JP2642450B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、供給装置技術薬液および処理ガスの供給装
置技術に関するものであり、特に、半導体製造過程で用
いられるスピンオンガラス（SOG）膜塗布装置、ホトレ
ジスト塗布装置等の薬液処理装置、CVD装置、ドライエ
ッチング装置等の反応ガス処理装置に利用して有効であ
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a supply device technology for supplying a chemical solution and a processing gas, and more particularly to a spin-on glass (SOG) film coating device used in a semiconductor manufacturing process. It is effective when used in a chemical solution processing device such as a photoresist coating device, and a reactive gas processing device such as a CVD device and a dry etching device.
半導体装置の製造おける塗布装置については、特公昭
53−37189号公報に記載されているものがある。Regarding coating equipment in the manufacture of semiconductor devices,
There is one described in JP-A-53-37189.
ところで、本発明者は、半導体装置の製造過程におけ
る薬液やガスなどの液体の供給および処理について検討
した。以下は、本発明者によって検討された技術であ
り、その概要は次のとおりである。By the way, the present inventor studied supply and processing of a liquid such as a chemical solution and a gas in a process of manufacturing a semiconductor device. The following is a technique studied by the present inventors, and the outline is as follows.
すなわち、従来の半導体ウェハ製造工程においては、
ホトレジスト膜塗布装置をはじめ、スピンオンガラス
（SOG）膜塗布装置、ポリイミド塗布装置等、薬液を滴
下し回転塗布する装置が多用されている。That is, in the conventional semiconductor wafer manufacturing process,
In addition to a photoresist film coating device, a spin-on glass (SOG) film coating device, a polyimide coating device, and the like, a device for dropping and spin-coating a chemical solution are often used.
たとえば、ホトレジスト塗布工程における多層レジス
ト塗布工程についてみると、半導体ウェハ上に下層膜と
してのホトレジスト膜、中間層膜としてのスピンオンガ
ラス層、上層膜としてのホトレジスト膜の３層膜を形成
する。For example, regarding the multi-layer resist coating process in the photoresist coating process, a three-layered film is formed on a semiconductor wafer: a photoresist film as a lower film, a spin-on glass layer as an intermediate film, and a photoresist film as an upper film.
この３層膜を形成する装置は基本的には容器に封入さ
れたホトレジスト液（あるいはスピンオンガラス膜形成
用シラノール化合物溶液）を加圧圧送し、滴下ノズルか
ら所定量半導体ウェハ上に滴下する。その後、半導体ウ
ェハを所定回転数で所定時間回転し、所定膜厚の膜形成
を行う。In the apparatus for forming the three-layer film, basically, a photoresist solution (or a silanol compound solution for forming a spin-on glass film) sealed in a container is pressure-fed and dropped by a predetermined amount from a dropping nozzle onto a semiconductor wafer. Thereafter, the semiconductor wafer is rotated at a predetermined rotation speed for a predetermined time to form a film having a predetermined thickness.
この３層膜形成中で最も固定化しやすい溶液であるシ
ラノール化合物溶液でスピンオンガラス膜を形成する塗
布装置について説明する。A coating apparatus for forming a spin-on glass film with a silanol compound solution which is the solution most easily fixed in the formation of the three-layer film will be described.
滴下ノズル部は大気中に放置されており、シラノール
化合物溶液滴下後、滴下ノズル部にシラノール化合物溶
液が残存すると、シラノール化合物溶液中の溶剤が揮発
しシリカ固形物が滴下ノズル先端部に生成される。この
生成物が蓄積されると、シラノール化合物溶液滴下時に
混入落下し、スピンオンガラス（SOG）膜形成膜中に固
形物が残存し、異物として副作用する。同時に固形物起
因の塗布ムラが発生し、LSIAl配線パターンのショート
不良あるいは断線不良が発生する。The dripping nozzle is left in the atmosphere, and after the silanol compound solution is dripped, if the silanol compound solution remains in the dripping nozzle, the solvent in the silanol compound solution volatilizes and a silica solid is generated at the tip of the dripping nozzle. . If this product accumulates, it will fall when the silanol compound solution is dropped and solid matter will remain in the spin-on-glass (SOG) film-forming film, causing side effects as foreign matter. At the same time, application unevenness due to solid matter occurs, and short-circuit failure or disconnection failure of the LSIAl wiring pattern occurs.
