JP2610206B2 - 不均一触媒を製造するための方法および装置 - Google Patents
不均一触媒を製造するための方法および装置Info
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Description
少なくとも一つの触媒活性種を具備した不均一触媒を製
造するための、請求の範囲第1項のプレアンブル部分に
従う方法に関する。
に前処理される。触媒活性種またはその前駆体を含有す
る触媒試薬は蒸発され、その蒸気は、前記支持体との接
触が行われる反応チャンバ内に充填される。支持体に結
合されない触媒試薬は、気体の形で反応室から排出され
る。必要ならば、支持体に結合された触媒試薬種は、こ
えを触媒活性形に転化するために後処理される。
範囲第15項のプレアンブル部分に従う装置に関する。
られる。
d/アモルファス酸化物超薄層/ZMS−5触媒;Chem.Lett.6
(1986),855−858 6.Asakura,K.及びIwasawa、Y.;二酸化硅素上に付着され
たアモルファス酸化ニオブ単原子層の表面構造および触
媒的性質;Chem.Lett.6(1986),859−862 7.Asakura,K.及びIwasawa,Y.;酸化ニオブ単原子層に支
持されたエタン水素化のためのプラチナ触媒に対する新
規な可逆的増大/抑制現象;Chem.Lett.4(1988),633−
636 8.Asakura,K.,Aoki,M.及びIwasawa,Y.;新規な単原子層Z
rO2/ZMS−5ハイブリッド触媒上における、CH3OHからの
選択的イソペンタン形成;catalysis Lett.1(1988),3
95−404 9.McDaniel,M.P.;フィリップス重合触媒II上におけるCr
(VI)の状態−シリカとCrO2Cl2との間の反応;Journal
of Catalysis 76(1982),17−28 10.米国特許明細書第4,439,543号(1984) 従来、不均一触媒は含侵、析出またはイオン交換の手
段によって、触媒活性化合物を液相から支持体表面に付
着させることにより製造されている。ここで用いられる
出発物質は、公知の溶媒に可溶性の化学的な化合物また
は塩である。最もよく用いられる溶媒は、水および異な
ったアルコール類である。
工程が含まれることである。触媒の製造は、必要な夫々
の工程について非常に正確なコントロールを要する極め
て微妙な方法であることが認識されている。
とに関係している。溶媒は屡々それ自身で支持体と反応
し、表面構造の変化を引き起こす。支持体材料としてゼ
オライトを用いる触媒には特にそうである。該表面の酸
性度は、触媒の活性に決定的な影響を有している。この
酸性度は、酸性部位のタイプ(例えばブレンステッド型
およびルイス型)並びに該酸性部位の数の両者によって
影響を受ける。酸性部位は、例えば異なった熱処理によ
って影響を受け得る。熱処理の後にゼオライトを溶媒、
特に水で処理すると、酸性部位の分布に明確な変化が認
められる。少なくとも幾つかの酸性部位は、次いで可逆
的に異なった形をとる。従って、含侵またはイオン交換
の間に、酸性度をコントロールし得ないことは明らかで
ある。
悪影響を及ぼし得る不純物で屡々汚染される。
の異なった気相プロセスが開発されている。
の温度に加熱し、50℃以下の温度に保持された酸化アル
ミニウム支持体の表面に蒸気を凝縮させる工程を含むプ
ロセスの概略が記述されている。別法として、反応は50
0℃〜600℃の温度で行われ、Re2O7は一部は金属レニウ
ムに分解し、アルミナ上に金属付着を形成する。この文
献の中には、14%のRe2O7を含有する触媒の製造を開示
した例が含まれている。
支持されたクロム触媒の製造方法が記述されている。米
国特許明細書第4,262,102号には、高真空金属蒸発器の
中で1400℃〜1700℃の温度で加熱することにより元素状
クロムを蒸発させ、クロムを気相から小粒子状の冷却支
持体上に昇華させる工程を含む方法が提示されている
[2]。米国特許明細書第4,362,654号および同第4,38
0,616号に記載された方法は、シリカ支持体およびクロ
ム金属片を丸底フラスコ内に収容することと、該フラス
コを排気することと、該フラスコ内においてシリカをマ
グネティックスターラーで攪拌することとを具備してい
る。クロムは熱抵抗線で加熱することによって気化され
る[3及び4]。この場合にもまた、クロムは小粒子状
の支持体表面に付着する。
であり、触媒上で如何にしてカルベン複合体が形成され
るかについては未だ適切な理解は存在しない。
合した金属酸化物の極く薄い層(原子層として知られ
る)を有する異なった触媒を製造した[5−8]。理想
的には、この触媒は1〜3のこれら原子層を有してい
る。参考文献[5]には、ゼオライト(ZMS−5)の外
表面上に、La2O3、TiO2、SiO2、及びNb2O5の超薄層を有す
る触媒の製造が開示されている。参考文献[6]には、
SiO2支持体を有する対応の触媒が記載されている。参考
文献[5]に従えば、SiO2およびTiO2を含有する触媒
は、真空中において、メチルトリエトキシシラン及びチ
タンイソプロポキシドの蒸気を473K(200℃)でZSM−5
表面の水酸基に接触させることによって製造される。同
