JP2610756B2 - 微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 - Google Patents
微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法Info
- Publication number
- JP2610756B2 JP2610756B2 JP4273013A JP27301392A JP2610756B2 JP 2610756 B2 JP2610756 B2 JP 2610756B2 JP 4273013 A JP4273013 A JP 4273013A JP 27301392 A JP27301392 A JP 27301392A JP 2610756 B2 JP2610756 B2 JP 2610756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- brazing material
- foil
- grain size
- alloy brazing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Metal Rolling (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に電子部品などの接
合に用いられるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法に関す
るものである。
合に用いられるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品などの接合用のＡｕ−Ｓｉ合金
ろう材として、これまで通常の造塊鋳造法により溶融合
金を鋳込み、その後複数回の熱間および温間圧延によっ
て製造された箔状のろう材が使用されている。しかしな
がら、従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材は概してろうの流動
性などのろう付け性の点から問題があった。
ろう材として、これまで通常の造塊鋳造法により溶融合
金を鋳込み、その後複数回の熱間および温間圧延によっ
て製造された箔状のろう材が使用されている。しかしな
がら、従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材は概してろうの流動
性などのろう付け性の点から問題があった。
【０００３】一般的に、ろう付け時に問題になるろう材
の流動性などのろう付け性は、ろう材として用いる合金
の結晶粒径と相関が有り、結晶粒径が小さいほど流動性
などのろう付け性は向上すると考えられている。また、
実際にろう材として使用する際、いろいろな形状に加工
することがあり、結晶粒径が小さいほど加工性が優れて
いるので、加工性の点からもろう材の結晶粒径は小さい
ほど有利である。
の流動性などのろう付け性は、ろう材として用いる合金
の結晶粒径と相関が有り、結晶粒径が小さいほど流動性
などのろう付け性は向上すると考えられている。また、
実際にろう材として使用する際、いろいろな形状に加工
することがあり、結晶粒径が小さいほど加工性が優れて
いるので、加工性の点からもろう材の結晶粒径は小さい
ほど有利である。
【０００４】しかしながら、Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材の場
合、製造技術の点からその結晶粒径の微細化には制限が
あった。一般的に、合金の結晶粒径は溶融合金の凝固時
およびその後の冷却における冷却速度に依存し、冷却速
度が大きいほど合金の結晶粒径は小さくなる。しかしな
がら、Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材を製造する際に採用されて
いる造塊鋳造法では凝固時の冷却速度は小さく、そのた
めに合金の結晶粒径を小さくするのは困難であった。さ
らに、箔状にするためには圧延が必要で、従来の造塊鋳
造法で鋳造されたＡｕ−Ｓｉ合金は冷間では圧延が困難
であることから、熱間あるいは温間で圧延しなければな
らなかった。熱間あるいは温間圧延時の加熱によっても
Ａｕ−Ｓｉ合金の結晶粒径は粗大化する。Ａｕ−Ｓｉ合
金ろう材の結晶組織は、マトリックスであるＡｕリッチ
相中にＳｉリッチ相がほぼ均一に分散した組織を示し、
各Ａｕ−Ｓｉ合金間の結晶粒の大きさはＳｉリッチ相の
結晶粒径を用いて比較できる。従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろ
う材はこのＳｉリッチ相の結晶粒径が小さくてもせいぜ
い数μｍであり、前述のように、ろう材として流動性な
どのろう付け性の点から、さらに微細な結晶粒からなる
Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材が求められていた。
合、製造技術の点からその結晶粒径の微細化には制限が
あった。一般的に、合金の結晶粒径は溶融合金の凝固時
およびその後の冷却における冷却速度に依存し、冷却速
度が大きいほど合金の結晶粒径は小さくなる。しかしな
がら、Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材を製造する際に採用されて
いる造塊鋳造法では凝固時の冷却速度は小さく、そのた
めに合金の結晶粒径を小さくするのは困難であった。さ
らに、箔状にするためには圧延が必要で、従来の造塊鋳
造法で鋳造されたＡｕ−Ｓｉ合金は冷間では圧延が困難
であることから、熱間あるいは温間で圧延しなければな
らなかった。熱間あるいは温間圧延時の加熱によっても
Ａｕ−Ｓｉ合金の結晶粒径は粗大化する。Ａｕ−Ｓｉ合