前述した滴下ノズル部の固形物発生を防止する方法と
して、従来から下記の方法が提案されている。The following methods have been conventionally proposed as methods for preventing the generation of solids at the dripping nozzle portion.
（１）．シラノール化合物溶液滴下後、ノズル先端部の
シラノール化合物溶液を所定量滴下ノズル内に引込むサ
ックバック機能を設け、滴下後ノズル内に残存するシラ
ノール化合物溶液中の溶剤が揮発する現象を防止する方
法。(1). A method of providing a suck-back function of drawing a predetermined amount of the silanol compound solution at the tip of the nozzle after dropping the silanol compound solution into the nozzle, thereby preventing the solvent in the silanol compound solution remaining in the nozzle from volatilizing after dropping.
（２）．特開昭57−173839号公報記載の滴下ノズル構造
のように滴下ノズル先端部に溶剤蒸気を強制的に作用
し、滴下ノズル先端部に残存するシラノール化合物溶液
中の溶剤揮発量を抑える方法。(2). A method in which solvent vapor is forcibly applied to the tip of a dropping nozzle as in the dropping nozzle structure described in JP-A-57-173839 to suppress the amount of solvent volatilization in the silanol compound solution remaining at the tip of the dropping nozzle.
（３）．特開昭55−108741号公報記載のようにシラノー
ル化合物溶液滴下後、滴下ノズル部内壁を溶剤にて洗浄
する方法。(3). As described in JP-A-55-108741, a method in which a silanol compound solution is dropped and the inner wall of the dropping nozzle is washed with a solvent.
一方、シランガス（SiH4）等の反応ガスを加熱された
半導体ウェハ上に供給し、SiO2膜等のCVD膜を形成するC
VD装置では、反応ガス放出ノズル形状として種々な形状
が提案され、さらに反応ガス放出後、不活性ガスである
N2等を放出し、ガス放出ノズル内壁をN2によりガスクリ
ーニングする方法が提案されている。On the other hand, a reaction gas such as silane gas (SiH 4 ) is supplied onto a heated semiconductor wafer to form a CVD film such as a SiO 2 film.
In VD equipment, various shapes have been proposed for the reactive gas discharge nozzle shape, and after the release of the reactive gas, it is an inert gas.
There has been proposed a method of releasing N 2 or the like and performing gas cleaning of the inner wall of the gas discharge nozzle with N 2 .
しかしながら、前述したサックバック機構を用いる方
式をはじめ、特開昭57−173839号の溶液滴下ノズル先端
部の溶剤蒸気作用方式、特許公開昭55−108741号の溶液
滴下ノズル部内壁の溶剤洗浄方式等は短期的には効果が
あるが、完全ではなく長期的にはノズル先端部に不要生
成物が蓄積される。この結果溶液滴下時にノズル先端部
に蓄積した不要生成物が混入滴下され、固形異物として
作用し半導体製品不良を誘発するという問題があること
を本発明は見出した。However, in addition to the method using the suck-back mechanism described above, a solvent vapor action method at the tip of the solution dropping nozzle disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 57-173839, a solvent cleaning method for the inner wall of the solution dropping nozzle disclosed in Patent Publication No. 55-108741, etc. Is effective in the short term, but is not perfect and accumulates unwanted products at the nozzle tip in the long term. As a result, the present invention has found out that there is a problem that unnecessary products accumulated at the tip of the nozzle are mixed and dropped at the time of dropping the solution and act as solid foreign matter to induce a semiconductor product defect.
同様に、前記した反応ガスを放出ノズルから放出し、
反応処理する装置の場合にも、反応ガス供給終了後、不
活性ガスによる反応ガス放出ノズル内壁をガスクリーニ
ングしても、短期的には効果はあるが、長期的にはガス
放出ノズル先端部に不要生成物が蓄積し、反応ガスと共
に処理物上に供給され、固形異物として副作用を生じ、
半導体製品の品質低下を誘発することが本発明者によっ
て見出された。Similarly, the above-mentioned reaction gas is discharged from the discharge nozzle,
In the case of an apparatus that performs a reaction treatment, even if gas cleaning of the inner wall of the reaction gas discharge nozzle with an inert gas after the end of the supply of the reaction gas has an effect in the short term, but in the long term, it is effective at the tip of the gas discharge nozzle. Unnecessary products accumulate and are supplied on the processed material together with the reaction gas, causing side effects as solid foreign matter,
It has been found by the inventor that it induces a degradation of the quality of the semiconductor product.
