JP2634905B2 - 図形ぬりつぶし方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、図形生成装置において二次前画像メモリに
記憶された閉・線図形の内部をぬりつぶす図形ぬりつぶ
し方法に関する。

〔従来の技術〕

四角形，三角形，星型などの多角形を構成する閉・線
図形の頂点座標値をコンピュータ等の上位装置から受け
取ることにより、二次元画像メモリ上の上記各頂点座標
値に相当する画素および頂点座標値間をつなく線上に存
在する画素を有為画素（例えば白黒画像では黒画素）に
書き換えて閉・線図形を二次元画像メモリ上に生成し、
これをCRT等のTV走査型表示装置の画面を表示するとい
った図形生成装置が、従来から知られている。このよう
な閉・線図形は、その内部をぬりつぶして表示した方が
表示内容が鮮明になる等、好ましい場合があり、従来
は、次のようにして図形のぬりつぶしを行っていた。

例えば、二次元画像メモリ上に第８図に示すような頂
点a,b,cを持つ閉・線図形が生成された場合、画像の走
査方向をＸ軸の＋方向とすると、まず頂点ａと頂点ｂを
つなぐ線分abおよび頂点ｃと頂点ｄをつなぐ線分cdの式
を求め、線分abと各走査線との交点をぬりつぶし開始
点、その走査線と線分cdとの交点をぬりつぶし終了点と
して記憶し、各走査線においてぬりつぶし開始点からぬ
りつぶし終了点までの間の画素を有為画素に書き換える
ことで同図の領域Ａの部分をぬりつぶす。その後、同様
にして領域Ｂの部分をぬりつぶす。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来は上述したようにして閉・線図形のぬりつぶしを
行っていたが、次のような問題点があった。

（１） 生成すべき閉・線図形に関して与えられる頂点
座標値から閉・線図形を構成する線分の紙器を求めなけ
ればならず、また必要に応じて閉・線図形を複数の領域
に分割する必要がある。従って、形状が複雑になると処
理時間が著しく増大する。

（２） 二次元画像メモリの１画面分の領域に独立した
複数の閉・線図形が生成されている場合、１つの走査線
が複数の閉・線図形を横切ることになる。他方、ぬりつ
ぶし開始点，終了点を保持する手段は通常１組しかない
ので、全ての閉・線図形を一括して処理し得ず、各々の
閉・線図形毎にぬりつぶし処理を行うことから、ぬりつ
ぶしに時間がかかる。

本発明はこのような従来の問題点を解決したものであ
り、その目的は、各々独立した複数の閉・線図形を一括
してぬりつぶすことができ、然も形状が複雑になって
も、それほど処理時間が増大しない図形ぬりつぶし方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記の目的を達成するために、二次元画像メ
モリに記憶された閉・線図形を内部をぬりつぶす方法に
おいて、 （１）前記閉・線図形を構成する有為画素のうち、ぬり
つぶし方向と垂直な方向に関して自画素より上に有為画
素を持たない山部分および自画素より下に有為画素を持
たない谷部分に含まれる頂点画素を、前記閉・線図形の
頂点座標間の比較により検出して前記二次元画像メモリ
から消去すると共に補助の二次元画像メモリに記憶した
後、前記二次元画像メモリを１回走査して、２画素以上
が前記ぬりつぶし方向に連続している有為画素列を構成
する有為画素のうち最後の有為画素を除く全ての有為画
素を前記二次元画像メモリから消去する細線化処理を施
す工程、 （２）前記二次元画像メモリを前記ぬりつぶし方向に走
査し、同一走査線上における奇数番目の有為画素から偶
数番目の有為画素までの画素を有為画素に書き換える工
程、 （３）前記工程（２）の処理を施した前記二次元画像メ
モリの内容と前記山部分および谷部分の頂点画素を記憶
した前記補助の二次元画像メモリの内容とを合成する工
程、 を有している。

〔作用〕

一般に、頂点や水平部分を持たない線図形（極めて簡
単な例では垂直な２本の平行線からなる図形）の場合、
二次元画像メモリに幾つそのような図形があっても、工
程（２）のみで一括してぬりつぶすことができる。しか
し、頂点および水平部分を有しない閉・線図形はないの
で、工程（２）だけでは処理し得ない。そこで、本発明
では、工程（２）の言わば前処理として、工程（１）を
行う。

この工程（１）では、先ず閉・線図形の各頂点が山谷
部分に相当するか否を調べる。ここで山谷部分とは簡略
化して言えば、閉・線図形を構成している各頂点のう
ち、前後の頂点に比べて上方（走査先と垂直な方向）に
突出している点（山）および下方に突出している点
（谷）である。例えば、三角形の左上の頂点が（山）
部分に相当し、左下の頂点が（谷）部分に相当する。ま
た、三角形△の上の頂点が（山）部分に相当し、底辺が
（谷）部分に相当する。

工程（１）では、山谷部分に相当すると判定された頂
点は二次元画像メモリから消去される。これにより、工
程（２）において偶数番目の有為画素がない為に頂点以
降の全画素がぬりつぶされたり、或いは別の閉・線図形
の有為画素間を誤ってぬりつぶすこと等がなくなる。

次に工程（１）では、細線化処理が施される。ここで
細線化処理とは、同一走査線上に連続して２画素以上の
有為画素が存在する場合、１つの有為画素を残して他を
無為画素に書き換えることである。これにより、１つの
閉・線図形と各走査線との交点の数は２個となり、水平
部分の影響なく工程（２）においてぬりつぶし所為が適
切に行えることになる。そして、次の工程（３）におい
て、前記二次元画像メモリの内容と前記補助の二次元画
像メモリの内容とを合成することにより、ぬりつぶし処
理を施した図形が得られる。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に
説明する。

第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の図形ぬりつぶし方
法を用いて二次元画像メモリＰ上に生成された閉・線図
形をぬりつぶす際の各時点の二次元画像メモリの内容例
を、第２図は一時的に使用する補助の二次元画像メモリ
Ｑの内容例をそれぞれ示し、白丸は無為画像（以下、白
画素と称す）、黒丸は有為画素（以下、黒画素と称す）
である。以下の説明では二次元画像メモリP,Q上の各画
素或いはその座標値を識別するためにＸ座標値＝x,Y座
標値＝ｙにある画素あるいはその座標値をＰ（x,Y）,Q
（x,y）と呼ぶことにする。

本実施例の図形ぬりつぶし方法は、次の工程を含んで
いる。

（１）二次元画像メモリＰ上の各々の閉・線図形の各頂
点が山谷部分に相当するか否かを調べて山谷部分に相当
する頂点を二次元画像メモリから消去すると共に、補助
の二次元画像メモリＱに退避した後、細線化処理を施す
工程。

（２）二次元画像メモリＰをＸ軸方向に走査し、同一走
査線上における奇数番目の黒画素から偶数番目の黒画素
までの画素を黒画素に書き換える工程。

（３）二次元画像メモリＰとの内容と補助の二次元画像
メモリＱの内容とを合成する工程。

以下、各工程毎に説明する。

『工程（１）』（第１図（ａ）〜（ｃ）及び第２図参
照） 第１図（ａ）は、図形生成装置の上位装置から、頂点
座標として、 Ｐ（1,4）,P（1,5）,P（3,7） Ｐ（5,5）,P（5,2）,P（4,1） が与えられることにより、図形生成装置で自動的に生成
した閉・線図形Ａと、同じく頂点座標として、 Ｐ（7,2）,P（7,3）,P（11,7） Ｐ（12,7）,P（12,6）,P（13,5） Ｐ（14,5）,P（14,2）,P（9,2） Ｐ（8,1） が与えられることにより、自動的に生成した閉・線図形
Ｂとを含む二次元画像メモリＰの内容を示している。

図形生成装置は、先ず、上記の各頂点座標を参照して
山谷検出，山谷消去・退避処理を行う。この山谷検出の
具体的な処理方法は後に詳述するとして、ここで結果だ
けを示すと、以下の頂点が山谷部分であると検出され
る。

閉・線図形Ａに関して； Ｐ（3,7）,P（4,1） 閉・線図形Ｂに関して； Ｐ（11,7）,P（12,7）,P（8,1） そして、続く山谷消去により上記の山谷部分の頂点が
二次元画像メモリＰから消去され、二次元画像メモリの
内容は１図（ａ）から第１図（ｂ）の状態に変わる。ま
た、山谷退避処理により、上記の山谷部分の頂点が第２
図に示すように補助の二次元画像メモリＱに退避され
る。

次に図形生成装置は、第１図（ｂ）の状態の二次元画
像メモリＰに対し細線化処理を加える。この細線化処理
（具体的な方法は後述する）が行われることにより、二
次元画像メモリＰの内容は第１図（ｃ）のように変化す
る。即ち、同一走査線上で連続する２個の黒画素Ｐ（1
3,5）,P（14,5）から成る黒画素列と、６個の黒画素Ｐ
（9,2）,P（10,2）,P（11,2）,P（12,2）,P（13,2）,P
（14,2）から成る黒画素列とが細線化され、最右端の１
個の黒画素Ｐ（14,5）,P（14,2）を除く他の黒画素が全
て白画素に書き換えられる。

以上で工程（１）が終了する。

『工程（２）』（第１図（ｃ），（ｄ）参照） 工程（２）では、図形生成装置は、二次元画像メモリ
ＰをＸ軸方向に走査し、同一走査線上における奇数番目
の黒画素から偶数番目の黒画素までの画素を黒画素に書
き換える。例えば、第１図（ｃ）の座標値＝２の走査線
においては、１番目の黒画素はＰ（3,2）,2番目の黒画
素はＰ（5,2）なので、その間の画素Ｐ（4,2）が黒画素
に書き換えられ、３番目の黒画素はＰ（7,2）,4番目の
黒画素はＰ（14,2）なので、その間の画素Ｐ（8,2）,P
（9,2）,P（10,2）,P（11,2）,P（12,2）,P（12,2）,P
（13,2）が黒画素に書き換えられる。他の走査線につい
ても同様に行われる。この結果、二次元画像メモリＰの
内容は第１図（ｃ）から第１図（ｄ）のように変化す
る。これでぬりつぶし処理が終了する。

『工程（３）』（第１図（ｄ），（ｅ）および第２図参
照） 工程（３）では、図形生成装置は、二次元画像メモリ
Ｐの内容と補助の二次元画像メモリＱの内容とを合成す
る。つまり、補助の二次元画像メモリＱに退避されてい
た第２図の山谷部分の頂点を第１図（ｄ）ぬりつぶし処
理を終えた二次元画像メモリＰに戻すことにより、第１
図（ｅ）に示すように、閉・線図形の内部が黒画素でぬ
りつぶされた図形を得るものである。

なお、本発明の他の実施例として、別の二次元画像メ
モリに第１図（ａ）の状態を保持しておき、第１図
（ａ）の黒画素と同じ位置の第１図（ｄ）の黒画素を白
画素に置き換えることにより、ぬりつぶし部分のみの画
像を得るようにしても良い。こうすれば、輪郭部分と色
んを違えてぬりつぶすこと等が可能である。

次に、本発明の図形ぬりつぶし方法を実施する図形生
成装置の一実施例についてする。

第３図は図形生成装置の一実施例の要部ブロック図で
あり、閉・線図形およびぬりつぶし後の図形を記憶する
二次元画像メモリ１と、補助の二次元画像メモリ２と、
図示しない上位装置から閉・線図形の頂点座標を入力す
ることにより二次元画像メモリ１上に閉・線図形を生成
する公知の線図形生成回路３と、工程（１）の一部およ
び全体的な制御を担い第４図に示すような処理を行うマ
イクロプロセッサ（MPU），メモリ等を含むMPU回路４
と、上位装置から送られてきた各閉・線図形の頂点座標
を保持するメモリ５と、工程（１）の細線化処理を担う
細線化回路６と、工程（２）ぬりつぶし処理を担うぬり
つぶし回路７と、工程（３）の合成処理を担う合成回路
８と、二次元画素メモリ1,補助の二次元画像メモリ２を
走査する為のアドレスを発生するスキャン回路９と、MP
U回路４にまたは線図形生成回路３からの指定に従ってM
PU回路4,線図形生成回路3,細線化回路6,ぬりつぶし回路
７および合成回路８の出力データの１つを選択して二次
元画像メモリ１の書き込みデータとするセレクタ10と、
MPU回路４または線図形生成回路３からの指定に従ってM
PU回路4,線図形生成回路３およびスキャン回路９の出力
アドレスの１つを選択して二次元画像メモリ１に加える
セレクタ12と、MPU回路４からの指定に従ってMPU回路４
およびスキャン回路９の出力アドレスの１つを選択して
補助の二次元画像メモリ２に加えるセレクタ13と、二次
元画像メモリ１から読み出されたデータをMPU回路4,図
示しないCRT等の表示装置，細線化回路6,ぬりつぶし回
路７および合成回路８の内のMPU回路４から指定された
相手に送出するセレクタ14と、ゲート15,16とで構成さ
れている。

第５図は細線化回路６の構成例を示す要部ブロックで
あり、セレクタ14の出力を１画素分保持するシフトレジ
スタ61と、シフトレジスタ61の出力が白画素を示し且つ
セレクタ14の出力が黒画素を示すとき黒画素を示すデー
タを出力し、それ以外は白画素を示すデータを出力する
ゲート62とで構成されている。

第６図はぬりつぶし回路７の構成例を示す要部ブロッ
ク図であり、フリップフロップ71と、このフリップフロ
ップ71の出力とセレクタ14の出力との論理和を出力する
オアゲート72と、フリップフロップ71の出力とセレクタ
14の出力をとの論理和を出力するアンドゲート73とを含
み、フリップフロップ71はオアゲート72の出力が黒画素
を示すときにセットされて黒画素相当のデータを出力
し、アンドゲート73の出力が黒画素相当のときリセット
されて白画素相当のデータを出力するものである。

第７図は合成回路８の構成例を示す要部ブロック図で
あり、セレクタ14の出力と補助の二次元画像メモリ２の
出力との論理和を出力するオアゲート81を含んでいる。

次に第３図ないし第７図を参照して、本実施例の図形
処理装置の動作を説明する。

第３図において、図示しない上位装置から描画すべき
閉・線図形の頂点座標が送られてくると、それらは線図
形生成回路３に力されると共にメモリ５に記憶される。

線図形生成回路３は、セレクタ10,12を自分自身側に
切り換え、セレクタ12を介してアドレスを、セレウタ10
を介してデータをそれぞれ二次元画素メモリ１に加える
ことにより、上位装置から与えられた１つの閉・線図形
の頂点座標に応じた閉・線図形を二次元画像メモリ１上
に生成する。線図形生成回路３は上位装置から複数の閉
・線図形の情報が与えられた場合、各閉・線図形につい
て同様の動作を行う。これにより、二次元画像メモリ１
は例えば第１図（ａ）に示した状態となる。線図形生成
回路３は全ての閉・線図形の生成処理を終えると、その
旨をMPU回路４に通知する。

MPU回路４は上記の通知に応答して、セレクタ10,12,1
4を自分自身側に切り換えて二次元画像メモリ１をアク
セスできるようにし、第４図に示す処理を開始する。先
ず、処理SY1〜S16の山谷検出を行う。ここで、ｉはメモ
リ５に記憶された１つの閉・線図形に含まれる個々の頂
点座標を仮に識別する為の変数,jは制御変数であり、
y_i,y_i+j,y_i-jとはｉ番目,i＋ｊ番目,i−ｊ番目の頂点座
標のＹ座標値を意味している。この山谷検出処理を第１
図（ａ）を参照して具体的に説明すると次の通りであ
る。

メモリ５に閉・線図形Ａにかかる頂点座標が、Ｐ（1,
4）,P（1,5），…,P（4,1）の順に格納されており、そ
の先頭より１番目,2番目，…,6番目とすると、先ず、閉
・線図形Ａにかかる１番目の頂点座標Ｐ（1,4）と１つ
前の頂点座標（１番目については最終番目のもの）Ｐ
（4,1）とのＹ座標値が比較され（S4）、結果はYESなの
で処理S5側へ進み、１番目の頂点座標0P（1,4）と１つ
先の頂点座標Ｐ（1,5）とが比較される（S7）。結果はN
Oであり、且つ処理S8の結果もNOなので、現在注目して
いる頂点座標Ｐ（1,4）は山谷部分でないとされ、処理S
14でｉが進歩され、注目点を次の頂点座標に移す。次に
注目する頂点座標Ｐ（1,5）も同様に山谷部分でないと
される。次に注目する頂点座標Ｐ（3,7）については、
１つ前の頂点座標Ｐ（1,5）よりＹ座標値が大きく（処
理S4でYES）且つ１つ先の頂点座標Ｐ（5,5）よりＹ座標
値が大きくなる（処理S7でYES）。よって、頂点座標Ｐ
（3,7）は山谷部分（この場合、山部分）であると判定
される。また、頂点座標Ｐ（4,1）については、１つ前
の頂点座標Ｐ（5,2）よりＹ座標値が小さく（処理S4,S9
で共にNO）、１つ先の頂点座標Ｐ（1,4）よりＹ座標値
が小さい（処理S12でYES）。この結果、頂点座標Ｐ（4,
1）は山谷部分（その場合、谷部分）であると判定され
る。

MPU回路４は処理S7あるいは処理S12で山谷部分と判定
した頂点座標については、処理S17,S18の頂点消去・退
避処理を行う。即ち、第１図（ｂ）に示したように山谷
部分の頂点を二次元画像メモリ１から消去し（処理S1
7）、それを補助の二次元画像メモリ２に第２図に示し
たように退避する（処理S18）。

MPU回路４はメモリ５に記憶された１つの閉・線図形
についての山谷検出，「頂点消去・退避処理を終えると
（処理S15でYES;但しｎは頂点の個数）、処理S15でYE
S:;但しｎは頂点の個数）、処理S16で全ての閉・線図形
について同種の処理を終えたか否かを判定し、終えてい
なければ未処理の閉・線図形についての山谷検出，消去
・退避処理を行う。この結果、第１図（ａ）の場合、次
の閉・線図形Ｂについての処理が行われ、その結果、二
次元画像メモリ１の内容は第１図（ｂ）に示すものとな
る。なお、閉・線図形Ｂの頂点座標Ｐ（11,7）にかかる
山谷検出においては、１つの前の頂点座標Ｐ（7,3）よ
りＹ座標値が大きく（処理S4でYES）、１つ先の頂点座
標Ｐ（12,7）のＹ座標値と等しいと判定され（処理S7で
NO,処理S8でYES）、この結果、処理S6でｊが一つ進歩さ
れ、さらに１つ先の頂点座標Ｐ（12,6）と比較され（処
理S7）、この結果がYESとなるので山谷部分（この場
合、山部分）と判定される。同様にして頂点座標Ｐ（1
2,7）も山谷部分と判定されるものである。

この後、MPU回路４は、細線化処理S19,ぬりつぶし処
理S20,合成処理S21を順次に制御する。以下、個別に説
明する。

『細線化処理』 MPU回路４は、セレクタ10,14を細線化回路６側に、セ
レクタ12をスキャン回路９側に切り換え、スキャン回路
９および細線化回路６を起動する。スキャン回路９は起
動されると、二次元画像メモリ１のアドレスを逆方向に
順次に発生する。即ち、第１図（ｂ）において、画素Ｐ
（15,1）,P（14,1），…,P（15,7）,P（14,7）,P（1,
7）の順で走査していく。二次元画像メモリ１から読み
出された画像データは、セレクタ14を介して細線化回路
６に入力される。第５図を参照すると、細線化回路６に
おいては、セレクタ14から加わる画素データはシフトレ
ジスタ61およびゲート62に入力され、ゲート62の出力が
セレクタ10を介して二次元画像メモリ１の同一アドレス
に書き戻される。この結果、画素Ｐ（14,5）,P（13,5）
の如く黒画素が連続して読み出されると、黒画素Ｐ（1
4,5）の読み出し時点ではシフトレジスタ61は直前の白
画素Ｐ（15,5）を保持している為にその出力は白画素相
当となり、ゲート62の出力は黒画素相当となって第１図
（ｃ）の如く画素Ｐ（14,5）は黒画素のままとなる。し
かし、次の黒画素Ｐ（13,5）の読み出し時点ではシフト
レジスタ61は黒画素Ｐ（14,5）を保持しているのでゲー
ト62の出力は白画素相当になり、第１図（ｃ）の如く画
素Ｐ（13,5）は黒画素から白画素に書き換えられる。同
様にして、黒画素の連続する画素Ｐ（14,2）〜Ｐ（9,
2）が処理され、第１図（ｃ）の如く画素Ｐ（14,2）の
みが黒画素として残される。

『ぬりつぶし処理』 スキャン回路９が二次元画像メモリ１を１回走査し終
えると、細線書処理が完了したことになるので、次にMP
U回路４はセレクタ14をぬりつぶし回路７側に切り換え
ると共にスキャン回路９およびぬりつぶし回路７を起動
する。スキャン回路９は起動されると、二次元画像メモ
リ１のアドレスを順方向に順次発生する。即ち、第１図
（ｃ）において、画素Ｐ（1,7）,P（2,7），…,P（15,
7）,P（1,6），…,P（1,1），…,P（15,1）の順で走査
していく。二次元画像メモリ１から読み出された画素デ
ータはセレクタ14を介してぬりつぶし回路７に入力され
る。第６図を参照すると、ぬりつぶし回路７において、
セレクタ14からの画素データはオアゲート72およびアン
ドゲート73に入力され、オアゲート72の出力がセレクタ
10を介して二次元画像メモリ１の元のアドレスに書き戻
される。また、オアゲート72の出力が黒画素相当のとき
にフリップフロップ71がセットされ、その出力がアンド
ゲート73およびオアゲート72に入力される。またアンド
ゲート73の出力が黒画素相当のときにフリップフロップ
71がリセットされる。

この結果、第１図（ｃ）において、画素Ｐ（2,6）の
読み出し時点でオアゲート72の出力が黒画素相当になっ
て第１図（ｄ）の如く画素Ｐ（2,6）が黒画素のままに
されると共にその時点でフリップフロップ71がリセット
されオアゲート72に黒画素相当の出力がフリップフロッ
プ71から加えられる。従って、次の白画素（P3,6）の読
み出し時点ではセレクタ14からの出力にかかわらずオア
ゲート72から黒画素相当の出力が得られ、第１図（ｄ）
に示す如く白画素Ｐ（3,6）が黒画素に変更される。次
の黒画素Ｐ（4,6）の読み出し時点でもオアゲート72の
出力が黒画素相当になるので、元の黒画素Ｐ（4,6）は
黒画素のままとなり、その時点でアンドゲート73の出力
が黒画素相当になってフリップフロップ71がリセットさ
れる。従って、次の白画素Ｐ（5,6）の読み出し時点で
はセレクタ14の出力およびフリップフロップ71の出力が
共に白画素相当になり、白画素Ｐ（5,6）は白画素のま
まになる。以上のような動作が二次元画素メモリ１の全
範囲にわたって行われることにより、二次元画像メモリ
１の内容は第１図（ｄ）に示すものとなり、ぬりつぶし
が完了する。

『合成処理』 次にMPU回路４は、セレクタ13を補助の二次元画像メ
モリ２側に切り換えると共にセレクタ10,14を合成回路
８側に切り換え、スキャン回路９および合成回路８を起
動する。スキャン回路９は起動されると、二次元画像メ
モリ１のアドレスを順方向に順次に発生する。このと
き、そのアドレスはセレクタ13を介して補助の二次元画
像メモリ２にも加えられ、第２図に示したような内容が
読み出される。二次元画像メモリ１から読み出された画
素データはセレクタ14を介して合成回路８に入力され、
補助の二次元画像メモリ２から読み出された画素データ
も合成回路８に入力される。第７図を参照すると、合成
回路８においては、セレクタ14を介して読み出された二
次元画像メモリ１の画素データと補助の二次元画像メモ
リ２から読み出された同一アドレスの画像データとの論
理和がオアゲート81でとられ、その出力がセレクタ10を
介して二次元画像メモリ１の元の場所に書き戻される。
この結果、二次元画像メモリ１の内容は第１図（ｅ）に
示すものとなる。即ち、輪郭部分を含めたぬりつぶし図
形が完成する。

第３図の図形生成装置は、前処理の工程（１）の一部
をMPU回路４で行っているが、それらもハードウェア回
路で実現できることは勿論のことである。また、工程
（１）〜工程（３）の全てをソフトウェア処理によって
実現することもできる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の図形ぬりつぶし方法に
おいては、二次元画像メモリを所定方向に走査し、同一
走査線上における奇数番目の有為画素から偶数番目の有
為画素までの画素を有為画素に置き換える工程（２）の
前処理として、その工程（２）が適切に行えるように、
前記閉・線図形の各頂点が山谷部分に相当するか否かを
調べて山谷部分に相当する頂点を前記二次元画像メモリ
から消去した後、細線化処理を施す工程（１）を行うも
のであり、閉・線図形の形状が複雑になっても、或いは
ぬりつぶすべき閉・線図形が多数あっても、前工程
（１）の処理時間が増大するだけで実際のぬりつぶしを
行う工程（２）の処理時間に影響はなく、全体としてぬ
りつぶし処理の高速化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の図形ぬりつぶし方法を用いて二次元画
像メモリ上に生成された閉・線図形をぬりつぶす際の各
時点の二次元画像メモリの内容例を示す図、 第２図は一時的に使用する補助の二次元画像メモリの内
容例を示す図、 第３図は本発明の方法を実施する図形生成装置の一実施
例の要部ブロック図、 第４はMPU回路４の処理例の流れ図、 第５図は細線化回路６の構成例を示す図、 第６図はぬりつぶし回路７の構成例を示す図、 第７図は合成回路８の構成例を示す図および、 第８図は従来方法の説明図である。 図において、 １……二次元画像メモリ ２……補助の二次元画像メモリ ３……線図形生成回路 ４……MPU回路 ５……メモリ ６……細線化回路 ７……ぬりつぶし回路 ８……合成回路

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】二次元画像メモリに記憶された閉・線図形
   の内部をぬりつぶす方法において、 （１）前記閉・線図形を構成する有為画素のうち、ぬり
   つぶし方向と垂直な方向に関して自画素より上に有為画
   素を持たない山部分および自画素より下に有為画素を持
   たない谷部分に含まれる頂点画素を、前記閉・線図形の
   頂点座標間の比較により検出して前記二次元画像メモリ
   から消去すると共に補助の二次元画像メモリに記憶した
   後、前記二次元画像メモリを１回走査して、２画素以上
   が前記ぬりつぶし方向に連続している有為画素列を構成
   する有為画素のうち最後の有為画素を除く全ての有為画
   素を前記二次元画像メモリから消去する細線化処理を施
   す工程、 （２）前記二次元画像メモリを前記ぬりつぶし方向に走
   査し、同一走査線上における奇数番目の有為画素から偶
   数番目の有為画素までの画素を有為画素に書き換える工
   程、 （３）前記工程（２）の処理を施した前記二次元画像メ
   モリの内容と前記山部分および谷部分の頂点画素を記憶
   した前記補助の二次元画像メモリの内容とを合成する工
   程、 を含むことを特徴とする図形ぬりつぶし方法。