JP2611760B2 - Semiconductor exposure equipment - Google Patents

Semiconductor exposure equipment

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JP2611760B2
JP2611760B2 JP61212748A JP21274886A JP2611760B2 JP 2611760 B2 JP2611760 B2 JP 2611760B2 JP 61212748 A JP61212748 A JP 61212748A JP 21274886 A JP21274886 A JP 21274886A JP 2611760 B2 JP2611760 B2 JP 2611760B2
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、IC,LSI,超LSI等の半導体回路素子製造用の
投影形露光装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus for manufacturing semiconductor circuit elements such as ICs, LSIs, and VLSIs.

［従来の技術］ 投影形の半導体露光装置において、集積度の増加に伴
い投影光学系のディストーションが問題となり、投影像
の中心部に対する周辺部での像の歪曲の程度を計測する
有効な手法が要望されている。[Prior Art] In a projection type semiconductor exposure apparatus, distortion of a projection optical system becomes a problem with an increase in integration degree, and an effective method for measuring a degree of image distortion in a peripheral portion with respect to a central portion of a projected image has been developed. Requested.

そのようなディストーションの計測の一手法として、
投影光学系の有効露光範囲全域を使用して焼付けた任意
のレチクルパターンの上に、同一露光装置の一回のウエ
ハ作成工程において同一の投影光学系で、露光範囲中央
部のみに限定した同一パターンの中央部区間をステップ
アンドリピート方式で配列状に重ね焼きし、焼付けパタ
ーンの周辺部での重ね焼きパターンの重なり具合をディ
ストーション測定器で光学測定することが考えられた
が、従来の露光装置では一回のウエハ作成工程でウエハ
の移動様式と露光範囲を変えることができないので、前
記のような重ね焼きパターンによる投影光学系のディス
トーション測定を実現することできなかった。As one method of measuring such distortion,
On the arbitrary reticle pattern printed using the entire effective exposure range of the projection optical system, the same pattern limited to only the central portion of the exposure range by the same projection optical system in one wafer making process of the same exposure apparatus It was considered that the central section was overprinted in an array by a step-and-repeat method, and the degree of overlap of the overprint pattern at the periphery of the printed pattern was optically measured with a distortion measuring instrument. Since the movement mode and the exposure range of the wafer cannot be changed in one wafer preparation process, the distortion measurement of the projection optical system by the above-described overprint pattern cannot be realized.

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の課題は、前述の従来技術に鑑みて、一回のウ
エハ作成工程において同一の投影光学系で同一レチクル
パターンについて異なる露光範囲の重ね焼きが可能な、
投影光学系のディストーション測定用テストウエハ作成
機能を備えた半導体露光装置を提供することである。[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to make it possible to overprint different exposure ranges for the same reticle pattern with the same projection optical system in one wafer forming process in view of the above-mentioned conventional technology. ,
An object of the present invention is to provide a semiconductor exposure apparatus having a function of producing a test wafer for distortion measurement of a projection optical system.