本発明の目的は、薬液滴下ノズル（もしくはガス放出
ノズル）部の汚染度（不要生成物付着度合）を所定レベ
ル値以下に制御し、薬液滴下（もしくはガス放出）時
に、ノズル部に付着した汚染物（不要生成物）を混入さ
せずに、純度良い薬液供給（もしくはガス供給）を行う
技術を提供することにある。An object of the present invention is to control the degree of contamination (the degree of undesired product adhesion) at a nozzle (or gas discharge nozzle) under a drug droplet to a predetermined level or less, and to control the contamination attached to the nozzle during the drop (or gas release) at a drug droplet. An object of the present invention is to provide a technique for supplying a chemical solution (or gas supply) with high purity without mixing a substance (unnecessary product).
本発明の前記ならびにその値の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。The purpose and novel features of the above and its values of the present invention are:
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、本発明の処理装置においては、薬液滴下ノ
ズル部（もしくはガス放出ノズル部）に、不要生成物の
付着レベルをモニタするノズル汚染度モニタ手段を設け
るものである。このノズル汚染度モニタ手段は、ノズル
部の不要生成物付着レベルを常時モニタし、ノズル部の
不要生成物付着レベルが所定レベル値以上になるとアラ
ーム信号を発し、ノズル部の不要生成物付着レベルが前
記所定レベル値以下になるまで、薬液滴下ノズル（もし
くはガス放出ノズル）から、薬液滴下（ガス放出）を行
わないよう制御を行うものである。That is, in the processing apparatus of the present invention, a nozzle contamination degree monitoring means for monitoring the adhesion level of the unnecessary product is provided in the chemical liquid droplet lower nozzle portion (or the gas discharge nozzle portion). The nozzle contamination degree monitoring means constantly monitors the unnecessary product adhesion level of the nozzle portion, and issues an alarm signal when the unnecessary product adhesion level of the nozzle portion exceeds a predetermined level value. Until the predetermined level value or less, control is performed so as not to perform drug dropping (gas release) from the drug dropping nozzle (or gas discharge nozzle).
上記した手段によれば、管理すべき薬液滴下ノズル部
（もしくはガス放出ノズル部）の汚染度（不要生成物付
着度合）を初期値設定する。さらに薬液滴下ノズル（も
しくはガス放出ノズル部）の汚染度（不要生成物付着度
合）をモニタする。この状態で薬液滴下ノズル（もしく
はガス放出ノズル）から薬液（もしくは反応ガス）を供
給する直前にノズル汚染度モニタ値と管理すべき初期設
定値を比較し、モニタ情報値が初期設定値を超えた場合
にはアラーム制御信号を発し、薬液滴下ノズル（もしく
はガス放出ノズル）からの薬液滴下（もしくはガス放
出）を行わず、薬液滴下（もしくは反応ガス放出）時に
薬液滴下ノズル（もしくはガス放出ノズル）の汚染物
（不要生成物）が薬液（もしくはガス）中に混入するの
を防止することができる。According to the above-described means, an initial value is set for the degree of contamination (the degree of undesired product attachment) of the chemical liquid droplet lower nozzle portion (or the gas discharge nozzle portion) to be managed. Further, the degree of contamination (degree of undesired product adhesion) of the chemical droplet lower nozzle (or the gas discharge nozzle portion) is monitored. In this state, just before supplying the chemical liquid (or reaction gas) from the chemical liquid droplet lower nozzle (or gas discharge nozzle), the nozzle contamination degree monitor value is compared with the initial set value to be managed, and the monitor information value exceeds the initial set value. In this case, an alarm control signal is issued, and the medicine dropping nozzle (or gas emission nozzle) does not perform the medicine dropping (or gas emission). It is possible to prevent contaminants (unnecessary products) from being mixed into the chemical solution (or gas).
