JP2625662B2 - Electroformed metal body - Google Patents

Electroformed metal body

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JP2625662B2
JP2625662B2 JP8025448A JP2544896A JP2625662B2 JP 2625662 B2 JP2625662 B2 JP 2625662B2 JP 8025448 A JP8025448 A JP 8025448A JP 2544896 A JP2544896 A JP 2544896A JP 2625662 B2 JP2625662 B2 JP 2625662B2
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electroformed metal
resist
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electroformed
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博士 嶋津
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Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Hitachi Maxell Energy Ltd
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Kyushu Hitachi Maxell Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、例えばIC,LS
I等の半導体チップと接続するリードのような薄くて細
い電鋳金属体に関する。 【0002】 【従来の技術】半導体チップを樹脂モールドで一体化し
て多数のピンを突設した半導体装置の組立には、金属製
のリードフレームが用いられている。このリードフレー
ムには極めて細いフィンガ(インナーリード)が形成さ
れ、そのフィンガの先端と半導体チップの電極との間を
半田その他の手段を用いて接続されるのが一般的であ
り、従来、このリードのような細い金属体はプレスやエ
ッチング等で形成していた。しかし、近年において多数
ピンの半導体装置が要求されてくると、金属体の幅はま
すます細いものとならざるを得ず、上記したプレスやエ
ッチングでは金属体の形成が困難となってきている。 【0003】これらの欠点を解消し、製造が容易で、微
細な部分が形成できる方法として、最近、電鋳技術を用
いた金属体の開発がなされている。 【0004】図6は、本出願人が先に提案した電鋳技術
を用いた金属体の製造方法をリードフレーム例に説明す
るための断面図で、特開昭61−234060号公報に
記載されたものである。 【0005】まず、図6(a)に示すように、ステンレ
ス等の導電性金属からなる基板1の表面に所望のパター
ンを有するレジスト層2を形成する。基板1は同図の紙
面に向かって垂直方向に長尺になったテープ状のもの
で、レジスト層2が形成されていない非レジスト部2a
は製造すべきリードフレームの形状と同じパターンを有
しており、図示せぬが基板1の両端にはスプロケット孔
形成用の非レジスト部が紙面に向かって垂直方向に所定
間隔を存して多数形成される。 【0006】次にこの基板1を剥離処理して、基板1の
非レジスト部2aに相当する表面を活性化した後、図6
(b)に示すように、該非レジスト部2a上に金、す
ず、半田等の接触材3を塗布もしくはメッキにより形成
し、その後に電鋳を施して、図6(c)に示すように、
接触材3上に電鋳金属層4を形成する。 【0007】このようにして一枚の板状に形成された基
及び金属層の積層体の一部にプレス加工を施し、図
6(d)に示すように、フィンガ5相当部分を折り曲げ
る。この折り曲げ形状は、平坦なフィンガ基部5aと、
フィンガ基部5aから斜めに延びる起立部5b,及び起
立部5bから平行に延びる先端部5cから構成されるも
のであるが、先端部5cの下面には同時にバンプ5dを
プレスにより形成する。 【0008】次いで第二次の電鋳を施し、図6(e)に
示すように前記電鋳金属層4上に新たな電鋳金属層6を
形成する。この際、フィンガ5の起立部5bは傾斜した
位置にあるため電鋳金属層6の成長速度は遅く、また先
端部5cは細い頸部によって起立部5bに連結されてい
るため、この部分で電鋳金属層6はより成長し、よって
フィンガ5は先端部5c,フィンガ基部5a,起立部5
bの順でその肉厚が大きく形成される。 【0009】最後に図6(f)に示すように、基板1を
接触材3から剥がすと、レジスト層2は基板1に残り、
接触材3及び両電鋳金属層4,6は基板1から離れ、図
示の如き形成のバンプ付きフィンガを有するリードフレ
ームが得られる。これは、前述のように予め非レジスト
部2aの表面に剥離処理が施されているためである。 【0010】なお、このようにして得られたリードフレ
ームは、例えばロール状に巻き取られて半導体装置の製
造ラインに搬送・供給される。そして、リードフレーム
に形成した図示せぬスプロケット孔を位置決め基準とし
て、半導体チップの各電極と前記フィンガ5のバンプ5
dとを熱圧着し、その後のモールド成形工程及びリード
の切断工程を経て半導体装置が得られる。 【0011】 【発明が解決しようとする課題】前述した本出願人の提
案に係る製造方法によれば、基板に電鋳を施してリード
を形成するものであるから、リードフレーム全体をプレ
スの打ち抜きにより成形する方法に比べると、はるかに
幅狭なリードを形成することができ、多数ピンの半導体
装置に有効な手法である。 【0012】しかしながら、半導体装置の多数ピン化が
さらに進められていくと、それに伴ってリード自体の幅
や隣接するリード間ピッチもますます狭くなっていくた
め、リード自体の機械的強度も低くなり、電鋳後のリー
ドを基板から引き上げながら剥離する際、リードの変
形、隣接リードとの絡み合いや、途中断裂が発生し、正
常なリードが得にくい傾向にあり、材料の無駄が多く、
製造コストが高騰するという問題があった。 【0013】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、多数の電鋳金属体を欠損させることなく基板か
ら容易に剥離し安価に製造できる電鋳金属体を提供する
ものである。 【0014】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、導電シート上に電鋳金属体に相当する部
分が露出するように非レジスト部分を残してレジスト層
を形成し、上記非レジスト部分に電鋳金属体が上記レジ
スト層の表面を越えるように厚めに形成し、次いで上記
導電シートと表面に接着剤層を有するキャリアフィルム
圧接し、このキャリアフィルムの接着剤層側にピッ
クアップしてなることを特徴とするものである。 【0015】上記構成によると、電鋳金属体がレジスト
層の厚さより厚く、その上面より更に越えているので、
キャリア側の接着層を上方から圧接した際に、接着層は
電鋳金属体に強く圧接することになり、レジスト層と過
度に接着することがなくなり、電鋳金属体を拾い上げる
ことにより剥離させることができる。 【0016】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。 【0017】図1〜図3は本発明の一実施例に係るバン
プ付きフィルムキャリアの製造工程を示す斜視図、図4
は図1〜図3の各工程に対応する要部断面図、図5はフ
ィンガの斜視図である。 【0018】まず図1(a)及び図4(a)に示すよう
に、ポリイミド等の耐熱性の高いベースフィルム10上
に所定幅で接着剤層11を塗布した後、該接着剤層11
上にステンレス薄板からなる導電シート12を接着し、
これにより表面に導電性を付与せしめた基板13を形成
する。このベースフィルム10は、後述するキャリアテ
ープと同一幅で、両側端に沿って一定間隔でスプロケッ
ト孔10aが形成されている。また前記導電シート12
としてステンレス以外の金属、例えばニッケルを用いる
ことも可能であるが、この場合はその表面に陽極酸化、
亜セレン酸あるいはクロム酸等を用いて剥離処理を施す
必要がある。 【0019】次いで図1(b)及び図4(b)に示すよ
うに、前記基板13の導電シート12上に感光材料によ
る第1のレジスト層14を塗布し、その上にスプロケッ
ト孔10aを利用してパターンフィルム(図示せず)を
重ね合わせた後、該パターンフィルムを介して紫外線、
電子線を照射して第1のレジスト層14にパターン14
b(非レジスト部14aを除く)を露光硬化させる。さ
らにこれを現象し、化学エッチングあるいは電解研削の
ような電解エッチングを施すことにより、非レジスト部
14aに対応する導電シート12に凹部12aを形成す
る。なお、この凹部12aはバンプを形成するためのも
ので、エッチング条件をコントロールすることより、微
細パターンでありながら充分な深さを実現できる。 【0020】次に図1(c)及び図4(c)に示すよう
に、前記第1のレジスト層14をアセトン,塩化メチレ
ン等の溶剤により除去した後、前記基板13の導電シー
ト12上に感光材料による第2のレジスト層15を塗布
する。そして、再びスプロケット孔10aを利用して別
のパターンフィルム(図示せず)を第2のレジスト層
上に重ね合わせた後、該パターンフィルムに紫外線、
電子線を照射し、図1(d)及び図4(d)に示すよう
に、第2のレジスト層15に所定の非レジスト部15a
を形成する。この非レジスト部15aは製造すべきリー
ドフレームと同じパターンを有しており、図1では説明
を簡略化するためにフィンガのみを示してあるが、実際
にはアウターリードや枠部等の形成用パターンも同時に
形成される(ただしリードフレームにはスプロケットは
形成されず、そのためのパターンは形成されない)。 【0021】次に図2に示すように、第2のレジスト層
15を形成した基板13を電解槽16に送り、図4
(e)に示すように、非レジスト部15aに銅、ニッケ
ル等の材料を用いて電鋳を施し、非レジスト部15aに
電鋳金属層17を第2のレジスト層15より若干厚めに
形成する。これにより図4(e)に示す非レジスト部で
は、先端にバンプ17aを有するフィンガ17bが形成
され、全体では所定形状のリードフレームが形成され
る。 【0022】最後に図3に示すように、前記ベースフィ
ルム10と同一幅で両端に沿って一定間隔でスプロケッ
ト孔18aが形成されたポリイミド等のキャリアテープ
18と、図4(e)に示す過程にある基板13とを一対
の圧接ローラ19,20間に重ね合わせて送り、図4
(f)に示すように、前記電鋳金属層17をキャリアテ
ープ18の接着層21上に転写する。そして、この電鋳
金属層17のバンプ17aに無電解金メッキを施すこと
により、リードフレームを担持したフィルムキャリアが
得られる。 【0023】具体的には、ヒータ(図示せず)によって
加熱されている圧接ローラ19,20間に、基板13と
キャリアテープ18のそれぞれのスプロケット孔10
a,18aを利用して両者を重ね合わせて送る。両者は
一定速度で搬送され、圧接ローラ19,20間で圧接さ
れることにより剥離性の良い導電シート12上に形成さ
れている電鋳金属層17のみがキャリアテープ18上に
接着し、第2のレジスト層15は基板13側に残る。 【0024】以上の如き工程を経ることにより、キャリ
アテープ18上に電鋳金属層17からなるリードフレー
ムが転写されてバンプ付きフィルムキャリアが得られ
る。このフィルムキャリアは、例えばロール状に巻き取
られて半導体装置の製造ラインに搬送・供給され、キャ
リアテープ18の両端に形成されたスプロケット孔18
aを位置決め基準としてフィンガ17b先端の各バンプ
17aが半導体チップの各電極に熱圧着され、その後の
モールド成形工程及びリードの切断工程を経て半導体装
置となる。 【0025】このような製造方法にあっては、電鋳によ
って形成されるバンプ17aの形状が図5に示すように
半球状となるため、バンプ17aを半導体チップの凹部
内の電極に圧着する際、該バンプ17aが該凹部の周面
に接触する危険性が少なくなり、すなわち圧着時の横ず
れ許容度が向上し、しかもかかる圧着力は半球状のバン
プ17aの頂部に集中するため、バンプ17aと電極と
の接合力を高めることができる。また、電鋳金属層17
が剥離されて第2のレジスト層15のみとなった基板1
3に、再度電鋳金属層17を形成することによって再使
用できるため、次回は図1の(a)〜(d)までの工程
が省略され、製造コストを大幅に低下することができ
る。また、バンプの形状はエッチング技術によって決定
されると共に、バンプやフィンガを含むリードフレーム
は基本的に電鋳技術によって形成されるため、極細のフ
ィンガを容易に形成することができる。さらに、このよ
うな電鋳によって形成されたリードフレームはスプロケ
ット孔を有するキャリアテープに転写されてフィルムキ
ャリアとなるものであるから、リードフレームにスプロ
ケット孔を形成する必要はなくなり、電鋳部分を可及的
に少なくしてコストの低減化を図ることができる。 【0026】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
導電シートとキャリアフィルムとを互いの面方向に圧接
することで、キャリアフィルムの接着剤層側に電鋳金属
体がピックアップされるため、正確な位置決めを確認し
なくてもキャリアフィルム側に電鋳金属体を転写させる
ことができ、しかも、電鋳金属体はキャリアフィルム
裏打ちされた状態で導電シートから剥離されることにな
るため、キャリング時の変形や脱落を防止することがで
きる
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a thin and thin electroformed metal body such as a lead connected to a semiconductor chip such as I. 2. Description of the Related Art A metal lead frame is used for assembling a semiconductor device in which a semiconductor chip is integrated with a resin mold and a number of pins are protruded. An extremely thin finger (inner lead) is formed on the lead frame, and the tip of the finger and the electrode of the semiconductor chip are generally connected using solder or other means. Such a thin metal body has been formed by pressing, etching or the like. However, in recent years, when a semiconductor device having a large number of pins is required, the width of the metal body is inevitably becoming narrower, and it is difficult to form the metal body by the above-described pressing and etching. [0003] As a method of solving these drawbacks and being easy to manufacture and capable of forming a fine portion, a metal body using an electroforming technique has recently been developed. FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a metal body using the electroforming technique proposed by the present applicant as an example of a lead frame, which is described in JP-A-61-234060. It is a thing. First, as shown in FIG. 6A, a resist layer 2 having a desired pattern is formed on the surface of a substrate 1 made of a conductive metal such as stainless steel. The substrate 1 is a tape-shaped member elongated in the vertical direction toward the paper surface of FIG.
Has the same pattern as the shape of the lead frame to be manufactured. Although not shown, a large number of non-resist portions for forming sprocket holes are provided at both ends of the substrate 1 at predetermined intervals in the vertical direction toward the paper surface. It is formed. Next, the substrate 1 is subjected to a peeling treatment to activate a surface corresponding to the non-resist portion 2a of the substrate 1;
As shown in FIG. 6B, a contact material 3 such as gold, tin, or solder is formed on the non-resist portion 2a by coating or plating, and then electroformed, as shown in FIG.
An electroformed metal layer 4 is formed on the contact material 3. [0007] A part of the laminated body of the substrate 1 and the metal layer thus formed into a single plate is subjected to press working, and a portion corresponding to the finger 5 is bent as shown in FIG. This bent shape includes a flat finger base 5a,
It is composed of an upright portion 5b extending obliquely from the finger base 5a and a tip portion 5c extending parallel to the upright portion 5b. A bump 5d is simultaneously formed on the lower surface of the tip portion 5c by pressing. Next, a second electroforming is performed to form a new electroformed metal layer 6 on the electroformed metal layer 4 as shown in FIG. At this time, the growth rate of the electroformed metal layer 6 is slow because the upright portion 5b of the finger 5 is located at an inclined position, and the tip 5c is connected to the upright portion 5b by a thin neck portion. The cast metal layer 6 grows more, so that the finger 5 has a tip 5c, a finger base 5a and an upright 5
The thickness is increased in the order of b. Finally, as shown in FIG. 6F, when the substrate 1 is peeled off from the contact material 3, the resist layer 2 remains on the substrate 1,
The contact material 3 and the electroformed metal layers 4 and 6 are separated from the substrate 1 to obtain a lead frame having fingers with bumps formed as shown in the figure. This is because the surface of the non-resist part 2a has been subjected to the peeling treatment in advance as described above. The lead frame thus obtained is wound, for example, in a roll form, and transported and supplied to a semiconductor device manufacturing line. Then, using the sprocket holes (not shown) formed in the lead frame as positioning references, the respective electrodes of the semiconductor chip and the bumps 5 of the fingers 5 are used.
and d are thermocompression-bonded, and a semiconductor device is obtained through a subsequent molding step and lead cutting step. According to the manufacturing method proposed by the applicant of the present invention, the leads are formed by electroforming the substrate. Therefore, the entire lead frame is punched by pressing. This method can form a lead that is much narrower than the method of forming a lead, which is an effective method for a semiconductor device having many pins. However, as the number of pins of the semiconductor device is further increased, the width of the lead itself and the pitch between adjacent leads are further reduced, and the mechanical strength of the lead itself is reduced. When the lead after electroforming is lifted off the substrate and peeled, deformation of the lead, entanglement with the adjacent lead, and tearing in the middle tend to occur, making it difficult to obtain a normal lead.
There has been a problem that manufacturing costs have risen. An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide an electroformed metal body which can be easily peeled off from a substrate without causing a large number of electroformed metal bodies to be damaged and can be manufactured at low cost. . [0014] In order to achieve the above object, the present invention provides a method of forming a resist layer on a conductive sheet by leaving a non-resist portion so that a portion corresponding to an electroformed metal body is exposed. formed, electroformed metal body to the non-resist portion is formed thicker so as to exceed the surface of the resist layer and then pressed against the carrier film <br/> having an adhesive layer on the conductive sheet and the surface, The carrier film is picked up on the adhesive layer side. According to the above structure, the electroformed metal body is thicker than the thickness of the resist layer and further exceeds the upper surface thereof.
When the carrier-side adhesive layer is pressed from above, the adhesive layer will be strongly pressed against the electroformed metal body, so that it will not excessively adhere to the resist layer, and should be peeled off by picking up the electroformed metal body. Can be. Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 are perspective views showing the steps of manufacturing a film carrier with bumps according to an embodiment of the present invention.
Is a sectional view of a main part corresponding to each step of FIGS. 1 to 3, and FIG. 5 is a perspective view of a finger. First, as shown in FIGS. 1A and 4A, an adhesive layer 11 is applied with a predetermined width on a base film 10 having high heat resistance such as polyimide.
A conductive sheet 12 made of a stainless steel thin plate is adhered on top,
Thus, a substrate 13 having a surface provided with conductivity is formed. The base film 10 has the same width as a carrier tape described later, and has sprocket holes 10a formed at regular intervals along both side edges. The conductive sheet 12
It is also possible to use a metal other than stainless steel, for example, nickel, but in this case, anodize the surface,
It is necessary to perform a release treatment using selenous acid or chromic acid. Next, as shown in FIGS. 1 (b) and 4 (b), a first resist layer 14 of a photosensitive material is applied on the conductive sheet 12 of the substrate 13, and a sprocket hole 10a is formed thereon. Then, a pattern film (not shown) is overlaid, and then, ultraviolet rays,
The first resist layer 14 is irradiated with an electron beam to form a pattern 14
b (except the non-resist part 14a) is exposed and cured. This phenomenon is further caused, and a concave portion 12a is formed in the conductive sheet 12 corresponding to the non-resist portion 14a by performing chemical etching or electrolytic etching such as electrolytic grinding. The concave portion 12a is for forming a bump, and by controlling the etching conditions, a sufficient depth can be realized even though it is a fine pattern. Next, as shown in FIGS. 1C and 4C, after the first resist layer 14 is removed by a solvent such as acetone or methylene chloride, the first resist layer 14 is placed on the conductive sheet 12 of the substrate 13. A second resist layer 15 made of a photosensitive material is applied. Then, another pattern film (not shown) is again formed on the second resist layer 1 by using the sprocket holes 10a.
After superimposed on 5 , ultraviolet light,
By irradiating an electron beam, a predetermined non-resist portion 15a is formed on the second resist layer 15 as shown in FIGS.
To form This non-resist portion 15a has the same pattern as the lead frame to be manufactured, and FIG. 1 shows only the fingers for simplification of the description. A pattern is also formed at the same time (however, a sprocket is not formed on the lead frame, and a pattern therefor is not formed). Next, as shown in FIG. 2, the substrate 13 on which the second resist layer 15 has been formed is sent to an electrolytic tank 16 and
As shown in (e), the non-resist part 15a is electroformed using a material such as copper or nickel, and the electroformed metal layer 17 is formed slightly thicker than the second resist layer 15 on the non-resist part 15a. . Thus, in the non-resist portion shown in FIG. 4E, a finger 17b having a bump 17a at the tip is formed, and a lead frame having a predetermined shape as a whole is formed. Finally, as shown in FIG. 3, a carrier tape 18 made of polyimide or the like having the same width as the base film 10 and having sprocket holes 18a formed at regular intervals along both ends, and a process shown in FIG. 4 is superimposed between the pair of pressing rollers 19 and 20 and fed.
As shown in (f), the electroformed metal layer 17 is transferred onto the adhesive layer 21 of the carrier tape 18. Then, by applying electroless gold plating to the bumps 17a of the electroformed metal layer 17, a film carrier carrying a lead frame is obtained. Specifically, the sprocket holes 10 of the substrate 13 and the carrier tape 18 are provided between the pressing rollers 19 and 20 heated by a heater (not shown).
a and 18a are used to send them together. Both are conveyed at a constant speed, and are pressed between the pressure contact rollers 19 and 20, so that only the electroformed metal layer 17 formed on the conductive sheet 12 having good releasability adheres onto the carrier tape 18 and the second Is left on the substrate 13 side. Through the above steps, the lead frame made of the electroformed metal layer 17 is transferred onto the carrier tape 18 to obtain a bumped film carrier. The film carrier is wound into, for example, a roll and conveyed and supplied to a semiconductor device manufacturing line, and sprocket holes 18 formed at both ends of a carrier tape 18 are formed.
The bumps 17a at the tips of the fingers 17b are thermocompression-bonded to the respective electrodes of the semiconductor chip with reference to a as a positioning reference, and the semiconductor device is completed through a subsequent molding process and lead cutting process. In such a manufacturing method, since the shape of the bump 17a formed by electroforming is hemispherical as shown in FIG. 5, when the bump 17a is pressure-bonded to the electrode in the concave portion of the semiconductor chip. The risk that the bumps 17a come into contact with the peripheral surface of the concave portion is reduced, that is, the tolerance for lateral displacement at the time of pressing is improved, and the pressing force is concentrated on the top of the hemispherical bump 17a. The bonding strength with the electrode can be increased. The electroformed metal layer 17
1 from which the second resist layer 15 has been removed by stripping
Third, since the electroformed metal layer 17 can be reused by forming it again, the steps from (a) to (d) in FIG. 1 can be omitted next time, and the manufacturing cost can be greatly reduced. Further, the shape of the bump is determined by the etching technique, and the lead frame including the bump and the finger is basically formed by the electroforming technique, so that an extremely fine finger can be easily formed. Further, since the lead frame formed by such electroforming is transferred to a carrier tape having sprocket holes to become a film carrier, it is not necessary to form sprocket holes in the lead frame, and the electroformed portion can be formed. The cost can be reduced as much as possible. As described in detail above, according to the present invention,
Pressing the conductive sheet and carrier film to each other in the plane direction
By doing so, the electroformed metal
Make sure your body is picked up,
Transfer electroformed metal body to carrier film side even without
In addition, the electroformed metal body is peeled from the conductive sheet while being backed by the carrier film.
Therefore, deformation and falling off during carrying can be prevented.
I can .

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例に係る電鋳金属体の製造工程
を示す斜視図である。 【図2】本発明の一実施例に係る電鋳金属体の製造工程
を示す斜視図である。 【図3】本発明の一実施例に係る電鋳金属体の製造工程
を示す斜視図である。 【図4】図1から図3の各工程に対応する要部断面図で
ある。 【図5】本発明に係る方法によって製造されたリードを
示す斜視図である。 【図6】従来のリードの製造工程を示す要部断面図であ
る。 【符号の説明】 10 ベースフィルム 10a スプロケット孔 11 接着剤層 12 導電シート 12a 凹部 13 基板 14 第1のレジスト層 14a 非レジスト部 15 第2のレジスト層 15a 非レジスト部 16 電解槽 17 電鋳金属層 17a バンプ 17b フィンガ 18 キャリアテープ 18a スプロケット孔 19,20 圧接ローラ 21 接着層
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a manufacturing process of an electroformed metal body according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing a manufacturing process of an electroformed metal body according to one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing a manufacturing process of an electroformed metal body according to one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a main part corresponding to each step of FIGS. 1 to 3; FIG. 5 is a perspective view showing a lead manufactured by the method according to the present invention. FIG. 6 is a fragmentary cross-sectional view showing a conventional lead manufacturing process. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base film 10a Sprocket hole 11 Adhesive layer 12 Conductive sheet 12a Depression 13 Substrate 14 First resist layer 14a Non-resist part 15 Second resist layer 15a Non-resist part 16 Electrolyzer 17 Electroformed metal layer 17a Bump 17b Finger 18 Carrier tape 18a Sprocket holes 19, 20 Pressure roller 21 Adhesive layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 和彦 福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九州日立マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−152147(JP,A) 特開 昭58−48445(JP,A) 特開 昭60−91656(JP,A)   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Kazuhiko Inoue               4680 Ikata, Fukuoka Prefecture               Kyushu Hitachi Maxell, Ltd.                (56) References JP-A-57-152147 (JP, A)                 JP-A-58-48445 (JP, A)                 JP-A-60-91656 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 導電シート12上に電鋳金属体17に相当する部分が露
出するように非レジスト部分15aを残してレジスト層
15を形成し、上記非レジスト部分15aに電鋳金属体
17が上記レジスト層15の表面を越えるように厚めに
形成し、次いで上記導電シート12と表面に接着剤層2
を有するキャリアフィルム18と圧接し、このキャ
リアフィルム18の接着剤層21側にピックアップされ
てなる電鋳金属体。
(57) Claims A resist layer 15 is formed on the conductive sheet 12 except for a non-resist portion 15a so that a portion corresponding to the electroformed metal body 17 is exposed. The metal body 17 is formed to be thicker than the surface of the resist layer 15, and then the adhesive layer 2 is formed on the conductive sheet 12 and the surface.
1 is pressed against the carrier film 18 having this calibration <br/> rear film 18 being picked up to the adhesive layer 21 side becomes electroformed metal body.
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