JP2637123B2 - Method for producing oxide superconductor crystal - Google Patents
Method for producing oxide superconductor crystalInfo
- Publication number
- JP2637123B2 JP2637123B2 JP62304632A JP30463287A JP2637123B2 JP 2637123 B2 JP2637123 B2 JP 2637123B2 JP 62304632 A JP62304632 A JP 62304632A JP 30463287 A JP30463287 A JP 30463287A JP 2637123 B2 JP2637123 B2 JP 2637123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide superconductor
- temperature
- crystal
- kpo
- flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、多元系酸化物超電導体結晶の製造方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for producing a multi-component oxide superconductor crystal.
（従来の技術） 最近、液体窒素温度程度の高温で超電導を示す高温超
電導体材料として、ペロブスカイト構造の多元系酸化物
超電導体が注目されている。これまでに報告されている
酸化物超電導体の代表的なものは、YBa2Cu3O７−δや
（La,Ba）2CuO4-y等である。これらの酸化物超電導材料
は、焼結法、蒸着法，スパッタ法等により得られてい
る。(Prior Art) Recently, a multi-element oxide superconductor having a perovskite structure has been attracting attention as a high-temperature superconductor material that exhibits superconductivity at a high temperature such as liquid nitrogen temperature. Representative oxide superconductors reported so far include YBa 2 Cu 3 O 7-δ and (La, Ba) 2 CuO 4-y . These oxide superconducting materials are obtained by a sintering method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
今後これらの酸化物超電導体を具体的な素子に応用す
るに当たって、超電導転移温度を高く安定に保ち、また
大きい臨界電流を得、素子特性の均一性、信頼性を優れ
たものとするためには、ある程度大きい面積の単結晶基
板或いは単結晶層として実現することが強く望まれる。
この種の酸化物超電導体の製造には、誘電体酸化物単結
晶の場合と同様にチョクラルスキー法（CZ法）を用いる
ことが考えられる。しかし、結晶材料融液を用いるCZ法
では非常に高い温度での結晶成長になり、酸化物超電導
体は相転移を生じるため、所望の超電導体を得ることが
できない。In applying these oxide superconductors to specific devices in the future, in order to keep the superconducting transition temperature high and stable, obtain a large critical current, and improve the uniformity and reliability of device characteristics It is strongly desired to realize a single crystal substrate or a single crystal layer having a relatively large area.
For the production of this type of oxide superconductor, it is conceivable to use the Czochralski method (CZ method) as in the case of a dielectric oxide single crystal. However, in the CZ method using a crystalline material melt, crystal growth occurs at a very high temperature, and a phase transition occurs in the oxide superconductor, so that a desired superconductor cannot be obtained.
（発明が解決しようとする問題点） 以上のように、多元系酸化物超電導材料の素子応用に
当たっては、その単結晶化が望まれるが、これまでその
ような酸化物単結晶を形成する有効な方法は提案されて
いない。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the application of a multi-element oxide superconducting material to an element, single crystallization is desired. No method has been proposed.
本発明は上記した点に鑑み、多元系酸化物超電導体の
結晶の構造方法を提供することを目的とする。In view of the above, an object of the present invention is to provide a method for forming a crystal of a multi-component oxide superconductor.
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明に係る酸化物超電
導体結晶の製造方法は、K2O−P2O5系のうちK4P2O7−KPO
3の二成分相図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各点、
A:温度800℃でKPO3のモル比40％、B:温度641.5℃でKPO3
のモル比53％、C:温度613℃でKPO3のモル比58％、D:温
度800℃でKPO3のモル比93％で囲まれた範囲内のK2O−P2
O5系混合液をフラックスとして用いた液相成長法により
多元系酸化物超電導体結晶を成長させることを特徴とす
る。To achieve the construction of the invention] (Means for Solving the Problems) The above object, method of manufacturing an oxide superconductor crystals of the present invention, K 2 O-P 2 O 5 system K 4 of P 2 O 7 −KPO
In the binary phase diagram of 3 , each of the following points A, B, C, and D:
A: 40% molar ratio of KPO 3 at 800 ° C, B: KPO 3 at 641.5 ° C
Molar ratio of 53%, C: molar ratio of 58% KPO 3 at a temperature 613 ℃, D: K within the range surrounded by the molar ratio of 93% KPO 3 at a temperature 800 ℃ 2 O-P 2
A multi-component oxide superconductor crystal is grown by a liquid phase growth method using an O 5 -based mixed solution as a flux.
（作用） 本発明によれば、上述のようなフラックスを用いたキ
ポラス法により、低い温度で多元系酸化物超電導体結晶
の成長が可能であり、超電導体の相転移が効果的に防止
され、良好な多元系酸化物超電導体結晶を得ることがで
きる。(Function) According to the present invention, a multi-component oxide superconductor crystal can be grown at a low temperature by the Kiporus method using a flux as described above, and the phase transition of the superconductor is effectively prevented, Good multi-component oxide superconductor crystals can be obtained.
（実施例） 以下、本発明の実施例を説明する。実施例では、YBa2
Cu3O７−δ結晶の製造法を説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described. In the example, YBa 2
A method for producing a Cu 3 O 7-δ crystal will be described.
第１図は、その結晶の引上げ装置を示す。第１図にお
いて１は、アルミナシールド材であり、この中に白金ヒ
ータ２が配置され、その中心部に白金ルツボ３が支持台
４上に配置されている。支持台４は炉外部とつながる支
持棒５と一体化され、回転可能になっている。６は熱電
対である。ルツボ３内には、LiBO2−NaBO2混合液からな
るフラックスを形成し、これに、必要な原料酸化物を溶
解した溶液７を形成する。FIG. 1 shows the crystal pulling apparatus. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an alumina shielding material, in which a platinum heater 2 is disposed, and a platinum crucible 3 is disposed on a support 4 at the center thereof. The support 4 is integrated with a support rod 5 connected to the outside of the furnace, and is rotatable. 6 is a thermocouple. In the crucible 3, a flux composed of a LiBO 2 -NaBO 2 mixed solution is formed, and a solution 7 in which a necessary raw material oxide is dissolved is formed therein.
第２図から、LiBO2−NaBO2の相図であり、この系で適
当なモル比を選ぶことにより、900℃以下で液相状態が
得られる。従ってこの系をフラックスとして用いること
により、比較的低温でＹ−Ba−Cu−Ｏ系結晶を引上げる
ための溶液を得ることが可能である。FIG. 2 is a phase diagram of LiBO 2 -NaBO 2 , and a liquid state can be obtained at 900 ° C. or lower by selecting an appropriate molar ratio in this system. Therefore, by using this system as a flux, it is possible to obtain a solution for pulling a Y-Ba-Cu-O-based crystal at a relatively low temperature.
このようにしてルツボ３内に所望の溶液７を形成し、
これを1200〜1300℃で約10時間放置した後、溶液温度を
下げて約900〜1000℃に設定する。そしてこの溶液７に
引上げ軸８の先端に取付けられたYCuO単結晶からなる種
子結晶を浸し、十分にこの種子結晶を馴染ませる。その
後、0.1〜0.5℃/hという小さい冷却速度で結晶９を引上
げる。この引上げに際し、溶液７の表面にはガス導入パ
イプ12を介して酸化ガスを100ml/min程度供給する。10
は内部観察用光入射窓であり、11は内部観察用窓であ
る。Thus, a desired solution 7 is formed in the crucible 3,
After leaving this at 1200-1300 ° C for about 10 hours, the solution temperature is lowered and set to about 900-1000 ° C. Then, a seed crystal made of a YCuO single crystal attached to the tip of the pulling shaft 8 is immersed in the solution 7 to sufficiently familiarize the seed crystal. Thereafter, the crystal 9 is pulled up at a small cooling rate of 0.1 to 0.5 ° C./h. At the time of this pulling, an oxidizing gas is supplied to the surface of the solution 7 through the gas introduction pipe 12 at a rate of about 100 ml / min. Ten
Denotes an internal observation light incident window, and 11 denotes an internal observation window.
こうしてこの実施例によれば、キポラス法によって比
較的低温で、従って相転移を生じることなく良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を引上げることができる。この場合、結
晶引上げに際して酸素ガスを供給することにより、溶液
中および成長結晶中の酸素欠陥の発生を防止することが
できる。Thus, according to this example, good quality YBa 2 is obtained by the Kiporus method at a relatively low temperature and thus without phase transition.
Cu 3 O 7-δ crystals can be pulled. In this case, by supplying oxygen gas when pulling the crystal, it is possible to prevent the occurrence of oxygen defects in the solution and in the grown crystal.
次に、フラックスとして、Na2O−B2O3系混合液を用い
た場合を説明する。第３図は、Na2O−B2O3系の相図であ
り、この系で適当なモル比を選ぶことにより、やはり90
0℃程度以下で液相状態が得られる。このNa2O−B2O3混
合液（B2O3が60〜90モル％）をフラックスとして用いて
先の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成
し、900〜1000℃で約10時間放置した後、溶液温度を下
げて800〜900℃に設定する。この後先の実施例と同様に
して、YBa2Cu3O７−δ結晶を引上げる。Next, as a flux, a case of using the Na 2 O-B 2 O 3 -based mixed solution. FIG. 3 is a phase diagram of the Na 2 O—B 2 O 3 system.
A liquid phase state is obtained below about 0 ° C. The Na 2 O-B 2 O 3 mixture (B 2 O 3 is 60 to 90 mol%) to form a solution of the previous embodiment as well as the necessary raw material used as a flux, 900 to 1000 ° C. After about 10 hours, lower the solution temperature and set it to 800-900 ° C. Thereafter, YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystals are pulled up in the same manner as in the previous examples.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
次に、フラックスとして、K2O−V2O5系混合液を用い
た場合を説明する。第４図は、K2O−V2O5系の相図であ
り、この系で適当なモル比を選ぶことにより、やはり90
0℃程度以下で液相状態が得られる。このK2O−V2O5混合
液（V2O5が65モル％以下）をフラックスとして用いて先
の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、
1000℃で約10時間放置した後、溶液温度を下げて850〜9
00℃に設定する。この後先の実施例と同様にして、YBa2
Cu3O７−δ結晶を引上げる。Next, as a flux, a case of using the K 2 O-V 2 O 5 based mixture. FIG. 4 is a phase diagram of the K 2 O—V 2 O 5 system, in which the choice of an appropriate molar ratio also results in a 90
A liquid phase state is obtained below about 0 ° C. Using this K 2 O-V 2 O 5 mixture (V 2 O 5 is 65 mol% or less) as a flux, a solution in which necessary materials are dissolved is formed in the same manner as in the previous example,
After leaving at 1000 ℃ for about 10 hours, lower the solution temperature to 850-9
Set to 00 ° C. Thereafter, YBa 2
Pull the Cu 3 O 7-δ crystal.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
次に、フラックスとして、K2O−B2O3系混合液を用い
た場合を説明する。第５図は、K2O−B2O3系の相図であ
り、この系で適当なモル比を選ぶことにより、やはり90
0℃程度以下で液相状態が得られる。このK2O−B2O3混合
液（B2O3が50〜80モル％）をフラックスとして用いて先
の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、
1200〜1300℃で約10時間放置した後、溶液温度を下げて
900〜1000℃に設定する。この後先の実施例と同様にし
て、YBa2Cu3O７−δ結晶を引上げる。Next, as a flux, a case of using the K 2 O-B 2 O 3 -based mixed solution. FIG. 5 is a phase diagram of the K 2 O—B 2 O 3 system.
A liquid phase state is obtained below about 0 ° C. The K 2 O-B 2 O 3 mixture (B 2 O 3 is 50 to 80 mol%) to form a solution of the previous embodiment as well as the necessary raw material used as a flux,
After leaving it at 1200-1300 ° C for about 10 hours, lower the solution temperature
Set to 900-1000 ° C. Thereafter, YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystals are pulled up in the same manner as in the previous examples.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
次に、フラックスとして、K2O−As2O5系混合液を用い
た場合を説明する。第６図は、K2O−As2O5系の相図であ
り、この系で適当なモル比を選ぶことにより、やはり90
0℃程度以下で液相状態が得られる。このK2O−As2O5混
合液（As2O5が40〜60モル％）をフラックスとして用い
て先の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成
し、1200〜1300℃で約10時間放置した後、溶液温度を下
げて900〜1000℃に設定する。この後先の実施例と同様
にして、YBa2Cu3O７−δ結晶を引上げる。Next, as a flux, a case of using the K 2 O-As 2 O 5 based mixture. FIG. 6 is a phase diagram of the K 2 O—As 2 O 5 system.
A liquid phase state is obtained below about 0 ° C. Using this K 2 O—As 2 O 5 mixed solution (40 to 60 mol% of As 2 O 5 ) as a flux, a solution in which necessary raw materials were dissolved was formed in the same manner as in the previous example, and the temperature was 1200 to 1300 ° C. After about 10 hours, the solution temperature is lowered and set to 900-1000 ° C. Thereafter, YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystals are pulled up in the same manner as in the previous examples.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
次に本発明（特許請求の範囲）に係る酸化物超電導体
結晶の製造方法であるフラックスとして、K2O−P2O5系
混合液を用いた場合を説明する。第７図は、K2O−P2O5
系の相図であり、この系で適当なモル比、つまり、下
記、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各点、A:温度800℃でKPO3のモル
比40％、B:温度641.5℃でKPO3のモル比53％、C:温度613
℃でKPO3のモル比58％、D:温度800℃でKPO3のモル比93
％で囲まれた範囲内のモル比を選ぶことにより、やはり
900℃程度以下で液相状態が得られる。このK2O−P2O5混
合液をフラックスとして用いて先の実施例と同様に必要
な原料を溶解した溶液を形成し、1200〜1300℃で約10時
間放置した後、溶液温度を下げて900〜1000℃に設定す
る。この後先の実施例と同様にして、YBa2Cu3O７−δ結
晶を引上げる。Next, a case where a K 2 O—P 2 O 5 -based mixed solution is used as a flux in the method for producing an oxide superconductor crystal according to the present invention (claims) will be described. FIG. 7 shows K 2 O-P 2 O 5
FIG. 1 is a phase diagram of a system, in which the molar ratios suitable for this system are as follows: A, B, C, and D; A: temperature 800 ° C., KPO 3 molar ratio 40%, B: temperature 641.5 ° C. KPO 3 molar ratio 53%, C: temperature 613
° C. The molar ratio of 58% KPO 3 in, D: the molar ratio 93 of KPO 3 at a temperature 800 ° C.
By choosing the molar ratio within the range enclosed by%,
A liquid phase state is obtained at about 900 ° C. or less. After the K 2 O-P 2 O 5 mixture to form a solution of the previous embodiment as well as the necessary raw material used as a flux, were left for about 10 hours at 1200 to 1300 ° C., lowering the solution temperature To 900-1000 ° C. Thereafter, YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystals are pulled up in the same manner as in the previous examples.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
次に、フラックスとして、Li2O−B2O3系混合液を用い
た場合を説明する。第８図は、K2O−P2O5系の相図であ
り、この系で適当な比を選ぶことにより、900℃以下で
液相状態が得られる。このLi2O−B2O3混合液をフラック
スとして用いて先の実施例と同様に必要な原料を溶解し
た溶液を形成し、1200〜1300℃で約10時間放置した後、
溶液温度を下げて900〜1000℃に設定する。この後先の
実施例と同様にして、YBa2Cu3O７−δ結晶を引上げる。Next, as a flux, a case of using the Li 2 O-B 2 O 3 -based mixed solution. FIG. 8 is a phase diagram of the K 2 O—P 2 O 5 system, in which a liquid state can be obtained at 900 ° C. or lower by selecting an appropriate ratio. After the Li 2 O-B 2 O 3 mixture to form a solution of the previous embodiment as well as the necessary raw material used as a flux, it was left for about 10 hours at 1200 to 1300 ° C.,
Lower the solution temperature to 900-1000 ° C. Thereafter, YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystals are pulled up in the same manner as in the previous examples.
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のYBa2
Cu3O７−δ結晶を得ることができる。According to this embodiment, as in the previous embodiment, high quality YBa 2
Cu 3 O 7-δ crystals can be obtained.
以上の実施例では、YBa2Cu3O７−δ結晶を引上げる場
合を説明したが、Ｙの代わりにYb,Ho,Dy,Eu,Er,Tm,Luな
ど他の希土類元素が入った酸化物超電導体結晶の場合に
も本発明は有効であり、また、Sc−Ba−Cu−Ｏ系、Sr−
La−Cu−Ｏ系、更にSrをBa,Caなどで置換した系等、他
のペロブスカイト構造を有する多元系酸化物超電導体結
晶を成長させる場合にも本発明は有効である。また実施
例では結晶引上げを説明したが、本発明は多元系酸化物
超電導体層のエピタキシャル成長にも有効である。In the above embodiment, the case where the YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystal is pulled is described. However, instead of Y, oxidation containing other rare earth elements such as Yb, Ho, Dy, Eu, Er, Tm, and Lu is included. The present invention is also effective in the case of a superconducting material crystal, and furthermore, Sc-Ba-Cu-O, Sr-
The present invention is also effective when growing a multi-element oxide superconductor crystal having another perovskite structure, such as a La-Cu-O system and a system in which Sr is replaced with Ba, Ca or the like. Further, although crystal pulling has been described in the embodiments, the present invention is also effective for epitaxial growth of a multi-component oxide superconductor layer.
その他本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the spirit thereof.
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、K2O−P2O5の二成
分相図において所定領域のK2O−P2O5系混合液をフラッ
クスとして用いた液相成長法により、多元系酸化物超電
導体の良質の結晶を得ることができる。According to the present invention as described above [Effect of the Invention] was used K 2 O-P 2 O 5 based mixture of a predetermined area as a flux in the two-component phase diagram of the K 2 O-P 2 O 5 solution By the phase growth method, high-quality crystals of the multi-component oxide superconductor can be obtained.
第１図は本発明の一実施例のＹ−Ba−Cu−Ｏ系結晶の引
上げ装置を示す図、第２図は、LiBO2−NaBO2系の相図、
第３図は、Na2O−B2O3系の相図、第４図は、K2O−V2O5
系の相図、第５図はK2O−B2O3系の相図、第６図は、K2O
−As2O5系の相図、第７図は、K2O−P2O5系の相図、第８
図は、Li2O−B2O3系の相図である。 １……アルミナシールド材、２……白金ヒータ、３……
白金ルツボ、４……支持台、５……支持棒、６……熱電
対、７……フラックスを含む溶液、８……引上げ軸、９
……YBa2Cu3O７−δ結晶、10……内部観察用光照射窓、
11……内部観察窓、12……ガス導入パイプ。FIG. 1 is a diagram showing an apparatus for pulling a Y—Ba—Cu—O crystal according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a phase diagram of a LiBO 2 —NaBO 2 crystal.
FIG. 3 is a phase diagram of the Na 2 O—B 2 O 3 system, and FIG. 4 is a K 2 O—V 2 O 5
Phase diagram of the system, FIG. 5 is a phase diagram of the K 2 O—B 2 O 3 system, and FIG. 6 is a diagram of the K 2 O
-As 2 O 5 system phase diagram of FIG. 7 is, K 2 O-P 2 O 5 system phase diagram of the eighth
Figure is a phase diagram of Li 2 O-B 2 O 3 system. 1 ... Alumina shield material, 2 ... Platinum heater, 3 ...
Platinum crucible, 4 ... Support table, 5 ... Support rod, 6 ... Thermocouple, 7 ... Solution containing flux, 8 ... Pulling shaft, 9
…… YBa 2 Cu 3 O 7-δ crystal, 10 …… Light irradiation window for internal observation,
11 ... internal observation window, 12 ... gas introduction pipe.
Claims (2)
相図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各点 A:温度800℃でKPO3のモル比40％、 B:温度641.5℃でKPO3のモル比53％、 C:温度613℃でKPO3のモル比58％、 D:温度800℃でKPO3のモル比93％、 で囲まれた範囲内のK2O−P2O5系混合液をフラックスと
して用いた液相成長法により多元系酸化物超電導体結晶
を成長させることを特徴とする酸化物超電導体結晶の製
造方法。In the binary phase diagram of K 4 P 2 O 7 —KPO 3 in the K 2 O—P 2 O 5 system, each of the following points A, B, C, and D A: KPO at a temperature of 800 ° C. 3 mole ratio 40%, B: the molar ratio of 53% KPO 3 at a temperature 641.5 ° C., C: molar ratio of 58% KPO 3 at a temperature 613 ° C., D: molar ratio 93% KPO 3 at a temperature 800 ° C., in method of manufacturing an oxide superconductor crystals, wherein the K 2 O-P 2 O 5 based mixture within a range surrounded growing a multi-component oxide superconductor crystal by the liquid phase growth method using as a flux .
７−δ（ＡはY,Yb,Ho,Dy,Eu,Er,Tm,Luから選ばれた一
種）である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体
結晶の製造方法。2. The multi-component oxide superconductor comprises ABa 2 Cu 3 O
The method for producing an oxide superconductor crystal according to claim 1, wherein 7-δ (A is one selected from Y, Yb, Ho, Dy, Eu, Er, Tm, and Lu).
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304632A JP2637123B2 (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Method for producing oxide superconductor crystal |
| US07/205,177 US5162297A (en) | 1987-06-11 | 1988-06-10 | Liquid phase epitaxial growth of high temperature superconducting oxide wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304632A JP2637123B2 (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Method for producing oxide superconductor crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01148795A JPH01148795A (en) | 1989-06-12 |
| JP2637123B2 true JP2637123B2 (en) | 1997-08-06 |
Family
ID=17935371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304632A Expired - Lifetime JP2637123B2 (en) | 1987-06-11 | 1987-12-03 | Method for producing oxide superconductor crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637123B2 (en) |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62304632A patent/JP2637123B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２６〔７〕（１９８７−７）Ｐ．Ｌ１１９７−Ｌ１１９８ |
| 高須新一郎「結晶育成基礎技術」（昭５５−５−３０）東京大学出版会Ｐ．２３４−２４９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01148795A (en) | 1989-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4921834A (en) | Flux method of growing oxide superconductors | |
| JP2651481B2 (en) | How to make superconducting materials | |
| US5407907A (en) | Method of preparing metal oxide crystal | |
| JP2672533B2 (en) | Method for producing oxide superconductor crystal | |
| JPH09100193A (en) | Preparation of oxide crystal | |
| US4962087A (en) | Epitaxial superconducting scructure on lattice matched lanthanum orthogallate | |
| JP2637123B2 (en) | Method for producing oxide superconductor crystal | |
| JPH01148794A (en) | Production of oxide superconductor crystal | |
| JP3936767B2 (en) | Preparation method of oxide crystals | |
| US5413986A (en) | Method for production of thin oxide superconducting film and substrate for production of the film | |
| JPS63310799A (en) | Production of oxide superconducting crystal | |
| US4996186A (en) | Flux method for producing crystals of superconducting YBa2 Cu3 O7 | |
| JPH01131098A (en) | Production of oxide superconductor crystal | |
| JPS63310798A (en) | Production of oxide superconducting element wafer | |
| US5268060A (en) | Method of manufacturing oxide superconducting materials | |
| JP2733197B2 (en) | Method for producing rare earth element-containing single crystal | |
| JP2963604B2 (en) | Method for producing ReBa2Cu3Oy crystal from melt | |
| CN1033192C (en) | Method of manufacturing oxide superconducting materials | |
| Mansori et al. | Bi-2201, Bi-2212 and (Bi, Pb)-2223 fibers have been grown using the micro-pulling down (μ-PD) technique | |
| Demianets et al. | Growth of high-temperature superconductor crystals from flux | |
| JP2833640B2 (en) | Method for producing Pr123 crystal | |
| JP3205646B2 (en) | Method for producing Sm-based 123 crystal | |
| JPH0818910B2 (en) | Method for producing oxide superconducting single crystal | |
| Barilo | Fabrication and properties of single crystals and LPE films in some HTSC systems | |
| JPS63310796A (en) | Oxide superconducting element wafer |