金ろう材の結晶組織は、マトリックスであるＡｕリッチ
相中にＳｉリッチ相がほぼ均一に分散した組織を示し、
各Ａｕ−Ｓｉ合金間の結晶粒の大きさはＳｉリッチ相の
結晶粒径を用いて比較できる。従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろ
う材はこのＳｉリッチ相の結晶粒径が小さくてもせいぜ
い数μｍであり、前述のように、ろう材として流動性な
どのろう付け性の点から、さらに微細な結晶粒からなる
Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材が求められていた。
【０００５】このようなＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の流動性
の改善を目的に、例えば特開昭５４−１０３７６４号公
報では、単ロール法により全体が非晶質あるいは表面層
が非晶質である箔状のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材が提案され
ている。しかしながら、実際には単ロール法により箔状
のＡｕ−Ｓｉ合金は得られるものの、この箔状の合金は
非常に脆く、ろう材として使用するには適していない。
の改善を目的に、例えば特開昭５４−１０３７６４号公
報では、単ロール法により全体が非晶質あるいは表面層
が非晶質である箔状のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材が提案され
ている。しかしながら、実際には単ロール法により箔状
のＡｕ−Ｓｉ合金は得られるものの、この箔状の合金は
非常に脆く、ろう材として使用するには適していない。
【０００６】よって、電子部品用のＡｕ−Ｓｉ合金ろう
材はろうの流動性に問題があるものの、箔状で延性の合
金が提供できることから前述のような造塊鋳造法に加え
て熱間あるいは温間圧延による方法が採用されていた。
材はろうの流動性に問題があるものの、箔状で延性の合
金が提供できることから前述のような造塊鋳造法に加え
て熱間あるいは温間圧延による方法が採用されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ａｕ−Ｓｉ
合金ろう材において、上記したような問題を解消するも
のであり、流動性などのろう付け性に優れたＡｕ−Ｓｉ
合金ろう材の製造方法を提供することを目的とする。
合金ろう材において、上記したような問題を解消するも
のであり、流動性などのろう付け性に優れたＡｕ−Ｓｉ
合金ろう材の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、Ｓｉ
含有量が１０質量（mass）％以下であるＡｕ−Ｓｉ合金
を単ロール法により急冷凝固して非晶質箔とし、さら
に、１００℃以上、融点直下の温度範囲で熱処理するこ
とを特徴とするＳｉリッチ相の平均結晶粒径が１μｍ未
満であるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法である。
に、本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、Ｓｉ
含有量が１０質量（mass）％以下であるＡｕ−Ｓｉ合金
を単ロール法により急冷凝固して非晶質箔とし、さら
に、１００℃以上、融点直下の温度範囲で熱処理するこ
とを特徴とするＳｉリッチ相の平均結晶粒径が１μｍ未
満であるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法である。
【０００９】以下に本発明を詳細に説明する。本発明
は、Ａｕ−Ｓｉ合金を単ロール法により急冷凝固し、さ
らに適切な条件で熱処理することによって、微細な結晶
粒からなる延性に優れた箔状のＡｕ−Ｓｉ合金が得られ
るという新しい知見に基づくものである。この単ロール
法によれば、凝固時およびその後の冷却速度が極めて高
く、Ａｕ−Ｓｉ合金の場合、非晶質相となることは上記
の引用例で示した。しかしながら、本発明者らはこの単
ロール法で製造した箔状のＡｕ−Ｓｉ合金を適切な温度
および時間で熱処理すれば、極めて微細な結晶粒からな
る箔を製造できることを見い出した。このような製造方
法によれば、例えば、Ａｕ−Ｓｉ合金箔のＳｉリッチ相
の結晶粒径は１μｍ未満となり、これまで以上に微細な
結晶粒径からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造が可能で
ある。Ｓｉリッチ相の結晶粒径が１μｍ未満となるよう
に、微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材とする
と、ろう材として良好な流動性が得られ、良好なろう付
け性が得られることがわかった。
は、Ａｕ−Ｓｉ合金を単ロール法により急冷凝固し、さ
らに適切な条件で熱処理することによって、微細な結晶
粒からなる延性に優れた箔状のＡｕ−Ｓｉ合金が得られ
るという新しい知見に基づくものである。この単ロール
法によれば、凝固時およびその後の冷却速度が極めて高
く、Ａｕ−Ｓｉ合金の場合、非晶質相となることは上記
の引用例で示した。しかしながら、本発明者らはこの単
ロール法で製造した箔状のＡｕ−Ｓｉ合金を適切な温度
および時間で熱処理すれば、極めて微細な結晶粒からな
る箔を製造できることを見い出した。このような製造方
法によれば、例えば、Ａｕ−Ｓｉ合金箔のＳｉリッチ相
の結晶粒径は１μｍ未満となり、これまで以上に微細な
結晶粒径からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造が可能で
ある。Ｓｉリッチ相の結晶粒径が１μｍ未満となるよう
に、微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材とする
と、ろう材として良好な流動性が得られ、良好なろう付
け性が得られることがわかった。
【００１０】さらに、単ロール法による箔状のＡｕ−Ｓ
ｉ合金ろう材の製造は、特にＳｉ含有量が１０mass％以
下となると容易になるので、Ｓｉ含有量が１０mass％以
下の場合にこのような微細な結晶粒からなるろう材の提
供がより効果的である。
ｉ合金ろう材の製造は、特にＳｉ含有量が１０mass％以
下となると容易になるので、Ｓｉ含有量が１０mass％以
下の場合にこのような微細な結晶粒からなるろう材の提
供がより効果的である。
【００１１】以下に、微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ
合金ろう材を得る方法について具体的に述べる。すなわ
ち、Ａｕ−Ｓｉ合金を、例えば、高周波誘導溶解などに
より溶解し、銅などの熱伝導率の高い金属からなるロー
ル上に噴出して、箔状のＡｕ−Ｓｉ合金とする。この
時、ロールは表面速度で例えば１０ｍ／ｓ以上の高速で
回転している。得られる箔の板厚はロールの表面速度な
どの製造因子によって制御できるが、例えば１００μｍ
以下とすることが好ましい。箔の板厚が１００μｍを超
えると、箔の板厚精度が不良となり、ろう材としての価
値が低下する。なお、板厚が１００μｍ以下の箔を製造
するための適切な鋳造条件については後記実施例におい
て具体的に述べる。
合金ろう材を得る方法について具体的に述べる。すなわ
ち、Ａｕ−Ｓｉ合金を、例えば、高周波誘導溶解などに
より溶解し、銅などの熱伝導率の高い金属からなるロー
ル上に噴出して、箔状のＡｕ−Ｓｉ合金とする。この
時、ロールは表面速度で例えば１０ｍ／ｓ以上の高速で
回転している。得られる箔の板厚はロールの表面速度な
どの製造因子によって制御できるが、例えば１００μｍ
以下とすることが好ましい。箔の板厚が１００μｍを超
えると、箔の板厚精度が不良となり、ろう材としての価
値が低下する。なお、板厚が１００μｍ以下の箔を製造
するための適切な鋳造条件については後記実施例におい
て具体的に述べる。
【００１２】次に、この箔を適切な条件で熱処理する。
この時、最適な熱処理条件はＡｕ−Ｓｉ合金中のＳｉ含
有量によって異なるが、処理温度の範囲は１００℃以上
から融点直下の温度とする。また、処理時間は数分から
十数時間程度までの範囲とし、処理温度が高いほど短時
間でよい。例えば、Ｓｉ含有量が３．１５mass％の共晶
組成の場合の最適な熱処理条件は、処理温度が１５０℃
〜３６０℃、処理時間が５分〜５時間である。ここで、
Ａｕ−Ｓｉ合金箔の結晶粒径は熱処理条件によって制御
することが可能で、１μｍ未満の範囲内において、熱処
理条件を制御することにより要求される結晶粒径とする
ことができる。なお、各種Ａｕ−Ｓｉ合金についての最
適な熱処理条件については実施例中で具体的に述べてい
る。このような方法で製造されたＡｕ−Ｓｉ合金箔は冷
間圧延も可能であり、箔の板厚精度を向上させる必要が
ある場合は、さらに、冷間圧延を施してもよい。
この時、最適な熱処理条件はＡｕ−Ｓｉ合金中のＳｉ含
有量によって異なるが、処理温度の範囲は１００℃以上
から融点直下の温度とする。また、処理時間は数分から
十数時間程度までの範囲とし、処理温度が高いほど短時
間でよい。例えば、Ｓｉ含有量が３．１５mass％の共晶
組成の場合の最適な熱処理条件は、処理温度が１５０℃
〜３６０℃、処理時間が５分〜５時間である。ここで、
Ａｕ−Ｓｉ合金箔の結晶粒径は熱処理条件によって制御
することが可能で、１μｍ未満の範囲内において、熱処
理条件を制御することにより要求される結晶粒径とする
ことができる。なお、各種Ａｕ−Ｓｉ合金についての最
適な熱処理条件については実施例中で具体的に述べてい
る。このような方法で製造されたＡｕ−Ｓｉ合金箔は冷
間圧延も可能であり、箔の板厚精度を向上させる必要が
ある場合は、さらに、冷間圧延を施してもよい。
【００１３】
【作用】本発明により、微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓ
ｉ合金ろう材の提供が可能になったことから、電子部品
などの接合においてこれまで存在していたろう付け性お
よび加工性における問題を解決できた。すなわち、Ｓｉ
リッチ相の結晶粒径が１μｍ未満となるほどの微細な結
晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材を用いれば、ろう付
け時のろうの流動性がかなり改善され、ろう付けによる
不良発生を抑えることが可能になった。さらに、打き抜
ち加工など加工性も向上し、プリホームタイプのろう付
け材を製造する際においてもその製造歩留をかなり向上
できた。
ｉ合金ろう材の提供が可能になったことから、電子部品
などの接合においてこれまで存在していたろう付け性お
よび加工性における問題を解決できた。すなわち、Ｓｉ
リッチ相の結晶粒径が１μｍ未満となるほどの微細な結
晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材を用いれば、ろう付
け時のろうの流動性がかなり改善され、ろう付けによる
不良発生を抑えることが可能になった。さらに、打き抜
ち加工など加工性も向上し、プリホームタイプのろう付
け材を製造する際においてもその製造歩留をかなり向上
できた。
【００１４】
【実施例】表１に示すような各種のＳｉ含有量からなる
Ａｕ−Ｓｉ合金２００ｇを、単ロール法により板幅が６
mmで板厚がおよそ５０μｍの箔を作製した。単ロール装
置のロールは銅からなり、その直径は３００mmであっ
た。鋳造条件として、ロール表面速度が２０ｍ／ｓ、噴
出圧が０．２kg／cm2 、鋳造雰囲気はヘリウムガス中と
した。次に、得られた箔を適切な条件で熱処理した。そ
れぞれの熱処理条件については表１に示す。
Ａｕ−Ｓｉ合金２００ｇを、単ロール法により板幅が６
mmで板厚がおよそ５０μｍの箔を作製した。単ロール装
置のロールは銅からなり、その直径は３００mmであっ
た。鋳造条件として、ロール表面速度が２０ｍ／ｓ、噴
出圧が０．２kg／cm2 、鋳造雰囲気はヘリウムガス中と
した。次に、得られた箔を適切な条件で熱処理した。そ
れぞれの熱処理条件については表１に示す。
【００１５】このようにして準備したＡｕ−Ｓｉ合金箔
について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてＳｉリ
ッチ相の結晶粒径を調査した。表１には、ＳＥＭ写真か
ら測定した平均結晶粒径を示す。さらに、このＡｕ−Ｓ
ｉ合金箔の溶融時の流動性について評価した。評価の方
法は準備した各種のＡｕ−Ｓｉ合金箔を６mm長さに切断
し、それぞれのサンプルを、表面を銀でメッキした２枚
のコバールの板（１５mm×１５mm）の間の中央部に挿入
し、これを固定したφ１０mmの金属棒の上に乗せ、さら
に上方から同じサイズの棒で押えて５５０ｇの荷重をか
けて固定した。そして、ろう材を挿入した箇所をヒータ
ーで所定の温度まで３０秒かけて昇温し、所定の温度に
達してから３秒間保持した。その後、コバール板を取り
出し、接合部を剥してＡｕ−Ｓｉ合金ろう材がどの程度
広がっていたかを観察した。その結果を表１に併記し
た。
について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてＳｉリ
ッチ相の結晶粒径を調査した。表１には、ＳＥＭ写真か
ら測定した平均結晶粒径を示す。さらに、このＡｕ−Ｓ
ｉ合金箔の溶融時の流動性について評価した。評価の方
法は準備した各種のＡｕ−Ｓｉ合金箔を６mm長さに切断
し、それぞれのサンプルを、表面を銀でメッキした２枚
のコバールの板（１５mm×１５mm）の間の中央部に挿入
し、これを固定したφ１０mmの金属棒の上に乗せ、さら
に上方から同じサイズの棒で押えて５５０ｇの荷重をか
けて固定した。そして、ろう材を挿入した箇所をヒータ
ーで所定の温度まで３０秒かけて昇温し、所定の温度に
達してから３秒間保持した。その後、コバール板を取り
出し、接合部を剥してＡｕ−Ｓｉ合金ろう材がどの程度
広がっていたかを観察した。その結果を表１に併記し
た。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１に示すろう材の流動性評価結果からわ
かるように、本発明によるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材はろう
付け時の溶融合金の流動性が極めて良好であった。
かるように、本発明によるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材はろう
付け時の溶融合金の流動性が極めて良好であった。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によるＡｕ−Ｓｉ
合金ろう材は、従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材に比べてそ
の結晶粒が微細であるので、流動性などのろう付け性が
極めて良好で、電子部品接合部の品質の向上および製造
歩留が著しく向上する。また、Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材の
加工性も良好になることから、プリフォームなどろう付
け前のろう材の成形工程での製造歩留も向上する。さら
に、何度も熱間あるいは温間での圧延を必要としていた
従来の製造方法に比べて、工程が大幅な省工程が可能に
なったことから、極めて安価なＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の
提供が可能になった。
合金ろう材は、従来のＡｕ−Ｓｉ合金ろう材に比べてそ
の結晶粒が微細であるので、流動性などのろう付け性が
極めて良好で、電子部品接合部の品質の向上および製造
歩留が著しく向上する。また、Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材の
加工性も良好になることから、プリフォームなどろう付
け前のろう材の成形工程での製造歩留も向上する。さら
に、何度も熱間あるいは温間での圧延を必要としていた
従来の製造方法に比べて、工程が大幅な省工程が可能に
なったことから、極めて安価なＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の
提供が可能になった。
フロントページの続き (72)発明者 田中 新 福岡県北九州市戸畑区飛幡町１番１号 新日本製鐵株式会社 八幡製鐵所内 (72)発明者 花村 年裕 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新 日本製鐵株式会社 先端技術研究所内 (72)発明者 池松 陽一 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新 日本製鐵株式会社 先端技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−199593（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉ含有量が１０質量（mass）％以下で
