JP2619554B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2619554B2 JP2619554B2 JP2142341A JP14234190A JP2619554B2 JP 2619554 B2 JP2619554 B2 JP 2619554B2 JP 2142341 A JP2142341 A JP 2142341A JP 14234190 A JP14234190 A JP 14234190A JP 2619554 B2 JP2619554 B2 JP 2619554B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- temperature
- sensor
- crystal display
- amorphous silicon
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は温度補償用センサを備えた液晶表示装置に関
するものである。
するものである。
（従来の技術） 液晶表示装置は対向電極を有する対向基板内に液晶を
封入し、対向電極間に所定の強さの電界を印加、非印加
によって液晶の光学的性質を変化せしめ、所望の光学的
表示を行うものであるが、液晶を動作せしめるに必要な
最適な立ち上がり電圧（実効値）は常に一定ではなく、
温度の変化に伴ってその値も変化する。そこで温度変化
に対して液晶の駆動電圧を調整する必要があるので、従
来より温度センサを設けて、駆動電圧の自動調整を行っ
ているものである。
封入し、対向電極間に所定の強さの電界を印加、非印加
によって液晶の光学的性質を変化せしめ、所望の光学的
表示を行うものであるが、液晶を動作せしめるに必要な
最適な立ち上がり電圧（実効値）は常に一定ではなく、
温度の変化に伴ってその値も変化する。そこで温度変化
に対して液晶の駆動電圧を調整する必要があるので、従
来より温度センサを設けて、駆動電圧の自動調整を行っ
ているものである。
ところで前記の温度センサを液晶セルの外部に設けて
おく手段も知られているが（特開昭53−101297号）、液
状は熱伝導の悪いガラス板その他の基板内に封入されて
いるため、外部センサでは液晶そのものの温度変化に対
応できない。特に急激な温度変化においては、液晶が当
該外部温度に到達するまでの間に、対向電極間にはアン
バランスな駆動電圧が印加されることになる。
おく手段も知られているが（特開昭53−101297号）、液
状は熱伝導の悪いガラス板その他の基板内に封入されて
いるため、外部センサでは液晶そのものの温度変化に対
応できない。特に急激な温度変化においては、液晶が当
該外部温度に到達するまでの間に、対向電極間にはアン
バランスな駆動電圧が印加されることになる。
そこで温度センサを液晶セルの内部に設けることが提
案されている（特開昭62−229325号）。前記手段は特に
薄膜トランジスタ（TFT）を利用したマトリックス液晶
表示装置の表示画素部分以外の領域に温度検知用の半導
体素子を形成したものである。
案されている（特開昭62−229325号）。前記手段は特に
薄膜トランジスタ（TFT）を利用したマトリックス液晶
表示装置の表示画素部分以外の領域に温度検知用の半導
体素子を形成したものである。
（発明が解決しようとする課題） 前述した液晶セル内に温度検知用の半導体素子を設け
る手段において、この半導体素子として具体的にどのよ
うなものを選択するべきかは前記文献に明示されてい
ず、TFTと同様の半導体を設ける旨記載しているのみで
あるので、例えばアクティブマトリックス基板として特
開平１−40817号を用いたとしたならば、前記の温度検
知用の半導体素子はノンドーブアモルファスシリコン膜
若しくはＰドーブアモルファスシリコン膜と推測され
る。
る手段において、この半導体素子として具体的にどのよ
うなものを選択するべきかは前記文献に明示されてい
ず、TFTと同様の半導体を設ける旨記載しているのみで
あるので、例えばアクティブマトリックス基板として特
開平１−40817号を用いたとしたならば、前記の温度検
知用の半導体素子はノンドーブアモルファスシリコン膜
若しくはＰドーブアモルファスシリコン膜と推測され
る。
しかし温度検知用の半導体素子としてTFTの半導体と
同じ材料のものに限定すると熱電対やサーミスタ等のセ
ンサを用いた場合に比して駆動電圧の出力電圧調整を行
う温度補償回路の設計は、煩雑な作業になると共に、必
ずしも最適な温度補償がなされるものではない。
同じ材料のものに限定すると熱電対やサーミスタ等のセ
