JP2623920B2 - ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 - Google Patents
２次電子増倍装置用半導体磁器組成物Info
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- JP2623920B2 JP2623920B2 JP14816090A JP14816090A JP2623920B2 JP 2623920 B2 JP2623920 B2 JP 2623920B2 JP 14816090 A JP14816090 A JP 14816090A JP 14816090 A JP14816090 A JP 14816090A JP 2623920 B2 JP2623920 B2 JP 2623920B2
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、２次電子増倍装置に用いられる半導体磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
（従来の技術） 半導体磁器からなる２次電子増倍装置としては、たと
えば、特公昭48−18026号公報、特公昭48−18029号公
報、特公昭48−18030号公報に記載されているように、
チタン酸亜鉛系半導体磁器からなるものが知られてい
る。
えば、特公昭48−18026号公報、特公昭48−18029号公
報、特公昭48−18030号公報に記載されているように、
チタン酸亜鉛系半導体磁器からなるものが知られてい
る。
このうち、特公昭48−18026号公報のものは、必要個
所に電極を設けた筒よりなるものである。また、特公昭
48−18029号公報のものは、両端に電極を設けた板状体
に、両電極に垂直に複数個の孔を設けたものである。さ
らに、特公昭48−18030号公報のものは、同一長の筒を
複数個束ねたものである。
所に電極を設けた筒よりなるものである。また、特公昭
48−18029号公報のものは、両端に電極を設けた板状体
に、両電極に垂直に複数個の孔を設けたものである。さ
らに、特公昭48−18030号公報のものは、同一長の筒を
複数個束ねたものである。
これらの２次電子増倍装置を構成するチタン酸亜鉛系
半導体磁器の具体的な組成としては、ZnO72.5モル、TiO
227.5モルのもの、およびZnO72.5モル、TiO227.5モル、
Al2O31.25モルからなるものが示されている。そして、
これら２種類の半導体磁器では、８×106Ω・cm、2.8×
106Ω・cmの抵抗率のものが得られるとしている。
半導体磁器の具体的な組成としては、ZnO72.5モル、TiO
227.5モルのもの、およびZnO72.5モル、TiO227.5モル、
Al2O31.25モルからなるものが示されている。そして、
これら２種類の半導体磁器では、８×106Ω・cm、2.8×
106Ω・cmの抵抗率のものが得られるとしている。
（解決しようとする問題点） ２次電子増倍装置は、真空装置系に設置され、各種の
荷電粒子を検出する前に、この増倍装置に付着している
不要な物質を除去するために、真空中でベーキング処理
が行われる。この処理は通常、100〜350℃、数時間から
24時間程度かけて行われる。このとき、特に、300℃以
上で処理すると、上記した従来のチタン酸亜鉛系半導体
磁器では、抵抗値が初期の値に対して1/100〜1/1000低
下するという現象がみられた。
荷電粒子を検出する前に、この増倍装置に付着している
不要な物質を除去するために、真空中でベーキング処理
が行われる。この処理は通常、100〜350℃、数時間から
24時間程度かけて行われる。このとき、特に、300℃以
上で処理すると、上記した従来のチタン酸亜鉛系半導体
磁器では、抵抗値が初期の値に対して1/100〜1/1000低
下するという現象がみられた。
このため、このような増倍装置には高い電圧を印加す
ることができず、利用範囲が狭められていたという問題
があった。
ることができず、利用範囲が狭められていたという問題
があった。
（問題点を解決する手段） したがって、この発明は、真空中でのベーキング処理
を行っても、抵抗値の変化、増倍利得の変化の少ない２
次電子増倍装置を提供することを目的とする。
を行っても、抵抗値の変化、増倍利得の変化の少ない２
次電子増倍装置を提供することを目的とする。
すなわち、この発明は、酸化亜鉛を主成分とし、この
主成分に対して酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化
亜鉛−酸化銅系半導体磁器からなることを特徴とする２
次電子増倍装置用半導体磁器組成物である。
主成分に対して酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化
亜鉛−酸化銅系半導体磁器からなることを特徴とする２
次電子増倍装置用半導体磁器組成物である。
また、この発明は、65〜80モル％の酸化亜鉛と、20〜
35モル％の酸化チタンからなるものを主成分とし、この
主成分に対して酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化
亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器からなることを
特徴とする２次電子増倍装置用半導体磁器組成物であ
る。
35モル％の酸化チタンからなるものを主成分とし、この
主成分に対して酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化
亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器からなることを
特徴とする２次電子増倍装置用半導体磁器組成物であ
る。
上記した組成範囲に限定した理由は、酸化亜鉛−酸化
銅系半導体磁器の２成分系において、また、酸化亜鉛−
酸化チタン−酸化銅系半導体磁器の３成分系において
も、いずれもベーキング処理した後、抵抗率の変化が小
さく、超高真空での動作が安定するからである。
銅系半導体磁器の２成分系において、また、酸化亜鉛−
酸化チタン−酸化銅系半導体磁器の３成分系において
も、いずれもベーキング処理した後、抵抗率の変化が小
さく、超高真空での動作が安定するからである。
（発明の効果） この発明にかかる２次電子増倍装置用半導体磁器組成
物によれば、ベーキング処理後の抵抗率の変化が小さ
く、ベーキング処理後においても実用レベルの利得が十
分に得られ、超高真空での動作も安定するという効果が
得られる。
物によれば、ベーキング処理後の抵抗率の変化が小さ
く、ベーキング処理後においても実用レベルの利得が十
分に得られ、超高真空での動作も安定するという効果が
得られる。
（実施例） 使用原料として、酸化亜鉛、酸化銅、および酸化チタ
ンを準備し、これらを第１表に示す組成比率の半導体磁
器が得られるように配合した。配合原料をポリエチレン
内貼りポットミルにめのう玉石、純水とともに入れて、
20時間湿式粉砕、混合した。こののち、脱水、乾燥して
50〜200メッシュに粉砕、整粒した。
ンを準備し、これらを第１表に示す組成比率の半導体磁
器が得られるように配合した。配合原料をポリエチレン
内貼りポットミルにめのう玉石、純水とともに入れて、
20時間湿式粉砕、混合した。こののち、脱水、乾燥して
50〜200メッシュに粉砕、整粒した。
得られた粉末に小麦粉糊とパラフィンからなるバイン
ダーを加えて可塑物とした後、これを押出成形法によっ
て、管状に成形した。この成形物をアルミナ匣に共生地
原料を敷いた上に並べて、電気炉により第１表に示した
温度にて自然雰囲気中で約１時間焼成し、外径2.0mm、
内径1.0mm、長さ50.0mmの筒状の半導体導体磁器試料を
得た。
ダーを加えて可塑物とした後、これを押出成形法によっ
て、管状に成形した。この成形物をアルミナ匣に共生地
原料を敷いた上に並べて、電気炉により第１表に示した
温度にて自然雰囲気中で約１時間焼成し、外径2.0mm、
内径1.0mm、長さ50.0mmの筒状の半導体導体磁器試料を
得た。
得られた試料について、室温で30V/mmの電圧を印加し
て常温での比抵抗を測定し、その結果を第１表に示し
た。なお、第１表において＊印を付したものはこの発明
の範囲外のものであり、その他はすべてこの発明の範囲
内のものである。
て常温での比抵抗を測定し、その結果を第１表に示し
た。なお、第１表において＊印を付したものはこの発明
の範囲外のものであり、その他はすべてこの発明の範囲
内のものである。
また、増倍利得については、第１図に示す実験回路に
て測定した。
て測定した。
第１図において、１は筒状の半導体磁器、２、３は筒
の両端に形成された電極、４は電極２、３に接続された
直流電源、５はフィラメント、６はフィラメント電源、
７は電子加速用電源、８はコレクタ、９はコレクタ電
源、10は電子計数器である。以上の回路において、点線
で囲んだように、電源４、６、７、９、電子計数器10を
除き、すべて真空中に設置し、真空度を1.0×10-6Torr
とした。次いで、直流電源を4kV、電子加速用電源７を2
00Vとし、フィラメント５より放出させた電子を筒状半
導体磁器１の入射口から導入して、筒内の壁面に衝突さ
せて増倍し、増倍電子をコレクタ８で受けて、パルス数
を電子計数器10で計数して、２次電子増倍利得を測定し
た。その結果を第１表に示した。
の両端に形成された電極、４は電極２、３に接続された
直流電源、５はフィラメント、６はフィラメント電源、
７は電子加速用電源、８はコレクタ、９はコレクタ電
源、10は電子計数器である。以上の回路において、点線
で囲んだように、電源４、６、７、９、電子計数器10を
除き、すべて真空中に設置し、真空度を1.0×10-6Torr
とした。次いで、直流電源を4kV、電子加速用電源７を2
00Vとし、フィラメント５より放出させた電子を筒状半
導体磁器１の入射口から導入して、筒内の壁面に衝突さ
せて増倍し、増倍電子をコレクタ８で受けて、パルス数
を電子計数器10で計数して、２次電子増倍利得を測定し
た。その結果を第１表に示した。
次いで、1.6×10-6Torrの真空度で、400℃、４時間の
条件でベーキング処理を行い、各試料について、比抵
抗、および２次電子増倍利得を上記と同じ条件で測定し
た。その結果も第１表に併せて示した。
条件でベーキング処理を行い、各試料について、比抵
抗、および２次電子増倍利得を上記と同じ条件で測定し
た。その結果も第１表に併せて示した。
第１表の結果から明らかなように、この発明にかかる
２次電子増倍装置用半導体磁器組成物によれば、ベーキ
ング処理の前後で比抵抗、増倍利得に大きな変化が見ら
れず、実用上問題のない特性が得られるものである。
２次電子増倍装置用半導体磁器組成物によれば、ベーキ
ング処理の前後で比抵抗、増倍利得に大きな変化が見ら
れず、実用上問題のない特性が得られるものである。
なお、原料として、上記実施例では酸化物を用いた
が、焼成により酸化物となるものであれば、炭酸塩、塩
化物、硝酸塩などを用いてもよい。また、焼成後の半導
体磁器に熱処理により酸化銅となる溶液を含浸させ、そ
の後熱処理してもよい。
が、焼成により酸化物となるものであれば、炭酸塩、塩
化物、硝酸塩などを用いてもよい。また、焼成後の半導
体磁器に熱処理により酸化銅となる溶液を含浸させ、そ
の後熱処理してもよい。
また、構造としては、第１図に示したように、筒状で
直線状としたものの他に、第２図〜第８図に示したよう
な構造としてもよい。
直線状としたものの他に、第２図〜第８図に示したよう
な構造としてもよい。
つまり、第２図において、20は酸化亜鉛−酸化銅系半
導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体
磁器よりなる平板で、２枚の平板20を平行状に配置して
連続通路を23を形成したものである。平板20の外面は絶
縁されていてもよいが、内面は全部又は部分的に平板20
の一端から他端にかけて露出している。また、平板20の
両端には電極21、22が形成されている。なお、この他、
電極は平板の両端のみならず、必要により平板20の途中
の所要個所に複数形成すれば、さらに増倍能率を向上さ
せることができる。
導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体
磁器よりなる平板で、２枚の平板20を平行状に配置して
連続通路を23を形成したものである。平板20の外面は絶
縁されていてもよいが、内面は全部又は部分的に平板20
の一端から他端にかけて露出している。また、平板20の
両端には電極21、22が形成されている。なお、この他、
電極は平板の両端のみならず、必要により平板20の途中
の所要個所に複数形成すれば、さらに増倍能率を向上さ
せることができる。
第３図は、単位筒30を複数本束ねたもので、両端には
電極31、32が形成されている。筒30は全体が２次電子増
倍能を有する半導体磁器で構成されているため、筒30の
内面および外面とも２次電子増倍能を有しており、筒30
の連続通路33の内面のみならず、相隣接する筒30の間に
生ずる間隙34も２次電子増倍面として利用することがで
きる。
電極31、32が形成されている。筒30は全体が２次電子増
倍能を有する半導体磁器で構成されているため、筒30の
内面および外面とも２次電子増倍能を有しており、筒30
の連続通路33の内面のみならず、相隣接する筒30の間に
生ずる間隙34も２次電子増倍面として利用することがで
きる。
第４図は、断面三角形の筒40をピラミッド形に複数個
束ねたもので、両端に電極41、42を形成したものであ
る。この構造によれば、第３図のものと同様に、筒40の
連続通路43の内面のみならず、相隣接する複数個の筒40
の間に生じる間隙44もまた２次電子増倍面として利用で
きる。
束ねたもので、両端に電極41、42を形成したものであ
る。この構造によれば、第３図のものと同様に、筒40の
連続通路43の内面のみならず、相隣接する複数個の筒40
の間に生じる間隙44もまた２次電子増倍面として利用で
きる。
第５図は、複数の筒50を捩り合せたもので、両端には
電極51、52が形成されている。この筒50は第１図に示し
た直線状の筒１にくらべてコレクタ側からの反極性粒子
（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還が抑制
でき、さらに見掛長に対して連続通路53の有効長を長く
することができ、動作をさらに安定させ、かつ２次電子
増倍利得を高めることができる。
電極51、52が形成されている。この筒50は第１図に示し
た直線状の筒１にくらべてコレクタ側からの反極性粒子
（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還が抑制
でき、さらに見掛長に対して連続通路53の有効長を長く
することができ、動作をさらに安定させ、かつ２次電子
増倍利得を高めることができる。
第６図は、外径がほぼ断面八角形の筒60を多数束ねた
もので、両端には電極61、62が形成されている。この筒
60の外面には軸方向に八角形の辺が一すみおきに断面1/
4円と成る溝が形成されている。したがって、筒60の連
続通路63のみならず、相隣接する筒60の間に生ずる間隙
64も２次電子増倍面として利用でき、しかも横断面が均
一に揃っているため、たとえば、絵素の均一性と規則性
を必要とする影像増倍管などの用途に特に適合する。
もので、両端には電極61、62が形成されている。この筒
60の外面には軸方向に八角形の辺が一すみおきに断面1/
4円と成る溝が形成されている。したがって、筒60の連
続通路63のみならず、相隣接する筒60の間に生ずる間隙
64も２次電子増倍面として利用でき、しかも横断面が均
一に揃っているため、たとえば、絵素の均一性と規則性
を必要とする影像増倍管などの用途に特に適合する。
第７図は、連続通路73を有し、外径が横断面六角形の
筒70を多数束ねたもので、両端には電極71、72が形成さ
れており、相隣接する筒70間に隙間をなくしたものであ
る。
筒70を多数束ねたもので、両端には電極71、72が形成さ
れており、相隣接する筒70間に隙間をなくしたものであ
る。
なお、第６図、第７図の各種の例についても、必要に
応じて第５図のように、捩って使用してもよい。
応じて第５図のように、捩って使用してもよい。
第８図は、両端に電極81、82を形成した半導体磁器よ
りなる板状体80に、電極81、82に垂直に複数個の連続通
路83を形成したものである。
りなる板状体80に、電極81、82に垂直に複数個の連続通
路83を形成したものである。
【図面の簡単な説明】 第１図は２次電子増倍利得を測定するための実験回路図
である。 第２図〜第８図はこの発明にかかる２次電子増倍装置用
半導体磁器を用いた２次電子増倍装置の構造例を示す斜
視図である。 １、30、40、50、60、70は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁
器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器よ
りなる筒、20は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器または酸
化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器よりなる平
板、 80は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器または酸化亜鉛−酸
化チタン−酸化銅系半導体磁器よりなる板状体。
である。 第２図〜第８図はこの発明にかかる２次電子増倍装置用
半導体磁器を用いた２次電子増倍装置の構造例を示す斜
視図である。 １、30、40、50、60、70は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁
器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器よ
りなる筒、20は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器または酸
化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器よりなる平
板、 80は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器または酸化亜鉛−酸
化チタン−酸化銅系半導体磁器よりなる板状体。
Claims (2)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とし、この主成分に対し
て酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化亜鉛−酸化銅
系半導体磁器からなることを特徴とする、２次電子増倍
装置用半導体磁器組成物。 - 【請求項２】65〜80モル％の酸化亜鉛と、20〜35モル％
の酸化チタンからなるものを主成分とし、この主成分に
対して酸化銅が0.2〜50モル％添加された酸化亜鉛−酸
化チタン−酸化銅系半導体磁器からなることを特徴とす
る、２次電子増倍装置用半導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14816090A JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14816090A JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443544A JPH0443544A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2623920B2 true JP2623920B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15446600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14816090A Expired - Fee Related JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623920B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2528428B2 (ja) * | 1993-04-20 | 1996-08-28 | 淳 板井 | トンネルを利用した地下スポ―ツ施設 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593826B2 (ja) * | 1979-06-15 | 1984-01-26 | 株式会社村田製作所 | ２次電子増倍装置の製法 |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14816090A patent/JP2623920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 浜野健也編「ファインセラミックスハンドブック」（昭５９）朝倉書店 Ｐ．１０３１−１０３６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443544A (ja) | 1992-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |