JP2643315B2 - 中空光導波路 - Google Patents
中空光導波路Info
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- JP2643315B2 JP2643315B2 JP63143569A JP14356988A JP2643315B2 JP 2643315 B2 JP2643315 B2 JP 2643315B2 JP 63143569 A JP63143569 A JP 63143569A JP 14356988 A JP14356988 A JP 14356988A JP 2643315 B2 JP2643315 B2 JP 2643315B2
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- Japan
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- dielectric
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- hollow waveguide
- germanium
- waveguide
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、吸収の小さい誘電体薄膜を内装した金属中
空導波路に係るもので、特に、石英系光ファイバが使用
できない赤外波長帯のレーザ光を伝搬させるのに好適な
中空光導波路に関するものである。
空導波路に係るもので、特に、石英系光ファイバが使用
できない赤外波長帯のレーザ光を伝搬させるのに好適な
中空光導波路に関するものである。
［従来の技術］ 炭酸ガスレーザは、発振効率が高く、大出力を得るこ
とができるため、医療用のレーザメスや溶接、切断等の
工業加工用とし広く利用されるようになった。
とができるため、医療用のレーザメスや溶接、切断等の
工業加工用とし広く利用されるようになった。
しかし、その発振波長が10.6μｍという赤外領域にあ
るため、従来の石英系光ファイバでは損失が大きく、こ
れを導波路として用いることはできない。
るため、従来の石英系光ファイバでは損失が大きく、こ
れを導波路として用いることはできない。
そこで、第１図に示すような、誘電体内装金属中空導
波路が考案された。これは、複素屈折率の大きさが大き
い金属チューブ１の内壁に、伝送するレーザ光の波長帯
において吸収の小さい誘電体薄膜２を内装することによ
り、内壁の反射率を高め、中空領域３にエネルギーを閉
じ込めてレーザ光を伝搬させるものである。このような
誘電体内装金属中空導波路の伝送損失は内装する誘電体
の膜厚に依存する。
波路が考案された。これは、複素屈折率の大きさが大き
い金属チューブ１の内壁に、伝送するレーザ光の波長帯
において吸収の小さい誘電体薄膜２を内装することによ
り、内壁の反射率を高め、中空領域３にエネルギーを閉
じ込めてレーザ光を伝搬させるものである。このような
誘電体内装金属中空導波路の伝送損失は内装する誘電体
の膜厚に依存する。
第２図にゲルマニウムを内装したニッケル中空導波路
に炭酸ガスレーザ光を通したときのゲルマニウムの膜厚
に対するHE11モードの伝送損失の実測値及び理論値を示
す。
に炭酸ガスレーザ光を通したときのゲルマニウムの膜厚
に対するHE11モードの伝送損失の実測値及び理論値を示
す。
ここで、導波路系はφ1.5mm長さは1mである。
一般に、円形の誘電体内装金属中空導波路のハイブリ
ッドモードの伝送損失αは、 と表することができる。ここでZTEは導波路の境界より
外側を見たTEモードに対する正規化表面インピーダンス
で また、YTMは導波路の境界より外側を見たTMモードに
対する正規化表面アドミタンスで である。但し、λはレーザ光の波長、ａは内装する誘電
体の屈折率、Ｆは誘電体に接する金属の複素屈折率、Ｓ
は導波路の半径、ｔは内装誘電体の膜厚、ｕは半径方向
の正規化位相定数の実数部で HEnmモードに対してJn-1（ｕ）＝０、 EHnmモードに対してJn+1（ｕ）＝０ を満足する。また、Ｒは括弧内の実数部を表す。
ッドモードの伝送損失αは、 と表することができる。ここでZTEは導波路の境界より
外側を見たTEモードに対する正規化表面インピーダンス
で また、YTMは導波路の境界より外側を見たTMモードに
対する正規化表面アドミタンスで である。但し、λはレーザ光の波長、ａは内装する誘電
体の屈折率、Ｆは誘電体に接する金属の複素屈折率、Ｓ
は導波路の半径、ｔは内装誘電体の膜厚、ｕは半径方向
の正規化位相定数の実数部で HEnmモードに対してJn-1（ｕ）＝０、 EHnmモードに対してJn+1（ｕ）＝０ を満足する。また、Ｒは括弧内の実数部を表す。
このように、伝送損失は内装する誘電体の膜厚によっ
て周期的に変化する。
て周期的に変化する。
APPL.Phys.Lett.43,430（1983）によれば、内装する
誘電体の膜厚ｔが、ｔ＝tmを満足すれば、伝送損失は極
小となる。
誘電体の膜厚ｔが、ｔ＝tmを満足すれば、伝送損失は極
小となる。
但し、 ｑは零または自然数である。
このように、伝送損失が極小となる誘電体層の膜厚tm
は誘電体の屈折率に依存し、誘電体に接する金属材料に
は依存しない。
は誘電体の屈折率に依存し、誘電体に接する金属材料に
は依存しない。
例えば、内装する誘電体がゲルマニウムの場合、tm＝
0.49μｍのとき伝送損失は極小となり、実測値はほぼ理
論の妥当性を示している。
0.49μｍのとき伝送損失は極小となり、実測値はほぼ理
論の妥当性を示している。
第２図に見られるもののうちで代表的な中空導波路の
曲げ特性の測定結果を第３図〜第５図に示す。第３図は
ニッケル中空導波路、第４図は式を満足して、伝送損
失が極小となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路、
第５図は伝送損失が極大となるゲルマニウム内装ニッケ
ル中空導波路である。
曲げ特性の測定結果を第３図〜第５図に示す。第３図は
ニッケル中空導波路、第４図は式を満足して、伝送損
失が極小となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路、
第５図は伝送損失が極大となるゲルマニウム内装ニッケ
ル中空導波路である。
ここで、導波路系φ1.5mm、長さ1mで、導波路の入射
端20cmを真っ直ぐに固定し、それから残り80cmを曲げ半
径Ｒで一様に曲げてある。
端20cmを真っ直ぐに固定し、それから残り80cmを曲げ半
径Ｒで一様に曲げてある。
また、図中○印は第６図（ａ）に示すように、曲げ平
面に対し、電界が垂直となる直線偏光Eaを入射した場
合、×印は第６図（ｂ）に示すように曲げ平面に対し、
電界が平行となる直線偏光Ebを入射した場合の測定結果
で、ともに直線状態の導波路の透過率を基準にして相対
的な透過率を示してある。
面に対し、電界が垂直となる直線偏光Eaを入射した場
合、×印は第６図（ｂ）に示すように曲げ平面に対し、
電界が平行となる直線偏光Ebを入射した場合の測定結果
で、ともに直線状態の導波路の透過率を基準にして相対
的な透過率を示してある。
第３図のニッケル中空導波路の場合や第５図の伝送損
失が極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の
場合では、わずかな曲がりでも伝送損失は大きく増加す
る。これに対し、第４図の伝送損失が極小となるゲルマ
ニウム内装ニッケル中空導波路の場合では曲げに対して
比較的強い結果が出ている。
失が極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の
場合では、わずかな曲がりでも伝送損失は大きく増加す
る。これに対し、第４図の伝送損失が極小となるゲルマ
ニウム内装ニッケル中空導波路の場合では曲げに対して
比較的強い結果が出ている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、第３図〜第５図はいずれも直線偏光Ea
とEbを入射させたときの曲がりに対する損失の増加は異
なり、曲げ損失に入射レーザ光の偏光依存性が現れる。
そのため、偏光をもったレーザ光を入射して任意の方向
に曲げる場合にはいずれの中空導波路も適さない。すな
わち、最小損失条件式を満足する誘電体内装金属中空
導波路は直線状態で用いる場合は低損失であるが、偏光
をもったレーザ光を入射し、任意の方向に曲げる場合に
は安定な出力を制御するのは難しい。
