JP2605186Y2 - 温度補償型水晶発振器 - Google Patents
温度補償型水晶発振器Info
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- JP2605186Y2 JP2605186Y2 JP1993014888U JP1488893U JP2605186Y2 JP 2605186 Y2 JP2605186 Y2 JP 2605186Y2 JP 1993014888 U JP1993014888 U JP 1993014888U JP 1488893 U JP1488893 U JP 1488893U JP 2605186 Y2 JP2605186 Y2 JP 2605186Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、通信機器に使用される
温度補償型水晶発振器に関するものである。
温度補償型水晶発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】温度補償型水晶発振器は、通信機器、特
に携帯用電話、車載用電話などの基準発振源などに広く
使用されており、温度変化による発振周波数の変動に起
因する通信の断線・混線などを防止するために、温度に
対して安定した発振周波数、例えばΔｆ／ｆ値が±１．
５ｐｐｍが維持できることが重要となっている。
に携帯用電話、車載用電話などの基準発振源などに広く
使用されており、温度変化による発振周波数の変動に起
因する通信の断線・混線などを防止するために、温度に
対して安定した発振周波数、例えばΔｆ／ｆ値が±１．
５ｐｐｍが維持できることが重要となっている。
【０００３】水晶振動子には、各水晶振動子の固有の温
度特性を有しており、この温度特性を補償しなくては、
上述のようにΔｆ／ｆ値を概略平坦化することができな
い。このような水晶振動子の温度特性を補償する方法と
しては、従来より、図１に示すサーミスタ、抵抗、コン
デンサから成る高温領域及び低温領域の温度補償回路部
を、水晶振動子に接続する方法（サーミスタ補償）（特
公昭６４−１９６９、実公平４−１６４９０）が知られ
ている。
度特性を有しており、この温度特性を補償しなくては、
上述のようにΔｆ／ｆ値を概略平坦化することができな
い。このような水晶振動子の温度特性を補償する方法と
しては、従来より、図１に示すサーミスタ、抵抗、コン
デンサから成る高温領域及び低温領域の温度補償回路部
を、水晶振動子に接続する方法（サーミスタ補償）（特
公昭６４−１９６９、実公平４−１６４９０）が知られ
ている。
【０００４】上述のサーミスタ補償可能な水晶振動子と
しては、高温側、例えば＋８０℃で０〜２０ｐｐｍ、低
温側、例えば−３０℃で−２０〜０ｐｐｍの温度特性を
有する水晶振動子に限定されていた。
しては、高温側、例えば＋８０℃で０〜２０ｐｐｍ、低
温側、例えば−３０℃で−２０〜０ｐｐｍの温度特性を
有する水晶振動子に限定されていた。
【０００５】上述の温度補償型水晶発振器において、高
温領域温度補償回路部１、低温領域温度補償回路部２を
水晶振動子Ｘと発振回路３との間に直列的に接続するこ
とにより、サーミスタとコンデンサとの合成リアクタン
スが温度と共に変化することを利用して水晶振動子Ｘの
温度特性を補償するものであった。
温領域温度補償回路部１、低温領域温度補償回路部２を
水晶振動子Ｘと発振回路３との間に直列的に接続するこ
とにより、サーミスタとコンデンサとの合成リアクタン
スが温度と共に変化することを利用して水晶振動子Ｘの
温度特性を補償するものであった。
【０００６】このような発振器に使用される水晶振動子
は、同一水晶塊から切り出したものであっても、その切
断方位によって、異なる温度特性を示すため、実際に
は、温度補償回路部を構成する抵抗に温度補償感度を調
整することができる機能が必要であった。
は、同一水晶塊から切り出したものであっても、その切
断方位によって、異なる温度特性を示すため、実際に
は、温度補償回路部を構成する抵抗に温度補償感度を調
整することができる機能が必要であった。
【０００７】また、水晶振動子の温度特性以外に、初期
発振周波数が各水晶振動子で異なるものであり、所定温
度補償回路部で温度補償可能な発振周波数に調整する必
要がある。具体的には、コンデンサＣ3 、トリマーコン
デンサＣｔからなる並列接続された周波数調整回路で、
その発振周波数の調整を行なっていた。
発振周波数が各水晶振動子で異なるものであり、所定温
度補償回路部で温度補償可能な発振周波数に調整する必
要がある。具体的には、コンデンサＣ3 、トリマーコン
デンサＣｔからなる並列接続された周波数調整回路で、
その発振周波数の調整を行なっていた。
【０００８】このような温度補償型水晶発振器の回路定
数を決定するには、まず、水晶振動子の例えば−３０℃
での温度特性を測定し、抵抗Ｒ2 を可変し、２５℃に対
する周波数変化率が０又は最低になる抵抗値を設定す
る。それによって設定されたＲ2 の抵抗値を１８００Ω
とする。次に、そのＲ2 で低温領域温度補償回路部２を
組み立て、続いて＋８０℃での温度特性を測定する。こ
の時、抵抗Ｒ1 を可変して＋８０℃での２５℃に対する
周波数変化率が０又は最低になる抵抗値を設定する。そ
れによって設定されたＲ1 の抵抗値を５０Ωとする。
数を決定するには、まず、水晶振動子の例えば−３０℃
での温度特性を測定し、抵抗Ｒ2 を可変し、２５℃に対
する周波数変化率が０又は最低になる抵抗値を設定す
る。それによって設定されたＲ2 の抵抗値を１８００Ω
とする。次に、そのＲ2 で低温領域温度補償回路部２を
組み立て、続いて＋８０℃での温度特性を測定する。こ
の時、抵抗Ｒ1 を可変して＋８０℃での２５℃に対する
周波数変化率が０又は最低になる抵抗値を設定する。そ
れによって設定されたＲ1 の抵抗値を５０Ωとする。
【０００９】最後に、このＲ1 を組み込んで、全温度範
囲（−３０℃〜＋８０℃）で再度温度特性を確認しなけ
ればならない。この時、ある温度領域で、所望の補償か
らはずれる場合には、Ｒ1 、Ｒ2 を種々取り替えて、全
温度範囲（−３０℃〜＋８０℃）で、所望の温度補償が
可能なように、再度抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の所定抵抗値の抵抗
と取り替えてる。
囲（−３０℃〜＋８０℃）で再度温度特性を確認しなけ
ればならない。この時、ある温度領域で、所望の補償か
らはずれる場合には、Ｒ1 、Ｒ2 を種々取り替えて、全
温度範囲（−３０℃〜＋８０℃）で、所望の温度補償が
可能なように、再度抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の所定抵抗値の抵抗
と取り替えてる。
【００１０】上述のサーミスタ補償の水晶発振器では、
回路構成が簡単であり、広い温度範囲にわたって高精度
の温度補償が可能であるものの、抵抗値の調整などに手
間がかかってしまうという問題点があった。
回路構成が簡単であり、広い温度範囲にわたって高精度
の温度補償が可能であるものの、抵抗値の調整などに手
間がかかってしまうという問題点があった。
【００１１】尚、周波数調整には、コンデンサＣ3 、ト
リマーコンデンサＣｔを調整するが、専らトリマーコン
デンサＣｔの容量を可変させることにより、調整をおこ
なっていた。
リマーコンデンサＣｔを調整するが、専らトリマーコン
デンサＣｔの容量を可変させることにより、調整をおこ
なっていた。
【００１２】
【考案が解決しようとする課題】上述の温度補償型水晶
発振器において、特に、抵抗値を調整するためには、所
定抵抗値を決定するにあたり、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を必要に
応じて種々取り替える必要があった。また、発振周波数
を決定するために、トリマーコンデンサを使用していた
ために、回路基板上に各種電子部品を実装した後に、溶
剤洗浄液を使用して、洗浄することが不可能であり、い
ずれにしても、組み立が極めて困難であった。
発振器において、特に、抵抗値を調整するためには、所
定抵抗値を決定するにあたり、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を必要に
応じて種々取り替える必要があった。また、発振周波数
を決定するために、トリマーコンデンサを使用していた
ために、回路基板上に各種電子部品を実装した後に、溶
剤洗浄液を使用して、洗浄することが不可能であり、い
ずれにしても、組み立が極めて困難であった。
【００１３】本考案は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、周波数調整回路及び温度補償回路部の回路定
数の決定が簡単で、組み立て工程が容易であり、溶剤系
洗浄液が使用できる組み立て・洗浄工程が簡単な温度補
償型水晶発振器を提供する。
のであり、周波数調整回路及び温度補償回路部の回路定
数の決定が簡単で、組み立て工程が容易であり、溶剤系
洗浄液が使用できる組み立て・洗浄工程が簡単な温度補
償型水晶発振器を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本考案は、水晶振動子の
一端に、サーミスタ、抵抗及びコンデンサとから成る高
温領域温度補償回路部、低温領域温度補償回路部を夫々
直列的に接続するとともに、水晶振動子の他端に、２つ
のコンデンサとから成る並列回路を接続した温度補償型
水晶発振器において、前記高温領域及び低温領域温度補
償回路部の抵抗がトリミング処理され得る厚膜抵抗体膜
から成り、前記並列回路の一方のコンデンサがトリミン
グ処理され得る厚膜トリミングコンデンサから成ること
を特徴とする温度補償型水晶発振器である。
一端に、サーミスタ、抵抗及びコンデンサとから成る高
温領域温度補償回路部、低温領域温度補償回路部を夫々
直列的に接続するとともに、水晶振動子の他端に、２つ
のコンデンサとから成る並列回路を接続した温度補償型
水晶発振器において、前記高温領域及び低温領域温度補
償回路部の抵抗がトリミング処理され得る厚膜抵抗体膜
から成り、前記並列回路の一方のコンデンサがトリミン
グ処理され得る厚膜トリミングコンデンサから成ること
を特徴とする温度補償型水晶発振器である。
【００１５】
【作用】本考案によれば、高温領域温度補償回路部を構
成する抵抗Ｒ1 及び低温領域温度補償回路部を構成する
抵抗Ｒ2 が、レーザー、サンドブラストなどの除去手段
により調整溝が形成されたトリミング処理された厚膜抵
抗体膜から構成され、また、２つのコンデンサからなる
並列回路の一方のコンデンサであるコンデンサＣｔが例
えば互いに対向する厚膜導体膜からなるコンデンサ電極
の一方を除去手段により、その対向面積が所定面積にな
るようにして容量値が調整された厚膜トリミングコンデ
ンサから構成されている。このため、温度補償回路部の
抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を所定値に簡単に調整できる。また、発
振周波数の調整を行なう並列回路のトリマーコンデンサ
Ｃｔを所定容量にに簡単に調整できる。これは、厚膜抵
抗体膜や厚膜トリミングコンデンサのトリミングにあた
り、除去手段、抵抗値・容量値測定手段、制御手段など
を自動機により処理できるため、自動化調整ができ、組
み立て工程が簡単になる。
成する抵抗Ｒ1 及び低温領域温度補償回路部を構成する
抵抗Ｒ2 が、レーザー、サンドブラストなどの除去手段
により調整溝が形成されたトリミング処理された厚膜抵
抗体膜から構成され、また、２つのコンデンサからなる
並列回路の一方のコンデンサであるコンデンサＣｔが例
えば互いに対向する厚膜導体膜からなるコンデンサ電極
の一方を除去手段により、その対向面積が所定面積にな
るようにして容量値が調整された厚膜トリミングコンデ
ンサから構成されている。このため、温度補償回路部の
抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を所定値に簡単に調整できる。また、発
振周波数の調整を行なう並列回路のトリマーコンデンサ
Ｃｔを所定容量にに簡単に調整できる。これは、厚膜抵
抗体膜や厚膜トリミングコンデンサのトリミングにあた
り、除去手段、抵抗値・容量値測定手段、制御手段など
を自動機により処理できるため、自動化調整ができ、組
み立て工程が簡単になる。
【００１６】また、従来樹脂ケースなどを含むトリマー
コンデンサから、１対の厚膜導体膜からなる厚膜トリミ
ングコンデンサを用いたため、電子部品を実装した回路
基板を溶剤系洗浄により簡単に洗浄でき、洗浄工程の制
約が大きく緩和される。
コンデンサから、１対の厚膜導体膜からなる厚膜トリミ
ングコンデンサを用いたため、電子部品を実装した回路
基板を溶剤系洗浄により簡単に洗浄でき、洗浄工程の制
約が大きく緩和される。
【００１７】
【実施例】以下、本考案の温度補償型水晶発振器を図面
に基づいて詳説する。図１は温度補償型水晶発振器の回
路図である。
に基づいて詳説する。図１は温度補償型水晶発振器の回
路図である。
【００１８】温度補償型水晶発振器１０は、図１に示す
ように、水晶振動子Ｘと、該水晶振動子Ｘの一端に接続
する高温領域温度補償回路部１と低温度領域温度補償回
路部２とトーテン・ポール型のコルピッツ発振回路３と
から構成されている。
ように、水晶振動子Ｘと、該水晶振動子Ｘの一端に接続
する高温領域温度補償回路部１と低温度領域温度補償回
路部２とトーテン・ポール型のコルピッツ発振回路３と
から構成されている。
【００１９】水晶振動子Ｘは、厚みすべり振動モードを
有する振動子であり、温度特性が高温側、例えば＋８０
℃でΔｆ／ｆ値が０〜＋２０ｐｐｍ、低温側、例えば温
度−３０℃でΔｆ／ｆ値が−２０〜０ｐｐｍの範囲を有
するものであり、その一端には温度補償回路部１、２が
直列的に接続され、またその他端には、可変コンデンサ
Ｃｔ、コンデンサＣ3 の容量が合成される並列回路が接
続されいる。
有する振動子であり、温度特性が高温側、例えば＋８０
℃でΔｆ／ｆ値が０〜＋２０ｐｐｍ、低温側、例えば温
度−３０℃でΔｆ／ｆ値が−２０〜０ｐｐｍの範囲を有
するものであり、その一端には温度補償回路部１、２が
直列的に接続され、またその他端には、可変コンデンサ
Ｃｔ、コンデンサＣ3 の容量が合成される並列回路が接
続されいる。
【００２０】高温領域温度補償回路部１は、サーミスタ
ＴＨ1 、抵抗Ｒ1 、コンデンサＣ1とからなり、サーミ
スタＴＨ1 と抵抗Ｒ1 との直列回路に、コンデンサＣ1
が並列に接続されて構成されている。
ＴＨ1 、抵抗Ｒ1 、コンデンサＣ1とからなり、サーミ
スタＴＨ1 と抵抗Ｒ1 との直列回路に、コンデンサＣ1
が並列に接続されて構成されている。
【００２１】また、低温領域温度補償回路部２は、サー
ミスタＴＨ2 、抵抗Ｒ2 、コンデンサＣ2 とからなり、
サーミスタＴＨ2 、抵抗Ｒ2 、コンデンサＣ2 が夫々並
列に接続されて構成されている。
ミスタＴＨ2 、抵抗Ｒ2 、コンデンサＣ2 とからなり、
サーミスタＴＨ2 、抵抗Ｒ2 、コンデンサＣ2 が夫々並
列に接続されて構成されている。
【００２２】上述のサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 のサーミ
スタ定数は、上述の水晶振動子Ｘの固有温度特性によっ
て決定され、例えば、高温領域でΔｆ／ｆ値が０から２
０ｐｐｍと大きくなるに従って、サーミスタＴＨ1 は３
０００Ωから２２００Ωと小さくする必要があり、例え
ば、低温領域でΔｆ／ｆ値が０から−２０ｐｐｍと大き
くなるに従って、サーミスタＴＨ2 は８０Ωから１００
Ωと大きくする必要がある。
スタ定数は、上述の水晶振動子Ｘの固有温度特性によっ
て決定され、例えば、高温領域でΔｆ／ｆ値が０から２
０ｐｐｍと大きくなるに従って、サーミスタＴＨ1 は３
０００Ωから２２００Ωと小さくする必要があり、例え
ば、低温領域でΔｆ／ｆ値が０から−２０ｐｐｍと大き
くなるに従って、サーミスタＴＨ2 は８０Ωから１００
Ωと大きくする必要がある。
【００２３】トーテン・ポール型のコルピッツ発振回路
３は、発振用トランジスタＴＲ、抵抗Ｒ4 〜Ｒ6 、コン
デンサＣ4 〜Ｃ7 からなる。
３は、発振用トランジスタＴＲ、抵抗Ｒ4 〜Ｒ6 、コン
デンサＣ4 〜Ｃ7 からなる。
【００２４】上述の構成の温度補償型水晶発振器１０
は、セラミックなどの絶縁基板上に、所定回路を構成す
るように配線パターンが形成され、その配線パターン上
に、気密封止ケースに収納された水晶振動子Ｘ、温度補
償回路部１、２を構成するサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 、
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、周波数を調整
するためのコンデンサＣ3 、トリマーコンデンサＣｔ、
コルピッツ発振回路３を構成するトランジスタＴＲ、抵
抗Ｒ4 〜Ｒ6 、コンデンサＣ4 〜Ｃ7 が夫々接続され
る。
は、セラミックなどの絶縁基板上に、所定回路を構成す
るように配線パターンが形成され、その配線パターン上
に、気密封止ケースに収納された水晶振動子Ｘ、温度補
償回路部１、２を構成するサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 、
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、周波数を調整
するためのコンデンサＣ3 、トリマーコンデンサＣｔ、
コルピッツ発振回路３を構成するトランジスタＴＲ、抵
抗Ｒ4 〜Ｒ6 、コンデンサＣ4 〜Ｃ7 が夫々接続され
る。
【００２５】このような回路構成において、全負荷容量
ＣＬは、次の式で表される。
ＣＬは、次の式で表される。
【００２６】 1/CL= 1/Cs1 + 1/Cs2 +1/(Ct+C3 )+1/(1/C4 +1/C5 ) ここで、Cs1 、Cs2 は夫々サーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 を
含む温度補償回路部１、２のリアクタス成分であり、こ
れが、温度よって変化するため、全体の負荷容量ＣＬを
変えて、これにより水晶振動子Ｘの温度特性を補償する
ことになる。
含む温度補償回路部１、２のリアクタス成分であり、こ
れが、温度よって変化するため、全体の負荷容量ＣＬを
変えて、これにより水晶振動子Ｘの温度特性を補償する
ことになる。
【００２７】本考案の特徴的なことは、温度補償回路部
１、２を構成する抵抗Ｒ1 、Ｒ2 が図２に示すように、
２つの配線パターン２１、２２に跨がる酸化ルテニウム
などから成る厚膜抵抗体膜２３から構成され、また、ト
リマーコンデンサＣｔが、図３に示すように１対の厚膜
導体膜３１、３２間で発生する容量によって構成されて
いる。この１対の厚膜導体膜３１、３２とは、図３に示
すように、所定誘電率を有する基板３０の表面側及び裏
面側に夫々対向するように配置して、その対向部分によ
って容量発生させたり、また、図には示していないが、
基板の一方主面に、１対の厚膜導体膜を所定長さで所定
間隔に対向させて配置して、その対向部分によって容量
発生させたりする。
１、２を構成する抵抗Ｒ1 、Ｒ2 が図２に示すように、
２つの配線パターン２１、２２に跨がる酸化ルテニウム
などから成る厚膜抵抗体膜２３から構成され、また、ト
リマーコンデンサＣｔが、図３に示すように１対の厚膜
導体膜３１、３２間で発生する容量によって構成されて
いる。この１対の厚膜導体膜３１、３２とは、図３に示
すように、所定誘電率を有する基板３０の表面側及び裏
面側に夫々対向するように配置して、その対向部分によ
って容量発生させたり、また、図には示していないが、
基板の一方主面に、１対の厚膜導体膜を所定長さで所定
間隔に対向させて配置して、その対向部分によって容量
発生させたりする。
【００２８】このような回路基板上に形成された温度補
償回路部１、２を構成するサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 、
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 において、抵抗
Ｒ1、Ｒ2 の抵抗値の調整は、サーミスタＴＨ1 、ＴＨ
2 との合成抵抗値を決定することが重要となる。具体的
な抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の抵抗値の調整は、酸化ルテニウムな
どから成る厚膜抵抗体膜２３にレーザーやサンドブラス
トなどの除去手段により、調整用溝２４を形成して、所
定抵抗値に調整する。具体的には抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の両端
又はサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 を含む回路の両端に測定
用のプローブを当てて、抵抗値を測定しながら、上述の
除去手段で調整溝を形成する。
償回路部１、２を構成するサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 、
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 において、抵抗
Ｒ1、Ｒ2 の抵抗値の調整は、サーミスタＴＨ1 、ＴＨ
2 との合成抵抗値を決定することが重要となる。具体的
な抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の抵抗値の調整は、酸化ルテニウムな
どから成る厚膜抵抗体膜２３にレーザーやサンドブラス
トなどの除去手段により、調整用溝２４を形成して、所
定抵抗値に調整する。具体的には抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の両端
又はサーミスタＴＨ1 、ＴＨ2 を含む回路の両端に測定
用のプローブを当てて、抵抗値を測定しながら、上述の
除去手段で調整溝を形成する。
【００２９】また、水晶振動子Ｘの他端に接続されたト
リマーコンデンサＣｔは、基板３０の表面側（実線）の
配線パターンの一部である厚膜導体膜３１と基板３０の
裏面側（点線）の配線パターンの一部である厚膜導体膜
３２とが互いに対向して形成される。ここで、表面側の
厚膜導体膜３１は、概略櫛歯状となっており、櫛歯の根
本部分をレーザーやサンドブラストなどの除去手段によ
り、切断（３１ａ）することにより、実質的に対向面積
が減少し、その対向面積の変化分に応じた容量値が得ら
れる。
リマーコンデンサＣｔは、基板３０の表面側（実線）の
配線パターンの一部である厚膜導体膜３１と基板３０の
裏面側（点線）の配線パターンの一部である厚膜導体膜
３２とが互いに対向して形成される。ここで、表面側の
厚膜導体膜３１は、概略櫛歯状となっており、櫛歯の根
本部分をレーザーやサンドブラストなどの除去手段によ
り、切断（３１ａ）することにより、実質的に対向面積
が減少し、その対向面積の変化分に応じた容量値が得ら
れる。
【００３０】以上のように、本考案において温度補償回
路部１、２の抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を除去手段により、抵抗値
調整用溝２４が形成された厚膜抵抗体膜２３で構成する
ことにより、従来のように固有抵抗体の随時交換すると
いう手間がなくなり、また、従来では得られなかった最
適な抵抗値が、除去手段による抵抗体膜２３の除去量に
よって簡単に得られ、温度補償特性の調整精度が著しく
向上する。尚、温度補償回路部１、２のコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 は、温度係数を有するコンデンサが必要とな
り、また、トリマーコンデンサＣｔに比較して大きな容
量が必要とされるため、このコンデンサＣ1 、Ｃ2 を厚
膜トリミングコンデンサで構成することは不適である。
路部１、２の抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を除去手段により、抵抗値
調整用溝２４が形成された厚膜抵抗体膜２３で構成する
ことにより、従来のように固有抵抗体の随時交換すると
いう手間がなくなり、また、従来では得られなかった最
適な抵抗値が、除去手段による抵抗体膜２３の除去量に
よって簡単に得られ、温度補償特性の調整精度が著しく
向上する。尚、温度補償回路部１、２のコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 は、温度係数を有するコンデンサが必要とな
り、また、トリマーコンデンサＣｔに比較して大きな容
量が必要とされるため、このコンデンサＣ1 、Ｃ2 を厚
膜トリミングコンデンサで構成することは不適である。
【００３１】また、自動調整が可能なことにより、組み
立て・調整工程が大幅に削減できる。
立て・調整工程が大幅に削減できる。
【００３２】水晶振動子Ｘの他端に接続されるコンデン
サの一方を厚膜トリミングコンデンサで構成したので、
従来、有機溶剤による洗浄が不可能であったのが本考案
では可能となり、他の電子部品を接合するための半田の
フラックス、半田ボールなどが完全に除去でき、回路動
作における信頼性が向上する。
サの一方を厚膜トリミングコンデンサで構成したので、
従来、有機溶剤による洗浄が不可能であったのが本考案
では可能となり、他の電子部品を接合するための半田の
フラックス、半田ボールなどが完全に除去でき、回路動
作における信頼性が向上する。
【００３３】また、従来のトリマーコンデンサで発生し
ていたドリフトがなくなり、発振器の周波数の安定化に
大きく寄与できる。
ていたドリフトがなくなり、発振器の周波数の安定化に
大きく寄与できる。
【００３４】さらに、厚膜トリミングコンデンサのトリ
ミング工程を、抵抗体膜２３の抵抗値調整用溝２４を形
成する工程と同一段階で処理できるため、工程が複雑化
することが一切ない。
ミング工程を、抵抗体膜２３の抵抗値調整用溝２４を形
成する工程と同一段階で処理できるため、工程が複雑化
することが一切ない。
【００３５】
【考案の効果】以上のように本考案では、調整を必要と
する温度補償回路部の抵抗Ｒ1 、Ｒ2及びトリマーコン
デンサＣｔを、所定抵抗値、所定容量値に調整した厚膜
抵抗体膜、１対の厚膜導体膜で構成したため、組み立て
・調整工程が簡単になり、また、洗浄工程が容易とな
る。
する温度補償回路部の抵抗Ｒ1 、Ｒ2及びトリマーコン
デンサＣｔを、所定抵抗値、所定容量値に調整した厚膜
抵抗体膜、１対の厚膜導体膜で構成したため、組み立て
・調整工程が簡単になり、また、洗浄工程が容易とな
る。
【図１】典型的な温度補償型水晶発振器の回路図であ
る。
る。
【図２】本考案の温度補償回路部を構成する抵抗体部分
の平面図である。
の平面図である。
【図３】本考案の水晶振動子に接続されるトリミングコ
ンデンサ部分の概略図である。
ンデンサ部分の概略図である。
１・・・・・高温領域温度補償回路部 ２・・・・・低温領域温度補償回路部 Ｘ・・・・・水晶振動子 ＴＨ1 ・・・高温領域温度補償回路部のサーミスタ Ｒ1 ・・・・高温領域温度補償回路部の抵抗 Ｃ1 ・・・・高温領域温度補償回路部のコンデンサ ＴＨ2 ・・・低温領域温度補償回路部のサーミスタ Ｒ2 ・・・・低温領域温度補償回路部の抵抗 Ｃ2 ・・・・低温領域温度補償回路部のコンデンサ Ｃｔ・・・・可変コンデンサ ２１、２２・・配線パターン ２３・・・・・厚膜抵抗体膜 ２４・・・・・抵抗値調整用溝 ３１、３２・・厚膜導体膜
Claims (1)
- 【請求項１】水晶振動子の一端に、サーミスタ、抵抗及
びコンデンサとから成る高温領域温度補償回路部、低温
領域温度補償回路部を夫々直列的に接続するとともに、
水晶振動子の他端に、２つのコンデンサとから成る並列
回路を接続した温度補償型水晶発振器において、 前記高温領域及び低温領域温度補償回路部の抵抗がトリ
ミング処理され得る厚膜抵抗体膜から成り、 前記並列回路の一方のコンデンサがトリミング処理され
得る厚膜トリミングコンデンサから成ることを特徴とす
る温度補償型水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014888U JP2605186Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 温度補償型水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014888U JP2605186Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 温度補償型水晶発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673911U JPH0673911U (ja) | 1994-10-18 |
| JP2605186Y2 true JP2605186Y2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=11873560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993014888U Expired - Lifetime JP2605186Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 温度補償型水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605186Y2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP1993014888U patent/JP2605186Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673911U (ja) | 1994-10-18 |
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