ンサを用いた場合に比して駆動電圧の出力電圧調整を行
う温度補償回路の設計は、煩雑な作業になると共に、必
ずしも最適な温度補償がなされるものではない。
（課題を解決するための手段） 本発明に係る液晶表示装置は、対向電極を有する対向
基板間に液晶を封入してなる液晶セルを備えた液晶表示
装置に於て、前記セル内の一方の基板に形成したアモル
ファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜の所
定箇所に形成した薄膜トランジスタと、前記アモルファ
スシリコン膜の一部をポリ化して形成したポリシリコン
抵抗体からなる温度補償用センサとを設けたことを特徴
とするものである。
基板間に液晶を封入してなる液晶セルを備えた液晶表示
装置に於て、前記セル内の一方の基板に形成したアモル
ファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜の所
定箇所に形成した薄膜トランジスタと、前記アモルファ
スシリコン膜の一部をポリ化して形成したポリシリコン
抵抗体からなる温度補償用センサとを設けたことを特徴
とするものである。
（作 用） ポリシリコン抵抗体（温度補償用センサ）の抵抗温度
係数（TCR）は非常に大きく、温度検出が容易に行える
と共に、不純物のドーピング濃度によってTCRを任意に
選択できるので、温度補償回路の設計に対応して温度補
償センサの基準抵抗値、及び温度変化に対する抵抗値の
変化率（センサ温度特性）等のセンサ特性を任意に選択
できる利点がある。また温度センサ形成箇所に、電極の
スイッチング素子とするアモルファスシリコンからなる
薄膜トランジスタ（TFT）の形成に際して、予めアモル
ファスシリコン膜を形成しておくので、レーザアニール
等の手段を採用すると、他の部分や外部に影響を与える
ことなく、必要な範囲をポリ化することで簡単に所望の
ポリシリコン抵抗体からなる温度補償用センサを得るこ
とができる。
係数（TCR）は非常に大きく、温度検出が容易に行える
と共に、不純物のドーピング濃度によってTCRを任意に
選択できるので、温度補償回路の設計に対応して温度補
償センサの基準抵抗値、及び温度変化に対する抵抗値の
変化率（センサ温度特性）等のセンサ特性を任意に選択
できる利点がある。また温度センサ形成箇所に、電極の
スイッチング素子とするアモルファスシリコンからなる
薄膜トランジスタ（TFT）の形成に際して、予めアモル
ファスシリコン膜を形成しておくので、レーザアニール
等の手段を採用すると、他の部分や外部に影響を与える
ことなく、必要な範囲をポリ化することで簡単に所望の
ポリシリコン抵抗体からなる温度補償用センサを得るこ
とができる。
また前記ポリシリコン抵抗体（温度補償用センサ）の
TCRを適宜選択することで、温度補償用センサのセンサ
温度特性を、液晶の当該温度と、当該温度における最適
駆動電圧の関係に対応する温度特性即ち当該温度時の温
度変化に対応する最適駆動電圧の変化率と一致させてお
くと、センサの抵抗値変化を直接駆動電圧の変化に対応
せしめれば良いので、その駆動回路の電圧制御回路設計
が容易となる。
TCRを適宜選択することで、温度補償用センサのセンサ
温度特性を、液晶の当該温度と、当該温度における最適
駆動電圧の関係に対応する温度特性即ち当該温度時の温
度変化に対応する最適駆動電圧の変化率と一致させてお
くと、センサの抵抗値変化を直接駆動電圧の変化に対応
せしめれば良いので、その駆動回路の電圧制御回路設計
が容易となる。
（実施例） 次に本発明の実施例について説明する。
液晶表示装置は、従来周知の通り、表示電極、表示電
極のスイッチング素子となる薄膜コンデンサ（TFT）、
対向電極（共通電極）、電極リード等を備えた電極部１
を有する対向基板２間に液晶材料３を封入してなる液晶
セルと、電極部１の対向する電極間に、所定の電圧を印
加する駆動回路（図示せず）からなる。
極のスイッチング素子となる薄膜コンデンサ（TFT）、
対向電極（共通電極）、電極リード等を備えた電極部１
を有する対向基板２間に液晶材料３を封入してなる液晶
セルと、電極部１の対向する電極間に、所定の電圧を印
加する駆動回路（図示せず）からなる。
本発明に係る液晶表示装置の液晶セルは、セル内とな
る基板２上に温度補償用センサ４を設けたもので、前記
センサ４は液晶セル形成前に基板２上に設けてなる。
る基板２上に温度補償用センサ４を設けたもので、前記
センサ４は液晶セル形成前に基板２上に設けてなる。
次にその実施例を製造手段に基づいて説明する。
基板上の所定範囲にＰ−CVDその他の手段で、TFT形成
用のアモルファスシリコン膜を形成すると同時に、セン