様にして、473Kで133Paの蒸気圧を有する気化されたZr
四酸化物を、同じ温度でZSM−5と接触させることによ
り、ZrO2/ZSM−5のハイブリッド触媒が製造された。結
合反応を約3回繰り返すことによって、両方の場合にお
いて、支持体の全表面を覆う酸化物の単原子層が得られ
た。
媒は独特の性質を有している。特に、この触媒は良好な
選択性を示す。従って、参考文献[5]に従って製造さ
れたこの触媒は、COおよびH2からのプロパンの選択的な
製造に用いられる。参考文献[6]に記載された触媒
は、エタノールの脱水素化の際に用いられ、この触媒は
Nb2O5の含侵によって製造された触媒よりも更に活性で
あり且つ選択的である。参考文献[8]に記載された触
媒は、メタノールからのイソペンタンの形成を活性化す
る。
徴は、第一に、支持体表面に酸化物薄層が形成されるこ
とである。出発金属化合物は、これがゼオライトの空洞
に適合しないように選択される[5,8]。
(VI)の状態を研究し[9]、また彼はシュトリックレ
ンと共に、シリカに支持されたCO還元ハロゲン化クロム
触媒の製造方法について特許を受けている[10]。選択
された化合物にはCrO2Cl2、CrO2F2及びCrO2FClが含まれ
る。支持体上に出発化合物を付着する前に、支持体の表
面は、支持体上の水酸基を除去するために空気のような
酸化性雰囲気中において400〜1000℃の温度範囲で加熱
された。この酸化処理の後、窒素またはアルゴンガスを
フラッシュすることによって酸素が追い出された。次い
で、常圧及び100〜400℃の温度において、既知量の試薬
(例では、0.5〜4.0mlの塩化クロム)が支持体を通して
充填される窒素ガス流中に注入され、試薬蒸気は支持体
の水酸基と反応された。未反応の試薬蒸気は反応器から
取り出された。
に均一ではない。ゼオライトに関する限り、この材料の
結晶構造も複雑で、直径0.3〜0.7nmの孔開口が含まれて
いる。上記特徴の結果として、該支持体材料の表面は化
学的に均一ではなく、支持体表面に接触する新たな原子
または分子のための異なった原子価の結合部位を多数含
んでいる。上記参考文献[5]〜[10]に記載された従
来方法の何れに従うとしても、試薬として用いられる金
属または金属化合物の結合をコントロールするのは困難
である。
合物の均一分散を達成するのは困難である。
不均一触媒を気相合成するための全く新規な特殊溶液を
提供することを目的とする。
した量で、反応室に蒸気の状態で触媒を運ぶという概念
に基づいている。利用できる表面の結合部位に対して、
過剰の試薬を用いることが好ましい。支持体の温度は、
気体の凝縮温度よりも高く保たれ、活性種またはその前
駆体が支持体上に化学吸着されるように十分高く保たれ
る。言い換えれば、本方法は、活性種またはその前駆体
と支持体表面との間の結合の形成に必要な熱的活性化エ
ネルギーを与えることを目的とする。
載部分で述べられていることによって特徴づけられる。
15の特徴記載部分で述べられていることによって特徴づ
けられる。
れ、その触媒は活性種が小量であってもその活性が高い
ことがわかった。
完全には理解していない。また、我々は、本発明をどん
な特殊な理論にも制限したくない。しかし、本発明の条
件下で、表面の異なった結合部位への活性種の結合が、
支持体の表面原子の構造幾何学および電子分布(表面エ
ネルギー電位)によって決定されることは可能であると
思われる。従って、活性種の化学吸着は表面選択的(su
rface selective)である。
義を用いた。
し、その蒸気は、支持体表面で支持体と共に触媒活性部
位を形成する成分を含有する。使用される触媒試薬は、
不均一触媒を製造するために用いられる従来のどの試薬
も含有することができ、該試薬は気体の形または蒸発可
能な化合物の形である。従って、この試薬には、とりわ
け亜鉛のような元素状の金属、酸化レニウムおよびハロ
ゲン化クロムのような金属化合物、およびMg(thd)2のよ
うな金属錯体が含まれる。
で、該成分は原子、イオン、分子、化学的化合物または
錯体の形である。通常、活性種はイオン、原子または支
持体表面の金属の化合物でできている。
て活性種を与え得る活性種の基本形を意味する。
するためのより大きな表面を持つ固体物質より成る。典
型的には、この支持体の表面積は、BET法で決定される1
0から1000m2/gに達する。支持体は、シリカ(シリカゲ
ル)、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化トリウム
(トリア)、酸化ジルコニウム(ジルコニア)、酸化マ
グネシウム(マグネシア)またはこれらの混合物のよう
な無機酸化物から構成され得る。これらのタイプの支持
体は、本質的には触媒的に不活性である。また用いられ
る支持体は、それ自身が望んだ化学反応を触媒する物質
を含有してもよい。これらの支持体の例としては、天然
または合成ゼオライトがある。この出願の範囲内におい
て、「支持体」の用語は、その表面に触媒活性種を結合
した不活性な支持体をも含むものとして理解されるべき
である。従って、例えば、二元金属触媒が製造されると
き、第一の種は第二の種に対して支持体表面を提供し得
る。
である。
結合が形成されるようにガス状化合物、液体化合物また
は溶解された化合物が固体あるいは液体物質の表面に結