［問題点の解決手段］ この目的を達成するため本発明の半導体露光装置は、
レチクル上のパターンをウエハ上のショット領域に投影
する投影光学系と、前記レチクルに対して照明範囲を変
化させる照明範囲変化手段と、前記投影光学系に対して
前記ウエハを移動させるウエハ移動手段と、前記照明範
囲変化手段を介して前記パターンの周辺部を含む広い部
分を照明し前記広い部分を前記投影光学系を介して前記
ショット領域内に焼き付けるための第１ジョブで利用さ
れる第１パラメータ群と、前記照明範囲変化手段を介し
て前記パターンの中央部の限定された狭い部分のみを照
明し前記ウエハ移動手段が前記ウエハを移動することに
より前記狭い部分を前記ショット領域内の複数箇所に前
記投影光学系を介して順に焼き付けるための第２ジョブ
で利用される第２パラメータ群を記憶する記憶手段と、
前記ウエハを前記投影光学系のディストーションを測定
するのに利用されるテストウエハとするために前記第１
および第２ジョブの一方の終了後に他方に切り換えて各
ジョブを実行させると共に、前記第１ジョブの実行時に
は前記第１パラメータ群を利用して前記照明範囲変化手
段の照明範囲と前記ウエハ移動手段の移動様式を制御
し、前記第２ジョブの実行時には前記第２パラメータ群
を利用して前記照明範囲変化手段の照明範囲と前記ウエ
ハ移動手段の移動様式を制御し、かつ前記第１ジョブで
焼付けられる広い部分と前記第２ジョブで焼付けられる
狭い部分が前記ショット領域内で重なるように前記ウエ
ハ移動手段を制御する制御手段を有することを特徴とす
る。[Solution of Problem] To achieve this object, a semiconductor exposure apparatus of the present invention comprises:
A projection optical system that projects a pattern on a reticle onto a shot area on a wafer, an illumination range changing unit that changes an illumination range with respect to the reticle, and a wafer moving unit that moves the wafer with respect to the projection optical system. A first parameter used in a first job for illuminating a wide portion including a peripheral portion of the pattern via the illumination range changing means and printing the wide portion in the shot area via the projection optical system Group, illuminating only a limited narrow portion of the central portion of the pattern via the illumination range changing means, and moving the wafer by the wafer moving means, so that the narrow part becomes a plurality of places in the shot area. Storage means for storing a second parameter group used in a second job for sequentially printing through the projection optical system;
In order to make the wafer a test wafer used for measuring distortion of the projection optical system, the first wafer is used.
After the completion of one of the second job and the other, the job is switched to the other and each job is executed. At the time of execution of the first job, the illumination range of the illumination range changing unit and the wafer moving unit are utilized by using the first parameter group. Controlling the movement mode, controlling the illumination range of the illumination range changing unit and the movement mode of the wafer moving unit by using the second parameter group when the second job is executed, and printing in the first job. Control means for controlling the wafer moving means such that a wide portion and a narrow portion to be printed in the second job overlap in the shot area.

また、本発明の好ましい態様においては、前記制御手
段は、前記第２ジョブで焼付けられる狭い部分が前記シ
ョット領域内で碁盤目状に配列されるように前記ウエハ
移動手段をステップアンドリピート制御するものであ
る。In a preferred aspect of the present invention, the control means controls the wafer moving means in a step-and-repeat manner such that narrow portions printed in the second job are arranged in a grid pattern in the shot area. It is.

［作用］ 本発明の半導体露光装置では、前記ウエハ移動手段は
前記記憶手段に記憶された制御パラメータに従って前記
制御手段によりその移動様式を切り換え制御され、また
前記焼付け範囲制御手段も前記記憶手段に記憶された制
御パラメータに従って、前記制御手段によりその焼付け
範囲を切り換え制御される。[Operation] In the semiconductor exposure apparatus of the present invention, the wafer moving means is controlled to switch its movement mode by the control means according to the control parameters stored in the storage means, and the printing range control means is also stored in the storage means. The printing range is controlled by the control means in accordance with the set control parameters.

例えば或る制御パラメータに従ってウエハ上に焼付け
られたレチクルのパターン全体像の上に、別の制御パラ
メータに従って前記パターン中央部の限定範囲のパター
ン像が前記パターン全体像を前記限定範囲で連なって区
画するように碁盤目配列状に重ねて焼付けられる。この
場合、前記別の制御パラメータは、前記照明範囲変化手
段に対して前記パターンの照明範囲を前記パターン中央
部の限定範囲に切り換えさせるための指令情報を含み、
且つ前記ウエハ移動手段に対してその移動様式を前記限
定範囲に対応したストロークのステップアンドリピート
モードに切り換えさせるための指令情報を含んでいる。
これらの情報を含む制御パラメータは予め前記記憶手段
に記憶されており、前記制御手段は所定のプログラムに
従ってこれらのパラメータを読み出して各装置を制御す
る。For example, on a whole pattern image of a reticle printed on a wafer according to a certain control parameter, a pattern image in a limited area of the pattern central part according to another control parameter continuously divides the whole pattern image in the limited area. And are baked in a grid pattern. In this case, the another control parameter includes command information for causing the illumination range changing means to switch the illumination range of the pattern to a limited range of the pattern central portion,
And command information for causing the wafer moving means to switch its movement mode to a step-and-repeat mode of a stroke corresponding to the limited range.
Control parameters including these pieces of information are stored in the storage means in advance, and the control means reads out these parameters according to a predetermined program to control each device.

本発明の半導体露光装置によってウエハ上には一回の
ウエハ作成工程にて同一の投影レンズで同一レチクルパ
ターンについて異なる露光範囲の重ね焼きが形成され、
かくて投影レンズのディストーション測定用テストウェ
ハを作成することが可能となるものである。By the semiconductor exposure apparatus of the present invention, overprinting of different exposure ranges for the same reticle pattern is formed on the wafer by the same projection lens in one wafer forming process,
Thus, a test wafer for distortion measurement of the projection lens can be prepared.

本発明の好ましい実施例について図面と共に説明すれ
ば以下の通りである。A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

［実施例］ 第１図に本発明の実施例に係る半導体露光装置の概略
の構成を示す。Embodiment FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

第１図において、この露光装置は、光源とシャッタと
を含む照明装置１と、照明装置１による照明範囲の広さ
を制御するマスキングブレード２と、回路パターン５の
描かれたレチクル４を載せるためのレチクルステージ３
と、焼付け用の投影光学系となる結像レンズ６と、焼付
け対象のウエハを載せて焼付け平面内でX,Y直交二方向
に移動させるXYステージ７と、マスキングブレード駆動
用パルスモータ９と、XYステージ駆動用パルスモータ10
と、CPU等の制御ユニットと記憶装置が格納されたコン
トロールボックス11と、モニタディスプレイ12およびキ
ーボード13からなるコンソールとを備えている。In FIG. 1, this exposure apparatus mounts an illuminating device 1 including a light source and a shutter, a masking blade 2 for controlling the width of an illumination range by the illuminating device 1, and a reticle 4 on which a circuit pattern 5 is drawn. Reticle Stage 3
An imaging lens 6 serving as a projection optical system for printing, an XY stage 7 on which a wafer to be printed is placed and moved in two directions perpendicular to X and Y in a printing plane, and a pulse motor 9 for driving a masking blade; XY stage drive pulse motor 10
And a control box 11 in which a control unit such as a CPU and a storage device are stored, and a console including a monitor display 12 and a keyboard 13.

第２図にはこの半導体露光装置の動作シーケンスがフ
ローチャートで示されている。FIG. 2 is a flowchart showing the operation sequence of the semiconductor exposure apparatus.

第２図（ａ）は全体動作の流れ、第２図（ｂ）はその
内の一度目のパターン焼付け工程（以下これをJOB1で表
す）の流れ、第２図（ｃ）は同じく二度目のパターン焼
付け工程（以下これをJOB2で表す）の流れを各々示す。FIG. 2 (a) shows the flow of the entire operation, FIG. 2 (b) shows the flow of the first pattern printing step (hereinafter referred to as JOB1), and FIG. 2 (c) shows the second The flow of the pattern printing process (hereinafter, this is represented by JOB2) will be described.

シーケンスの開始後、第２図（ａ）に示すステップS1
で、制御に必要な各パラメータをコンソールのキーボー
ド13から入力する。ここではJOB1およびJOB2に必要な二
種類のパラメータ群を入力してコントロールボックス11
内の図示しない記憶装置に格納しておく。After the start of the sequence, step S1 shown in FIG.
Then, parameters required for control are input from the keyboard 13 of the console. Here, enter the two types of parameters required for JOB1 and JOB2 and enter the control box 11
In a storage device (not shown).