とEbを入射させたときの曲がりに対する損失の増加は異
なり、曲げ損失に入射レーザ光の偏光依存性が現れる。
そのため、偏光をもったレーザ光を入射して任意の方向
に曲げる場合にはいずれの中空導波路も適さない。すな
わち、最小損失条件式を満足する誘電体内装金属中空
導波路は直線状態で用いる場合は低損失であるが、偏光
をもったレーザ光を入射し、任意の方向に曲げる場合に
は安定な出力を制御するのは難しい。
従って、本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を
解消し、任意の方向に曲げても曲げ特性が変らない新規
な中空導波路を提供することにある。
解消し、任意の方向に曲げても曲げ特性が変らない新規
な中空導波路を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の中空導波路は、金属チューブに誘電体が内装
され、偏光をもったレーザ光を伝送させる中空光導波路
において、誘電体の膜厚ｔがtpの近傍、すなわち tm＜ｔ＜tU を満足するように構成したものである。
され、偏光をもったレーザ光を伝送させる中空光導波路
において、誘電体の膜厚ｔがtpの近傍、すなわち tm＜ｔ＜tU を満足するように構成したものである。
但し、 tmは既に述べた式で定義されたものであり、tUは伝
送損失が最小伝送損失の２倍は増加しない上限の膜厚、
λはレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率、ｎは金属の
複素屈折率の実数部、κは金属の複素屈折率の虚数部、
ｑは零または自然数である。
送損失が最小伝送損失の２倍は増加しない上限の膜厚、
λはレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率、ｎは金属の
複素屈折率の実数部、κは金属の複素屈折率の虚数部、
ｑは零または自然数である。
上記金属チューブがニッケルで形成され、上記誘電体
がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 0.49μｍ＜ｔ＜0.57μｍ を満足することが好ましい。
がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 0.49μｍ＜ｔ＜0.57μｍ を満足することが好ましい。
また、上記金属チューブが銀で形成され、上記誘電体
がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 0.49μｍ＜ｔ＜0.59μｍ であり、上記誘電体がセレン化亜鉛のときは、その膜厚
ｔが、 0.79μｍ＜ｔ＜1.02μｍ であり、上記誘電体が硫化亜鉛のときは、その膜厚ｔ
が、 0.82μｍ＜ｔ＜1.07μｍ であり、上記誘電体がフッ化カルシウムのときは、その
膜厚ｔが、 1.64μｍ＜ｔ＜2.21μｍ であることが好ましい。
がゲルマニウムのときは、その膜厚ｔが、 0.49μｍ＜ｔ＜0.59μｍ であり、上記誘電体がセレン化亜鉛のときは、その膜厚
ｔが、 0.79μｍ＜ｔ＜1.02μｍ であり、上記誘電体が硫化亜鉛のときは、その膜厚ｔ
が、 0.82μｍ＜ｔ＜1.07μｍ であり、上記誘電体がフッ化カルシウムのときは、その
膜厚ｔが、 1.64μｍ＜ｔ＜2.21μｍ であることが好ましい。
［作用］ 第３図〜第５図からわかるように第５図の伝送損失が
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路では、
第３図のニッケル中空導波路や第４図の伝送損失が極小
となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路と異なり、
曲げ平面に対し、電界が垂直となる直線偏光Eaを入射し
た場合と、曲げ平面に対し電界が平行となる直線偏光Eb
を入射した場合の透過率の大小関係が逆転する。
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路では、
第３図のニッケル中空導波路や第４図の伝送損失が極小
となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路と異なり、
曲げ平面に対し、電界が垂直となる直線偏光Eaを入射し
た場合と、曲げ平面に対し電界が平行となる直線偏光Eb
を入射した場合の透過率の大小関係が逆転する。
すなわち、最小損失条件式を満足した第４図の中空
導波路よりも、ゲルマニウム膜厚をさらに厚くしたとこ
ろにEaを入射させても、Ebを入射させても同じ曲げ特性
が得られるところが存在すると考えられる。
導波路よりも、ゲルマニウム膜厚をさらに厚くしたとこ
ろにEaを入射させても、Ebを入射させても同じ曲げ特性
が得られるところが存在すると考えられる。
入射ビームの偏光に対して曲げ特性が変らないように
するには、第７図のスラブモデルにおいて、導波路境界
面におけるTE波の反射率とTM波の反射率とが一致するよ
うに誘電体の膜厚を決定すればよい、誘電体を内装した
金属中空導波路のTE波とTM波の反射率はIEEE J.Quantum
Electron.,QE−19,136,（1983）に示されている。
するには、第７図のスラブモデルにおいて、導波路境界
面におけるTE波の反射率とTM波の反射率とが一致するよ
うに誘電体の膜厚を決定すればよい、誘電体を内装した
金属中空導波路のTE波とTM波の反射率はIEEE J.Quantum
Electron.,QE−19,136,（1983）に示されている。
一般に、赤外領域において、金属の複素屈折率の絶対
値は、誘電体の屈折率よりも十分大きいので、この関係
を用いれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、ほぼ上記式
を満足するとき、TE波とTM波の反射率はほぼ一致する。
値は、誘電体の屈折率よりも十分大きいので、この関係
を用いれば、内装する誘電体の膜厚ｔが、ほぼ上記式
を満足するとき、TE波とTM波の反射率はほぼ一致する。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について述べる。
炭酸ガスレーザ光伝送を目的としたゲルマニウム内装
ニッケル中空導波路の場合では、式を満足するゲルマ
ニウム膜の最小の膜厚tpは0.53μｍである。
ニッケル中空導波路の場合では、式を満足するゲルマ
ニウム膜の最小の膜厚tpは0.53μｍである。
また、最小損失条件式を満足するときのゲルマニウ
ムの膜厚tmは0.49μｍである。最小伝送損失より２倍は
増加しないためのゲルマニウムの膜厚を膜厚許容範囲と
定めれば膜厚許容範囲は、下限の膜厚tLが0.22μｍ、上
限の膜厚tUが0.57μｍである。
ムの膜厚tmは0.49μｍである。最小伝送損失より２倍は
増加しないためのゲルマニウムの膜厚を膜厚許容範囲と
定めれば膜厚許容範囲は、下限の膜厚tLが0.22μｍ、上
限の膜厚tUが0.57μｍである。
従って、式を満足するゲルマニウムの膜厚tpは、こ
の許容範囲であり、式を完全に満足しなくとも伝送損
失はあまり変らない。すなわち、ゲルマニウム内装ニッ
ケル中空導波路ではゲルマニウムの膜厚ｔを最小損失を
与える膜厚tmから損失が２倍は増加しない範囲の上限の
膜厚tUの範囲内、すなわち、0.49μｍ＜ｔ＜0.57μｍに
すれば、伝送損失は小さくしかも曲げ損失のレーザ光偏
光依存性も小さい導波路が得られる。特に、ゲルマニウ
ムの膜厚ｔがtpに一致するとき、すなわち、0.53μｍの
ときは曲げ損失のレーザ光偏光依存性はほとんど無視し
得る。
の許容範囲であり、式を完全に満足しなくとも伝送損
失はあまり変らない。すなわち、ゲルマニウム内装ニッ
ケル中空導波路ではゲルマニウムの膜厚ｔを最小損失を
与える膜厚tmから損失が２倍は増加しない範囲の上限の
膜厚tUの範囲内、すなわち、0.49μｍ＜ｔ＜0.57μｍに
すれば、伝送損失は小さくしかも曲げ損失のレーザ光偏
光依存性も小さい導波路が得られる。特に、ゲルマニウ
ムの膜厚ｔがtpに一致するとき、すなわち、0.53μｍの
ときは曲げ損失のレーザ光偏光依存性はほとんど無視し
得る。
以上はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の場合を
示したが、金属チューブ及び誘電体として他の材料を用
いた場合も同様である。低損失でしかも曲げ損失のレー
ザ光偏光依存性を小さくするには、例えばゲルマニウム
内装銀中空導波路では、ゲルマニウムの膜厚ｔを0.49μ
ｍ＜ｔ＜0.59μｍにすればよい。また、セレン化亜鉛内
装銀中空導波路では、セレン化亜鉛の膜厚ｔを0.79μｍ
＜ｔ＜1.02μｍ、硫化亜鉛内装銀中空導波路では、硫化
亜鉛の膜厚ｔを0.82μｍ＜ｔ＜1.07μｍ、フッ化カルシ
ウム内装銀中空導波路では、フッ化カルシウムの膜厚ｔ
を1.64μｍ＜ｔ＜2.21μｍにすればよい。
示したが、金属チューブ及び誘電体として他の材料を用
いた場合も同様である。低損失でしかも曲げ損失のレー
ザ光偏光依存性を小さくするには、例えばゲルマニウム
内装銀中空導波路では、ゲルマニウムの膜厚ｔを0.49μ
ｍ＜ｔ＜0.59μｍにすればよい。また、セレン化亜鉛内
装銀中空導波路では、セレン化亜鉛の膜厚ｔを0.79μｍ
＜ｔ＜1.02μｍ、硫化亜鉛内装銀中空導波路では、硫化
亜鉛の膜厚ｔを0.82μｍ＜ｔ＜1.07μｍ、フッ化カルシ
ウム内装銀中空導波路では、フッ化カルシウムの膜厚ｔ
を1.64μｍ＜ｔ＜2.21μｍにすればよい。
式を満足する最小の誘電体の膜厚tpは、ゲルマニウ
ム内装銀中空導波路ではｔ＝0.56μｍ、セレン化亜鉛内
装銀中空導波路ではｔ＝0.91μｍ、硫化亜鉛内装銀中空
導波路ではｔ＝0.95μｍ、フッ化カルシウム内装銀中空
導波路ではｔ＝1.88μｍであり、いずれも上記膜厚の範
囲内にある。
ム内装銀中空導波路ではｔ＝0.56μｍ、セレン化亜鉛内
装銀中空導波路ではｔ＝0.91μｍ、硫化亜鉛内装銀中空
導波路ではｔ＝0.95μｍ、フッ化カルシウム内装銀中空
導波路ではｔ＝1.88μｍであり、いずれも上記膜厚の範
囲内にある。
このような膜厚の範囲外で誘電体が内装された場合
は、曲げ損失のレーザ光偏光依存性が大きくなり、任意
の方向に曲げるような導波路には適さない。
は、曲げ損失のレーザ光偏光依存性が大きくなり、任意
の方向に曲げるような導波路には適さない。
なお、前記した数値検討において、ゲルマニウム、セ
レン化亜鉛、硫化亜鉛、フッ化カルシウムの屈折率をそ
れぞれ４、2.4、2.3、1.4とし、また、ニッケル、銀の
複素屈折率をそれぞれ9.1−j34.4、13.5−j75.3として
いる。
レン化亜鉛、硫化亜鉛、フッ化カルシウムの屈折率をそ
れぞれ４、2.4、2.3、1.4とし、また、ニッケル、銀の
複素屈折率をそれぞれ9.1−j34.4、13.5−j75.3として
いる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による金属チュープに誘
電体を内装した中空光導波路は、導波路境界面における
TE波の反射率とTM波の反射率とが一致するように誘電体
の膜厚が決められているので、低損失で、しかもどのよ
うな偏波のレーザ光を入射しても、曲げ方向によって特
性はほとんど変化せず、したがって安定した出力光を得
るための制御が極めて容易となる。
電体を内装した中空光導波路は、導波路境界面における
TE波の反射率とTM波の反射率とが一致するように誘電体
の膜厚が決められているので、低損失で、しかもどのよ
うな偏波のレーザ光を入射しても、曲げ方向によって特
性はほとんど変化せず、したがって安定した出力光を得
るための制御が極めて容易となる。
第１図は誘電体内装金属中空導波路の横断面図、第２図
はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路のゲルマニウム
の膜厚に対する伝送損失の実測値及び理論値特性図、第
３図はニッケル中空導波路の曲がりに対する相対透過率
特性図、第４図は伝送損失が極小となるゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路の同特性図、第５図は伝送損失が
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の同特
性図、第６図は曲がりに対するレーザ光の偏光方向を示
す模式図、第７図はスラブモデルにおけるTEモードとTM
モードの偏光方向を示す模式図である。 図中、１は金属チューブ、２は誘電体、３は中空領域で
ある。
はゲルマニウム内装ニッケル中空導波路のゲルマニウム
の膜厚に対する伝送損失の実測値及び理論値特性図、第
３図はニッケル中空導波路の曲がりに対する相対透過率