サ形成箇所にもアモルファスシリコン膜を形成する。そ
して所定のパーターニングを行った後、温度補償用セン
サの設置個所にレーザードーピング及びレーザーアニー
ルを施して所望の不純物濃度で所定の抵抗値（レーザー
アニールによってポリ化部分が決定する）としたポリシ
リコン抵抗体（温度補償用センサ）４を得、而る後金属
蒸着によってリード電極５を形成する。
用のアモルファスシリコン膜を形成すると同時に、セン
サ形成箇所にもアモルファスシリコン膜を形成する。そ
して所定のパーターニングを行った後、温度補償用セン
サの設置個所にレーザードーピング及びレーザーアニー
ルを施して所望の不純物濃度で所定の抵抗値（レーザー
アニールによってポリ化部分が決定する）としたポリシ
リコン抵抗体（温度補償用センサ）４を得、而る後金属
蒸着によってリード電極５を形成する。
また前記の手段でなく、最初に所定のドーピングガス
を混入せしめて、所定の量の不純物が混入したアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、これにレーザーアニールを施
すと所定のポリシリコン抵抗体４を得ることができる。
を混入せしめて、所定の量の不純物が混入したアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、これにレーザーアニールを施
すと所定のポリシリコン抵抗体４を得ることができる。
ところで前記手段で形成されたポリシリコン抵抗体４
は、第２図に示すようにドーピング濃度によって抵抗温
度係数（TCR）が変化する。例えばシリコン１に対して
ボロンを0.01％混入すると、TCRは１×10−３程度とな
る。即ち１℃の温度変化で0.1％の抵抗値変化が生ずる
ことになる。而も液晶材料に対する最適駆動電圧の温度
特性（TCV）の係数は約２×10−３程度である。
は、第２図に示すようにドーピング濃度によって抵抗温
度係数（TCR）が変化する。例えばシリコン１に対して
ボロンを0.01％混入すると、TCRは１×10−３程度とな
る。即ち１℃の温度変化で0.1％の抵抗値変化が生ずる
ことになる。而も液晶材料に対する最適駆動電圧の温度
特性（TCV）の係数は約２×10−３程度である。
以上のことから、液晶セル内部に温度補償用センサと
してポリシリコン抵抗体を用いることによって、 任意の温度特性を有するセンサを得ることができる。
してポリシリコン抵抗体を用いることによって、 任意の温度特性を有するセンサを得ることができる。
センサを複数個設置すると共に各センサのTCRを異な
らせ、特にTCRが正負逆となるように設けておき、両者
の差異に基づいて温度検出を行うと、温度に対する感度
を倍加せしめることができる。
らせ、特にTCRが正負逆となるように設けておき、両者
の差異に基づいて温度検出を行うと、温度に対する感度
を倍加せしめることができる。
センサ温度特性を液晶材料のTCVとを一致せしめる
と、センサの検出値を駆動電圧出力の回路に直接組み込
むことで完全な温度補償が達成される。
と、センサの検出値を駆動電圧出力の回路に直接組み込
むことで完全な温度補償が達成される。
基板にTFTを形成する場合、センサを形成するための
アモルファスシリコン膜の形成並びにリード電極５の形
成は、TFTの形成の際に同時に行うことができ、而もセ
ンサ部分のポリ化は他の部材に影響を与えないレーザー
アニールによって形成できる。
アモルファスシリコン膜の形成並びにリード電極５の形
成は、TFTの形成の際に同時に行うことができ、而もセ
ンサ部分のポリ化は他の部材に影響を与えないレーザー
アニールによって形成できる。
等の利点を有する。
尚本発明におけるポリシリコン抵抗体（温度補償用セ
ンサ）４の形成手段は前記実施例に限定されるものでな
く、他の適宜な手段を採用しても良いことは勿論のこ
と、対象とする液晶セルの具体的構造並びに使用液晶等
は任意である。
ンサ）４の形成手段は前記実施例に限定されるものでな
く、他の適宜な手段を採用しても良いことは勿論のこ
と、対象とする液晶セルの具体的構造並びに使用液晶等
は任意である。
（発明の効果） 本発明は以上のように基板に少なくともアモルファス
シリコンからなる薄膜トランジスタを形成した液晶表示
装置において、駆動電圧の温度補償を行うためのセンサ
を、液晶セル内の基板上に設けると共に、センサをポリ
シリコン抵抗体で形成したものであるから、薄膜トラン
ジスタ（TFT）の形成に際してのアモルファスシリコン
膜の一部を、レーザアニール等で必要な範囲をポリ化す
るという簡単な手段で形成できると共に、ポリシリコン
抵抗体の不純物ドーピング量を選択することで任意のセ