合するか、または付着する過程を言う。
デルワールス力として知られる分子間力による他の物質
の表面でのその物質の物理的な吸着を含む工程である。
意味する。
前処理および後処理を含む3つの基本段階より成る。し
かし、これらは、本発明の基本的解決に関しては必要な
い。
s)は、温度および与えられたそれぞれの段階の継続時
間である。プロセスパラメーターの選択は、実際の支持
体−反応剤の組み合わせによって影響される。
するための試薬、および後処理のための試薬の全てが、
典型的には一度に、蒸気の形で反応室に送られる。蒸気
化された触媒試薬の蒸気圧は充分に高いレベルに維持さ
れる。また、支持体表面と触媒試薬の相互作用の継続時
間は、支持体上の利用できる結合部位に対して、少なく
とも等しい量か、または、好ましくは過剰の試薬が与え
られるように充分延長される。全ての利用可能な表面の
結合部位を満たす原子層または分子層に対して、1.5〜1
000倍過剰の試薬、好ましくは2〜100倍過剰の試薬が通
常用いられる。化学種の単層量は、例えば支持体の表面
および表面の分子構造を基にしたBET法を用いて計算で
きる。
体)が一般的な温度で全てあるいは本質的に全ての利用
可能な結合部位を満たし、表面を飽和するように、反応
の条件が探査される。
ならない。試薬は反応室までのその経路で凝縮されては
ならず、供給管の温度は反応温度に近接して保持される
べきである。
え分解したとしても分解物が凝縮しないように選択され
る。
て高くなる温度勾配が形成される。
間隔を決定することは実験的に可能である。
び所望の表面結合を生じさせるのに必要な活性化エネル
ギーによって決定される。もし凝縮温度が低過ぎるた
め、活性化の閾値を越えるのに必要なエネルギーを試薬
に与えることができないならば、凝縮温度それ自身は適
切な下限ではない。上限は、支持体に吸着される活性種
またはその前駆体が結合部位からの顕著な脱離速度を示
し始める温度、即ち、化学吸着−脱離反応の平衡が脱離
の方に移動するときの温度によって決定される。試薬
は、脱離がまだ充分でない温度で、化学吸着に求められ
る活性化エネルギーを越えるように選択される。ほとん
どの場合、活性化エネルギーおよび脱離エネルギーは知
られていない。従って、適当な反応や温度の選択は実験
によって決定される。
触媒活性成分の結合温度および後処理温度はお互いに異
なっている。しかし、各々の工程段階中に、使用される
各々の試薬に対する限界Tminを越えることが必要であ
る。ときどき、前処理の温度が支持体に結合する活性種
あるいはその前駆体の量に影響を与える。これは例え
ば、クロムがシリカの表面に結合するような場合であ
る。更に引き続いて、結合温度(>Tmin)が支持体に化
学吸着される活性種あるいはその前駆体の量に影響す
る。この現象は、アルミナに支持されたレニウム触媒お
よびシリカに支持された亜鉛触媒の製造で例示すること
ができる。以下の例で明らかなように、この温度は実際
の上限を表わさないが、一般に500℃以下に保たれる。
下、または減圧下で行なえる。本発明の好ましい態様で
は、該プロセスは0.1〜100mbarの範囲の減圧下に行なわ
れる。減圧を用いることによって得られる利益は、反応
室の純度を改善すること、および拡散速度を増加するこ
とである。
下、常圧下、または減圧下で行なうことができる。
浸透することによって影響される。支持体粒子間の気体
拡散は、細孔の内部への拡散に比べて非常に早い過程よ
り成る。反応時間は、活性成分を含む蒸気を支持体の結
合部位と相互作用させ、表面の所望の飽和を与えるため
に充分長く保たれる。行なわれた実験では、反応時間は
0.5〜25時間の範囲で選択できるという結果が示され
た。通常、所望の目標を達成するには、1〜4時間で充
分である。
定することは実質的には不可能であるから、上述したプ
ロセスパラメーターは、実験的に決定されなければなら
ない。殆ど全ての結合種は非常に接近した表面領域に影
響を及ぼして該領域を変化させ表面電位を変化する原因
となる。
徴づけられる。
は異なっている。従って、蒸気相の触媒活性物質の原子
または分子は、同じ通常の条件下で、異なった支持体と
非常に異なった仕方で反応する。従って、支持体の前処
理段階が重要となる。前処理は、支持体に結合し得る触
媒活性成分に所望の結合部位を提供することを目的とす
る。
支持体を処理すること、またはこれらの2つの操作の組
み合わせとして行なわれる。
れるのと同じ温度に支持体の温度を上昇することが含ま
れる。この場合、温度が与えれた時間範囲に渡って一定
の速度で上昇されることが好ましい。
上の温度か、または該温度よりも低い温度の選択された
前処理温度で、通常は1分から100時間、好ましくは約
2から30時間加熱され得る。適切な温度は、支持体、結
合する触媒活性種および選択された結合温度に依存す
る。実際の反応段階において、安定で再限可能な表面状
態が、反応温度よりも高い前処理温度によって、高い確
率で導かれる。しかし、前処理温度が高すぎると、望ん
だ支持体の表面構造が変化する。温度が低すぎると、表
面に物理的に吸着された物質のうちの不要な分子を効率
的に取り除くことが不可能となる。
を形成させるために水(スチーム)のような化学物質で
処理されるか、あるいは、水酸基を取り除くために脱水
剤と処理される。支持体はまた、マグネシウム化合物ま