あるＡｕ−Ｓｉ合金を単ロール法により急冷凝固して非
晶質箔とし、さらに、１００℃以上、融点直下の温度範
囲で熱処理することを特徴とするＳｉリッチ相の平均結
晶粒径が１μｍ未満であるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273013A JP2610756B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273013A JP2610756B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122091A JPH06122091A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2610756B2 true JP2610756B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17521944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4273013A Expired - Lifetime JP2610756B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610756B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60199593A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-10-09 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 急速凝固されたろう付け用フイラ−メタル |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP4273013A patent/JP2610756B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06122091A (ja) | 1994-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4238248A (en) | Process for preparing low earing aluminum alloy strip on strip casting machine | |
| KR20200039833A (ko) | 마그네슘 합금 시트의 압연 및 준비 방법 | |
| EP0389821B1 (en) | Continuous thin sheet of titanium-aluminium intermetallic compound and process for producing same | |
| EP0460234B1 (en) | Sheet of titanium-aluminum intermetallic compound and process for producing the same | |
| EP0202336B1 (en) | Process for producing a thin plate of a high ferrosilicon alloy | |
| JP2610756B2 (ja) | 微細な結晶粒からなるＡｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 | |
| CN112296606B (zh) | 一种真空离心TiAl金属间化合物板材的制备方法 | |
| JP2610757B2 (ja) | 板厚精度の優れた極薄Ａｕ−Ｓｉ合金ろう材の製造方法 | |
| JP2907566B2 (ja) | Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｉ系合金材の製造方法 | |
| JPS63111172A (ja) | タ−ゲツト材の製造方法 | |
| JP3067894B2 (ja) | 無方向性電磁鋼板用薄鋳片の製造方法 | |
| JP3896431B2 (ja) | 銅または銅合金の製造方法 | |
| JPH06330206A (ja) | 微細な結晶粒からなるＡｕ‐Ｇｅ合金ろう材 | |
| JP2915596B2 (ja) | 極細線の製造方法 | |
| JPH0585630B2 (ja) | ||
| JPH05277656A (ja) | Ｔｉ３ Ａｌ基金属間化合物を含む合金の薄板およびその製造方法 | |
| JPH0333773B2 (ja) | ||
| JP3416999B2 (ja) | 高強度を有するスパッタリング圧延ターゲット材 | |
| JPH06277870A (ja) | 板厚精度の優れた極薄Ａｕ−Ｓｎ合金ろう材 | |
| JP3113893B2 (ja) | 塑性加工用材の製造法並びに塑性加工材の製造法 | |
| JP3355093B2 (ja) | 磁気スケール用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金薄板材の製造方法 | |
| JP3242716B2 (ja) | チタンメガネフレーム用ろう付け方法 | |
| JPH05269554A (ja) | Ｍｎ−Ｎｉ合金板の製造法 | |
| JPS6017047A (ja) | 熱間塑性加工用超硬合金 | |
| JPH0653904B2 (ja) | 高強度を有するＡｌ合金製熱交換器フィン材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961217 |