即ち、先ず、JOB1におけるディストーション計測用の
任意の焼付けショットレイアウト（以下これをパラメー
タSL1で表す）を例えば第３図のように指定する。尚、
この第３図では、ウエハ８上に５箇所のショット領域SA
1を指定している。次にJOB2における任意のショットレ
イアウト（以下これをパラメータSL2で表す）を例えば
第４図のように指定する。つまり第４図に示した５つの
JOB1におけるショット領域SA1のうちの中央のものに図
示したように、このパラメータSL2ではJOB1のショット
領域SA1内においてJOB2のショットをどのように行うか
を指定するものであり、ここではSA1内を碁盤目状にJOB
2のショット小領域SA2で区画するようにしている。さら
にその後、JOB1およびJOB2におけるマスキングブレード
２の位置（以下これを各々パラメータMP1,MP2で表す）
を前記ショット領域SA1,SA2に対応して指定する。ここ
で例えばレチクル４のマスキングパターン５が第５図に
示すように一辺15mmの正方形の中に10×10個の特定小区
画パターン（説明の便宜上中央のものを符号Ｂで、その
他のものを符号Ａで示す）が形成されているものである
とすると、前記MP1は一辺15mmの正方形の範囲で露光が
行なわれるように指定し、前記MP2は中央の小区画Ｂの
みが露光されるように指定する。That is, first, an arbitrary burn-in shot layout for distortion measurement in JOB1 (hereinafter referred to as a parameter SL1) is designated, for example, as shown in FIG. still,
In FIG. 3, five shot areas SA on the wafer 8
1 is specified. Next, an arbitrary shot layout in JOB2 (hereinafter referred to as a parameter SL2) is designated, for example, as shown in FIG. In other words, the five
As shown in the middle one of the shot areas SA1 in JOB1, this parameter SL2 specifies how to perform the shot of JOB2 in the shot area SA1 of JOB1, and here, the grid in SA1 JOB in eyes
The two shots are divided by the small shot area SA2. Further thereafter, the position of the masking blade 2 in JOB1 and JOB2 (hereinafter, this is represented by parameters MP1 and MP2, respectively)
Are designated in correspondence with the shot areas SA1 and SA2. Here, for example, as shown in FIG. 5, the masking pattern 5 of the reticle 4 is composed of 10 × 10 specific small division patterns in the square having a side of 15 mm (for convenience of explanation, the central pattern is denoted by B, and other patterns are denoted by B). A) is formed, the MP1 designates that exposure is performed within a square area of 15 mm on a side, and the MP2 designates that only the central small section B is exposed. I do.

次にステップS2においてコンソールよりシーケンスを
スタートさせる。Next, in step S2, the sequence is started from the console.

ステップS3ではレチクル４をレチクルステージ３にセ
ットするが、この場合、セットされるレチクルは、第５
図に示したようなA,B二種類の形状をもつ小パターンの
マークが、中心部に一個のマークＢ、その周辺部に残り
のマークＡとなるように碁盤目状に配列された投影レン
ズディストーション計測用の特殊なテストパターンを有
するものである。In step S3, the reticle 4 is set on the reticle stage 3. In this case, the reticle to be set is the fifth reticle.
A projection lens in which small pattern marks having two types of shapes A and B as shown in the figure are arranged in a grid pattern such that one mark B is located at the center and the remaining mark A is located at the periphery. It has a special test pattern for distortion measurement.

ステップS4では、ウエハ８をXYステージ７上に搬入す
る。In step S4, the wafer 8 is loaded on the XY stage 7.

次にステップS5に進み、JOB1におけるシーケンスを第
２図（ｂ）に従って実行する。ここで前述の如く一度目
のパターン焼付けが行なわれる。Next, proceeding to step S5, the sequence in JOB1 is executed according to FIG. 2 (b). Here, the first pattern printing is performed as described above.

ステップ51で、予め第５図の15mm四方のパターン全体
の範囲で露光が行われるようにセットされたパラメータ
MP1に従い、マスキングブレード２の位置をパルスモー
タ９を介してセットする。In step 51, parameters set in advance so that exposure is performed in the entire range of the 15 mm square pattern in FIG.
According to MP1, the position of the masking blade 2 is set via the pulse motor 9.

ステップ52では、パラメータSL1に従って位置にXYス
テージ７を移動する。In step 52, the XY stage 7 is moved to a position according to the parameter SL1.

