JP2640422B2 - 半導体基板のラッピング用キャリア - Google Patents
半導体基板のラッピング用キャリアInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、円形の半導体基板
（シリコン、ガリウム、ヒ素等）のラッピングに使用す
るキャリアの改良に係り、キャリアホールの形状を多角
形とし、ラッピング時における基板端面の変形、摩耗を
低減させ、その後の半導体基板の製造工程での欠けの発
生などの欠陥発生を著しく低減でき、プロセスでのパー
ティクルの発生を低減できる半導体基板のラッピング用
キャリアに関する。
（シリコン、ガリウム、ヒ素等）のラッピングに使用す
るキャリアの改良に係り、キャリアホールの形状を多角
形とし、ラッピング時における基板端面の変形、摩耗を
低減させ、その後の半導体基板の製造工程での欠けの発
生などの欠陥発生を著しく低減でき、プロセスでのパー
ティクルの発生を低減できる半導体基板のラッピング用
キャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄板基板を研磨するための一般的な遊星
歯車式の両面ラップ盤は、例えば、昇降自在の上定盤４
と該上定盤に対向する固定の下定盤５を有し、上下定盤
４，５間にワークたる半導体基板３を保持するための、
複数の円形キャリアホール２を有する図７に示すごとき
キャリア１を複数枚配置し、各キャリア１が外側のイン
ターナルギア（図示せず）と中心側の太陽ギヤ６と噛合
して、図８及び図９に示すごとく自転公転可能となし、
また上下の定盤も所要回転数で回転し、キャリア１内の
ワークは所要圧で加圧される上定盤４と下定盤５間で、
所要砥粒の懸濁液にてラッピングする構成からなる。
歯車式の両面ラップ盤は、例えば、昇降自在の上定盤４
と該上定盤に対向する固定の下定盤５を有し、上下定盤
４，５間にワークたる半導体基板３を保持するための、
複数の円形キャリアホール２を有する図７に示すごとき
キャリア１を複数枚配置し、各キャリア１が外側のイン
ターナルギア（図示せず）と中心側の太陽ギヤ６と噛合
して、図８及び図９に示すごとく自転公転可能となし、
また上下の定盤も所要回転数で回転し、キャリア１内の
ワークは所要圧で加圧される上定盤４と下定盤５間で、
所要砥粒の懸濁液にてラッピングする構成からなる。
【０００３】キャリア１は通常ステンレススチール、合
成樹脂、または、その２つを組み合せたもので作られて
おり、図７に示すとおりキャリアホール２と半導体基板
３間に若干の隙間をもたせ、半導体基板３がキャリアホ
ール２に保持されている。また、液晶用基板ガラスの研
磨装置として、特開平５−３８６７１号公報に、矩形の
ガラス基板を収納するための矩形の収納孔をキャリアの
所要位置に形成、最適化して極めて板厚みの薄いキャリ
ヤに発生する亀裂を防止した構成が示されている。
成樹脂、または、その２つを組み合せたもので作られて
おり、図７に示すとおりキャリアホール２と半導体基板
３間に若干の隙間をもたせ、半導体基板３がキャリアホ
ール２に保持されている。また、液晶用基板ガラスの研
磨装置として、特開平５−３８６７１号公報に、矩形の
ガラス基板を収納するための矩形の収納孔をキャリアの
所要位置に形成、最適化して極めて板厚みの薄いキャリ
ヤに発生する亀裂を防止した構成が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】いずれも、従来は、被
研磨基板の形状に合わせて収納するための孔部形状を相
似形としていた。ところが、半導体基板３の厚みバラツ
キ、上下定盤４，５の精度等の影響により、加工中の半
導体基板３が図１０，１１に示すように自由に回転せ
ず、半導体基板４端面のある一部分Ａだけが、キャリア
ホール２端面と接触して、変形及び摩耗する問題点があ
る。
研磨基板の形状に合わせて収納するための孔部形状を相
似形としていた。ところが、半導体基板３の厚みバラツ
キ、上下定盤４，５の精度等の影響により、加工中の半
導体基板３が図１０，１１に示すように自由に回転せ
ず、半導体基板４端面のある一部分Ａだけが、キャリア
ホール２端面と接触して、変形及び摩耗する問題点があ
る。
【０００５】出願人は、先に、ラッピング時における基