ンサ特性を得ることができる利点も備えているものであ
る。
シリコンからなる薄膜トランジスタを形成した液晶表示
装置において、駆動電圧の温度補償を行うためのセンサ
を、液晶セル内の基板上に設けると共に、センサをポリ
シリコン抵抗体で形成したものであるから、薄膜トラン
ジスタ（TFT）の形成に際してのアモルファスシリコン
膜の一部を、レーザアニール等で必要な範囲をポリ化す
るという簡単な手段で形成できると共に、ポリシリコン
抵抗体の不純物ドーピング量を選択することで任意のセ
ンサ特性を得ることができる利点も備えているものであ
る。
第１図は本発明の実施例の液晶セルの断面図、第２図は
ポリシリコン抵抗体の抵抗温度係数グラフ、第３図は最
適駆動電圧の温度特性グラフである。 １は対向電極部 ２は基板 ３は液晶 ４は温度補償用センサ（ポリシリコン抵抗体） ５はリード電極
ポリシリコン抵抗体の抵抗温度係数グラフ、第３図は最
適駆動電圧の温度特性グラフである。 １は対向電極部 ２は基板 ３は液晶 ４は温度補償用センサ（ポリシリコン抵抗体） ５はリード電極
Claims (1)
- 【請求項１】対向電極を有する対向基板間に液晶を封入
してなる液晶セルを備えた液晶表示装置に於て、前記セ
ル内の一方の基板に形成したアモルファスシリコン膜
と、前記アモルファスシリコン膜の所定箇所に形成した
薄膜トランジスタと、前記アモルファスシリコン膜の一
部をポリ化して形成したポリシリコン抵抗体からなる温
度補償用センサとを設けたことを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142341A JP2619554B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142341A JP2619554B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434519A JPH0434519A (ja) | 1992-02-05 |
| JP2619554B2 true JP2619554B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15313109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2142341A Expired - Lifetime JP2619554B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619554B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5657522A (en) * | 1996-05-14 | 1997-08-19 | Duracell Inc. | Coiled electrode assemblies and methods of producing same |
| JP2000338518A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Nec Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| JP4175384B2 (ja) | 2006-05-17 | 2008-11-05 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電子回路、電気光学装置およびこれを備える電子機器 |
| CN101512623B (zh) | 2006-09-28 | 2011-12-21 | 夏普株式会社 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691276A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Citizen Watch Co Ltd | Display panel |
| JPH07113723B2 (ja) * | 1987-06-29 | 1995-12-06 | ホシデン株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2142341A patent/JP2619554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434519A (ja) | 1992-02-05 |
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