特性図、第４図は伝送損失が極小となるゲルマニウム内
装ニッケル中空導波路の同特性図、第５図は伝送損失が
極大となるゲルマニウム内装ニッケル中空導波路の同特
性図、第６図は曲がりに対するレーザ光の偏光方向を示
す模式図、第７図はスラブモデルにおけるTEモードとTM
モードの偏光方向を示す模式図である。 図中、１は金属チューブ、２は誘電体、３は中空領域で
ある。
Claims (6)
- 【請求項１】金属チューブに誘電体が内装され、偏光を
もったレーザ光を伝送させる中空光導波路において、誘
電体の膜厚ｔがtpの近傍、すなわち tm＜ｔ＜tU を満足することを特徴とする中空導波路。 但し、 tUは伝送損失が最小伝送損失の２倍は増加しない上限の
膜厚、λはレーザ光の波長、ａは誘電体の屈折率、ｎは
金属の複素屈折率の実数部、κは金属の複素屈折率の虚
数部、ｑは零または自然数である。 - 【請求項２】上記金属チューブがニッケルで形成され、
上記誘電体が、 0.49μｍ＜ｔ＜0.57μｍ の膜厚ｔを満足するゲルマニウムである請求項１記載の
中空導波路。 - 【請求項３】上記金属チューブが銀で形成され、上記誘
電体が、 0.49μｍ＜ｔ＜0.59μｍ の膜厚ｔを満足するゲルマニウムである請求項１記載の
中空導波路。 - 【請求項４】上記金属チューブが銀で形成され、上記誘
電体が、 0.79μｍ＜ｔ＜1.02μｍ の膜厚ｔを満足するセレン化亜鉛である請求項１記載の
中空導波路。 - 【請求項５】上記金属チューブが銀で形成され、上記誘
電体が、 0.82μｍ＜ｔ＜1.07μｍ の膜厚ｔを満足する硫化亜鉛である請求項１記載の中空
導波路。 - 【請求項６】上記金属チューブが銀で形成され、上記誘
電体が、 1.64μｍ＜ｔ＜2.21μｍ の膜厚ｔを満足するフッ化カルシウムである請求項１記
載の中空導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143569A JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143569A JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312510A JPH01312510A (ja) | 1989-12-18 |
| JP2643315B2 true JP2643315B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=15341803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143569A Expired - Lifetime JP2643315B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 中空光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643315B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2827365B2 (ja) * | 1989-12-14 | 1998-11-25 | 日立電線株式会社 | 誘電体内装金属中空光導波路を用いたレーザ加工装置 |
| JP2922023B2 (ja) * | 1991-07-09 | 1999-07-19 | 松下電器産業株式会社 | レーザプローブ |
| WO2005112014A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Fujitsu Limited | 光照射ヘッド、情報記憶装置、光照射ヘッド設計装置、および光照射ヘッド設計プログラム |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143569A patent/JP2643315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01312510A (ja) | 1989-12-18 |
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