たはチタン化合物のような揮発性の金属化合物と処理さ
れる。
即ち、スチームのような化学物質に表面を連続的に接触
させながら、支持体を望んだ温度に加熱したり、または
望んだ温度を維持することは可能である。従って、本発
明の一つの態様に従えば、支持体は吸着した水を取り除
くために高温で処理される。この後、支持体の温度はお
そらく変化され、スチームが表面で相互作用され、次い
で、この表面上で新しいヒドロキシル分子(hydroxyl m
olecules)の化学吸着が起こり得る。従って、最終的に
反応は同じ温度または他の温度のどちらかで行なわれ
る。
前駆体種)を含む蒸気と接触および相互作用される。こ
の成分は、使用可能な表面結合部位を選択的に満たすこ
とによって表面と結合する。上述したように、温度と工
程の継続時間は、活性化条件および結合成分を含む蒸気
の特性を考慮しながら各々の支持体物質に対して実験的
に決定される。
果として支持体に結合される。多重種触媒では、結合の
順序を変えると異なった種類の触媒となる。
された見本を後処理に付すことができる。例えば、後処
理には一般に、触媒が少なくとも結合温度以上の所望の
温度に加熱される加熱処理が含まれ得る。触媒の活性部
位の酸化の程度が変化されるべきであるとき、加熱処理
は酸化条件または還元条件で行なわれる。触媒を熱処理
する間に、原子は、結合環境を変更する蒸気、例えばス
チームと接触され得る。例えば、触媒活性種の前駆体が
支持体表面に堆積した試薬分子であり、その一部が結合
後に取り除かれなければならないとき、この変更が必要
になるであろう。従って、実験を続けるために、塩素原
子はしばしば触媒の活性に有害であり、該塩素原子はス
チームまたは硫化水素処理によって除かれる。
応において選択されるような方法で上述した方法を繰り
返すことによって、触媒の性質を変更するために、単一
または幾つかの種を更に加えることができる。このプロ
セス段階は、所望の量の新規な種のために繰り返すこと
ができ、その間に熱処理および/または化学処理を行な
うことは任意である。
ば、クロム−チタン/シリカ触媒およびレニウム/アル
ミナ触媒の場合に、以前に文献で報告されているよりも
低い金属充填(metal loading)で触媒が活性化される
ことが見い出される。これは、溶液から製造された触媒
中よりも、金属が均等に分散されることを意味する。製
造中に金属の結合をコントロールする能力が改善され
る。幾つかの金属を結合することは溶液から結合するよ
りも容易である。この金属は容易に得られる必要なリガ
ンドを用いて、同じ支持体に異なった化合物の形で結合
し得る。試薬に由来する不純物は減少する。幾つかの場
合、本方法の温度は低下する。
構造を呈する不均一触媒が製造され得る。オイルを精製
するのに用いられる触媒、メタセシス(metathesis)触
媒および重合触媒が例として挙げられる。以下の議論に
おいて、主な触媒群は、ゼオライトに支持された亜鉛、
アルミナに支持されたレニウムおよびシリカに支持され
たクロムである。しかし、他の新規な金属触媒および遷
移金属触媒を製造することも可能である。
e)の助けを借りて本発明を検証する。なお、ここでの
記述は本発明の幾つかの好ましい態様のみに関すること
に留意されるべきであり、本発明の範囲内で他のかなり
の態様が考えられる。
能なリアクターのデザインを断面図で示したものであ
る。
結合温度の関数として描いたものである。
へのクロムの結合に関して記述したものである。
して図示したものである。
技術の触媒と比較して図示したものである。
リアクター本体1および前記リアクター本体内にぴった
りはめ込まれた反応室4からなる。反応室中にサンプル
6、即ち支持体物質用のコンテナ5がある。リアクター
本体1中には、反応室4を含む端に、サンプルコンテナ
5を有する反応室を交換するための取り入れ/取り出し
カバー3がある。リアクター本体1を密閉して封をする
ために、カバー3には環状密閉リング(annular sealin
g ring)のような適切な目張りがされる。熱源7、8、
9が、リアクターの異なった部分に必要な温度を供給す
るためにリアクター本体の周りに取付けられている。熱
源7、8、9は例えば熱抵抗でできている。
ギュレーターによってコントロールされながら、保護用
の気体、典型的には窒素および/またはアルゴンが供給
管10を通して反応室4に供給される。減圧にするため
に、反応室4は吸引管25によって真空ポンプ24に接続さ
れる。この真空ポンプは、真空パイプ11を通してリアク
ター本体1で限定されたガス空間にも接続されている。
用いられる真空ポンプは従来の膜ポンプまたはピストン
ポンプのタイプである。必要であれば、蒸気を凝縮して
集めるために、液体窒素トラップがポンプ24と空にされ
る空間の間に取付けられる。
ある。これらを通して反応室4に気化した触媒試薬を供
給することができる。供給管12は、ガスソースに接続さ
れており、試薬を運搬するガスは矢印で示した点でこの
管に供給される。ガスの流量は、レギュレーター17でコ
ントロールされる。容器16(後に熱源ともいう)は、常
温では固体または液体である試薬のために用いられる。
試薬は、ヒーター8および9で所望の気化温度に熱する
ことによって気化される。レギュレーター17を用いてガ
