JP2602307Y2 - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JP2602307Y2 JP2602307Y2 JP1992010126U JP1012692U JP2602307Y2 JP 2602307 Y2 JP2602307 Y2 JP 2602307Y2 JP 1992010126 U JP1992010126 U JP 1992010126U JP 1012692 U JP1012692 U JP 1012692U JP 2602307 Y2 JP2602307 Y2 JP 2602307Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas supply
- unit gas
- supply pipe
- surface treatment
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体ウエハ等の表面
に加熱、成膜、拡散処理するための反応炉を備えた表面
処理装置に関するものである。
に加熱、成膜、拡散処理するための反応炉を備えた表面
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の技術を図面を参照して説明
する。
する。
【０００３】図３において、９は縦型反応炉、１０は縦
型の反応炉の炉体、１１はヒ−タ、１２は反応管であ
る。１３はスカベンジャであって、反応管１２のフラン
ジ部１２Ａ下面に取り付けられている。１４は処理流体
（Ｈ2ＯガスとＨＣＬガスの混合気体）を反応管１２内
に供給するガス供給管であって、Ｌ字形の単位ガス供給
管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎで形成されている。各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎは、一端に単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，
・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの外径より大径の膨
大部１４ａ、他端に膨大部１４ａに係合する椀状部１４
ｂの凹面１４ｃが形成されている。膨大部１４ａは球状
を形成する。
型の反応炉の炉体、１１はヒ−タ、１２は反応管であ
る。１３はスカベンジャであって、反応管１２のフラン
ジ部１２Ａ下面に取り付けられている。１４は処理流体
（Ｈ2ＯガスとＨＣＬガスの混合気体）を反応管１２内
に供給するガス供給管であって、Ｌ字形の単位ガス供給
管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎで形成されている。各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎは、一端に単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，
・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの外径より大径の膨
大部１４ａ、他端に膨大部１４ａに係合する椀状部１４
ｂの凹面１４ｃが形成されている。膨大部１４ａは球状
を形成する。
【０００４】ガス供給管１４は、各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａを椀状部１４ｂの凹面１４ｃに摺動可
能に密着状態で嵌合することにより各単位ガス供給管１
４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１
４ｎが連続的に接続されている。
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａを椀状部１４ｂの凹面１４ｃに摺動可
能に密着状態で嵌合することにより各単位ガス供給管１
４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１
４ｎが連続的に接続されている。
【０００５】１５はＨ2Ｏガスを生成する外部燃焼装置
であって、外部燃焼装置１５の近傍のガス供給管１４に
連絡する配管１６により、図示しない手段でＨＣＬガス
をガス供給管１４内に導入し、このＨＣＬガスはガス供
給管１４を通ってＨ2Ｏガスとともに反応管１２内に供
給される。１７は排気管であって、反応炉管１２内の下
部に開口している。１８はシ−ルリング、１９はこのシ
−ルリング１８を冷却するための環状冷却管であり、ボ
−ドエレベ−タ２０の昇降台２１上に設けられている。
であって、外部燃焼装置１５の近傍のガス供給管１４に
連絡する配管１６により、図示しない手段でＨＣＬガス
をガス供給管１４内に導入し、このＨＣＬガスはガス供
給管１４を通ってＨ2Ｏガスとともに反応管１２内に供
給される。１７は排気管であって、反応炉管１２内の下
部に開口している。１８はシ−ルリング、１９はこのシ
−ルリング１８を冷却するための環状冷却管であり、ボ
−ドエレベ−タ２０の昇降台２１上に設けられている。
【０００６】２２は酸化処理される半導体ウエハＷPと
ダミ−ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷFの多数枚を段々
に保持するボ−トであって、ボ−トエレベ−タ２０の昇
降台２１上のボ−ト支持台２３に積載される。
ダミ−ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷFの多数枚を段々
に保持するボ−トであって、ボ−トエレベ−タ２０の昇
降台２１上のボ−ト支持台２３に積載される。
【０００７】この構成において、上記ボ−トエレベ−タ
２０は図示しない移載装置からボ−ト２２をボ−ト支持
台２３上に移載されて上昇し、該ボ−ト２２を反応管１
２内へ搬入する。反応管１２内に搬入された半導体ウエ
ハＷPは、外部燃焼装置１５からガス供給管１４を通し
て反応管１２内に供給された高温の処理流体（Ｈ2Ｏガ
スとＨＣＬガスの混合気体）の雰囲気中に曝されて酸化
処理される。所定時間が経過すると、ボ−トエレベ−タ
２０の昇降台２１は元の位置へ下降し、ボ−ト２２は上
記移載装置により別の場所へ移載され、ここで酸化処理
された半導体ウエハＷPのボ−ト２２からの取り出しと
処理前の半導体ウエハＷPのボ−ト２２への移載が行な
われる。
２０は図示しない移載装置からボ−ト２２をボ−ト支持
台２３上に移載されて上昇し、該ボ−ト２２を反応管１
２内へ搬入する。反応管１２内に搬入された半導体ウエ
ハＷPは、外部燃焼装置１５からガス供給管１４を通し
て反応管１２内に供給された高温の処理流体（Ｈ2Ｏガ