次にステップ53で露光を行い、ステップ54で、パラメ
ータSL1で指定された全部の焼付けが終了しているかを
チェックし、もし終了していなければステップ52へ戻
り、新たな焼付けを行う。全部終了後、JOB1は終了して
ステップ６へ入る。尚、この時点では第３図に示した５
箇所の領域SA1の総てに第５図のパターンが焼付けられ
ていることになる。Next, in step 53, exposure is performed. In step 54, it is checked whether or not all printing specified by the parameter SL1 has been completed. If not, the process returns to step 52 to perform new printing. After the end of all, JOB1 ends and proceeds to step 6. At this time, 5 shown in FIG.
This means that the pattern shown in FIG. 5 is printed on all the areas SA1.

さて、ステップ６ではJOB1からJOB2への切り換えが行
われる。ここでJOB1用のパラメータMP1,SL1をJOB2用の
パラメータMP2,SL2へ切り換える。ただし、JOB2の実行
に際しても、JOB1でどこにパターン焼付けを行ったのか
についての情報が必要なので、パラメータSL1について
の情報は別に保持させておく。In step 6, switching from JOB1 to JOB2 is performed. Here, the parameters MP1 and SL1 for JOB1 are switched to the parameters MP2 and SL2 for JOB2. However, even when JOB2 is executed, information on where the pattern printing was performed in JOB1 is necessary, so information on the parameter SL1 is separately stored.

次にJOB2におけるシーケンスを実行する。前述の通
り、ここで２度目のパターン焼付けを行う。JOB2のシー
ケンスの流れは第２図（ｃ）に示されており、先ずステ
ップ71でパラメータMP2に従ってマスキングブレード２
の位置を第５図の中央のマークＢの小区画のみが露光で
きるような位置にセットする。Next, the sequence in JOB2 is executed. As described above, the second pattern printing is performed here. The sequence flow of JOB2 is shown in FIG. 2 (c).
Is set so that only the small section of the center mark B in FIG. 5 can be exposed.

次いでステップ72で、パラメータSL1,SL2の二つの情
報から、前述のようにマスキングブレード２で限定照明
されたマークＢの小区画の投影像が前記JOB1ですでにウ
エハ上に焼付けられている５つのパターンのうちの第３
図最上部の領域SA1のパターン内に形成されるように、
ステージ８を移動させ位置決めする。Next, in step 72, from the two pieces of information of the parameters SL1 and SL2, the projected images of the small sections of the mark B limitedly illuminated by the masking blade 2 as described above The third of the patterns
As formed in the pattern of the area SA1 at the top of the figure,
The stage 8 is moved and positioned.

次にステップ73では、前記マークＢの小区画投影像が
前記最上部の領域内の右上隅、つまり第５図で右上隅の
小区画のマークＡと重なるように、パラメータSL2に従
ってステージ７をセットする。ここで前記マークＢの小
区画の投影像のショット領域は第４図の小領域SA2に対
応している。Next, in step 73, the stage 7 is set in accordance with the parameter SL2 so that the small section projected image of the mark B overlaps the mark A of the small section at the upper right corner in the uppermost area, that is, the upper right corner in FIG. I do. Here, the shot area of the projected image of the small section of the mark B corresponds to the small area SA2 in FIG.

次いでステップ74でマークＢのみの限定区画の露光を
行う。Next, in step 74, the exposure of the limited section of only the mark B is performed.

ステップ75では、この限定区画の露光がJOB1における
１ショット分、つまり第５図のマーク配列例では10×10
＝100回だけ行われたかどうかをチェックし、もし終了
していなければステップ73に戻り、マークＢの限定区画
の新たな焼付けを前回の焼付け小領域の次の小領域に行
うようステージを移動させ、ステップ74で焼付けを繰り
返す。尚、第６図はこの過程の途中の焼付けパターンを
示しているが、第６図で最上部の列の右から４番目まで
の小領域にはマークＡとマークＢとが前述のJOB1,JOB2
によって重ねて焼付けられている。In step 75, the exposure of this limited section is one shot in JOB1, that is, 10 × 10 in the mark arrangement example of FIG.
==================================================================================================================================================== === In step 74, the printing is repeated. FIG. 6 shows a printing pattern in the middle of this process. In FIG. 6, the marks A and B are placed in the small areas from the right to the fourth row in the uppermost row.
It is baked repeatedly by.

このようにしてJOB1の一つのショット領域SA1につい
てマークＢの限定区画の重ね焼きが終了すると、ステッ
プ76でJOB1のショット数総てについてこの重ね焼きが終
了したかどうかがチェックされ、もし終了していなけれ
ば、ステップ72に戻り、JOB1における次のショット位置
にXYステージを移動し、再びマークＢの重ね焼きを行な
う。全数終了後、JOB2が終了するとステップ８に移り、
ウエハの搬出が行われてシーケンスが終了する。When the overprinting of the limited section of the mark B is completed for one shot area SA1 of JOB1 in this way, it is checked in step 76 whether or not this overprinting has been completed for all the shot numbers of JOB1. If not, the process returns to step 72, where the XY stage is moved to the next shot position in JOB1, and the mark B is overprinted again. After JOB2 is completed, the process moves to step 8 when JOB2 ends.
The wafer is unloaded and the sequence ends.

以上の露光シーケンスにより、第６図で総ての小区画
についてマークの重ね焼きが施されたパターンがウエハ
上に形成される。この場合、パターン周辺部においてマ
ークＡは投影レンズ６の周辺部で焼付けられたものであ
るが、そこに重ねて焼付けられたマークＢは同一投影レ
ンズの中央部により焼付けられたものである。つまりマ
ークＡは投影レンズの座標に対応して焼付けられたパタ
ーンであるが、マークＢはレンズ中心部に対応したパタ
ーンであり、従って投影レンズの中心部を基準とすれ
ば、重ね焼きされたマークＡとＢとの位置ずれを各小区
画において計測することにより、当該投影レンズの中心
部を基準としたディストーションを計測することが可能
である。By the above-described exposure sequence, a pattern in which marks are overprinted for all the small sections in FIG. 6 is formed on the wafer. In this case, the mark A in the peripheral portion of the pattern is printed on the peripheral portion of the projection lens 6, while the mark B, which is printed on the peripheral portion of the projection lens 6, is printed on the central portion of the same projection lens. That is, the mark A is a pattern printed according to the coordinates of the projection lens, while the mark B is a pattern corresponding to the center of the lens. By measuring the displacement between A and B in each small section, it is possible to measure the distortion based on the center of the projection lens.