板端面の変形、摩耗を防止するため、ラップキャリアの
各円形ホール内に、半導体基板外形と相似形の内周部を
有する内枠を回転自在に配置し、半導体基板は内枠内で
は回転できずに内枠とともにホール内を回転できるよう
に構成し、加工中に半導体基板は回転するが内枠で保護
されているため、基板端面の変形、摩耗が防止されて後
の製造工程での割れの発生などの欠陥発生を著しく低減
できるラッピング用キャリアを提案（実開平５−５７８
４２号公報）した。しかし、半導体基板を内枠に挿入出
させる必要があり手間を要すること、また、内枠の内外
周部の寸法精度をある程度挙げる必要があるなどの問題
もあった。
板端面の変形、摩耗を防止するため、ラップキャリアの
各円形ホール内に、半導体基板外形と相似形の内周部を
有する内枠を回転自在に配置し、半導体基板は内枠内で
は回転できずに内枠とともにホール内を回転できるよう
に構成し、加工中に半導体基板は回転するが内枠で保護
されているため、基板端面の変形、摩耗が防止されて後
の製造工程での割れの発生などの欠陥発生を著しく低減
できるラッピング用キャリアを提案（実開平５−５７８
４２号公報）した。しかし、半導体基板を内枠に挿入出
させる必要があり手間を要すること、また、内枠の内外
周部の寸法精度をある程度挙げる必要があるなどの問題
もあった。
【０００６】この発明は、円形ホール内に上記内枠等を
使用することなく、半導体基板のラッピング時における
円形の基板端面の一部分だけが変形、摩耗することを低
減できる構成からなる半導体基板のラッピング用キャリ
アの提供を目的としている。
使用することなく、半導体基板のラッピング時における
円形の基板端面の一部分だけが変形、摩耗することを低
減できる構成からなる半導体基板のラッピング用キャリ
アの提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は、半導体基板の
ラッピング時における円形の基板端面の一部分だけが変
形、摩耗することを低減するため、ラッピング用キャリ
アの各ホール内の基板が円滑にかつ自由にホール内で自
転できるようにすることに着目し、まず、通常の円形ホ
ールの内周部に複数箇所の凹部を設けてみたが、基板に
設けられているオリエンテーションフラット（ＯＦ）部
が凹部に入り込み回転し難くなることから、さらに、キ
ャリアホール自体の形状について種々検討した結果、多
角形、特に５角形以上の多角形にすると、基板が円滑に
ホール内で自転できることを知見し、また、ＯＦ部を有
する基板と、ノッチを有する基板では最適な多角形が存
在することから、さらに検討を加えたところ、多角形内
で接触するウエーハの２点間の距離がそのウエーハの直
径の所定値となるような多角形を設定すれば良いことを
知見し、この発明を完成した。
ラッピング時における円形の基板端面の一部分だけが変
形、摩耗することを低減するため、ラッピング用キャリ
アの各ホール内の基板が円滑にかつ自由にホール内で自
転できるようにすることに着目し、まず、通常の円形ホ
ールの内周部に複数箇所の凹部を設けてみたが、基板に
設けられているオリエンテーションフラット（ＯＦ）部
が凹部に入り込み回転し難くなることから、さらに、キ
ャリアホール自体の形状について種々検討した結果、多
角形、特に５角形以上の多角形にすると、基板が円滑に
ホール内で自転できることを知見し、また、ＯＦ部を有
する基板と、ノッチを有する基板では最適な多角形が存
在することから、さらに検討を加えたところ、多角形内
で接触するウエーハの２点間の距離がそのウエーハの直
径の所定値となるような多角形を設定すれば良いことを
知見し、この発明を完成した。
【０００８】すなわち、この発明は、上下定盤間にキャ
リアを装着してラッピング加工を行うラッピング装置の
ラッピング用キャリアにおいて、円形の半導体基板を収
納するラップキャリアの各ホールの形状をホール内の半
導体基板がラッピング加工時に自転可能な多角形とした
ことを特徴とする半導体基板のラッピング用キャリアで
ある。
リアを装着してラッピング加工を行うラッピング装置の
ラッピング用キャリアにおいて、円形の半導体基板を収
納するラップキャリアの各ホールの形状をホール内の半
導体基板がラッピング加工時に自転可能な多角形とした
ことを特徴とする半導体基板のラッピング用キャリアで
ある。
【０００９】また、この発明は、上記の構成において、
多角形内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエ
ーハの直径の１／５〜１／６となるように選定された辺
数の多角形であることを特徴とするオリエンテーション
フラットを有する基板用のラッピング用キャリア、多角
形内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエーハ
の直径の１／３〜１／４となるように選定された辺数の
多角形であることを特徴とするノッチを有する基板用の
ラッピング用キャリア、を併せて提案する。
多角形内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエ
ーハの直径の１／５〜１／６となるように選定された辺
数の多角形であることを特徴とするオリエンテーション
フラットを有する基板用のラッピング用キャリア、多角
形内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエーハ
の直径の１／３〜１／４となるように選定された辺数の
多角形であることを特徴とするノッチを有する基板用の
ラッピング用キャリア、を併せて提案する。
【００１０】この発明において、多角形の辺の数は円形
の半導体基板のオリエンテーションフラットの長さ及び
直径等を考慮して、例えば現状のサイズの基板では、５
角形〜１８角形より、適宜選定すればよい。特に効果的
に研磨を行うためには、発明者の実験結果から、多角形
内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエーハの
直径の１／３〜１／６となるように選定された辺数の多
角形とすることが望ましく、現在実用化されている直径
が４インチ、５インチ、６インチ、８インチのいずれの
半導体基板でもラップキャリアのホール内で自由に回転
するようになるため、半導体基板端面のある一部分だけ
の変形、摩耗が低減でき、さらに、実用化が検討されて
いる１０インチ、１２インチ、あるいはそれ以上の半導
体基板の場合も同様である。さらに、オリエンテーショ
ンフラットを有する基板の場合、上記の２点間距離を当
該ウエーハの直径の１／５〜１／６として、所定の辺数
の多角形、例えば、１５角形〜１８角形より、適宜選定
すると、最もよい効果を得ることができる。また、ノッ
チを有する基板用の場合、上記の２点間距離を当該ウエ
ーハの直径の１／３〜１／４として、所定の辺数の多角
形、例えば、９角形〜１２角形より、適宜選定すると、
最もよい効果を得ることができる。
の半導体基板のオリエンテーションフラットの長さ及び
直径等を考慮して、例えば現状のサイズの基板では、５
角形〜１８角形より、適宜選定すればよい。特に効果的
に研磨を行うためには、発明者の実験結果から、多角形
内で接触するウエーハの２点間の距離が当該ウエーハの
直径の１／３〜１／６となるように選定された辺数の多
角形とすることが望ましく、現在実用化されている直径
が４インチ、５インチ、６インチ、８インチのいずれの
半導体基板でもラップキャリアのホール内で自由に回転
するようになるため、半導体基板端面のある一部分だけ
の変形、摩耗が低減でき、さらに、実用化が検討されて
いる１０インチ、１２インチ、あるいはそれ以上の半導
体基板の場合も同様である。さらに、オリエンテーショ
ンフラットを有する基板の場合、上記の２点間距離を当
該ウエーハの直径の１／５〜１／６として、所定の辺数
の多角形、例えば、１５角形〜１８角形より、適宜選定
すると、最もよい効果を得ることができる。また、ノッ
チを有する基板用の場合、上記の２点間距離を当該ウエ
ーハの直径の１／３〜１／４として、所定の辺数の多角
形、例えば、９角形〜１２角形より、適宜選定すると、
最もよい効果を得ることができる。
【００１１】この発明において、ラッピング用キャリア
の材質はステンレススチール、合成樹脂など公知の材質
からラッピング加工条件に応じて、耐ラッピング液性、
強度、硬度、粗度などを考慮して適宜選定すればよい。
の材質はステンレススチール、合成樹脂など公知の材質
からラッピング加工条件に応じて、耐ラッピング液性、
強度、硬度、粗度などを考慮して適宜選定すればよい。
【００１２】
【作用】この発明によるラッピング用キャリアの作用を
図面に基づいて詳述する。図１はこの発明によるラッピ
ング用キャリアを研磨装置に装着した例を示す上面説明
図であり、図２のＡ，Ｂ，Ｃはこの発明によるラッピン
グ用キャリアを用いて研磨した際のキャリアホール内で
の半導体基板の動きを説明する上面説明図である。図１
に示すごとく、ここではラッピングキャリア１０の各キ
ャリアホール１１の形状は６角形となっており、その中
にＯＦ部を有する円形の半導体基板３を装入する。ラッ
ピングに際しては、キャリア１０及び上定盤、下定盤５
の運動方向により、各半導体基板３がある一定方向に押
しつけられるが、キャリアホール１１の形状が６角形と
なっているために、半導体基板３はキャリアホール１１
に２点で支持され、キャリア１０の公転に伴うその支持
方向の変化と、押しつけられる方向により、図２のＡ，
Ｂ，Ｃに示すように半導体基板３は自転する。このこと
により、半導体基板３の厚みバラツキ、上下定盤４，５
の精度等にかかわらず、半導体基板３は強制的に自転さ
せられ、半導体基板３端面のあらゆる部分でキャリアホ
ール１１に接触し、端面の一部分だけの変形および摩耗
は防止される。
図面に基づいて詳述する。図１はこの発明によるラッピ
ング用キャリアを研磨装置に装着した例を示す上面説明
図であり、図２のＡ，Ｂ，Ｃはこの発明によるラッピン
グ用キャリアを用いて研磨した際のキャリアホール内で
の半導体基板の動きを説明する上面説明図である。図１
に示すごとく、ここではラッピングキャリア１０の各キ
ャリアホール１１の形状は６角形となっており、その中
にＯＦ部を有する円形の半導体基板３を装入する。ラッ
ピングに際しては、キャリア１０及び上定盤、下定盤５
の運動方向により、各半導体基板３がある一定方向に押
しつけられるが、キャリアホール１１の形状が６角形と
なっているために、半導体基板３はキャリアホール１１
に２点で支持され、キャリア１０の公転に伴うその支持
方向の変化と、押しつけられる方向により、図２のＡ，
Ｂ，Ｃに示すように半導体基板３は自転する。このこと
により、半導体基板３の厚みバラツキ、上下定盤４，５
の精度等にかかわらず、半導体基板３は強制的に自転さ
せられ、半導体基板３端面のあらゆる部分でキャリアホ
ール１１に接触し、端面の一部分だけの変形および摩耗
は防止される。
【００１３】
実施例１ 半導体基板のラッピングに、円形のキャリアホールから
なる従来のキャリアを使用した場合と、８角形のキャリ
アホールからなるこの発明によるキャリアを使用した場
合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ６インチ（直径１５０ｍｍ）、ノ
ッチ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
なる従来のキャリアを使用した場合と、８角形のキャリ
アホールからなるこの発明によるキャリアを使用した場
合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ６インチ（直径１５０ｍｍ）、ノ
ッチ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
【００１４】ラッピングを終了し洗浄した後、半導体基
板の端面形状を比較したところ、従来キャリアを用いた
基板３の端面は図３のＢに示すごとく面取り部の形状が
変形、摩耗しているのに対し、この発明のキャリアを用
いた基板３の端面は図３のＡに示すごとく形状の著しい
変形、摩耗は見られないことが分かる。さらに、顕微鏡
にて端面性状を観測したところ、図４のＢの顕微鏡写真
に示すように、従来キャリアを用いた基板の端面は小さ
な欠け孔が多数見られ、ブツブツした表面であるのに対
し、この発明のキャリアを用いた基板の端面は図４のＡ
に示すごとく、小さな欠け孔が少なく滑らかな表面であ
ることが分かる。
板の端面形状を比較したところ、従来キャリアを用いた
基板３の端面は図３のＢに示すごとく面取り部の形状が
変形、摩耗しているのに対し、この発明のキャリアを用
いた基板３の端面は図３のＡに示すごとく形状の著しい
変形、摩耗は見られないことが分かる。さらに、顕微鏡
にて端面性状を観測したところ、図４のＢの顕微鏡写真
に示すように、従来キャリアを用いた基板の端面は小さ
な欠け孔が多数見られ、ブツブツした表面であるのに対
し、この発明のキャリアを用いた基板の端面は図４のＡ
に示すごとく、小さな欠け孔が少なく滑らかな表面であ
ることが分かる。
【００１５】実施例２ 半導体基板のラッピングに、円形のキャリアホールから
なる従来のキャリアを使用した場合と、１５角形のキャ
リアホールからなるこの発明によるキャリアを使用した
場合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ８インチ（直径２００ｍｍ）、ノ
ッチ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
なる従来のキャリアを使用した場合と、１５角形のキャ
リアホールからなるこの発明によるキャリアを使用した
場合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ８インチ（直径２００ｍｍ）、ノ
ッチ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
【００１６】ラッピングを終了し洗浄した後、半導体基
板の滑走試験を実施した。試験方法は、図５のＡに示す
如く、板２０の一方に外径１２ｍｍのＳｉＣセラミック
ス製ピン２１を固着し、板の他方にピン２１方向のレー
ル２２，２２を配置し、このレール２２，２２間を滑走
するスライダー２３の上にラッピングを終了した半導体
基板３を置き、この板を１０°傾斜させた後、該基板を
スライダー２３にて２０ｍｍ滑走させてピン２１に衝突
させ、基板端面が壊れるまでこの衝突を繰り返し、その
衝突回数を数えた。試験結果は図５のＢに示す如く、従
来キャリアを用いた基板の場合は５回以下で端面が破損
するのに対して、この発明のキャリアを用いた基板の場
合は１０回以上の衝突に耐えることがわかる。
板の滑走試験を実施した。試験方法は、図５のＡに示す
如く、板２０の一方に外径１２ｍｍのＳｉＣセラミック
ス製ピン２１を固着し、板の他方にピン２１方向のレー
ル２２，２２を配置し、このレール２２，２２間を滑走
するスライダー２３の上にラッピングを終了した半導体
基板３を置き、この板を１０°傾斜させた後、該基板を
スライダー２３にて２０ｍｍ滑走させてピン２１に衝突
させ、基板端面が壊れるまでこの衝突を繰り返し、その
衝突回数を数えた。試験結果は図５のＢに示す如く、従
来キャリアを用いた基板の場合は５回以下で端面が破損
するのに対して、この発明のキャリアを用いた基板の場
合は１０回以上の衝突に耐えることがわかる。
【００１７】実施例３ 半導体基板のラッピングに、円形のキャリアホールから
なる従来のキャリアを使用した場合と、１８角形のキャ
リアホールからなるこの発明によるキャリアを使用した
場合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ６インチ（直径２００ｍｍ）、Ｏ
Ｆ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
なる従来のキャリアを使用した場合と、１８角形のキャ
リアホールからなるこの発明によるキャリアを使用した
場合の半導体基板の端面の形状変化を測定し比較を行っ
た。加工条件を以下に示す。 半導体基板サイズ ６インチ（直径２００ｍｍ）、Ｏ
Ｆ付 半導体基板結晶軸 ＜１００＞ 面取り形状 先端Ｒ寸法Ｒ０．３０ｍｍ、面取り
角度２２° スライス ８０５μｍカット、粗度６０Ｓ ラッピング代 ６０μｍ（両面）、粗度３０Ｓ
【００１８】ラッピングを終了し洗浄した後、半導体基
板の落下試験を実施した。試験方法は、図６のＡに示す
如く、対向面に上下方向の溝部を設けた一対の枠３０，
３０内に半導体基板３を挿入して、下方に外径１３ｍｍ
のＳｉＣセラミックス製ピン３１を配置し、該基板を上
方より１０ｍｍ落下させてピン３１に衝突させ、ピン３
１の下方に水平に載置したモニター用基板３の表面に落
下したパーティクル数を測定し、図６のＣに測定結果を
示す。なお、ピン３１への衝突端面は図６のＢに示す２
か所である。
板の落下試験を実施した。試験方法は、図６のＡに示す
如く、対向面に上下方向の溝部を設けた一対の枠３０，
３０内に半導体基板３を挿入して、下方に外径１３ｍｍ
のＳｉＣセラミックス製ピン３１を配置し、該基板を上
方より１０ｍｍ落下させてピン３１に衝突させ、ピン３
１の下方に水平に載置したモニター用基板３の表面に落
下したパーティクル数を測定し、図６のＣに測定結果を
示す。なお、ピン３１への衝突端面は図６のＢに示す２
か所である。
【００１９】
【発明の効果】この発明は、ラッピング時における円形
の半導体基板端面の変形摩耗を低減させるため、ラップ
キャリアの各ホールの形状を多角形としたことを特徴と
し、加工中に、円形の半導体基板が自由に自転するよう
になるため、半導体基板端面のある一部分だけの変形、
摩耗が低減できる。この発明によるラッピング用キャリ
アは、実施例から明らかなように、ラッピング後の半導
体基板の端面の変形、摩耗が低減され、さらに、ラッピ
ング後の半導体基板の製造工程での欠けの発生などの欠
陥発生を著しく低減できる。
の半導体基板端面の変形摩耗を低減させるため、ラップ
キャリアの各ホールの形状を多角形としたことを特徴と
し、加工中に、円形の半導体基板が自由に自転するよう
になるため、半導体基板端面のある一部分だけの変形、
摩耗が低減できる。この発明によるラッピング用キャリ
アは、実施例から明らかなように、ラッピング後の半導
体基板の端面の変形、摩耗が低減され、さらに、ラッピ
ング後の半導体基板の製造工程での欠けの発生などの欠
陥発生を著しく低減できる。
【図１】この発明によるラッピング用キャリアを研磨装
置に装着した例を示す上面説明図である。
置に装着した例を示す上面説明図である。
【図２】Ａ，Ｂ，Ｃはこの発明によるラッピング用キャ
リアを用いて研磨した際のキャリアホール内での半導体
基板の動きを説明する上面説明図である。
リアを用いて研磨した際のキャリアホール内での半導体
基板の動きを説明する上面説明図である。
【図３】Ａはこの発明によるラッピング用キャリアを用
いて研磨した半導体基板の端面の形状を示す縦断説明図
であり、Ｂは従来のラッピング用キャリアを用いて研磨
した半導体基板の端面の形状を示す縦断説明図である。
いて研磨した半導体基板の端面の形状を示す縦断説明図
であり、Ｂは従来のラッピング用キャリアを用いて研磨
した半導体基板の端面の形状を示す縦断説明図である。
【図４】Ａはこの発明によるラッピング用キャリアを用
いて研磨した半導体基板の端面の性状示す顕微鏡写真で
あり、Ｂは従来のラッピング用キャリアを用いて研磨し
た半導体基板の端面の性状示す顕微鏡写真である。
いて研磨した半導体基板の端面の性状示す顕微鏡写真で
あり、Ｂは従来のラッピング用キャリアを用いて研磨し
た半導体基板の端面の性状示す顕微鏡写真である。
【図５】Ａは半導体基板の落下試験を示す装置の斜視説
明図であり、Ｂは半導体基板の落下試験結果を衝突回数
で示すグラフである。
明図であり、Ｂは半導体基板の落下試験結果を衝突回数
で示すグラフである。
【図６】Ａは半導体基板の落下試験を示す装置の斜視説
明図であり、Ｂは測定した位置を示す半導体基板の上面
説明図であり、Ｃは発生したパーティクル数を示すグラ
フである。
明図であり、Ｂは測定した位置を示す半導体基板の上面
説明図であり、Ｃは発生したパーティクル数を示すグラ
フである。
【図７】従来のラッピング用キャリアの一例を示す上面
説明図である。
説明図である。
【図８】従来のラッピング用キャリアを研磨装置に装着
した例を示す上面説明図である。
した例を示す上面説明図である。
【図９】従来のラッピング用キャリアを研磨装置に装着
した例を示す要部縦断説明図である。
した例を示す要部縦断説明図である。
【図１０】従来のラッピング用キャリアを用いて研磨し
た際のキャリアホール内での半導体基板の動きを説明す
る上面説明図である。
た際のキャリアホール内での半導体基板の動きを説明す
る上面説明図である。
【図１１】従来のラッピング用キャリアを用いて研磨し
た際のキャリアホール内での半導体基板の動きを説明す
る上面説明図である。
た際のキャリアホール内での半導体基板の動きを説明す
る上面説明図である。
１，１０ キャリア ２，１１ キャリアホール ３ 半導体基板 ４ 上定盤 ５ 下定盤 ６ 太陽ギア ２０ 板 ２１，３１ セラミックス製ピン ２２ レール ２３ スライダー ３０ 枠
Claims (3)
- 【請求項１】 上下定盤間にキャリアを装着してラッピ
ング加工を行うラッピング装置のラッピング用キャリア
において、円形の半導体基板を収納するラップキャリア
の各ホールの形状をホール内の半導体基板がラッピング
加工時に自転可能な多角形としたことを特徴とする半導
体基板のラッピング用キャリア。 - 【請求項２】 多角形内で接触するウエーハの２点間の
距離が当該ウエーハの直径の１／５〜１／６となるよう
に選定された辺数の多角形であることを特徴とするオリ
エンテーションフラットを有する基板用の請求項１に記
載の半導体基板のラッピング用キャリア。 - 【請求項３】 多角形内で接触するウエーハの２点間の
距離が当該ウエーハの直径の１／３〜１／４となるよう
に選定された辺数の多角形であることを特徴とするノッ
チを有する基板用の請求項１に記載の半導体基板のラッ
ピング用キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5518794A JP2640422B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体基板のラッピング用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5518794A JP2640422B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体基板のラッピング用キャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07237121A JPH07237121A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2640422B2 true JP2640422B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=12991712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5518794A Expired - Lifetime JP2640422B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体基板のラッピング用キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640422B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002326156A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基板研磨用キャリア及びガラス基板研磨装置 |
| US9368371B2 (en) * | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring having inner surfaces with facets |
| US10500695B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring having inner surfaces with features |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133623A (ja) * | 1974-08-09 | 1976-03-22 | Kikuo Oosato | Shashinshokujikinimochiiru insatsugenshisakuseiyoingashi |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5518794A patent/JP2640422B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07237121A (ja) | 1995-09-12 |
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