スとＨＣＬガスの混合気体）の雰囲気中に曝されて酸化
処理される。所定時間が経過すると、ボ−トエレベ−タ
２０の昇降台２１は元の位置へ下降し、ボ−ト２２は上
記移載装置により別の場所へ移載され、ここで酸化処理
された半導体ウエハＷPのボ−ト２２からの取り出しと
処理前の半導体ウエハＷPのボ−ト２２への移載が行な
われる。
【０００８】ところで、外部燃焼装置１５からガス供給
管１４を通って反応管１２内に流入する処理流体（Ｈ2
ＯガスとＨＣＬガスの混合気体）は３００度程の高温度
に達するため、各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４
Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎは、通常、高温
およびＨＣＬガスの腐食に強い素材の石英が用いられて
おり、また、ガス供給管１４は、各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａと椀状部１４ｂとの接続部（以下、単
に接続部２４という）を基準に各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎを多方向に摺動移動させることにより、反応管１２と
外部燃焼装置１５の間隔に一致するように調整して、反
応管１２と外部燃焼装置１５とを連絡している。尚、こ
のとき、各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・
・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの摺動移動を行っても
各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，
１４（ｎ−１），１４ｎの各接続部２４の密着性は維持
されている。
管１４を通って反応管１２内に流入する処理流体（Ｈ2
ＯガスとＨＣＬガスの混合気体）は３００度程の高温度
に達するため、各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４
Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎは、通常、高温
およびＨＣＬガスの腐食に強い素材の石英が用いられて
おり、また、ガス供給管１４は、各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａと椀状部１４ｂとの接続部（以下、単
に接続部２４という）を基準に各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎを多方向に摺動移動させることにより、反応管１２と
外部燃焼装置１５の間隔に一致するように調整して、反
応管１２と外部燃焼装置１５とを連絡している。尚、こ
のとき、各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・
・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの摺動移動を行っても
各単位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，
１４（ｎ−１），１４ｎの各接続部２４の密着性は維持
されている。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】この従来の表面処理装
置において、石英製の各単位ガス供給管の各接続部は、
ＨＣＬガスによる該接続部の腐食等を防止するために、
定期的に洗浄作業が実施されている。しかし、各単位ガ
ス供給管の接続部は、洗浄作業に使用する洗浄液により
膨大部と椀状部の各表面が溶かされて、密着性が失われ
隙間が発生するようになるので、反応管に供給されるＨ
ＣＬガスが各単位ガス供給管の接続部から外部に洩れ出
し、周辺機器に悪影響を与えるという問題があった。
置において、石英製の各単位ガス供給管の各接続部は、
ＨＣＬガスによる該接続部の腐食等を防止するために、
定期的に洗浄作業が実施されている。しかし、各単位ガ
ス供給管の接続部は、洗浄作業に使用する洗浄液により
膨大部と椀状部の各表面が溶かされて、密着性が失われ
隙間が発生するようになるので、反応管に供給されるＨ
ＣＬガスが各単位ガス供給管の接続部から外部に洩れ出
し、周辺機器に悪影響を与えるという問題があった。
【００１０】本考案は、このような問題を解決するため
になされたもので、各単位ガス供給管は可透性のあるＯ
リングを介在させて、シ−ル性を確保するとともに、反
応管を外部燃焼装置間の配設誤差を吸収するフレキシビ
リティ−も併せもつことができる表面処理装置を提供す
ることを目的とする。
になされたもので、各単位ガス供給管は可透性のあるＯ
リングを介在させて、シ−ル性を確保するとともに、反
応管を外部燃焼装置間の配設誤差を吸収するフレキシビ
リティ−も併せもつことができる表面処理装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】炉壁にヒータを有し、内
部に反応管を備える反応炉、この反応炉内と外部燃焼装
置とを連結するガス供給管を備え、このガス供給管が石
英からなる単位ガス供給管を順次接続してなる表面処理
装置において、上記単位ガス供給管相互の接続機構が、
一方の単位ガス供給管の端部に形成された球面状の凹面
と、この凹面に嵌合する他方の単位ガス供給管の膨大部
と、この膨大部に形成されたテーパ面と、このテーパ面
の適所に形成された段付部とを備え、この段付部にＯリ
ングを装着し、単位ガス供給管相互の接続箇所の気密性
を持たせたことを特徴とする。
部に反応管を備える反応炉、この反応炉内と外部燃焼装
置とを連結するガス供給管を備え、このガス供給管が石
英からなる単位ガス供給管を順次接続してなる表面処理
装置において、上記単位ガス供給管相互の接続機構が、
一方の単位ガス供給管の端部に形成された球面状の凹面
と、この凹面に嵌合する他方の単位ガス供給管の膨大部
と、この膨大部に形成されたテーパ面と、このテーパ面
の適所に形成された段付部とを備え、この段付部にＯリ
ングを装着し、単位ガス供給管相互の接続箇所の気密性
を持たせたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】上述した本考案の表面処理装置では、各単位ガ
ス供給管を接続する際に、単位ガス供給管の膨大部と椀
状部の凹面とを直接的に接続するのではなく、Ｏリング
を介在させて接続するので、段付部と球面状の凹面の寸
法変化が生じたとしても各単位ガス供給管の接続構造の
シ−ル性（密着状態）を維持することができる。
ス供給管を接続する際に、単位ガス供給管の膨大部と椀
状部の凹面とを直接的に接続するのではなく、Ｏリング
を介在させて接続するので、段付部と球面状の凹面の寸
法変化が生じたとしても各単位ガス供給管の接続構造の
シ−ル性（密着状態）を維持することができる。
【００１３】また、ガス供給管はその各単位ガス供給管
の接続構造に基づいて、反応管を外部燃焼装置の間の配
設誤差を吸収するように、全長を調整することができ
る。
の接続構造に基づいて、反応管を外部燃焼装置の間の配
設誤差を吸収するように、全長を調整することができ
る。
【００１４】
【実施例】以下、本考案の一実施例を図面を参照にして
説明する。
説明する。
【００１５】図１は本実施例の表面処理装置を示す概略
構成図である。図２は本実施例の表面処理装置を示す要
部拡大図である。
構成図である。図２は本実施例の表面処理装置を示す要
部拡大図である。
【００１６】両図おいて、ガス供給管１４の各単位ガス
供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎの膨大部１４ａは、単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの先端方向に向かって縮径する一定長のテ−パ部３０
と、このテ−パ部３０の先端３０ａから縮径する段付部
３１とが一体形成されている。３２は例えば、テフロン
コ−ティングされた可透性のあるＯリングであって、テ
−パ部３０の先端３０ａの外径より大径を有し、段付部
３１に外嵌されている。
供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎの膨大部１４ａは、単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの先端方向に向かって縮径する一定長のテ−パ部３０
と、このテ−パ部３０の先端３０ａから縮径する段付部
３１とが一体形成されている。３２は例えば、テフロン
コ−ティングされた可透性のあるＯリングであって、テ
−パ部３０の先端３０ａの外径より大径を有し、段付部
３１に外嵌されている。
【００１７】この構成において、ガス供給管１４は、単
位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４
（ｎ−１），１４ｎの膨大部１４ａのテ−パ部３０を椀
状部１４ｂに嵌合させ、段付部３１に外嵌されたＯリン
グ３２を椀状部１４ｂの凹面１４ｃに摺動可能に、且つ
弾性的に当接させることにより、各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎが連続的に接続されている。その他は従来技術の図３
と同一の構成である。
位ガス供給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４
（ｎ−１），１４ｎの膨大部１４ａのテ−パ部３０を椀
状部１４ｂに嵌合させ、段付部３１に外嵌されたＯリン
グ３２を椀状部１４ｂの凹面１４ｃに摺動可能に、且つ
弾性的に当接させることにより、各単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎが連続的に接続されている。その他は従来技術の図３
と同一の構成である。
【００１８】このように、本実施例では、各単位ガス供
給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎを接続する際には、単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａの段付部３１と椀状部１４ｂの凹面１
４ｃとを直接的に接続するのではなく、Ｏリング３２を
介在させて弾性的に接続しているので、各単位ガス供給
管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎの接続部３３の洗浄の際に使用される洗浄
液によって段付部３１と椀状部１４ｂの各表面が溶かさ
れて寸法変化が生じても、各単位ガス供給管１４Ａ，１
４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの接
続構造の密着状態を維持することができる。
給管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎを接続する際には、単位ガス供給管１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４
ｎの膨大部１４ａの段付部３１と椀状部１４ｂの凹面１
４ｃとを直接的に接続するのではなく、Ｏリング３２を
介在させて弾性的に接続しているので、各単位ガス供給
管１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−
１），１４ｎの接続部３３の洗浄の際に使用される洗浄
液によって段付部３１と椀状部１４ｂの各表面が溶かさ
れて寸法変化が生じても、各単位ガス供給管１４Ａ，１
４Ｂ，１４Ｃ，・・・・，１４（ｎ−１），１４ｎの接
続構造の密着状態を維持することができる。
【００１９】
【考案の効果】以上、詳述したように、本考案の表面処
理装置において、各単位ガス供給管を接続する際には、
単位ガス供給管の段付部と球面状の凹面とを直接的に接
続するのではなく、Ｏリングを介在させて接続している
ので、各単位ガス供給管の接続構造のシ−ル性（密着状
態）が向上し、ガス供給管から外部にＨＣＬガスが洩れ
出すことが防止できる。これにより、表面処理装置内に
設けられた周辺機器のＨＣＬガスの影響が解消する。
理装置において、各単位ガス供給管を接続する際には、
単位ガス供給管の段付部と球面状の凹面とを直接的に接
続するのではなく、Ｏリングを介在させて接続している
ので、各単位ガス供給管の接続構造のシ−ル性（密着状
態）が向上し、ガス供給管から外部にＨＣＬガスが洩れ
出すことが防止できる。これにより、表面処理装置内に
設けられた周辺機器のＨＣＬガスの影響が解消する。
【００２０】また、ガス供給管はその各単位ガス供給管
の接続構造に基づいて、反応管を外部燃焼装置の間の配
設誤差を吸収するように、全長を調整することができ
る。
の接続構造に基づいて、反応管を外部燃焼装置の間の配
設誤差を吸収するように、全長を調整することができ
る。
【図１】本考案の一実施例としての表面処理装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】本考案の一実施例としての表面処理装置を示す
要部拡大図である。
要部拡大図である。
【図３】従来技術としての表面処理装置を示す概略構成
図である。
図である。
９ 縦型反応炉 １１ ヒ−タ １４ ガス供給管 １４Ａ〜１４ｎ 単位ガス供給管 １４ａ 膨大部 １４ｂ 椀状部 １４ｃ 凹面 １５ 外部燃焼装置 ３１ 段付部 ３２ Ｏリング
Claims (1)
- 【請求項１】 炉壁にヒータを有し、内部に反応管を備
える反応炉、この反応炉内と外部燃焼装置とを連結する
ガス供給管を備え、このガス供給管が石英からなる単位
ガス供給管を順次接続してなる表面処理装置において、
上記単位ガス供給管相互の接続機構が、一方の単位ガス
供給管の端部に形成された球面状の凹面と、この凹面に
嵌合する他方の単位ガス供給管の膨大部と、この膨大部
に形成されたテーパ面と、このテーパ面の適所に形成さ
れた段付部とを備え、この段付部にＯリングを装着し、
単位ガス供給管相互の接続箇所の気密性を持たせたこと
を特徴とする表面処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992010126U JP2602307Y2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992010126U JP2602307Y2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572133U JPH0572133U (ja) | 1993-09-28 |
| JP2602307Y2 true JP2602307Y2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=11741599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992010126U Expired - Lifetime JP2602307Y2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602307Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5176771B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2013-04-03 | 信越半導体株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101792A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 真空・雰囲気電気炉 |
| JPS63285926A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Toshiba Corp | 半導体拡散炉 |
| JP2627959B2 (ja) * | 1989-12-18 | 1997-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP1992010126U patent/JP2602307Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572133U (ja) | 1993-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5484484A (en) | Thermal processing method and apparatus therefor | |
| US6482753B1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH04269822A (ja) | 熱処理装置の封止構造 | |
| US5359148A (en) | Heat-treating apparatus | |
| JP2602307Y2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JP2003068657A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JPS6224630A (ja) | 熱酸化膜形成方法及びその装置 | |
| EP0614216A4 (en) | APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE FILM, HOT PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. | |
| JP3256037B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS62262420A (ja) | 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 | |
| US5883919A (en) | Diffusion furnace system for preventing gas leakage | |
| JPH0625000Y2 (ja) | 炉芯管構造 | |
| JP2674811B2 (ja) | 半導体装置の成長膜形成炉 | |
| JPH0286120A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH03291917A (ja) | 熱処理装置 | |
| US5860805A (en) | Effluent-gas-scavenger system for process tube, minimizing back diffusion and atmospheric contamination | |
| JP3149479B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH039329Y2 (ja) | ||
| JP3227280B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH11111632A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2620698B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US20010044091A1 (en) | Thermal treatment furnace having gas leakage preventing function | |
| JP2586779Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002093733A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JP2000216149A (ja) | 基板処理装置 |