回路11に印加され、駆動信号を変化
させる。これによって、半導体レーザ10の発光強度が変
化する。なお、エッジ検出回路19は、比較器14の立上り
（または立下り）のエッジを検出してフリップフロップ
F/F16をリセット（Ｒ）とし、カウンタ15をディスエー
ブル状態に復帰させる。
上記動作によるパワーセットの状態が第５図であり、
最初のパワーセット段階では、基準値Ｐまで階段的に出
力を上げて維持し、２回目以降のパワーセットは、この
出力維持された所から制御を開始し、基準値Ｐまで出力
を上げ、維持している。
最初のパワーセット段階では、基準値Ｐまで階段的に出
力を上げて維持し、２回目以降のパワーセットは、この
出力維持された所から制御を開始し、基準値Ｐまで出力
を上げ、維持している。
（発明が解決しようとする問題点） 上述したように、従来の半導体レーザの自動出力制御
回路では、１個のD/A変換器を用いて基準となる値まで
上げる方法をとっており、量子化誤差のため、半導体レ
ーザの出力変動が大きく、円滑かつ速応性の対応制御が
できなかった。
回路では、１個のD/A変換器を用いて基準となる値まで
上げる方法をとっており、量子化誤差のため、半導体レ
ーザの出力変動が大きく、円滑かつ速応性の対応制御が
できなかった。
本発明は、このような従来の欠点を解消し、自動制御
回路を２個設け、それぞれ制御段階に対応する出力制御
を行うことによって、高精度で低コストの半導体レーザ
の出力制御を行なうことを目的とするものである。
回路を２個設け、それぞれ制御段階に対応する出力制御
を行うことによって、高精度で低コストの半導体レーザ
の出力制御を行なうことを目的とするものである。
（構成および作用） 本発明は上記目的を達成するため、データ書き込み用
の半導体レーザと、この半導体レーザの出力光を受光す
る受光手段と、この受光手段の出力値と予め定めた設定
値との大小を比較する比較手段と、前記受光手段の出力
値と前記設定値との大小関係が反転したことを検知する
エッジ検出回路と、前記受光手段の出力値が前記設定値
に接近する方向に前記半導体レーザの出力を増加または
減少させる制御を行い、前記エッジ検出回路の出力によ
り前記半導体レーザ駆動用の出力を安定させる第１の出
力制御回路と、この第１の出力制御回路よりも前記半導
体レーザの出力を増加または減少させる変化量を小さく
設定し、かつ前記エッジ検出回路の出力により制御を開
始し、前記第１の出力制御回路による前記半導体レーザ
出力の増加減少方向とは逆方向に前記半導体レーザの出
力を増加または減少させて、前記受光手段の出力値を前
記設定値に接近させるように前記半導体レーザの駆動用
の出力を制御する第２の出力制御回路と、前記第１の出
力制御回路および前記第２の出力制御回路からの前記半
導体レーザ駆動用の出力を加算する演算回路と、この加
算器からの出力をもとにして前記半導体レーザを駆動さ
せるLD駆動回路とを有することを特徴とするものであ
る。
の半導体レーザと、この半導体レーザの出力光を受光す
る受光手段と、この受光手段の出力値と予め定めた設定
値との大小を比較する比較手段と、前記受光手段の出力
値と前記設定値との大小関係が反転したことを検知する
エッジ検出回路と、前記受光手段の出力値が前記設定値
に接近する方向に前記半導体レーザの出力を増加または
減少させる制御を行い、前記エッジ検出回路の出力によ
り前記半導体レーザ駆動用の出力を安定させる第１の出
力制御回路と、この第１の出力制御回路よりも前記半導
体レーザの出力を増加または減少させる変化量を小さく
設定し、かつ前記エッジ検出回路の出力により制御を開
始し、前記第１の出力制御回路による前記半導体レーザ
出力の増加減少方向とは逆方向に前記半導体レーザの出
力を増加または減少させて、前記受光手段の出力値を前
記設定値に接近させるように前記半導体レーザの駆動用
の出力を制御する第２の出力制御回路と、前記第１の出
力制御回路および前記第２の出力制御回路からの前記半
導体レーザ駆動用の出力を加算する演算回路と、この加
算器からの出力をもとにして前記半導体レーザを駆動さ
せるLD駆動回路とを有することを特徴とするものであ
る。
また、前記第１の出力制御回路は第１のD/A変換器を
有し、前記第２の出力制御回路は第２のD/A変換器を有
することを特徴とするものである。
有し、前記第２の出力制御回路は第２のD/A変換器を有
することを特徴とするものである。
本発明は、半導体レーザの発光強度を基準値に大まか
に設定するためのデジタルの基準信号を第１の出力制御
回路で得る。また、前記発行強度を基準値に細かく設定
するためのデジタルの基準信号を第２の出力制御回路で
得る。この２段階に分けて得た基準信号を演算回路に入
力し、その結果をもとにLD駆動回路を駆動するものであ
る。これによって、従来に比べ半導体レーザの出力変動
に対し高精度に追随して出力を基準値に維持することが
できる。さらに、第1,第２の出力制御回路を構成するた
めの第1,第２のD/A変換器として、低コストD/A変換器を
用いることができるので、全体として経済的な半導体レ
ーザの出力制御装置が得られる。
に設定するためのデジタルの基準信号を第１の出力制御
回路で得る。また、前記発行強度を基準値に細かく設定
するためのデジタルの基準信号を第２の出力制御回路で
得る。この２段階に分けて得た基準信号を演算回路に入
力し、その結果をもとにLD駆動回路を駆動するものであ
る。これによって、従来に比べ半導体レーザの出力変動
に対し高精度に追随して出力を基準値に維持することが
できる。さらに、第1,第２の出力制御回路を構成するた
めの第1,第２のD/A変換器として、低コストD/A変換器を
用いることができるので、全体として経済的な半導体レ
ーザの出力制御装置が得られる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例の回路構成図で、第４図と
同一数字記号は同じものである。増幅器13,比較器14お
よびクロックパルス発生器17は、共通に使用される。こ
こで、カウンタ15,フリップフロップF/F16およびエッジ
検出回路19が第１の出力制御回路、D/A変換器18が第１
のD/A変換器である。また、カウンタ25,フリップフロッ
プF/F26およびエッジ検出回路29が第２の出力制御回
路、D/A変換器28が第２のD/A変換器である。また、20は
加算器で、第1,第２のD/A変換器18,28からのアナログ値
を加算する演算回路である。
同一数字記号は同じものである。増幅器13,比較器14お
よびクロックパルス発生器17は、共通に使用される。こ
こで、カウンタ15,フリップフロップF/F16およびエッジ
検出回路19が第１の出力制御回路、D/A変換器18が第１
のD/A変換器である。また、カウンタ25,フリップフロッ
プF/F26およびエッジ検出回路29が第２の出力制御回
路、D/A変換器28が第２のD/A変換器である。また、20は
加算器で、第1,第２のD/A変換器18,28からのアナログ値
を加算する演算回路である。
第２図は第11図の第1,第２のD/A変換器18,28の出力状
態図を示し、第１のD/A変換器18に比べ第２のD/A変換器
28の変化量が小さくしてある。そして、２回目以降のパ
ワーセツトで第２のD/A変換器28の出力値はプリセット
され、第１のD/A変換器18はこの出力値の維持された所
から制御を開始するようになっている。
態図を示し、第１のD/A変換器18に比べ第２のD/A変換器
28の変化量が小さくしてある。そして、２回目以降のパ
ワーセツトで第２のD/A変換器28の出力値はプリセット
され、第１のD/A変換器18はこの出力値の維持された所
から制御を開始するようになっている。
まず、第１の基準値信号の発生につき説明する。第１
の基準値信号は、光書込走査に必要な発光強度を大まか
に実現するのに必要な信号である。
の基準値信号は、光書込走査に必要な発光強度を大まか
に実現するのに必要な信号である。
まず、半導体レーザ10を駆動するためのLD駆動回路11
に一定の駆動信号（図示されず）が印加される。する
と、半導体レーザ10から一定強度のレーザ光が前方およ
び後方へ射出される。
に一定の駆動信号（図示されず）が印加される。する
と、半導体レーザ10から一定強度のレーザ光が前方およ
び後方へ射出される。
さて、半導体レーザ10から後方へ射出されたレーザ光
は、ホトセンサ12に受光される。ホトセンサ12は、受光
した光の強度に比例した電流を出力し、この電流は増幅
器13により電圧に変換され、比較器14に電圧値VMとして
印加され、基準電圧Vref1と比較される。比較器14の出
力電圧は、電圧VMとVref1の大小関係に応じてＨレベル
またはＬレベルとなり、カウンタ15のカウントモードを
制御する。例えば、VM＜Vref1のとき、即ち半導体レー
ザ10の出力強度が基準値Ｐに達していないときは、比較
器14の出力がＨレベルとなり、カウンタ15はアップカウ
ンタとして作動するカウントモード、即ちアップモード
となり、VM＞Vref1のときは逆にダウンカウンタとして
動作するカウンタモード、即ちダウンモードとなる。
は、ホトセンサ12に受光される。ホトセンサ12は、受光
した光の強度に比例した電流を出力し、この電流は増幅
器13により電圧に変換され、比較器14に電圧値VMとして
印加され、基準電圧Vref1と比較される。比較器14の出
力電圧は、電圧VMとVref1の大小関係に応じてＨレベル
またはＬレベルとなり、カウンタ15のカウントモードを
制御する。例えば、VM＜Vref1のとき、即ち半導体レー
ザ10の出力強度が基準値Ｐに達していないときは、比較
器14の出力がＨレベルとなり、カウンタ15はアップカウ
ンタとして作動するカウントモード、即ちアップモード
となり、VM＞Vref1のときは逆にダウンカウンタとして
動作するカウンタモード、即ちダウンモードとなる。
フリップフロップ16は、スタンバイモードの始めにパ
ワーセット信号S1｛第３図（ｂ）｝によりセットされて
出力信号を生じ、カウンタ15のディスエーブル状態｛EN
がＬレベル…第３図（ｆ）｝を解除すると同時に、カウ
ンタ25をプリセット｛ENがＬレベル…第３図（ｇ）｝す
る。そして、カウンタ15はクロックパルス発生器17から
のクロックパルス｛第３図（ａ）｝を比較器14からの入
力に応じてアップまたはダウンカウントする。
ワーセット信号S1｛第３図（ｂ）｝によりセットされて
出力信号を生じ、カウンタ15のディスエーブル状態｛EN
がＬレベル…第３図（ｆ）｝を解除すると同時に、カウ
ンタ25をプリセット｛ENがＬレベル…第３図（ｇ）｝す
る。そして、カウンタ15はクロックパルス発生器17から
のクロックパルス｛第３図（ａ）｝を比較器14からの入
力に応じてアップまたはダウンカウントする。
カウンタ15のカウント出力は、第１のD/A変換器18に
てアナログ信号に変換され、加算器20を介してLD駆動回
路11に印加され、駆動信号を変化させる。これによっ
て、半導体レーザ10の発光強度が変化する。
てアナログ信号に変換され、加算器20を介してLD駆動回
路11に印加され、駆動信号を変化させる。これによっ
て、半導体レーザ10の発光強度が変化する。
即ち、カウンタ15の計数値が徐々に増加（または減
少）するに伴って、半導体レーザ10からのレーザ光の強
度は徐々に増加（または減少）し、比較器14に印加され
る電圧VMは徐々に増加（または減少）する。
少）するに伴って、半導体レーザ10からのレーザ光の強
度は徐々に増加（または減少）し、比較器14に印加され
る電圧VMは徐々に増加（または減少）する。
電圧VMが徐々に変化してVref1との大小関係が反転す
ると、比較器14の出力もＨレベルからＬレベル（または
ＬレベルからＨレベル）へと反転する。このとき、エッ
ジ検出回路19が比較器14の出力｛第３図（ｃ）｝の立下
り（または立上り）のエッジを検出｛第３図（ｄ）｝し
て、フリップフロップF/F16をリセットし、カウンタ15
をディスエーブル状態｛Ｌレベル…第３図（ｆ）｝に復
帰させる。従って、カウンタ15は上記比較器14の出力反
転の際の計数値を保持し、従って、半導体レーザ10の駆
動電流の大きさがそのまま保持される。このとき、VMと
Vref1はほぼ同じ値となり、半導体レーザ10の出力強度
は、基準電圧Vref1を通じて設定された基準値Ｐに大ま
かに設定される。このように、半導体レーザ10の発光強
度が基準値Ｐに大まかに設定された状態で、カウンタ15
から出力されるデジタル信号が第１の基準値信号であ
る。
ると、比較器14の出力もＨレベルからＬレベル（または
ＬレベルからＨレベル）へと反転する。このとき、エッ
ジ検出回路19が比較器14の出力｛第３図（ｃ）｝の立下
り（または立上り）のエッジを検出｛第３図（ｄ）｝し
て、フリップフロップF/F16をリセットし、カウンタ15
をディスエーブル状態｛Ｌレベル…第３図（ｆ）｝に復
帰させる。従って、カウンタ15は上記比較器14の出力反
転の際の計数値を保持し、従って、半導体レーザ10の駆
動電流の大きさがそのまま保持される。このとき、VMと
Vref1はほぼ同じ値となり、半導体レーザ10の出力強度
は、基準電圧Vref1を通じて設定された基準値Ｐに大ま
かに設定される。このように、半導体レーザ10の発光強
度が基準値Ｐに大まかに設定された状態で、カウンタ15
から出力されるデジタル信号が第１の基準値信号であ
る。
なお、エッジ検出回路19は、比較器14の出力がＨレベ
ルからＬレベルへ反転したときにのみ、カウンタ15をデ
ィスエーブル状態にするように構成してもよい。このよ
うにすると、比較器14の出力レベルがＨレベルからＬレ
ベルへ反転するときは上記の場合と同じであるが、上記
出力レベルがＬレベルからＨレベルへ反転するときには
以下の如くになる。即ち、ＬレベルからＨレベルに反転
すると、カウンタ15はディスエーブル状態が解除された
まま、アップカウンタとして動作することになる。そし
て、半導体レーザ10の駆動電流は増加し、比較器14の出
力がＨレベルからＬレベルへと反転｛第３図（ｃ）｝す
ると、エッジ検出回路29がその立下りエッジを検出し
て、カウンタ15をディスエーブル状態にして、その計数
値を保持させるのである。
ルからＬレベルへ反転したときにのみ、カウンタ15をデ
ィスエーブル状態にするように構成してもよい。このよ
うにすると、比較器14の出力レベルがＨレベルからＬレ
ベルへ反転するときは上記の場合と同じであるが、上記
出力レベルがＬレベルからＨレベルへ反転するときには
以下の如くになる。即ち、ＬレベルからＨレベルに反転
すると、カウンタ15はディスエーブル状態が解除された
まま、アップカウンタとして動作することになる。そし
て、半導体レーザ10の駆動電流は増加し、比較器14の出
力がＨレベルからＬレベルへと反転｛第３図（ｃ）｝す
ると、エッジ検出回路29がその立下りエッジを検出し
て、カウンタ15をディスエーブル状態にして、その計数
値を保持させるのである。
また、カウンタ15は、比較器14の出力がＨレベルでダ
ウンカウンタとして作動し、上記出力がＬレベルでアッ
プカウンタとして作動するようにし、その計数値と半導
体レーザ10の駆動電流が反比例するようにしてもよい。
エッジ検出回路19,カウンタ15に関してここで述べたこ
とは、カウンタ25についてもあてはまる。
ウンカウンタとして作動し、上記出力がＬレベルでアッ
プカウンタとして作動するようにし、その計数値と半導
体レーザ10の駆動電流が反比例するようにしてもよい。
エッジ検出回路19,カウンタ15に関してここで述べたこ
とは、カウンタ25についてもあてはまる。
なお、フリップフロップF/F16がリセットされると
き、カウンタ15がディスエーブル状態に復帰するととも
に、カウンタ25のプリセットモードを解除する。
き、カウンタ15がディスエーブル状態に復帰するととも
に、カウンタ25のプリセットモードを解除する。
さて、エッジ検出回路19の出力は、前述の如くフリッ
プフロップF/F16をリセットする。フリップフロップF/F
16のエッジを検出するエッジ検出回路29｛第３図
（ｅ）｝によりフリップフロップF/F26をセットする。
これにより、フリップフロップF/F26は出力を生じ、カ
ウンタ25のディスエーブル状態を解除する。従って、半
導体レーザ10の発光強度が基準値Ｐを大まかに実現する
と同時に、カウンタ25は、比較器14の出力がＬレベルか
Ｈレベルかに応じて、クロックパルス発生器17からのク
ロックパルスをアップもしくはダウンカウントする。
プフロップF/F16をリセットする。フリップフロップF/F
16のエッジを検出するエッジ検出回路29｛第３図
（ｅ）｝によりフリップフロップF/F26をセットする。
これにより、フリップフロップF/F26は出力を生じ、カ
ウンタ25のディスエーブル状態を解除する。従って、半
導体レーザ10の発光強度が基準値Ｐを大まかに実現する
と同時に、カウンタ25は、比較器14の出力がＬレベルか
Ｈレベルかに応じて、クロックパルス発生器17からのク
ロックパルスをアップもしくはダウンカウントする。
このカウンタ25のカウント出力は、第２のD/A変換器2
8でアナログ信号にアナログ変換され、加算器20を介し
てLD駆動回路11に印加される。これにより、カウンタ25
の計数値の増減に伴い、半導体レーザ10からのレーザ光
の発光強度も増減する。そして、基準電圧Vref1を通じ
て設定された発光強度の基準値Ｐが細かく実現される
と、その事実が比較器14の出力のレベル反転としてエッ
ジ検出回路19により検出｛第３図（ｄ）｝され、エッジ
検出回路19は出力を発してフリップフロップF/F26をリ
セットする。これにより、カウンタ25はディスエーブル
状態に復帰し、その出力は上記基準値Ｐが細かく実現さ
れたときの出力値を維持する。このときのカウンタ25の
出力が、第２の基準値信号である。
8でアナログ信号にアナログ変換され、加算器20を介し
てLD駆動回路11に印加される。これにより、カウンタ25
の計数値の増減に伴い、半導体レーザ10からのレーザ光
の発光強度も増減する。そして、基準電圧Vref1を通じ
て設定された発光強度の基準値Ｐが細かく実現される
と、その事実が比較器14の出力のレベル反転としてエッ
ジ検出回路19により検出｛第３図（ｄ）｝され、エッジ
検出回路19は出力を発してフリップフロップF/F26をリ
セットする。これにより、カウンタ25はディスエーブル
状態に復帰し、その出力は上記基準値Ｐが細かく実現さ
れたときの出力値を維持する。このときのカウンタ25の
出力が、第２の基準値信号である。
上記第１の基準値信号，第２の基準値信号は、パワー
セットの行なわれるたびに変動することはありうるが、
一旦パワーセットが行なわれたのちの次回のパワーセッ
トまで変化することはない。
セットの行なわれるたびに変動することはありうるが、
一旦パワーセットが行なわれたのちの次回のパワーセッ
トまで変化することはない。
本発明は、第２図に示すように、最初のパワーセット
で大まかに所望の基準値Ｐに第１のD/A変換器の出力で
制御（P0）し、次いで細かい出力値の制御を第２のD/A
変換器の出力で行ない、基準値Ｐとする。また、２回目
以降のパワーセットは、初回で維持された出力値から初
回同様に制御され、高精度に半導体レーザの発光強度を
駆動するものである。なお、比較器14のダウンモード、
エッジ検出回路19,29の検出、D/A変換器18,28,カウンタ
15,25の動作は、これまで述べた動作態様と逆の構成と
してもよい。
で大まかに所望の基準値Ｐに第１のD/A変換器の出力で
制御（P0）し、次いで細かい出力値の制御を第２のD/A
変換器の出力で行ない、基準値Ｐとする。また、２回目
以降のパワーセットは、初回で維持された出力値から初
回同様に制御され、高精度に半導体レーザの発光強度を
駆動するものである。なお、比較器14のダウンモード、
エッジ検出回路19,29の検出、D/A変換器18,28,カウンタ
15,25の動作は、これまで述べた動作態様と逆の構成と
してもよい。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明は、２つの出力制御回路
を設け、２段階に分けて半導体レーザの出力制御をする
ことにより、レーザの出力変動に対して高精度に追従可
能になり、制御精度が向上する。
を設け、２段階に分けて半導体レーザの出力制御をする
ことにより、レーザの出力変動に対して高精度に追従可
能になり、制御精度が向上する。
また、精度を向上させるため、D/A変換器のビット数
を増加させ高価となるものより、最初のパワーセットが
少ないビット数のD/A変換器により大きく短縮できる効
果がある。
を増加させ高価となるものより、最初のパワーセットが
少ないビット数のD/A変換器により大きく短縮できる効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路構成図、第２図は第１
図の第1,第２のD/A変換器18,28の出力状態図、第３図は
第１図の動作タイミングチャート、第４図は従来の半導
体レーザの出力制御回路を示す図、第５図は第４図の出
力状態図である。 10……半導体レーザ、11……LD駆動回路、12……ホトセ
ンサ、13……増幅器、14……比較器、15,25……カウン
タ、16,26……フリップフロップF/F、17……クロックパ
ルス発生器、18,28……第1,第２のD/A変換器、19,29…
…エッジ検出回路、20……加算器。
図の第1,第２のD/A変換器18,28の出力状態図、第３図は
第１図の動作タイミングチャート、第４図は従来の半導
体レーザの出力制御回路を示す図、第５図は第４図の出
力状態図である。 10……半導体レーザ、11……LD駆動回路、12……ホトセ
ンサ、13……増幅器、14……比較器、15,25……カウン
タ、16,26……フリップフロップF/F、17……クロックパ
ルス発生器、18,28……第1,第２のD/A変換器、19,29…
…エッジ検出回路、20……加算器。
Claims (2)
- 【請求項１】データ書き込み用の半導体レーザと、この
半導体レーザの出力光を受光する受光手段と、 この受光手段の出力値と予め定めた設定値との大小を比
較する比較手段と、前記受光手段の出力値と前記設定値
との大小関係が反転したことを検知するエッジ検出回路
と、 前記受光手段の出力値が前記設定値に接近する方向に前
記半導体レーザの出力を増加または減少させる制御を行
い、前記エッジ検出回路の出力により前記半導体レーザ
駆動用の出力を安定させる第１の出力制御回路と、 この第１の出力制御回路よりも前記半導体レーザの出力
を増加または減少させる変化量を小さく設定し、かつ前
記エッジ検出回路の出力により制御を開始し、前記第１
の出力制御回路による前記半導体レーザ出力の増加減少
方向とは逆方向に前記半導体レーザの出力を増加または
減少させて、前記受光手段の出力値を前記設定値に接近
させるように前記半導体レーザの駆動用の出力を制御す
る第２の出力制御回路と、 前記第１の出力制御回路および前記第２出力制御回路か
らの前記半導体レーザ駆動用の出力を加算する演算回路
と、 この加算器からの出力をもとにして前記半導体レーザを
駆動させるLD駆動回路とを有することを特徴とする半導
体レーザの出力制御装置。 - 【請求項２】前記第１の出力制御回路は第１のD/A変換
器を有し、前記第２の出力制御回路は第２のD/A変換器
を有することを特徴とする特許請求の範囲（１）項記載
の半導体レーザの出力制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336547A JP2649528B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体レーザの出力制御装置 |
| US07/290,441 US4856008A (en) | 1987-12-29 | 1988-12-27 | Semiconductor laser control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336547A JP2649528B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体レーザの出力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179381A JPH01179381A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2649528B2 true JP2649528B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=18300260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336547A Expired - Fee Related JP2649528B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体レーザの出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649528B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3732033B2 (ja) | 1999-02-19 | 2006-01-05 | 富士通株式会社 | 光出力制御回路 |
| JP2004273663A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Hitachi Printing Solutions Ltd | 自動光出力制御装置 |
| JP6972521B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2021-11-24 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 半導体発光素子駆動制御装置、液滴乾燥装置、及び画像形成装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230466A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ−出力調整方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62336547A patent/JP2649528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01179381A (ja) | 1989-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |