JP2621630B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2621630B2 JP2621630B2 JP27385390A JP27385390A JP2621630B2 JP 2621630 B2 JP2621630 B2 JP 2621630B2 JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP 2621630 B2 JP2621630 B2 JP 2621630B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- layer
- magnetic
- tbfeco
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁
性層間の磁気的結合力が良好に制御された多層膜よりな
る光磁気記録媒体に関する。
性層間の磁気的結合力が良好に制御された多層膜よりな
る光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術） 近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることによ
り、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目
されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットを下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き（オーバライト）可
能な記録方法である（例えば特開昭62−175948号公報参
照）。
り、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目
されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットを下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き（オーバライト）可
能な記録方法である（例えば特開昭62−175948号公報参
照）。
オーバライト可能な２層膜媒体のＭ−Ｈループは、環
境温度において、第２図に示すようなものでなければな
らない。
境温度において、第２図に示すようなものでなければな
らない。
例えば、第１磁性層の磁化と第２磁性層の磁化が反対
方向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプ
の２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループ
が得られる条件は、 Hc2−σｗ／2Ms2t2＞０ Hc2；記録補助層の保磁力 Ms2；記録補助層の飽和磁化 t2；記録補助層の膜厚 σｗ；単位面積当たりの界面磁壁エネルギー を満たすことであるが、２層間の交換結合力が強すぎる
とσｗが大きくなりすぎるため、上式を満たさなくな
り、Ｍ−Ｈループは第３図に示したようなループになっ
てしまう。
方向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプ
の２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループ
が得られる条件は、 Hc2−σｗ／2Ms2t2＞０ Hc2；記録補助層の保磁力 Ms2；記録補助層の飽和磁化 t2；記録補助層の膜厚 σｗ；単位面積当たりの界面磁壁エネルギー を満たすことであるが、２層間の交換結合力が強すぎる
とσｗが大きくなりすぎるため、上式を満たさなくな
り、Ｍ−Ｈループは第３図に示したようなループになっ
てしまう。
第２図のようなＭ−Ｈループを得るためには、記録層
と記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要であ
る。交換力を弱める方法としては、２層間にGdFeCo層を
挟む方法が知られている（K.Aratani et.al.,SPIE Vol.
1078,p.258,Optical Data Storage Meeting,1989）。
と記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要であ
る。交換力を弱める方法としては、２層間にGdFeCo層を
挟む方法が知られている（K.Aratani et.al.,SPIE Vol.
1078,p.258,Optical Data Storage Meeting,1989）。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、２層間の交換結合力を調節するために
用いられていたGdFeCo制御層は垂直異方性の大きな膜な
ので、２層間の結合力を十分弱めることができなかった
り、２層間の結合力を弱めるには２層間にかなり厚く制
御層を挟む必要があった。このため安定に良好なオーバ
ライト特性を実現できなかった。
用いられていたGdFeCo制御層は垂直異方性の大きな膜な
ので、２層間の結合力を十分弱めることができなかった
り、２層間の結合力を弱めるには２層間にかなり厚く制
御層を挟む必要があった。このため安定に良好なオーバ
ライト特性を実現できなかった。
本発明の目的は、光磁気記録膜を構成している各磁性
層間に交換結合力制御層を薄く挟むことにより、交換結
合力が適当な値になり、その結果、オーバライトができ
るような光磁気記録媒体を提供することにある。
層間に交換結合力制御層を薄く挟むことにより、交換結
合力が適当な値になり、その結果、オーバライトができ
るような光磁気記録媒体を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に記録膜が形成され、レーザ光によ
って情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体にお
いて、基板上には第１、第２および第３の磁性層が順次
形成され、前記第１、第３の磁性層は磁化が互いに反平
行方向に向いている垂直磁気異方性を有する膜であり、
第２の磁性層は、前記第１、第３の磁性層の交換結合力
を弱めるものであって、下記一般式〔Ｉ〕で表されるQ; Ｑ＝Hk/4πMs …〔Ｉ〕 （式中、Hkは異方性磁界、Msは飽和磁化を示す）が３
以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気記録
媒体である。
って情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体にお
いて、基板上には第１、第２および第３の磁性層が順次
形成され、前記第１、第３の磁性層は磁化が互いに反平
行方向に向いている垂直磁気異方性を有する膜であり、
第２の磁性層は、前記第１、第３の磁性層の交換結合力
を弱めるものであって、下記一般式〔Ｉ〕で表されるQ; Ｑ＝Hk/4πMs …〔Ｉ〕 （式中、Hkは異方性磁界、Msは飽和磁化を示す）が３
以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気記録
媒体である。
本発明において、第２の磁性層としては、例えばNdDy
FeCo合金、NdTbFeCo合金、NdGdFeCo合金、DyGdFeCo合
金、NdGdFe合金、DyGdFe合金、NdFeCo合金、TbFeCo合金
膜、GdTbTeCo合金膜、DyFeCo合金膜、GdDyFeCo合金膜、
DyTbFeCo合金膜等が挙げられる。
FeCo合金、NdTbFeCo合金、NdGdFeCo合金、DyGdFeCo合
金、NdGdFe合金、DyGdFe合金、NdFeCo合金、TbFeCo合金
膜、GdTbTeCo合金膜、DyFeCo合金膜、GdDyFeCo合金膜、
DyTbFeCo合金膜等が挙げられる。
（作用） ２層膜のＭ−Ｈループが、第３図に示すような１段階
の反転磁界を持つループになるのは、１層目の磁化と２
層目の磁化が反平行になる磁化状態、即ち第４図（ａ）
および（ｂ）の磁化状態において、２層間の交換相互作
用によるエネルギーが大きいため、このような磁化状態
が存在できないからである。この２層間に垂直磁気異方
性の微弱な磁性層を挟むと、この層は第５図（ａ）およ
び（ｂ）のように、１層目と２層目の磁化をスムーズに
つなぐ働きをするので、２層間の交換相互作用によるエ
ネルギーが減少し、１層目と２層目の磁化が反平行にな
るような磁化状態が存在できるようになり、Ｍ−Ｈルー
プは第２図に示すような２段階の反転磁界を持つループ
になる。
の反転磁界を持つループになるのは、１層目の磁化と２
層目の磁化が反平行になる磁化状態、即ち第４図（ａ）
および（ｂ）の磁化状態において、２層間の交換相互作
用によるエネルギーが大きいため、このような磁化状態
が存在できないからである。この２層間に垂直磁気異方
性の微弱な磁性層を挟むと、この層は第５図（ａ）およ
び（ｂ）のように、１層目と２層目の磁化をスムーズに
つなぐ働きをするので、２層間の交換相互作用によるエ
ネルギーが減少し、１層目と２層目の磁化が反平行にな
るような磁化状態が存在できるようになり、Ｍ−Ｈルー
プは第２図に示すような２段階の反転磁界を持つループ
になる。
（実施例） 次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例である光磁気記録媒体の
部分断面図である。媒体構成は、基板1/スペーサ層2/第
１の磁性層3/第２の磁性層4/第３の磁性層5/保護層６で
ある。
部分断面図である。媒体構成は、基板1/スペーサ層2/第
１の磁性層3/第２の磁性層4/第３の磁性層5/保護層６で
ある。
ここで、基板１としては、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基
板はグループ付きでもグループ無しでも構わない。ガラ
スの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させたもの
でもよい。スペーサ層２および保護層６としては、珪素
の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、アルミニ
ウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用できる。
また、第１の磁性層３および第３の磁性層５は希土類と
遷移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜で
ある。この場合、希土類としては、例えばTb,Gd,Dy,Nd,
Ho等の中から単独または複数の元素、遷移金属としては
Fe,Co,Ni等の中から単独または複数の元素を用いる。ま
た、少量のTi,Mo等を添加することも可能である。
ポキシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基
板はグループ付きでもグループ無しでも構わない。ガラ
スの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させたもの
でもよい。スペーサ層２および保護層６としては、珪素
の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、アルミニ
ウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用できる。
また、第１の磁性層３および第３の磁性層５は希土類と
遷移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜で
ある。この場合、希土類としては、例えばTb,Gd,Dy,Nd,
Ho等の中から単独または複数の元素、遷移金属としては
Fe,Co,Ni等の中から単独または複数の元素を用いる。ま
た、少量のTi,Mo等を添加することも可能である。
〔１〕記録層および補助層の膜厚が180Åおよび600Åの
場合 はじめに、ポリカーボネート（グループ付き）基板／
窒化珪素（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/GdTbFeCo合金
（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構成の媒体を作
成した。成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連
続スパッタによる。TbFeCo層およびGdTbFeCo層の単層に
おける諸特性を第１表に示した。
場合 はじめに、ポリカーボネート（グループ付き）基板／
窒化珪素（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/GdTbFeCo合金
（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構成の媒体を作
成した。成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連
続スパッタによる。TbFeCo層およびGdTbFeCo層の単層に
おける諸特性を第１表に示した。
この媒体のカーループは、第３図に示すようなループ
となった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力が強すぎるためである。この媒体は、オーバライト
ができなかった。
となった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力が強すぎるためである。この媒体は、オーバライト
ができなかった。
（１）中間層にNdDyFeCoを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdDyFeCo合金（60Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdDyFeCo層の単層での諸特性は
第２表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdDyFeCo合金（60Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdDyFeCo層の単層での諸特性は
第２表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdDyFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ30k0eおよび0.5k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdDyFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ30k0eおよび0.5k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTy比50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9K0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW,高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、46dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9K0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW,高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、46dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
（２）中間層にNdDyFeCoを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdTbFeCo合金（70Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdTbFeCo層の単層での諸特性は
第３表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdTbFeCo合金（70Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdTbFeCo層の単層での諸特性は
第３表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdTbFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ32k0eおよび0.7k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdTbFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ32k0eおよび0.7k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTY比50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、44dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-4から10-5であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、44dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-4から10-5であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
（３）中間層にNdGdFeCoを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdTbFeCo合金（50Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdGdFeCo層の単層での諸特性は
第４表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdTbFeCo合金（50Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。NdGdFeCo層の単層での諸特性は
第４表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ29k0eおよび0.5k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それ
ぞれ29k0eおよび0.5k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTy比50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、47dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、47dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
（４）中間層にDyGdFeCoを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/DyGdFeCo合金（80Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。DyGdFeCo層の単層での諸特性は
第５表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/DyGdFeCo合金（80Å）
/GdTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜
構成で媒体を作成した。DyGdFeCo層の単層での諸特性は
第５表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がDyGdFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ37k0eおよび0.3k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がDyGdFeCo中間層により弱められたためである。こ
のときTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ37k0eおよび0.3k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTy被50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
1dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe,低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、45dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
1dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe,低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、45dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現れなかった。
（５）中間層にNdGdFeを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdGdFe合金（45Å）/G
dTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構
成で媒体を作成した。NdGdFe層の単層での諸特性は第６
表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/NdGdFe合金（45Å）/G
dTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構
成で媒体を作成した。NdGdFe層の単層での諸特性は第６
表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFe中間層により弱められたためである。この
ときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ30k0eおよび0.6k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFe中間層により弱められたためである。この
ときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ30k0eおよび0.6k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTy比50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、46dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現われなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、46dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現われなかった。
（６）中間層にDyGdFeを用いる場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/DyGdFe合金（70Å）/G
dTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構
成で媒体を作成した。DyGdFe層の単層での諸特性は第７
表に示すとおりである。
（800Å）/TbFeCo合金（180Å）/DyGdFe合金（70Å）/G
dTbFeCo合金（600Å）／窒化珪素（800Å）という膜構
成で媒体を作成した。DyGdFe層の単層での諸特性は第７
表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループ
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFe中間層により弱められたためである。この
ときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ27k0eおよび0.5k0eであった。
になった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結
合力がNdGdFe中間層により弱められたためである。この
ときのTbFeCo層およびGdTbFeCo層の反転磁界は、それぞ
れ27k0eおよび0.5k0eであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz、DuTy比50
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、45dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現われなかった。
％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界300Oe、低レベルの
レーザビームのパワー4.0mW、高レベルのレーザビーム
のパワー13.0mWの条件で記録し、再生したところ、C/N5
2dBが得られた。この上に、線速度11.3m/s、記録周波数
7.4MHz、DuTy比50％、初期補助磁界2.9k0e、記録磁界30
0Oe、低レベルのレーザビームのパワー4.0mW、高レベル
のレーザビームのパワー13.0mWの条件でオーバライトし
たところ、45dBの再生信号が得られた。エラー発生率は
10-5から10-6であった。このとき3.7MHzの信号（前の情
報）は全く現われなかった。
なお、Ｑが３以上の磁性膜を中間層に用いて３層膜を
形成したところ、得られたディスクはC/Nが低い、周波
数特性が悪いなどの症状があり、良好なオーバライト特
性は得られなかった。
形成したところ、得られたディスクはC/Nが低い、周波
数特性が悪いなどの症状があり、良好なオーバライト特
性は得られなかった。
〔２〕記録層および補助層の膜厚が共に1000Åの場合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素
（800Å）/TbFe合金（1000Å）/TbFeCo合金（1000Å）
／窒化珪素（800Å）という膜構成の媒体を作製した。
成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッ
タによる。TbFe層およびTbFeCo層の単層における諸特性
を第１表に示した。
（800Å）/TbFe合金（1000Å）/TbFeCo合金（1000Å）
／窒化珪素（800Å）という膜構成の媒体を作製した。
成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッ
タによる。TbFe層およびTbFeCo層の単層における諸特性
を第１表に示した。
この媒体のカーループは、第３図に示すような１段階
しか反転磁界を持たないループとなった。TbFe合金層と
TbFeCo合金層間の磁気的結合力が強すぎるためである。
しか反転磁界を持たないループとなった。TbFe合金層と
TbFeCo合金層間の磁気的結合力が強すぎるためである。
（１）中間層にNdFeCoを用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/NdFeCo合金（50
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。NdFeCo層の単層での諸特性は
第２表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/NdFeCo合金（50
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。NdFeCo層の単層での諸特性は
第２表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がNdFeCo中間層により弱められ
たためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転
磁界は、それぞれ8.2k0eおよび4.7k0eであった。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がNdFeCo中間層により弱められ
たためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転
磁界は、それぞれ8.2k0eおよび4.7k0eであった。
（２）中間層にTbFeCo用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/TbFeCo合金（80
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。第２層目のTbFeCo層の単層で
の諸特性は第３表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/TbFeCo合金（80
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。第２層目のTbFeCo層の単層で
の諸特性は第３表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がTbFeCo中間層により弱められ
たためである。このときのTbFe層および第３層目のTbFe
Co層の反転磁界は、それぞれ6.8k0eおよび5.5k0eであっ
た。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がTbFeCo中間層により弱められ
たためである。このときのTbFe層および第３層目のTbFe
Co層の反転磁界は、それぞれ6.8k0eおよび5.5k0eであっ
た。
（３）中間層にGdTbFeCoを用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/GdTbFeCo合金（100
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。GdTbFeCo層の単層での諸特性
は第４表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/GdTbFeCo合金（100
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。GdTbFeCo層の単層での諸特性
は第４表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がGdTbFeCo中間層により弱めら
れたためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反
転磁界は、それぞれ8.0k0eおよび4.7k0eであった。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がGdTbFeCo中間層により弱めら
れたためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反
転磁界は、それぞれ8.0k0eおよび4.7k0eであった。
（４）中間層にDyFeCoを用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/DyFeCo合金（120
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。DyFeCo層の単層での諸特性は
第５表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/DyFeCo合金（120
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。DyFeCo層の単層での諸特性は
第５表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がDyFeCo層により弱められたた
めである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁界
は、それぞれ7.2k0eおよび5.3k0eであった。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がDyFeCo層により弱められたた
めである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁界
は、それぞれ7.2k0eおよび5.3k0eであった。
（５）中間層にGdDyFeCoを用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/GdDyFeCo合金（150
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。GdDyFeCo層の単層での諸特性
は第６表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/GdDyFeCo合金（150
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。GdDyFeCo層の単層での諸特性
は第６表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がGdDyFeCo層により弱められた
ためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁
界は、それぞれ7.8k0eおよび5.2k0eであった。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がGdDyFeCo層により弱められた
ためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁
界は、それぞれ7.8k0eおよび5.2k0eであった。
（６）中間層にDyTbFeCoを用いる場合 次に、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/DyTbFeCo合金（130
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。DyTbFeCo層の単層での諸特性
は第７表に示すとおりである。
珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/DyTbFeCo合金（130
Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素（800Å）という
膜構成で媒体を作製した。DyTbFeCo層の単層での諸特性
は第７表に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がDyTbFeCo層により弱められた
ためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁
界は、それぞれ7.0k0eおよび5.4k0eであった。
の反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTbFeCo
合金層間の磁気的結合力がDyTbFeCo層により弱められた
ためである。このときのTbFe層およびTbFeCo層の反転磁
界は、それぞれ7.0k0eおよび5.4k0eであった。
なお、Ｑが３を超える磁性膜を中間層に用いて３層膜
を作製したところ、Ｍ−Ｈループは第３図に示すような
一段階の反転磁界しか持たないループになった。
を作製したところ、Ｍ−Ｈループは第３図に示すような
一段階の反転磁界しか持たないループになった。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば磁性層間の磁気
的結合力を調整することが可能になる。
的結合力を調整することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は本発
明の光磁気記録媒体の一例によるＭ−Ｈループを示す特
性図、第３図は従来例による光磁気記録媒体の一例のＭ
−Ｈループを示す特性図、第４図および第５図は本発明
の作用を説明するための説明図である。 １……基板、２……スペーサ層 ３……第１の磁性層、４……第２の磁性層 ５……第３の磁性層、６……保護層
明の光磁気記録媒体の一例によるＭ−Ｈループを示す特
性図、第３図は従来例による光磁気記録媒体の一例のＭ
−Ｈループを示す特性図、第４図および第５図は本発明
の作用を説明するための説明図である。 １……基板、２……スペーサ層 ３……第１の磁性層、４……第２の磁性層 ５……第３の磁性層、６……保護層
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に記録膜が形成され、レーザ光によ
って情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体にお
いて、基板上には第１、第２および第３の磁性層が順次
形成され、前記第１、第３の磁性層は磁化が互いに反平
行方向に向いている垂直磁気異方性を有する膜であり、
第２の磁性層は、前記第１、第３の磁性層の交換結合力
を弱めるものであって、下記一般式〔Ｉ〕で表されるQ; Ｑ＝Hk/4πMs …〔Ｉ〕 （式中、Hkは異方性磁界、Msは飽和磁化を示す） が３以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】前記第２の磁性層が、NdDyFeCo合金、NdTb
FeCo合金、NdGdFeCo合金、DyGdFeCo合金、NdGdFe合金、
DyGdFe合金、NdFeCo合金、TbFeCo合金、GdTbTeCo合金、
DyFeCo合金、GdDyFeCo合金、DyTbFeCo合金のいずれかで
あることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27597789 | 1989-10-25 | ||
| JP15285790 | 1990-06-13 | ||
| JP2-152857 | 1990-06-13 | ||
| JP1-275977 | 1990-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117645A JPH04117645A (ja) | 1992-04-17 |
| JP2621630B2 true JP2621630B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=26481648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27385390A Expired - Lifetime JP2621630B2 (ja) | 1989-10-25 | 1990-10-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621630B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636367A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2555753Y2 (ja) * | 1992-05-19 | 1997-11-26 | 株式会社ニッショー | 心嚢ドレ−ンカテ−テル |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27385390A patent/JP2621630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04117645A (ja) | 1992-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0475446B1 (en) | Overwrite-capable magnetooptical recording medium allowing enlarged margin of high level beam intensity | |
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| US5487046A (en) | Magneto-optical recording medium having two magnetic layers with the same curie temperature | |
| EP0588636A1 (en) | Over-write capable magnetooptical recording medium having reading layer | |
| JP2621630B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0376680B1 (en) | Overwritable magneto-optical recording medium and recording method utilizing the same | |
| JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| US5736265A (en) | Magneto-optical recording medium and recording method using the same | |
| US5191564A (en) | Over-write capable magnetooptical recording medium having groove depth of 800 Å or less | |
| JPH0542062B2 (ja) | ||
| JPH0535494B2 (ja) | ||
| JP2724003B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2536202B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| EP0384746A2 (en) | Over write capable magnetooptical recording medium | |
| JP3218735B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3162168B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2815034B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3343617B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| JPH05182267A (ja) | 光磁気記録媒体およびその記録方法 | |
| JP2505602B2 (ja) | 光磁気記録担体及び光磁気記録担体の製造方法 | |
| JP3000385B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2770836B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| KR930010474B1 (ko) | 광자기 기록매체 및 광자기 기록매체의 제조방법 | |
| JPH0469830A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05234160A (ja) | 光磁気記録媒体 |