第１図は本発明の一実施例であるスピンオンガラス
（SOG）膜塗布装置の要部断面図を示すものである。FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a spin-on glass (SOG) film coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
まず、本実施例の塗布装置の構成について説明する
と、スピンオンガラス膜塗布カップ部１に、スピンオン
ガラス膜を形成する半導体ウェハ２を吸着し、所要回転
数で回転するスピンチャック３が設けられている。First, the configuration of the coating apparatus of the present embodiment will be described. The spin-on glass film coating cup section 1 is provided with a spin chuck 3 which sucks a semiconductor wafer 2 on which a spin-on glass film is formed and rotates at a required rotation speed. .
一方、塗布すべきシラノール化合物溶液４を収納した
容器５が設置されている。この容器５は配管６を経て供
給されるN2ガス７で加圧され、それにより配管８を通し
て、シラノール化合物溶液４が加圧圧送される。さらに
配管８には溶液供給ポンプ９、フィルタ10、サックバッ
クバルブ11、配管12、滴下ノズル13が接続されている。
なお、溶液供給ポンプ９とサックバックバルブ11は溶液
制御部14に接続され、制御される構成となっている。On the other hand, a container 5 containing a silanol compound solution 4 to be applied is provided. The container 5 is pressurized with N 2 gas 7 supplied through a pipe 6, whereby the silanol compound solution 4 is pumped under pressure through a pipe 8. Further, a solution supply pump 9, a filter 10, a suck back valve 11, a pipe 12, and a dripping nozzle 13 are connected to the pipe 8.
The solution supply pump 9 and the suck-back valve 11 are connected to and controlled by a solution control unit 14.
さらに、滴下ノズル13部には、滴下ノズル13の汚染度
をモニタするノズル汚染度センサ15（モニタ手段）が設
けてある。なお、ノズル汚染度センサ15はノズル汚染度
判定部16に接続され、ノズル汚染度センサ15のセンシン
グレベル信号がノズル汚染度判定部16に伝送される。Further, a nozzle contamination degree sensor 15 (monitoring means) for monitoring the degree of contamination of the dripping nozzle 13 is provided in the dripping nozzle 13 portion. The nozzle contamination degree sensor 15 is connected to the nozzle contamination degree determination unit 16, and the sensing level signal of the nozzle contamination degree sensor 15 is transmitted to the nozzle contamination degree determination unit 16.
一方、スピンチャック３はモータ17に接続され、その
モータ17は回転数制御部18に接続されている。On the other hand, the spin chuck 3 is connected to a motor 17, and the motor 17 is connected to a rotation speed controller 18.
前述した溶液制御部14、ノズル汚染度判定部16、回転
数制御部18は全体制御部19に接続されている。The above-described solution control unit 14, nozzle contamination degree determination unit 16, and rotation speed control unit 18 are connected to the overall control unit 19.
第２図はノズル汚染度モニタの一実施例として光学的
センサを利用した場合の原理図を示す。そして、同図
（ａ）は滴下ノズル汚染無しのレベルを示し、同図
（ｂ）は滴下ノズル汚染有りのレベルを示したものであ
る。FIG. 2 shows a principle diagram when an optical sensor is used as an embodiment of the nozzle contamination degree monitor. FIG. 3A shows the level without the dropping nozzle contamination, and FIG. 3B shows the level with the dropping nozzle contamination.
まず、第２図のモニタの構成から説明すると、モニタ
手段としてのノズル汚染度センサ15は滴下ノズル13を囲
むように、複数の投光器群20、受光器群21から構成され
ている。First, the configuration of the monitor shown in FIG. 2 will be described. The nozzle contamination degree sensor 15 as a monitor means is composed of a plurality of light projector groups 20 and light receiver groups 21 so as to surround the drop nozzle 13.
通常、第２図（ａ）に示すように、滴下ノズル13から
シラノール化合物溶液４が滴下されると、所定量シラノ
ール化合物溶液４が滴下ノズル13内を引き込まれる。こ
れにより滴下ノズル13の先端部は汚染されない。この状
態では投光器群20からの投光量は高い比率で受光器群21
に投光される。つまり、ノズル汚染度判定部16での検出
レベル量は高いレベルになる。Normally, as shown in FIG. 2A, when the silanol compound solution 4 is dropped from the dropping nozzle 13, a predetermined amount of the silanol compound solution 4 is drawn into the dropping nozzle 13. Thus, the tip of the dripping nozzle 13 is not contaminated. In this state, the amount of light emitted from the projector group 20 is high at a high rate.
It is projected on. That is, the detection level amount in the nozzle contamination degree determination unit 16 becomes a high level.
一方、第２図（ｂ）は滴下ノズル13の先端部に不要生
成物22が生成された滴下ノズル13の汚染状態を示すもの
である。この場合は、投光器群20からの投光量が不要生
成物22により反射もしくは吸収され、受光器群21へ到達
する光量が減衰し、ノズル汚染度判定部16での検出レベ
ルが低くなる。On the other hand, FIG. 2 (b) shows the contamination state of the dropping nozzle 13 in which the unnecessary product 22 is generated at the tip of the dropping nozzle 13. In this case, the amount of light projected from the light projector group 20 is reflected or absorbed by the unnecessary product 22, the light amount reaching the light receiver group 21 is attenuated, and the detection level in the nozzle contamination degree determination unit 16 is reduced.
以上のような光学的手段を用いる場合には滴下ノズル
13の先端部に投光する光量差により滴下ノズル13の先端
部の汚染レベルを自動判定するものである。When using the above optical means, a drop nozzle
The contamination level at the tip of the dripping nozzle 13 is automatically determined based on the difference in the amount of light projected to the tip of the nozzle 13.
なお、図示していないが、ノズル汚染度センサ15とし
ては、本実施例の光学的センサ以外に滴下ノズル13の先
端部に付着した不要生成物により、滴下ノズル13の先端
部の誘電率値が変化することを利用した静電容量型セン
サを用いた方法も容易に考案される。Although not shown, the nozzle contamination degree sensor 15 has a dielectric constant value at the tip of the dropping nozzle 13 due to unnecessary products attached to the tip of the dropping nozzle 13 in addition to the optical sensor of the present embodiment. A method using a capacitance type sensor utilizing the change can be easily devised.
次に本装置の動作について説明する。全体制御部23に
半導体ウェハ２上に塗布すべきスピンオンガラス膜厚お
よび自動管理すべき滴下ノズル汚染度値を初期条件情報
24として設定する。Next, the operation of the present apparatus will be described. Initial condition information indicating the spin-on glass film thickness to be applied on the semiconductor wafer 2 and the dropping nozzle contamination degree value to be automatically controlled to the overall control unit 23.
Set as 24.
この状態で装置を始動させると、全体制御部23から溶
液供給制御部14に吐出量、サックバック量を溶液供給条
件25として設定する。さらにノズル汚染度判定部16に管
理すべきノズル汚染度をノズル汚染度判定条件26として
ノズル汚染度判定部16に設定する。同時に、回転数制御
部18に半導体ウェハ２の回転数制御値27として設定す
る。各制御部に管理値が設定されると、開示されていな
いハンドラによりスピンチャック３上に半導体ウェハ２
が設定される。When the apparatus is started in this state, the discharge amount and the suckback amount are set as the solution supply conditions 25 from the overall control unit 23 to the solution supply control unit 14. Further, the nozzle contamination degree to be managed by the nozzle contamination degree determination unit 16 is set in the nozzle contamination degree determination unit 16 as the nozzle contamination degree determination condition 26. At the same time, the rotation speed control unit 18 sets the rotation speed control value 27 of the semiconductor wafer 2. When the control value is set in each control unit, the semiconductor wafer 2 is placed on the spin chuck 3 by the handler not disclosed.
Is set.
この状態で溶液供給制御部14により、溶液供給ポンプ
９、サックバックバルブ11が作動され、フィルタ10によ
りフィルタリングされたクリーンなシラノール化合物溶
液４が所定量、半導体ウェハ２上に滴下される。In this state, the solution supply control unit 14 operates the solution supply pump 9 and the suck-back valve 11 to drop a predetermined amount of the clean silanol compound solution 4 filtered by the filter 10 onto the semiconductor wafer 2.
その後、回転数制御部18によりモータ７を駆動させ、
半導体ウェハ２を回転数制御部18の回転数制御値27に回
転数制御する。Then, the motor 7 is driven by the rotation speed control unit 18,
The rotation speed of the semiconductor wafer 2 is controlled to the rotation speed control value 27 of the rotation speed control unit 18.
一方、滴下ノズル13の汚染度はノズル汚染度センサ15
により常時センシングされ、そのセンシング信号量28が
ノズル汚染度判定部16に伝送される。ノズル汚染度判定
部16ではそのノズル汚染度センシング信号量28とノズル
汚染度判定条件26とを比較判定し、ノズル汚染度センシ
ング信号量28がノズル汚染度判定条件26の管理値外に達
した場合には滴下ノズル13が汚染されていると判定す
る。この際に、ノズル汚染度判定部16から全体制御部19
に滴下ノズル13が汚染状態にあるノズル汚染アラーム信
号29を発する。このノズル汚染アラーム信号29に基づ
き、全体制御部19より溶液供給制御部14、回転数制御部
18および図示していないハンドリング制御部を制御し、
半導体ウェハ２の供給を遮断する。On the other hand, the degree of contamination of the drip nozzle 13 is
, The sensing signal amount 28 is transmitted to the nozzle contamination degree determination unit 16. The nozzle contamination degree determination unit 16 compares the nozzle contamination degree sensing signal amount 28 with the nozzle contamination degree determination condition 26, and determines that the nozzle contamination degree sensing signal amount 28 has exceeded the control value of the nozzle contamination degree determination condition 26. It is determined that the drip nozzle 13 is contaminated. At this time, the nozzle contamination degree determination unit 16
The nozzle 13 emits a nozzle contamination alarm signal 29 in a polluted state. Based on the nozzle contamination alarm signal 29, the overall control unit 19 sends the solution supply control unit 14, the rotation speed control unit
18 and a handling control unit (not shown)
The supply of the semiconductor wafer 2 is shut off.
これにより、滴下ノズル13が汚染されている状態で半
導体ウェハ２上にシラノール化合物溶液４を滴下するこ
となく、滴下されたシラノール化合物溶液４中に滴下ノ
ズル汚染物（不要生成物）が混入するのを防止する。As a result, the dripping nozzle contaminants (unnecessary products) are mixed into the dripped silanol compound solution 4 without dripping the silanol compound solution 4 onto the semiconductor wafer 2 while the dripping nozzle 13 is contaminated. To prevent
なお、本実施例ではノズル汚染度センサ15の汚染度管
理により滴下ノズル13が汚染されている場合には、シラ
ノール化合物溶液４を滴下せず、滴下ノズル汚染物の混
入防止を図る実施例である。In this embodiment, when the dripping nozzle 13 is contaminated by the contamination degree control of the nozzle contamination degree sensor 15, the silanol compound solution 4 is not dropped, and the contamination of the dripping nozzle contaminant is prevented. .
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づ
いて具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の
変形が可能であることは言うまでもない。As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
たとえば、本発明の装置は、ドーパント剤塗布装置、
ポリイミド塗布装置、ウェットエッチング装置等の薬液
供給装置、CVD処理装置、ドライエッチ処理装置等のガ
ス供給処理装置として適用して有効である。For example, the apparatus of the present invention includes a dopant application apparatus,
It is effective when applied as a gas supply processing device such as a chemical supply device such as a polyimide coating device and a wet etching device, a CVD processing device, and a dry etching processing device.
また、滴下ノズル13の内外壁を洗浄液で洗い流した
り、滴下ノズル13をクリーンな洗浄液中に浸漬し、滴下
ノズル13の汚染物除去機能を付加し、ノズル汚染度セン
サ15、ノズル汚染度判定部16からの滴下ノズル汚染度情
報に基づき、滴下ノズル13の内外壁を自動洗浄し、滴下
ノズル13の汚染物を除去し、常時滴下ノズル汚染レベル
を管理すべきノズル汚染度判定条件26以下に自動制御す
ることも可能である。In addition, the inner and outer walls of the drip nozzle 13 are washed away with a cleaning liquid, or the drip nozzle 13 is immersed in a clean cleaning liquid to add a contaminant removing function of the drip nozzle 13. Automatically cleans the inner and outer walls of the drip nozzle 13 to remove contaminants from the drip nozzle 13 and automatically controls the drip nozzle contamination level to 26 or less to control the drip nozzle contamination level based on the drip nozzle contamination degree information from It is also possible.
さらに、滴下ノズル13の自動交換を組み合わせて、滴
下ノズル13が汚染された場合に、汚染されていない滴下
ノズルに自動交換することも可能である。Furthermore, when the dripping nozzle 13 is contaminated, it is also possible to automatically replace the dripping nozzle 13 with a non-contaminated dripping nozzle by combining the automatic replacement of the dripping nozzle 13.
第１図および第２図に示す実施例は薬液滴下に関する
実施例であるが、本発明は、第３図に示すように反応ガ
ス30を供給し、プラズマ反応処理するプラズマ反応処理
装置31のガス放出ノズル32の不要生成物33を光学反射型
ノズル汚染度センサ34でガス放出ノズル32の汚染度を自
動的に検出する方式にも応用できる。The embodiment shown in FIG. 1 and FIG. 2 is an embodiment relating to under a chemical droplet, but the present invention supplies a reaction gas 30 as shown in FIG. The present invention can also be applied to a system in which the contamination degree of the gas discharge nozzle 32 is automatically detected by the optical reflection type nozzle contamination degree sensor 34 for the unnecessary product 33 of the discharge nozzle 32.
なお、第３図の実施例において、35はノズル汚染度判
定部、36は反応ガス供給部、37は全体制御部、38は半導
体ウェハ、39は試料台、40は電磁石、41は真空排気部で
ある。この実施例の動作は実質的に前記実施例のものと
同じであるので、重複説明は省略する。In the embodiment of FIG. 3, reference numeral 35 denotes a nozzle contamination degree determination unit, 36 denotes a reaction gas supply unit, 37 denotes an overall control unit, 38 denotes a semiconductor wafer, 39 denotes a sample table, 40 denotes an electromagnet, and 41 denotes a vacuum exhaust unit. It is. The operation of this embodiment is substantially the same as that of the above-described embodiment, and a duplicate description will be omitted.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体ウェハ製造
装置に適用した例について説明したが、それに限定され
るものではない。In the above description, an example in which the invention made by the present inventor is applied to a semiconductor wafer manufacturing apparatus, which is a utilization field as a background, has been described, but the invention is not limited thereto.
たとえば、混入異物の少ない高純度な物質を製造する
薬品製造装置、合成物質製造装置等に適用して有効であ
る。For example, the present invention is effective when applied to a chemical manufacturing apparatus, a synthetic substance manufacturing apparatus, or the like that manufactures a high-purity substance with little foreign matter.
本願において開示される発明のうち、代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
（１）．本発明は薬液滴下ノズル部の不要生成物付着度
合によるノズル汚染度を常時検出し、ノズル汚染度を所
定管理値以下に維持管理し、薬液滴下を行うことによ
り、ノズル起因の不要生成物（異物、不純物）の混入な
しに常時クリーンな薬液供給ができる。(1). The present invention constantly detects the degree of nozzle contamination due to the degree of undesired product adherence at the nozzle portion below the chemical droplet, maintains the nozzle contamination level at or below a predetermined control value, and performs the lowering of the chemical droplet to reduce unnecessary products (foreign matter) caused by the nozzle. , Impurities).
（２）．本発明をガス放出ノズル部の不要生成物付着度
合のノズル汚染度合検出機能として適用した場合は、上
記（１）項と同様な効果が得られ、ノズル起因の不要生
成物の混入なしに常時クリーンなガス供給ができる。(2). When the present invention is applied as a nozzle contamination degree detecting function of the degree of undesired product adhesion at the gas discharge nozzle portion, the same effect as in the above item (1) can be obtained, and the nozzle is always cleaned without mixing of unnecessary products caused by the nozzle. Gas supply.
（３）．上記（１）、（２）より本発明の効果として混
入異物数、混入不純物の少ない高純度な薬液供給、ガス
供給が実現できることから、本発明を半導体ウェハ製造
装置に適用すると、半導体ウェハ付着異物数が少なく、
不要混入不純物の少ない高品質な半導体素子製造ができ
る。(3). From the above (1) and (2), the present invention can realize a high-purity chemical solution supply and gas supply with a small number of contaminants and contaminants as effects of the present invention. Small in number,
It is possible to manufacture a high-quality semiconductor element with less unnecessary impurities.
この様に本発明を半導体ウェハ製造装置に適用するこ
とにより製品歩留向上が図れると共に、サブミクロンク
ラスの微細素子パターンを有するVLSI半導体製品の量産
化が可能となる。As described above, by applying the present invention to a semiconductor wafer manufacturing apparatus, product yield can be improved, and mass production of VLSI semiconductor products having sub-micron class fine element patterns becomes possible.