ス流量を調節することにより、熱源で生成された試薬蒸
気の反応室4への流量をコントロールすることができ
る。
給するのに用いられる2つのガスソース14および15に接
続されている。高圧にされた試薬は、ガスソース14(こ
れは具体的にはガスシリンダーである)からバルブ18を
通して供給管13に供給される。ガスソース15は、反応室
に比べて幾分低い蒸気圧を持つ試薬に用いられる。これ
らの試薬は、通常は室温で液体である。レギユレータ
ー、例えばバルブ19、20、21はガスソース15から供給管
13への試薬の流量を調節する。供給管13は、レギユレー
ター21の前の、矢印で示されたところ(パイプセクショ
ン26)で輸送ガスソースに接続されている。ガスソース
14および15から試薬を供給するのに用いられる輸送ガス
は、好ましくは窒素および/またはアルゴンのような不
活性ガスである。
5、または16から供給される。
通して回収されたサンプルから揮発性の反応生成物を分
析するための質量分析計22を含む。この質量分析計はま
た、プレポンプおよび高圧ポンプを含む2つの部分から
成るポンプ装置を具備する。
ナ5に置く。実施例における操作のスケールは小さく、
3から10gの範囲で量った試料が通常使用される。液体
または固体試薬はコンテナ16に置かれる。その後、減圧
源24によって反応室5を減圧にしながら、低い流量(レ
ギユレーター28および21でコントロールされる)で供給
管10および供給管13を通して保護ガスを供給することに
よって、リアクター本体1および反応室4が排気され
る。目標は、数ミリバール、例えば3から10mbarの量と
なる圧力を達成することである。
たように、熱処理は種々の加熱時間および温度を用いて
行なわれる。温度は、加熱時間が約10〜30分であれば、
通常約200〜約500℃の範囲である。この間、コンテナ16
中の試薬は通常加熱されない。
ス14、15および16から供給される。したがって、例え
ば、開放されたソース15を通して(バルブ21は閉じられ
ておりバルブ20および19は開放されている)保護/輸送
ガス流を送ることによって、スチームがソース15から導
かれる。
ター9によって所望の温度まで増加させる。ヒーター8
を用いることによって、熱源16と反応室4の間に、反応
室4の温度が熱源16の温度よりも高くなるような上昇す
る温度勾配が可能となる。
応剤蒸気を反応室4に供給する。反応剤は、表面結合部
位の数によって要求されるよりも多い量で計量される。
拡散し、余分のガスは真空ポンプ24によって経路25を通
って吸引される。反応室4から流れるガス気流の一部
は、バルブ27を通してその成分を分析をするために質量
分析計に導かれる。
14および15から供給される。室温でガス状の試薬は、好
ましくはガスシリンダー14から供給される。また液体試
薬は液体コンテナ15から供給される。供給管13を通して
流れる試薬はヒーター8および9で所望の温度に加熱さ
れる。供給管の温度は常に試薬の凝縮温度より高く保た
れる。
続けられる。次に試薬の供給を停止する。温度と圧力は
平常(STP)に戻される。必要であれば、触媒は保護ガ
スの雰囲気で装置から取り除かれる。
シリカの混合物から成る。
化テトラプロピルアンモニウム、100gのナトリウムアル
ミネート、2760gのシリカゲル(ludox)、114gの水酸化
ナトリウム、および18500gの水がオートクレーブに移さ
れ、温度を165℃に上げ、化学物質を144時間反応させ
た。次に混合物を急速に冷却し、その後、生成物を回収
して、150Lの水で洗浄した。得られた生成物を24時間12
0℃で乾燥し、15時間540℃でか焼した。ナトリウムを含
んだゼオライトを5%w/wの硝酸アンモニウム溶液でイ
オン交換した。イオン交換された生成物は24時間120℃
で乾燥された。次に、このゼオライトを54℃で15時間か
焼した。
き、100gのゼオライト、100mlのシリカゲル(Ludox AS
−40)および10mlの水をモルタル状に混合し、ケーキを
作製して、115℃で12時間乾燥し、粉末にして、2時間5
40℃でか焼した。
市販のグレードであった。支持体物質のほとんどの重要
なデータは表1に与えられている。
l2)、クロミウムクロリド(CrO2Cl2)、レニウムヘプ
タオキシド(Re2O7)、塩化アルミニウム(AlCl3)、塩
化チタン(TiCl4)、およびマグネシウムジピバロイル
−メタン[Mg(thd)2]。こららの物質は最後の一つを除
いて市販のグレードであった。ここで最後のものはHamm
on,G.S.el al.Inorg Chem 2(1963),p.73の報告で
示されているように合成した。金属亜鉛の表面は、使用
する前に表面層を取り除くために塩酸で処理した。それ
以外では、試薬は前処理をしなかった。
(Al、Ti、Cr、Zn)、蛍光スペクトル法(Zn)、ポーラ
ロメトリック滴定(Cl)、または中性子活性化分析(R
e)によって決定された。X−線誘導光電子スペクトル
法(XPSまたはESCA)およびX−線解折分析(XRD)が触
媒表面の金属を評価するのに用いられた。
する。更に、表面に結合した金属の量に関する反応温度
の影響が実験中に考慮された。
することによって製造される。2から10gの間で計量さ
れた支持体物質のロットは、反応室のサンプル容器に置
かれ、ここで2から5mbarの圧力の窒素気流中430〜465
℃で加熱処理された。前処理時間は2から24時間であっ
た。
気が反応室に送られた。各々の試験の間、反応室の温度
はゼオライト表面への亜鉛の凝縮を防止するために約43
0℃に維持された。亜鉛蒸気は1から4時間ゼオライト
と反応させた。
った。
で処理した。元素状の硫黄は熱源に置かれ、そこから蒸
発した硫黄蒸気をZn/ゼオライト触媒と465℃で反応し
た。
る。この図は2時間の前加熱後に得られた結果のみを示
す。24時間まで前加熱の期間を延長しても、これ以上の
範囲まで亜鉛の結合は増加しなかった。亜鉛原子とSiO2
+Al2O3原子に比の対数が図2に対して計算された。触
媒のZnの濃度はゼオライトの重量単位当たりのZn原子の
量を与えることで測定された。ゼオライトの公知のBET
表面から表面分子の数が計算される。対照として、表面
(1層、ML)を完全に覆っている原子または分子層のZn
原子またはZnO分子の数が計算された。 亜鉛の結合
は、吸着、化学結合の形成、および脱離によって影響さ
れる。図2は、温度の低下および亜鉛の蒸気圧の低下で
表面に結合する亜鉛の量が減少することを示している。
亜鉛の結合はまた、温度が500℃以上に上昇すると減少
する。これは多分、亜鉛の脱離が500℃以下の結合温度
でよりも速いという事実による。この場合、本発明に従
った方法の最大温度は約500℃である。
低い(例えば0.1mbar以下)とき、より揮発性の金属化
合物または有機金属化合物が使用される。
て製造された。結合温度は355℃から455℃の範囲であっ
た。スチーム処理が触媒上に残る塩化物イオンの量を減
少させるのに効果的である。スチーム処理の代わりに、
例えば硫化水素がよく用いられる。
を持って与えられる。
の結合を表わしたものである。
ンを芳香族化合物(aromates)に変換するための触媒、
および芳香族化合物の選択性に対する触媒を試験するこ
とによって評価した。試験は常圧および450〜500℃の範
囲の温度で、ミクロ反応容器中で行なわれた。反応容器
に充填された触媒一回分の量は5.0gであり、反応容器へ
のn−ブタンの充填速度は5g/hであった。反応は、450
℃の一定温度でそれぞれ5時間行った後にサンプルを採
取してガスクロマトグラフィーの助けを借りて追跡し
た。
鉛触媒以外では、3つの触媒が分析された。2つの触媒
が430℃で製造され、3番目の触媒は470℃で製造され
た。触媒は0.66、0.65、および1.07%w/wの亜鉛をそれ
ぞれ含んでいた。最初の触媒の支持体は結合反応の前に
500℃で2時間前処理された。比較用の触媒は含侵技術
によって製造された。これには各gのH−ZSM−ゼオラ
イト/シリカ支持体へ0.5mlの硝酸亜鉛溶液を含侵させ
ることが含まれる。前記触媒は115℃で12時間乾燥し、
引き続いて540℃で4時間か焼した。含侵によって製造
された触媒は0.15および1.4%w/wの亜鉛をそれぞれ含ん
でいた。
触媒は、少なくとも等しいレベルの芳香族化合物への選
択性を有し、比較用触媒で得られた変換率と等しいか、
または高い変換率を達成した。変換および芳香族化合物
の選択性は工業的に応用できるレベルである。
テンとブテンへの不均化を触媒するのに用いることがで
きる良く知られたメタセシス触媒である。本発明で概説
した方法に従って、レニウムがレニウムヘプタオキシド
から常温で固体物質であるγ−アルミナ表面へ結合され
た。
造された。Re2O7(Aldrich Chemicals Co.,純度99.9
%)を160℃に加熱することによってRe2O7を気化した。
支持体の前加熱およびレニウムの結合は3mbarの窒素圧
下で行なわれた。反応温度は、上昇する温度勾配が熱源
から反応室に向けて形成されるようにして175〜360℃に
保たれた。レニウムヘプタオキシドの蒸気は225分間支
持体に接触させた。製造された触媒のレニウム含量が決
定された。表3に前処理と反応温度を示した。
ウムの量を減少させることを示している。最大量のレニ
ウムがどんな熱前処理もしないときに結合される。
添加の影響を調査するために更に試験を行なった。初め
にアルミナを475℃で18時間加熱し、次いで240℃に冷却
して、引き続き75℃から85℃の範囲の温度で気化された
Mg(thd)2の蒸気と接触させた。この触媒、0.36%のレニ
ウムがレニウムペンタオキシドから支持体に結合され
た。マグネシウムジピバロイルメタンを使用しない対照
試験では、レニウムの含量は0.12%であった。従って、
支持体に結合されたReの量はMg(thd)2処理によって3倍
になった。
つ従来のReメタセシス触媒に比べて、全ての試験におい
てむしろ小さかった(<0.65%)。製造された触媒の活
性はプロペンの転化を基準にして評価した。重量を基準
として、Reの活性は少なくとも従来の触媒の活性と同じ
であり、更に幾つかの場合にはより高い活性であるとい
う結果が示された。従って、触媒4.2の場合、Reの重量
単位当たりのプロペンの転化は6%を越える程度に高
く、触媒4.8の場合には更に15%を越えた。
重合触媒である。以下の例は、本発明に従った方法で前
加熱および反応温度がどのようにクロムの結合に影響す
るかをより詳細に示すだろう。
いられた。4から5.5gの量のシリカ支持体(Crosfield
Catalysts EP 10シリカゲル)を3から4mbarの圧力で1
7から20時間、窒素ガス雰囲気下に100℃から360℃で前
加熱した。前加熱の後、温度は実際の工程の温度に調節
された。塩化クロミルを蒸発し、175、270、および365
℃の温度でシリカと反応させた。反応時間は1.5時間以
上、典型的には2.5時間であった。
は1gのシリカ当たり約0.16gのクロムを含むと計算され
た。これはほぼ0.003molのクロムのモル含量に相当す
る。試験に使用された試薬は、支持体上の有効な結合部
位を約30から70倍上回った。
熱が結合部位の数を決定する。塩化クロミル分子は1ま
たは2個の水酸基と結合し1または2個のHCl分子をそ
れぞれ遊離する。最も高いクロム濃度は270℃の前加熱
の後に見い出される。150から330℃の間の塩化クロミル
の反応温度はクロムの濃度に主な影響を示さなかった。
ている。
いる。図2と同様の方法で、触媒活性金属と支持体物質
との比を計算した。この図には、単層の形でシリカ表面
を覆うクロムおよび酸化クロムの個々の量の指標も含ま
れている。前加熱温度が480℃より上げられると、反応
温度が175、270、または360℃であってもCrの濃度は0.0
2%以下になる。
℃の温度で、好ましくは600から800℃の範囲の温度で行
なわれるということは注目に値する。
シリカ触媒 この例では、例5で製造された触媒への第二の触媒活
性金属の結合が詳細に調査された。表5にはこれらの試
験の操作条件のまとめが含まれている。
持体が75分間360℃で処理された。この後、塩化クロミ
ルが添加された。反応が完結したとき、新たな水蒸気
(スチーム)処理が270℃で行なわれ、次いで、同じ反
応空間中へ同じ温度で184分間、支持体の単位重量
(g)当たり0.13モルの塩化チタン(TiCl4)を充填し
た。最後に、更にスチーム処理を75分間行なった。
分間塩化チタン(支持体1g当たり5mmol)と反応させ
た。反応室に塩化クロミルを充填する前に、水蒸気処理
を同じ温度で15分間行なった。
明したように製造した。これによって製造された生成物
を270℃で8.3分間塩化チタンと反応した。用いられた塩
化チタンの量は支持体1g当たり9.5mmolのTiに対応す
る。
150分間塩化アルミニウム(AlCl3)と反応した。アルミ
ニウムの量は支持体の単位重量(g)当たり2.4mmolのA
lに対応する。次に、スチームを75分間反応室に充填し
た。塩化クロミルを例5で説明したように加えた。
から6.2%w/wのチタンおよび0.49%w/wのアルミニウム
を含んでいた。
中で液化し、最初に200から250℃で加熱した。この温度
で触媒を4時間保持し、その後、上昇させた温度(580
〜780℃)で約5時間か焼することによって最終的に活
性化した。か焼された物質は300℃に冷却され、空気の
雰囲気を酸素フリーの窒素雰囲気で置き換えた。
した。反応温度は105℃で、全圧は4000kPaであった。重
合工程の炭化水素の希釈剤はイソブタンであった。結果
を以下の表5に示す。
合でさえ非常に高い活性を示した。
0]に記載されている触媒と比較した。結果を図6に示
した。
−軸は、1時間ごとを基準にした、触媒1g当たりに生成
されるポリエチレンの量を表わす。X−軸に対して45°
の角度で引かれた線は、触媒上のクロムの重量に関して
1時間当たりに形成されるポリエチレンの量を表わす。
1%のクロムを含有する。
もので、本発明のCr触媒が、より低いCrの充填量で従来
技術の最も良い触媒と同じぐらい高い活性を達成したこ
とを示している。同時に、公知の触媒は別工程での還元
処理(separate reducing treatment)に付されている
ことに注意すべきである。クロムの量を基にした触媒活
性の計算から、本発明に従って製造された触媒は、従来
技術の触媒よりもかなり活性である。チタンの添加は、
Cr+Ti触媒の活性を増加する。触媒は反応後に生成物中
に保持されるので、クロムの量の減少は本発明に従って
製造された触媒に種々の付加的な利益を与えるだろう。
Claims (20)
- 【請求項1】支持体物質の表面に結合した少なくとも一
つの触媒活性種を有する不均一触媒を製造する方法であ
って、 (A)前記不均一触媒に存在すべき前記触媒活性種の量
を選択する工程と、 (B)前記支持体物質の表面を前処理して、前記工程
(A)に記載した不均一触媒中に存在すべき触媒活性種
の量に対応する多くの結合部位を生じさせる工程と、 (C)前記触媒活性種を含む試薬、または前記触媒活性
種の前駆体を含む試薬を気化して、蒸気を形成する工程
と、 (D)該蒸気を、前記支持体物質が前記気化された試薬
の凝縮温度よりも高い温度に保たれた反応室に導入し、
前記気化された試薬を前記支持体物質に接触させること
により、前記気化された試薬中の触媒活性種または触媒
活性種の前駆体の少なくとも一部を、前記支持体物質に
結合させる工程と、 但し、前記反応室が少なくとも前記支持体物質の利用可
能な結合部位の数に等しい量の触媒活性種または触媒活
性種の前駆体を含むように、前記反応室における前記気
化された試薬の蒸気圧は十分に高く、また該気化された
試薬と前記支持体物質との接触の継続時間は十分に長
く; 前記触媒活性種または前記触媒活性種の前駆体の化学吸
着が生じるように、前記支持体物質の温度は十分に高
く; 前記支持体の表面結合部位の少なくとも実質的な部分が
触媒活性種または触媒活性種の前駆体によって占めら
れ、一般的な温度で前記支持体物質の表面結合部位が飽
和されるように、前記支持体物質と前記気化された試薬
との間の接触時間は十分に長い; (E)前記支持体物質に結合されなかった前記触媒活性
種または触媒活性種の前駆体を含む、気化された試薬を
除去する工程とを具備した方法。 - 【請求項2】請求項1に記載の方法であって、前記触媒
活性種の前駆体を含む試薬を用いる場合には、更に、 (F)前記支持体に結合した触媒活性種の前駆体を後処
理して、これを触媒活性な形に変換する工程を具備する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項3】請求項1または2に記載の方法であって、
前記支持体物質の利用可能な結合部位との関係で過剰量
の前記試薬を供給することを特徴とする方法。 - 【請求項4】請求項1〜3の何れか1項に記載の方法で
あって、触媒活性種が支持体から実質的に遊離し始める
温度以下の温度を維持することを特徴とする方法。 - 【請求項5】請求項1〜4の何れか1項に記載の方法で
あって、別の空間で前記試薬を気化させることと、前記
空間と前記反応室との間で徐々に増大する温度勾配を形
成することを特徴とする方法。 - 【請求項6】請求項1〜5の何れか1項に記載の方法で
あって、前記支持体物質を加熱によって前処理すること
を特徴とする方法。 - 【請求項7】請求項6に記載の方法であって、前記支持
体物質を、加熱処理だけでなく、スチームまたは脱水剤
のような化学的な方法で処理することを特徴とする方
法。 - 【請求項8】請求項6に記載の方法であって、前記支持
体物質の前処理と実際の反応とを、同じ反応室で行うこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項9】請求項1に記載の方法であって、減圧下、
より具体的には0.1〜100mbarの範囲の圧力下において、
実際の反応を行うことを特徴とする方法。 - 【請求項10】請求項2に記載の方法であって、酸化ま
たは還元条件で熱処理することによって、触媒活性部位
の酸化状態を変化させることを特徴とする方法。 - 【請求項11】請求項2に記載の方法であって、前記触
媒活性物質の前駆体と前記支持体物質とからなる複合材
を、触媒原子の結合環境を変化させる蒸気に接触させる
ことによって後処理することを特徴とする方法。 - 【請求項12】請求項11に記載の方法であって、前記蒸
気として水蒸気を用いることを特徴とする方法。 - 【請求項13】請求項1〜12の何れか1項に記載の方法
であって、少なくとも1種の追加の触媒活性化合物のた
めに、少なくとも1回、請求項1〜12の何れか1項に記
載の工程を繰り返すことを特徴とする方法。 - 【請求項14】請求項1〜13の何れか1項に記載の方法
であって、各工程における温度を、使用する夫々の触媒
活性化合物の凝縮温度よりも高い温度に維持することを
特徴とする方法。 - 【請求項15】少なくとも1種の触媒活性化合物および
支持体物質を含有する不均一触媒を製造するための装置
であって、 ・リアクター本体(1)と、 ・支持体物質(6)を保持するために、リアクター本体
内にぴったり取り付けられた気密性の反応室(4)と、 ・リアクター本体(1)および反応室(4)において所
望の温度を達成するために、リアクター本体(19)の周
りに配置されたヒーター(7、8、9)と、 ・反応室内部に保護ガスの雰囲気を達成するために、反
応室(4)に接続された導入管(12、13)および排気管
(25)と、 ・反応室空間(4)に触媒活性化合物を導入するため
に、反応室(4)に接続されたガス状試薬供給源(14、
15、16)と、 ・過剰の未反応ガス状試薬を回収する手段と を具備した装置において、 ・ガス状試薬供給源(14、15、16)が不活性ガス導入管
(12、13)に接続されていることと、 ・管の中を流れる物質がヒータ(7、8、9)によって
所望の反応温度に加熱され得るように、該導入管(12、
13)が少なくとも部分的にリアクター本体内に配置され
ていることと を特徴とする装置。 - 【請求項16】請求項15に記載の装置であって、ヒータ
(7、8、9)が、試薬の導入方向に沿って増大する温
度勾配を形成するように調節されていることを特徴とす
る装置。 - 【請求項17】請求項15に記載の装置であって、未反応
試薬を回収する手段が、不活性ガスの排気管(25)を具
備することを特徴とする装置。 - 【請求項18】請求項15に記載の装置であって、少なく
とも一つのガス供給源が導入管(12)内にぴったりと取
り付けられた開放容器(16)を具備し、該容器内に個体
状態で出発物質がおかれ、そこから出発物質がヒーター
(9)によって気化され得ることを特徴とする装置。 - 【請求項19】請求項15に記載の装置であって、少なく
とも一つのガス供給源が、液体の出発化合物源(14)を
具備することを特徴とする装置。 - 【請求項20】請求項15に記載の装置であって、少なく
とも一つのガス供給源が、ガス状の出発化合物源(15)
を具備することを特徴とする装置。
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