［発明の効果］ 本発明によれば、第１パラメータ群に基づいてレチク
ルパターンの周辺部を含む広い部分をウエハ上のショッ
ト領域に焼き付けると共に、第２パラメータ群に基づい
てレチクルパターンの中央部の限定された狭い部分のみ
を前記ショット領域の複数箇所に重ねて焼き付ける制御
手段を有するため、投影光学系のディストーションを測
定するためのウエハを１枚のレチクルにより自動的に作
成することができる。[Effects of the Invention] According to the present invention, a wide portion including a peripheral portion of a reticle pattern is printed on a shot area on a wafer based on a first parameter group, and a central portion of the reticle pattern is printed based on a second parameter group. Since there is a control unit for printing only a limited narrow portion on a plurality of portions of the shot area, a wafer for measuring the distortion of the projection optical system can be automatically created by one reticle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明の実施例に係る半導体露光装置の概要を
示す斜視図、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の実施
例装置の露光動作シーケンスを示す流れ図、第３図は１
度目のパターン焼付け工程におけるショット領域のウエ
ハ上の配置例を示す平面図、第４図は２度目のパターン
焼付け工程におけるショット小領域のウエハ上の配置例
を示す平面図、第５図はレチクル上のパターンの例を示
す説明図、第６図は２度目のパターン焼付け工程中にお
ける焼付けパターンの途中経過の様子を示す説明図であ
る。 1:照明装置、2:マスキングブレード、3:レチクルステー
ジ、4:レチクル、5:マスキングパターン、6:投影レン
ズ、7:XYステージ、8:ウエハ、9,10:パルスモータ、11:
コントロールボックス、12:モニタディスプレイ、13:キ
ーボード。FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 (a), 2 (b) and 2 (c) are flowcharts showing an exposure operation sequence of the apparatus of the embodiment of the present invention. Figure 1
FIG. 4 is a plan view showing an example of an arrangement of shot areas on a wafer in a second pattern baking step, FIG. 4 is a plan view showing an example of arrangement of small shot areas on a wafer in a second pattern baking step, and FIG. FIG. 6 is an explanatory view showing an intermediate state of a printing pattern during a second pattern printing step. 1: Illumination device, 2: Masking blade, 3: Reticle stage, 4: Reticle, 5: Masking pattern, 6: Projection lens, 7: XY stage, 8: Wafer, 9, 10: Pulse motor, 11:
Control box, 12: monitor display, 13: keyboard.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−129333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−132039（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−165629（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−83032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−183032（ＪＰ，Ａ)Continuation of front page (56) References JP-A-55-129333 (JP, A) JP-A-55-132039 (JP, A) JP-A-55-165629 (JP, A) JP-A-57-83032 (JP) , A) JP-A-57-183032 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】レチクル上のパターンをウエハ上のショッ
ト領域に投影する投影光学系と、前記レチクルに対して
照明範囲を変化させる照明範囲変化手段と、前記投影光
学系に対して前記ウエハを移動させるウエハ移動手段
と、前記照明範囲変化手段を介して前記パターンの周辺
部を含む広い部分を照明し前記広い部分を前記投影光学
系を介して前記ショット領域内に焼き付けるための第１
ジョブで利用される第１パラメータ群と、前記照明範囲
変化手段を介して前記パターンの中央部の限定された狭
い部分のみを照明し前記ウエハ移動手段が前記ウエハを
移動することにより前記狭い部分を前記ショット領域内
の複数箇所に前記投影光学系を介して順に焼き付けるた
めの第２ジョブで利用される第２パラメータ群を記憶す
る記憶手段と、前記ウエハを前記投影光学系のディスト
ーションを測定するのに利用されるテストウエハとする
ために前記第１および第２ジョブの一方の終了後に他方
に切り換えて各ジョブを実行させると共に、前記第１ジ
ョブの実行時には前記第１パラメータ群を利用して前記
照明範囲変化手段の照明範囲と前記ウエハ移動手段の移
動様式を制御し、前記第２ジョブの実行時には前記第２
パラメータ群を利用して前記照明範囲変化手段の照明範
囲と前記ウエハ移動手段の移動様式を制御し、かつ前記
第１ジョブで焼付けられる広い部分と前記第２ジョブで
焼付けられる狭い部分が前記ショット領域内で重なるよ
うに前記ウエハ移動手段を制御する制御手段を有するこ
とを特徴とする半導体露光装置。A projection optical system for projecting a pattern on a reticle onto a shot area on a wafer; an illumination range changing means for changing an illumination range on the reticle; and moving the wafer with respect to the projection optical system. A first part for illuminating a wide portion including a peripheral portion of the pattern via the wafer moving means to be illuminated, and printing the wide portion in the shot area via the projection optical system.
A first parameter group used in a job, and only a limited narrow portion at the center of the pattern is illuminated via the illumination range changing unit, and the wafer moving unit moves the wafer to illuminate the narrow portion. A storage unit for storing a second parameter group used in a second job for sequentially printing a plurality of positions in the shot area via the projection optical system, and measuring the distortion of the projection optical system with the wafer. After one of the first and second jobs is completed, the other is switched to the other to execute each job in order to use the first and second jobs, and the first parameter group is used during execution of the first job. Controlling the illumination range of the illumination range changing unit and the movement mode of the wafer moving unit; and executing the second job when the second job is executed.
The illumination range of the illumination range changing means and the movement mode of the wafer moving means are controlled by using a group of parameters, and a wide portion printed in the first job and a narrow portion printed in the second job are formed in the shot area. A semiconductor exposure apparatus having control means for controlling the wafer moving means so as to overlap each other. 【請求項２】前記制御手段は、前記第２ジョブで焼付け
られる狭い部分が前記ショット領域内で碁盤目状に配列
されるように前記ウエハ移動手段をステップアンドリピ
ート制御することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体露光装置。2. The method according to claim 1, wherein said control means controls said wafer moving means in a step-and-repeat manner such that narrow portions printed in said second job are arranged in a grid pattern in said shot area. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1.
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