第１図は本発明の一実施例によるスピンオンガラス膜塗
布装置の要部断面図、 第２図（ａ）、（ｂ）はノズル汚染度モニタの原理図、 第３図はプラズマ反応処理装置の模式図である。 １……スピンオンガラス膜塗布カップ部、２……半導体
ウェハ、３……スピンチャック、４……シラノール化合
物溶液、５……容器、６……配管、７……N2ガス、８…
…配管、９……溶液供給ポンプ、10……フィルタ、11…
…サックバックバルブ、12……配管、13……滴下ノズ
ル、14……溶液供給制御部、15……ノズル汚染度セン
サ、16……ノズル汚染度判定部、17……モータ、18……
回転数制御部、19……全体制御部、20……投光器群、21
……受光器群、22……不要生成物、24……初期条件情
報、25……溶液供給条件、26……ノズル汚染度判定条
件、27……回転数制御値、28……ノズル汚染度センシン
グ信号、29……ノズル汚染アラーム信号、30……反応ガ
ス、31……プラズマ反応処理装置、32……ガス放出ノズ
ル、33……不要生成物、34……反射型ノズル汚染度セン
サ、35……ノズル汚染度判定部、36……反応ガス供給
部、37……全体制御部、38……半導体ウェハ、39……試
料台、40……電磁石、41……真空排気部。FIG. 1 is a sectional view of a main part of a spin-on glass film coating apparatus according to one embodiment of the present invention, FIGS. 2 (a) and 2 (b) are principle diagrams of a nozzle contamination degree monitor, and FIG. It is a schematic diagram. 1 ...... SOG film coating cup, 2 ...... semiconductor wafer, 3 ...... spin chuck, 4 ...... silanol compound solution, 5 ...... container, 6 ...... pipe, 7 ...... N 2 gas, 8 ...
... Piping, 9 ... Solution supply pump, 10 ... Filter, 11 ...
... Suck back valve, 12 ... Piping, 13 ... Drip nozzle, 14 ... Solution supply control unit, 15 ... Nozzle contamination degree sensor, 16 ... Nozzle contamination degree determination unit, 17 ... Motor, 18 ...
Rotational speed control unit, 19: Overall control unit, 20: Projector group, 21
...... Receptor group, 22 ... Unnecessary product, 24 ... Initial condition information, 25 ... Solution supply condition, 26 ... Nozzle contamination degree judgment condition, 27 ... Rotation speed control value, 28 ... Nozzle contamination degree Sensing signal, 29 ... Nozzle contamination alarm signal, 30 ... Reaction gas, 31 ... Plasma reaction processing device, 32 ... Gas discharge nozzle, 33 ... Unnecessary product, 34 ... Reflective nozzle contamination degree sensor, 35 ... Nozzle contamination determination section, 36... Reactive gas supply section, 37... Overall control section, 38... Semiconductor wafer, 39... Sample table, 40.
Claims (2)
モニタする手段と、該モニタ手段からのモニタ情報値に
より前記滴下ノズル部の汚染度を自動判定し、常にノズ
ル部の汚染度を所定値以下に制御しながら処理液を滴下
ノズルから滴下する手段とからなることを特徴とする処
理装置。1. A means for automatically monitoring the degree of contamination of a treatment liquid dripping nozzle, and automatically determining the degree of contamination of the dripping nozzle based on a monitor information value from the monitoring means. Means for dropping a processing liquid from a dropping nozzle while controlling the pressure to be equal to or less than a predetermined value.
にモニタする手段と、該モニタ手段からのモニタ情報値
により前記放出ノズル部の汚染度を自動判定し、常にノ
ズル部の汚染度を所定値以下に制御しながら処理ガスを
ガス放出ノズルから放出するよう構成したことを特徴を
する処理装置。2. A means for automatically monitoring the degree of contamination of a discharge nozzle of a processing gas, and automatically determining the degree of contamination of the discharge nozzle based on monitor information from the monitoring means. A processing gas discharged from the gas discharge nozzle while controlling the pressure to be equal to or less than a predetermined value.
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| JP26392288A JP2642450B2 (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP26392288A JP2642450B2 (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Processing equipment |
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- 1988-10-21 JP JP26392288A patent/JP2642450B2/en not_active Expired - Fee Related
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