JP2599897B2 - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原子間力顕微鏡のカン
チレバーの探針の先端の形状を利用し、絶縁層の上を含
むあらゆる基板上に安定にしかも精度良くナノメートル
オーダーの微細加工を行なうことができる微細加工方法
に関する。
チレバーの探針の先端の形状を利用し、絶縁層の上を含
むあらゆる基板上に安定にしかも精度良くナノメートル
オーダーの微細加工を行なうことができる微細加工方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体表面の凹凸を原子オーダーの
分解能で観察できる装置として原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）が開発されている。以下、図１を参照しながらＡＦ
Ｍ及びＡＦＭを使った従来の微細加工方法について説明
する。
分解能で観察できる装置として原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）が開発されている。以下、図１を参照しながらＡＦ
Ｍ及びＡＦＭを使った従来の微細加工方法について説明
する。
【０００３】図１において、１は試料５が載置された試
料台４を水平面のＸ方向に移動する第１の圧電体、２は
試料台４を水平面のＹ方向に移動する第２の圧電体、３
は試料台４を垂直方向のＺ方向に移動する第３の圧電
体、６はカンチレバー、７は出力５ｍＷのレーザー光を
出射する半導体レーザー、８は半導体レーザー７から出
射されたレーザー光をカンチレバー６上に集光する集光
レンズ、９はカンチレバー６から反射されたレーザー光
を検出する２分割フォトダイオード、１０は制御信号発
生回路、１１は圧電体駆動装置、１２はカンチレバー６
の先端に設けられた探針、１３はコンピュータである。
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の３つの方向に試料台４を移動すること
ができる第１、第２及び第３の圧電体１，２，３によっ
てトライポッド型の微動機構が構成されている。また、
半導体レーザー７と２分割フォトダイオード９とによっ
て光てこが構成されており、該光てこは、カンチレバー
６の変位（撓み）を測定し、カンチレバー６のばね定数
から換算される力を検出することにより、試料５と探針
１２との間に働く力を検出する。さらに、試料５とカン
チレバー６との距離は、制御信号発生回路１０と圧電体
駆動装置１１とを用い、第３の圧電体３に制御電圧を印
加することによって制御される。
料台４を水平面のＸ方向に移動する第１の圧電体、２は
試料台４を水平面のＹ方向に移動する第２の圧電体、３
は試料台４を垂直方向のＺ方向に移動する第３の圧電
体、６はカンチレバー、７は出力５ｍＷのレーザー光を
出射する半導体レーザー、８は半導体レーザー７から出
射されたレーザー光をカンチレバー６上に集光する集光
レンズ、９はカンチレバー６から反射されたレーザー光
を検出する２分割フォトダイオード、１０は制御信号発
生回路、１１は圧電体駆動装置、１２はカンチレバー６
の先端に設けられた探針、１３はコンピュータである。
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の３つの方向に試料台４を移動すること
ができる第１、第２及び第３の圧電体１，２，３によっ
てトライポッド型の微動機構が構成されている。また、
半導体レーザー７と２分割フォトダイオード９とによっ
て光てこが構成されており、該光てこは、カンチレバー
６の変位（撓み）を測定し、カンチレバー６のばね定数
から換算される力を検出することにより、試料５と探針
１２との間に働く力を検出する。さらに、試料５とカン
チレバー６との距離は、制御信号発生回路１０と圧電体
駆動装置１１とを用い、第３の圧電体３に制御電圧を印
加することによって制御される。
【０００４】ＡＦＭにおいては、微小な力を検出するた
めに、先端に探針１２を有する長さ１００μｍ程度のカ
ンチレバー６が用いられ、試料５を探針１２に近づける
と、探針１２と試料５との間に働く原子間力によってカ
ンチレバー６に撓みが生じる。この撓み量が一定になる
ように、制御信号発生回路１０を通して圧電体駆動装置
１１から出力される制御電圧によって第３の圧電体３を
制御する。探針１２が試料５の表面に沿って走査するよ
うに、圧電体駆動装置１１から出力される制御電圧によ
り第１及び第２の圧電体１，２を制御する。カンチレバ
ー６の撓み量が一定になるように行なわれるフィードバ
ック制御における制御量が試料５の表面の凹凸に相当
し、この制御量をコンピュータ１３等によって画像化す
ることによりＡＦＭ像を得ることができるのである。カ
ンチレバー６の撓み量は変位測定部によって測定され、
変位測定部としては、前述した光てこのほかに、レーザ
ー干渉やトンネル電流等の方式によって測定するものが
ある。
めに、先端に探針１２を有する長さ１００μｍ程度のカ
ンチレバー６が用いられ、試料５を探針１２に近づける
と、探針１２と試料５との間に働く原子間力によってカ
ンチレバー６に撓みが生じる。この撓み量が一定になる
ように、制御信号発生回路１０を通して圧電体駆動装置
１１から出力される制御電圧によって第３の圧電体３を
制御する。探針１２が試料５の表面に沿って走査するよ
うに、圧電体駆動装置１１から出力される制御電圧によ
り第１及び第２の圧電体１，２を制御する。カンチレバ
ー６の撓み量が一定になるように行なわれるフィードバ
ック制御における制御量が試料５の表面の凹凸に相当
し、この制御量をコンピュータ１３等によって画像化す
ることによりＡＦＭ像を得ることができるのである。カ
ンチレバー６の撓み量は変位測定部によって測定され、
変位測定部としては、前述した光てこのほかに、レーザ
ー干渉やトンネル電流等の方式によって測定するものが
ある。
【０００５】ＡＦＭの分解能は探針１２の先端曲率半径
と先端角とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上
する。現在のところ、数百オングストロームの曲率半径
で数度の先端角を有する探針が作製されており、試料表
面の微細構造を観察するのに用いられている（特願平３
−２００６０６号）。
と先端角とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上
する。現在のところ、数百オングストロームの曲率半径
で数度の先端角を有する探針が作製されており、試料表
面の微細構造を観察するのに用いられている（特願平３
−２００６０６号）。
【０００６】ところで、ＡＦＭを用いた微細加工として
は、導電性探針と基板との間に電圧を印加し、基板上の
導電性試料における電圧が印加された部分の性質を変化
させ、性質が変化した部分を現像して除去する方法が知
られている。
は、導電性探針と基板との間に電圧を印加し、基板上の
導電性試料における電圧が印加された部分の性質を変化
させ、性質が変化した部分を現像して除去する方法が知
られている。
【０００７】ところが、導電性探針を製作するために
は、金やチタン等の金属を数百オングストロームの厚さ
に堆積させる必要があり、導電性探針の先端曲率半径が
非常に大きくなってしまうので、ナノメートルオーダー
の微細加工は非常に難しい。また、電圧を印加する方式
であるため、試料としては導電性のものを用いる必要が
あり、絶縁物に対する微細加工は困難である。
は、金やチタン等の金属を数百オングストロームの厚さ
に堆積させる必要があり、導電性探針の先端曲率半径が
非常に大きくなってしまうので、ナノメートルオーダー
の微細加工は非常に難しい。また、電圧を印加する方式
であるため、試料としては導電性のものを用いる必要が
あり、絶縁物に対する微細加工は困難である。
【０００８】そこで、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｌ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．Ｂ Ｖｏｌ．１２，１９９４において、基板上に
形成されたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカンチレバー
の探針を押し付けた状態で、基板を水平方向に移動して
レジスト膜に凹状溝を形成する方法が提案されている。
ｏｌ．Ｂ Ｖｏｌ．１２，１９９４において、基板上に
形成されたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカンチレバー
の探針を押し付けた状態で、基板を水平方向に移動して
レジスト膜に凹状溝を形成する方法が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本願発
明者らが、基板上に形成されたレジスト膜にカンチレバ
ーの探針を押し付けた状態で基板を水平方向に移動して
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成し
たところ、凹状溝よりなるレジストパターンを精度良く
形成することができなかった。
明者らが、基板上に形成されたレジスト膜にカンチレバ
ーの探針を押し付けた状態で基板を水平方向に移動して
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成し
たところ、凹状溝よりなるレジストパターンを精度良く
形成することができなかった。
【００１０】前記に鑑み、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜にカンチレバーの探針を押し付けた状態で
基板を水平方向に移動してレジスト膜に凹状溝よりなる
レジストパターンを形成するに際し、ナノメートルのオ
ーダーの幅を有する凹状溝よりなるレジストパターンが
精度良く形成されるようにすることを目的とする。
たレジスト膜にカンチレバーの探針を押し付けた状態で
基板を水平方向に移動してレジスト膜に凹状溝よりなる
レジストパターンを形成するに際し、ナノメートルのオ
ーダーの幅を有する凹状溝よりなるレジストパターンが
精度良く形成されるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上のレジ
スト膜を所定の温度下でプリベーキングした後、レジス
ト膜にカンチレバーの探針によりレジストパターンを形
成し、しかる後、レジスト膜をポストベーキングする
と、凹状溝よりなるレジスタパターンを精度良く形成で
きることを見出だし、該知見に基づいてなされたもので
ある。
スト膜を所定の温度下でプリベーキングした後、レジス
ト膜にカンチレバーの探針によりレジストパターンを形
成し、しかる後、レジスト膜をポストベーキングする
と、凹状溝よりなるレジスタパターンを精度良く形成で
きることを見出だし、該知見に基づいてなされたもので
ある。
【００１２】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、微細加工方法を、基板上にレジストを塗布してレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基板を４
０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該基板上の
レジスト膜をプリベーキングするプリベーキング工程
と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡
のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態
で前記基板を水平方向に移動してプリベーキングされた
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン
が形成されたレジスト膜をポストベーキングするポスト
ベーキング工程と、ポストベーキングされたレジスト膜
をマスクとして前記基板に対してエッチングを行なうエ
ッチング工程とを備えている構成とするものである。
は、微細加工方法を、基板上にレジストを塗布してレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基板を４
０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該基板上の
レジスト膜をプリベーキングするプリベーキング工程
と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡
のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態
で前記基板を水平方向に移動してプリベーキングされた
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン
が形成されたレジスト膜をポストベーキングするポスト
ベーキング工程と、ポストベーキングされたレジスト膜
をマスクとして前記基板に対してエッチングを行なうエ
ッチング工程とを備えている構成とするものである。
【００１３】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、微細加工方法を、基板上にレジストを塗布してレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基板を４
０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該基板上の
レジスト膜をプリベーキングするプリベーキング工程
と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡
のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態
で前記基板を水平方向に移動してプリベーキングされた
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン
が形成されたレジスト膜をポストベーキングするポスト
ベーキング工程と、前記基板を電解質水溶液中に浸漬し
て該基板の表面における前記レジストパターンに露出し
ている部分に電解めっき膜を堆積するめっき膜堆積工程
とを備えている構成とするものである。
は、微細加工方法を、基板上にレジストを塗布してレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基板を４
０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該基板上の
レジスト膜をプリベーキングするプリベーキング工程
と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡
のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態
で前記基板を水平方向に移動してプリベーキングされた
レジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン
が形成されたレジスト膜をポストベーキングするポスト
ベーキング工程と、前記基板を電解質水溶液中に浸漬し
て該基板の表面における前記レジストパターンに露出し
ている部分に電解めっき膜を堆積するめっき膜堆積工程
とを備えている構成とするものである。
【００１４】請求項３の発明が講じた解決手段は、微細
加工方法を、基板上に無電解めっき用の触媒層を堆積す
る触媒層堆積工程と、前記触媒層の上にレジストを塗布
してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該
基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベーキン
グ工程と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力
顕微鏡のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付け
た状態で前記基板を水平方向に移動してプリベーキング
されたレジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを
形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパ
ターンが形成されたレジスト膜をポストベーキングする
ポストベーキング工程と、前記基板を無電解めっき液中
に浸漬して該基板の表面における前記レジストパターン
に露出している部分に無電解めっき膜を堆積するめっき
膜堆積工程とを備えている構成とするものである。
加工方法を、基板上に無電解めっき用の触媒層を堆積す
る触媒層堆積工程と、前記触媒層の上にレジストを塗布
してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記
基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持することにより該
基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベーキン
グ工程と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力
顕微鏡のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付け
た状態で前記基板を水平方向に移動してプリベーキング
されたレジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを
形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパ
ターンが形成されたレジスト膜をポストベーキングする
ポストベーキング工程と、前記基板を無電解めっき液中
に浸漬して該基板の表面における前記レジストパターン
に露出している部分に無電解めっき膜を堆積するめっき
膜堆積工程とを備えている構成とするものである。
【００１５】請求項４の発明は、請求項１〜３の構成の
レジスト膜形成工程において形成するレジスト膜の膜厚
を３０ｎｍ以下とするものである。
レジスト膜形成工程において形成するレジスト膜の膜厚
を３０ｎｍ以下とするものである。
【００１６】請求項５の発明は、請求項１〜４の構成の
レジストパターン形成工程を、基板を水中に浸漬した状
態で行なうものである。
レジストパターン形成工程を、基板を水中に浸漬した状
態で行なうものである。
【００１７】
【作用】請求項１〜３の構成により、基板を４０℃〜８
０℃の温度下で保持して該基板上のレジスト膜をプリベ
ーキングするため、レジスト膜にカンチレバーの探針を
押し付けた状態で基板を水平方向に移動して凹状溝を形
成すると、削られたレジスト膜が再び凹状溝を塞いだり
或いは探針が磨耗して凹状溝の幅が変化する事態を回避
できるので、レジスト膜に凹状溝を精度良く形成するこ
とができる。
０℃の温度下で保持して該基板上のレジスト膜をプリベ
ーキングするため、レジスト膜にカンチレバーの探針を
押し付けた状態で基板を水平方向に移動して凹状溝を形
成すると、削られたレジスト膜が再び凹状溝を塞いだり
或いは探針が磨耗して凹状溝の幅が変化する事態を回避
できるので、レジスト膜に凹状溝を精度良く形成するこ
とができる。
【００１８】請求項４の構成により、レジスト膜形成工
程において形成するレジスト膜の膜厚が３０ｎｍ以下で
あるため、凹状溝の形成に大きな力を必要としない。
程において形成するレジスト膜の膜厚が３０ｎｍ以下で
あるため、凹状溝の形成に大きな力を必要としない。
【００１９】請求項５の構成により、レジストパターン
形成工程は基板を水中に浸漬した状態で行なわれるた
め、削りとられたレジスト材料が水中に離散し、凹状溝
に残留することがない。
形成工程は基板を水中に浸漬した状態で行なわれるた
め、削りとられたレジスト材料が水中に離散し、凹状溝
に残留することがない。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２１】図１は、本発明の各実施例に係る微細加工
方法に用いる原子間力顕微鏡の概略構成を示しており、
原子間力顕微鏡の構成及び動作については従来のものと
同様であるので原子間力顕微鏡の説明については省略す
るが、探針１２の形状については簡単に説明しておく。
探針１２の形状は四角錐でも円錐でもよいが、探針１２
の先端の角度については７０度程度が好ましい。尚、以
下の各実施例においては、先端の角度が７０度である四
角錐の探針１２を用いた。
方法に用いる原子間力顕微鏡の概略構成を示しており、
原子間力顕微鏡の構成及び動作については従来のものと
同様であるので原子間力顕微鏡の説明については省略す
るが、探針１２の形状については簡単に説明しておく。
探針１２の形状は四角錐でも円錐でもよいが、探針１２
の先端の角度については７０度程度が好ましい。尚、以
下の各実施例においては、先端の角度が７０度である四
角錐の探針１２を用いた。
【００２２】（第１実施例）以下、第１実施例として、
ＡＦＭを用いてシリコン基板上のＳｉＯ2 膜に対して行
なうエッチング方法について図２を参照しながら説明す
る。
ＡＦＭを用いてシリコン基板上のＳｉＯ2 膜に対して行
なうエッチング方法について図２を参照しながら説明す
る。
【００２３】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
基板２０の上に熱酸化膜であるＳｉＯ2 膜２１を形成し
た後、該ＳｉＯ2 膜２１の上にレジストをスピンコート
法により２０ｎｍの厚さに塗布してレジスト膜２２を形
成する。このレジストの種類は特に限定されるものでは
なく、フォトレジスト、ＰＧＭＡやＰＭＭＡ等の電子線
レジスト、Ｘ線レジスト又はＳＡＭ（ｓｅｌｆ ａｓｓ
ｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙａｒ）膜等を用いること
ができる。
基板２０の上に熱酸化膜であるＳｉＯ2 膜２１を形成し
た後、該ＳｉＯ2 膜２１の上にレジストをスピンコート
法により２０ｎｍの厚さに塗布してレジスト膜２２を形
成する。このレジストの種類は特に限定されるものでは
なく、フォトレジスト、ＰＧＭＡやＰＭＭＡ等の電子線
レジスト、Ｘ線レジスト又はＳＡＭ（ｓｅｌｆ ａｓｓ
ｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙａｒ）膜等を用いること
ができる。
【００２４】次に、シリコン基板２０を４０℃〜８０℃
の温度下で保持することにより、レジスト膜２２をプリ
ベーキングした後、図２（ｂ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜２２に押し付けた状態で
シリコン基板２０を水平方向に移動してレジスト膜２２
に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する。
の温度下で保持することにより、レジスト膜２２をプリ
ベーキングした後、図２（ｂ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜２２に押し付けた状態で
シリコン基板２０を水平方向に移動してレジスト膜２２
に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する。
【００２５】以下、レジストパターンの形成方法につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００２６】まず、探針１２の真下にレジスト膜２２の
中央部が位置するように、試料台４の上にシリコン基板
２０を載置する。その後、圧電体駆動装置１１によって
第３の圧電体３に印加する電圧を徐々に大きくし、レジ
スト膜２２を探針１２に近づけながら、２分割フォトダ
イオード９によってカンチレバー６がレジスト膜２２か
ら受ける力を測定した。探針１２がレジスト膜２２に当
接した後、さらに第３の圧電体３に印加する電圧を大き
くすると、探針１２はレジスト膜２２に食い込み、遂に
は探針１２の先端がＳｉＯ2 膜２１に達するので、ここ
で、レジスト膜２２と探針１２との接近を停止する。こ
の場合、探針１２がレジスト膜２２を押圧する押圧力は
３×１０-7Ｎであった。
中央部が位置するように、試料台４の上にシリコン基板
２０を載置する。その後、圧電体駆動装置１１によって
第３の圧電体３に印加する電圧を徐々に大きくし、レジ
スト膜２２を探針１２に近づけながら、２分割フォトダ
イオード９によってカンチレバー６がレジスト膜２２か
ら受ける力を測定した。探針１２がレジスト膜２２に当
接した後、さらに第３の圧電体３に印加する電圧を大き
くすると、探針１２はレジスト膜２２に食い込み、遂に
は探針１２の先端がＳｉＯ2 膜２１に達するので、ここ
で、レジスト膜２２と探針１２との接近を停止する。こ
の場合、探針１２がレジスト膜２２を押圧する押圧力は
３×１０-7Ｎであった。
【００２７】次に、前記の押圧力を維持しながら、圧電
体駆動装置１１によって第１の圧電体１に電圧を印加
し、シリコン基板２０をＸ方向つまり探針１２の四角錐
の稜辺の方向に１μｍ移動させて、図２（ｃ）に示すよ
うに、レジスト膜２２に長さ１μｍの凹状溝２２ａを形
成した後、第３の圧電体３に印加する電圧を小さくし、
探針１２がレジスト膜２２を押圧する押圧力を１×１０
-9Ｎにする。この状態で、圧電体駆動装置１１によって
第２の圧電体２に電圧を印加し、シリコン基板２０を５
０ｎｍだけＹ方向へ移動させた後、再び、第３の圧電体
３に印加する電圧を大きくし、探針１２がレジスト膜２
２を押圧する押圧力を３×１０-7Ｎにする。この押圧力
を維持しながら、シリコン基板２０をＸ方向に１μｍ移
動させて、先ほど加工した凹状溝と平行に長さ１μｍの
凹状溝２２ａを形成した後、第３の圧電体３に印加する
電圧を小さくし、探針１２がレジスト膜２２を押圧する
押圧力を１×１０-9Ｎにする。この状態で、圧電体駆動
装置１１によって第２の圧電体２に電圧を印加し、シリ
コン基板２０を５０ｎｍだけＹ方向へ再び移動させる。
以上の操作を１０回繰り返し行なって１ラインの操作を
終了する。
体駆動装置１１によって第１の圧電体１に電圧を印加
し、シリコン基板２０をＸ方向つまり探針１２の四角錐
の稜辺の方向に１μｍ移動させて、図２（ｃ）に示すよ
うに、レジスト膜２２に長さ１μｍの凹状溝２２ａを形
成した後、第３の圧電体３に印加する電圧を小さくし、
探針１２がレジスト膜２２を押圧する押圧力を１×１０
-9Ｎにする。この状態で、圧電体駆動装置１１によって
第２の圧電体２に電圧を印加し、シリコン基板２０を５
０ｎｍだけＹ方向へ移動させた後、再び、第３の圧電体
３に印加する電圧を大きくし、探針１２がレジスト膜２
２を押圧する押圧力を３×１０-7Ｎにする。この押圧力
を維持しながら、シリコン基板２０をＸ方向に１μｍ移
動させて、先ほど加工した凹状溝と平行に長さ１μｍの
凹状溝２２ａを形成した後、第３の圧電体３に印加する
電圧を小さくし、探針１２がレジスト膜２２を押圧する
押圧力を１×１０-9Ｎにする。この状態で、圧電体駆動
装置１１によって第２の圧電体２に電圧を印加し、シリ
コン基板２０を５０ｎｍだけＹ方向へ再び移動させる。
以上の操作を１０回繰り返し行なって１ラインの操作を
終了する。
【００２８】
【表１】
【００２９】［表１］はプリベーキングの温度とレジス
ト膜２２に形成される凹状溝２２ａの精度との関係を示
している。室温でプリベーキングしたときには、探針１
２により削られたレジスト膜２２の滓が凹状溝２２ａを
塞ぐので精度の良い凹状溝２２ａは得られなかった。４
０℃でプリベーキングしたとき及び８０℃でプリベーキ
ングしたときには、探針１２により削りとられたレジス
ト膜２２の滓が凹状溝２２ａを塞ぐことがないと共に探
針１２が激しく磨耗することもなく、精度の良い凹状溝
２２ａが得られた。１３０℃でプリベーキングしたとき
には、探針１２の磨耗が激しく、凹状溝２２ａの精度が
悪かった。また、１３０℃よりも上の温度でプリベーキ
ングすると、レジスト膜２２が乾燥してもろくなると共
に探針１２の磨耗が激しいので凹状溝２２ａの精度は極
めて悪かった。従って、プリベーキングの温度としては
４０℃〜８０℃に範囲内が好ましい。
ト膜２２に形成される凹状溝２２ａの精度との関係を示
している。室温でプリベーキングしたときには、探針１
２により削られたレジスト膜２２の滓が凹状溝２２ａを
塞ぐので精度の良い凹状溝２２ａは得られなかった。４
０℃でプリベーキングしたとき及び８０℃でプリベーキ
ングしたときには、探針１２により削りとられたレジス
ト膜２２の滓が凹状溝２２ａを塞ぐことがないと共に探
針１２が激しく磨耗することもなく、精度の良い凹状溝
２２ａが得られた。１３０℃でプリベーキングしたとき
には、探針１２の磨耗が激しく、凹状溝２２ａの精度が
悪かった。また、１３０℃よりも上の温度でプリベーキ
ングすると、レジスト膜２２が乾燥してもろくなると共
に探針１２の磨耗が激しいので凹状溝２２ａの精度は極
めて悪かった。従って、プリベーキングの温度としては
４０℃〜８０℃に範囲内が好ましい。
【００３０】次に、シリコン基板２０を所定の温度下で
保持して、凹状溝２２ａが形成されたレジスト膜２２に
対してポストベーキングを行なう。このポストベーキン
グの温度はレジスト膜２２を構成するレジスト材料によ
って決定される。
保持して、凹状溝２２ａが形成されたレジスト膜２２に
対してポストベーキングを行なう。このポストベーキン
グの温度はレジスト膜２２を構成するレジスト材料によ
って決定される。
【００３１】次に、シリコン基板２０をＳｉＯ2 に対す
るエッチング溶液に３０秒間浸して、ＳｉＯ2 膜２１に
対するエッチングを行なった後、シリコン基板２０をレ
ジスト膜２２に対する溶解液に浸して、図２（ｄ）に示
すように、レジスト膜２２の除去を行なう。
るエッチング溶液に３０秒間浸して、ＳｉＯ2 膜２１に
対するエッチングを行なった後、シリコン基板２０をレ
ジスト膜２２に対する溶解液に浸して、図２（ｄ）に示
すように、レジスト膜２２の除去を行なう。
【００３２】以上の工程が完了したシリコン基板２０を
ＡＦＭ内に戻して、ＳｉＯ2 膜のエッチング部分をＡＦ
Ｍ観察したところ、幅５ｎｍ、深さ１０ｎｍの凹状溝２
１ａが平行に１０本形成されていることを確認できた。
ＡＦＭ内に戻して、ＳｉＯ2 膜のエッチング部分をＡＦ
Ｍ観察したところ、幅５ｎｍ、深さ１０ｎｍの凹状溝２
１ａが平行に１０本形成されていることを確認できた。
【００３３】（第２実施例）以下、第２実施例として、
ＡＦＭを用いてシリコン基板の表面に電解めっき膜を堆
積する方法について説明する。
ＡＦＭを用いてシリコン基板の表面に電解めっき膜を堆
積する方法について説明する。
【００３４】まず、図３（ａ）に示すように、シリコン
基板３０の表面を水素で一層終端した後、該シリコン基
板３０の上にスピンコート法によりレジスト膜３１を厚
さ２５ｎｍに形成する。
基板３０の表面を水素で一層終端した後、該シリコン基
板３０の上にスピンコート法によりレジスト膜３１を厚
さ２５ｎｍに形成する。
【００３５】次に、シリコン基板２０を４０℃〜８０℃
の温度下で保持することにより、レジスト膜２２をプリ
ベーキングした後、図３（ｂ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜３１に押し付けた状態
で、シリコン基板３０を水平方向に移動してレジスト膜
３１に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する。
の温度下で保持することにより、レジスト膜２２をプリ
ベーキングした後、図３（ｂ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜３１に押し付けた状態
で、シリコン基板３０を水平方向に移動してレジスト膜
３１に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する。
【００３６】以下、レジストパターンの形成方法につい
て説明する。
て説明する。
【００３７】まず、探針１２の真下にレジスト膜３１の
中央部が位置するように、試料台４の上にシリコン基板
３０を載置する。その後、圧電体駆動装置１１によって
第３の圧電体３に印加する電圧を徐々に大きくし、レジ
スト膜３１を探針１２に近づけながら、２分割フォトダ
イオード９によってカンチレバー６がレジスト膜３１か
ら受ける力を測定する。探針１２がレジスト膜３１に当
接した後、さらに第３の圧電体３に印加する電圧を大き
くすると、探針１２はレジスト膜３１に食い込み、遂に
は探針１２の先端がシリコン基板３０に達するので、こ
こで、レジスト膜３１と探針１２との接近を停止する。
この場合、探針１２がレジスト膜３１を押圧する押圧力
は３×１０-7Ｎであった。
中央部が位置するように、試料台４の上にシリコン基板
３０を載置する。その後、圧電体駆動装置１１によって
第３の圧電体３に印加する電圧を徐々に大きくし、レジ
スト膜３１を探針１２に近づけながら、２分割フォトダ
イオード９によってカンチレバー６がレジスト膜３１か
ら受ける力を測定する。探針１２がレジスト膜３１に当
接した後、さらに第３の圧電体３に印加する電圧を大き
くすると、探針１２はレジスト膜３１に食い込み、遂に
は探針１２の先端がシリコン基板３０に達するので、こ
こで、レジスト膜３１と探針１２との接近を停止する。
この場合、探針１２がレジスト膜３１を押圧する押圧力
は３×１０-7Ｎであった。
【００３８】次に、前記の押圧力を維持しながら、圧電
体駆動装置１１によって第１の圧電体１に電圧を印加
し、シリコン基板２０をＸ方向つまり探針１２の四角錐
の稜辺の方向に５μｍ移動させて、図３（ｃ）に示すよ
うに、レジスト膜３１に長さ５μｍの凹状溝３１ａを形
成した後、第３の圧電体３に印加する電圧を小さくし、
探針１２がレジスト膜３１を押圧する押圧力を１×１０
-9Ｎにする。その後、圧電体駆動装置１１によって第１
の圧電体１に逆の電圧を印加して、レジスト膜３１の中
央部の位置と探針１２の位置とを一致させる。
体駆動装置１１によって第１の圧電体１に電圧を印加
し、シリコン基板２０をＸ方向つまり探針１２の四角錐
の稜辺の方向に５μｍ移動させて、図３（ｃ）に示すよ
うに、レジスト膜３１に長さ５μｍの凹状溝３１ａを形
成した後、第３の圧電体３に印加する電圧を小さくし、
探針１２がレジスト膜３１を押圧する押圧力を１×１０
-9Ｎにする。その後、圧電体駆動装置１１によって第１
の圧電体１に逆の電圧を印加して、レジスト膜３１の中
央部の位置と探針１２の位置とを一致させる。
【００３９】第２実施例においても、プリベーキングの
温度とレジスト膜３１に形成される凹状溝３１ａの形状
との関係を観察したところ、第１実施例と同様、プリベ
ーキングの温度としては４０℃〜８０℃に範囲内が好ま
しいことが分かった。
温度とレジスト膜３１に形成される凹状溝３１ａの形状
との関係を観察したところ、第１実施例と同様、プリベ
ーキングの温度としては４０℃〜８０℃に範囲内が好ま
しいことが分かった。
【００４０】次に、シリコン基板３０を所定の温度下で
保持して、凹状溝３１ａが形成されたレジスト膜３１に
対してポストベーキングを行なう。
保持して、凹状溝３１ａが形成されたレジスト膜３１に
対してポストベーキングを行なう。
【００４１】次に、凹状溝３１ａが形成されたレジスト
膜３１を有するシリコン基板３０を電解質水溶液中に浸
漬して電解めっきを行なう。この場合、参照電極及び対
向電極には白金を用い、電解質水溶液としてはニッケル
液を用いた。そして、対向電極とシリコン基板３０との
間に０．９ボルトの電位差を与えて、図３（ｃ）に示す
ように、シリコン基板３０におけるレジスト膜３１の凹
状溝３１ａに露出している部分に電解めっき膜３２を堆
積する。
膜３１を有するシリコン基板３０を電解質水溶液中に浸
漬して電解めっきを行なう。この場合、参照電極及び対
向電極には白金を用い、電解質水溶液としてはニッケル
液を用いた。そして、対向電極とシリコン基板３０との
間に０．９ボルトの電位差を与えて、図３（ｃ）に示す
ように、シリコン基板３０におけるレジスト膜３１の凹
状溝３１ａに露出している部分に電解めっき膜３２を堆
積する。
【００４２】次に、シリコン基板３０をレジスト膜３１
に対する溶解液に浸して図３（ｄ）に示すように、レジ
スト膜３１の除去を行なう。
に対する溶解液に浸して図３（ｄ）に示すように、レジ
スト膜３１の除去を行なう。
【００４３】以上の工程が完了したシリコン基板３０を
ＡＦＭ内に戻して、シリコン基板３０の上に形成されて
いる電解めっき膜３２をＡＦＭ観察したところ、幅２ｎ
ｍで、高さ２ｎｍの電解めっき膜３２よりなるめっき線
が長さ５μｍに亘って形成されていることを確認でき
た。
ＡＦＭ内に戻して、シリコン基板３０の上に形成されて
いる電解めっき膜３２をＡＦＭ観察したところ、幅２ｎ
ｍで、高さ２ｎｍの電解めっき膜３２よりなるめっき線
が長さ５μｍに亘って形成されていることを確認でき
た。
【００４４】（第３実施例）以下、第３実施例として、
ＡＦＭを用いてシリコン基板の表面に無電解めっき膜を
堆積する方法について説明する。
ＡＦＭを用いてシリコン基板の表面に無電解めっき膜を
堆積する方法について説明する。
【００４５】まず、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板４０の上にＳｉＯ2 膜４１を形成した後、ＳｉＯ2
膜４１の上にパラジウムよりなる触媒層４２を堆積す
る。
基板４０の上にＳｉＯ2 膜４１を形成した後、ＳｉＯ2
膜４１の上にパラジウムよりなる触媒層４２を堆積す
る。
【００４６】次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト
をスピンコート法により１５ｎｍの厚さに塗布してレジ
スト膜４３を形成する。
をスピンコート法により１５ｎｍの厚さに塗布してレジ
スト膜４３を形成する。
【００４７】次に、シリコン基板２０を４０℃〜８０℃
の温度下で保持することにより、レジスト膜４３をプリ
ベーキングした後、図４（ｃ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜４３に押し付けた状態
で、シリコン基板４０を水平方向に移動して、図４
（ｄ）に示すように、レジスト膜４３に凹状溝４３ａよ
りなるレジストパターンを形成する。第３実施例におけ
るレジストパターンの形成方法は第２実施例とほぼ同様
であるが、第２実施例においてはシリコン基板３０を露
出させたが、第３実施例においてはパラジウムよりなる
触媒層４２を有するＳｉＯ2 膜４１を露出させる。シリ
コン基板４０の垂直方向及び水平方向の移動は第２実施
例と同様であるので説明は省略する。
の温度下で保持することにより、レジスト膜４３をプリ
ベーキングした後、図４（ｃ）に示すように、カンチレ
バー６の探針１２をレジスト膜４３に押し付けた状態
で、シリコン基板４０を水平方向に移動して、図４
（ｄ）に示すように、レジスト膜４３に凹状溝４３ａよ
りなるレジストパターンを形成する。第３実施例におけ
るレジストパターンの形成方法は第２実施例とほぼ同様
であるが、第２実施例においてはシリコン基板３０を露
出させたが、第３実施例においてはパラジウムよりなる
触媒層４２を有するＳｉＯ2 膜４１を露出させる。シリ
コン基板４０の垂直方向及び水平方向の移動は第２実施
例と同様であるので説明は省略する。
【００４８】第３実施例においても、プリベーキングの
温度とレジスト膜４３に形成される凹状溝４３ａの形状
との関係を観察したところ、第１実施例と同様、プリベ
ーキングの温度としては４０℃〜８０℃に範囲内が好ま
しいことが分かった。
温度とレジスト膜４３に形成される凹状溝４３ａの形状
との関係を観察したところ、第１実施例と同様、プリベ
ーキングの温度としては４０℃〜８０℃に範囲内が好ま
しいことが分かった。
【００４９】次に、シリコン基板４０を所定の温度下で
保持して、凹状溝４３ａが形成されたレジスト膜４３に
対してポストベーキングを行なう。
保持して、凹状溝４３ａが形成されたレジスト膜４３に
対してポストベーキングを行なう。
【００５０】次に、凹状溝４３ａが形成されたレジスト
膜４３を有するシリコン基板４０を無電解ニッケルめっ
き液中に浸漬して無電解めっきを行なうと、図４（ｄ）
に示すように、レジスト膜４３の凹状溝４３ａに露出し
ているＳｉＯ2 膜４１の上にのみ無電解めっき膜４４が
堆積される。
膜４３を有するシリコン基板４０を無電解ニッケルめっ
き液中に浸漬して無電解めっきを行なうと、図４（ｄ）
に示すように、レジスト膜４３の凹状溝４３ａに露出し
ているＳｉＯ2 膜４１の上にのみ無電解めっき膜４４が
堆積される。
【００５１】以上の工程が完了したシリコン基板４０を
ＡＦＭ内に戻して、シリコン基板４０の上に形成されて
いる無電解めっき膜４４をＡＦＭ観察したところ、膜厚
３０ｎｍの無電解めっき膜４４が長さ５μｍに亘って形
成されていることを確認できた。
ＡＦＭ内に戻して、シリコン基板４０の上に形成されて
いる無電解めっき膜４４をＡＦＭ観察したところ、膜厚
３０ｎｍの無電解めっき膜４４が長さ５μｍに亘って形
成されていることを確認できた。
【００５２】尚、前記第１〜第３の実施例において、レ
ジスト膜の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
その理由は、レジスト膜の膜厚が３０ｎｍを超えると、
凹状溝を形成するのに大きな力を必要とし、下地のシリ
コン基板又はＳｉＯ2 膜を傷付けてしまう虞れがあるた
めである。
ジスト膜の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
その理由は、レジスト膜の膜厚が３０ｎｍを超えると、
凹状溝を形成するのに大きな力を必要とし、下地のシリ
コン基板又はＳｉＯ2 膜を傷付けてしまう虞れがあるた
めである。
【００５３】また、前記第１〜第３の実施例において、
シリコン基板を水中に浸漬した状態でレジスト膜に凹状
溝を形成すると、削りとられたレジストが旨く離散する
ので、凹状溝の精度は一層向上する。
シリコン基板を水中に浸漬した状態でレジスト膜に凹状
溝を形成すると、削りとられたレジストが旨く離散する
ので、凹状溝の精度は一層向上する。
【００５４】
【発明の効果】請求項１の発明に係る微細加工方法によ
ると、基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持してレジス
ト膜をプリベーキングするため、レジスト膜にカンチレ
バーの探針を押し付けた状態で基板を水平方向に移動し
て凹状溝を形成すると、削られたレジスト膜が凹状溝を
塞いだり或いは探針が磨耗して凹状溝の幅が変化する事
態を避けられるので、レジスト膜に凹状溝を精度良く形
成することができ、ナノメートルオーダーの幅のエッチ
ングを実現できる。
ると、基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持してレジス
ト膜をプリベーキングするため、レジスト膜にカンチレ
バーの探針を押し付けた状態で基板を水平方向に移動し
て凹状溝を形成すると、削られたレジスト膜が凹状溝を
塞いだり或いは探針が磨耗して凹状溝の幅が変化する事
態を避けられるので、レジスト膜に凹状溝を精度良く形
成することができ、ナノメートルオーダーの幅のエッチ
ングを実現できる。
【００５５】請求項２の発明に係る微細加工方法による
と、請求項１の発明と同様、レジスト膜に凹状溝を精度
良く形成することができるので、ナノメートルオーダー
の幅を有する電解めっき膜を実現できる。
と、請求項１の発明と同様、レジスト膜に凹状溝を精度
良く形成することができるので、ナノメートルオーダー
の幅を有する電解めっき膜を実現できる。
【００５６】請求項３の発明に係る微細加工方法による
と、請求項１の発明と同様、レジスト膜に凹状溝を精度
良く形成することができるので、ナノメートルオーダー
の幅を有する無電解めっき膜を実現できる。
と、請求項１の発明と同様、レジスト膜に凹状溝を精度
良く形成することができるので、ナノメートルオーダー
の幅を有する無電解めっき膜を実現できる。
【００５７】請求項４の発明に係る微細加工方法による
と、レジスト膜形成工程において形成するレジスト膜の
膜厚が３０ｎｍ以下であるため、凹状溝を形成するのに
大きな力を必要としないので、下地を傷付けることがな
い。
と、レジスト膜形成工程において形成するレジスト膜の
膜厚が３０ｎｍ以下であるため、凹状溝を形成するのに
大きな力を必要としないので、下地を傷付けることがな
い。
【００５８】請求項５の発明に係る微細加工方法による
と、レジストパターン形成工程は基板を水中に浸漬した
状態で行なわれるため、削りとられたレジスト材料が水
中に離散し、凹状溝に残留することがないので、凹状溝
の精度は一層向上する。
と、レジストパターン形成工程は基板を水中に浸漬した
状態で行なわれるため、削りとられたレジスト材料が水
中に離散し、凹状溝に残留することがないので、凹状溝
の精度は一層向上する。
【図１】本発明の各実施例に用いる原子間力顕微鏡の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る微細加工方法の各工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る微細加工方法の各工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る微細加工方法の各工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１ 第１の圧電体 ２ 第２の圧電体 ３ 第３の圧電体 ４ 試料台 ５ 試料 ６ カンチレバー ７ 半導体レーザー ８ 集光レンズ ９ ２分割フォトダイオード １０ 制御信号発生回路 １１ 圧電体駆動回路 １２ 探針 １３ コンピュータ ２０ シリコン基板 ２１ ＳｉＯ2 膜 ２２ レジスト膜 ２２ａ 凹状溝（レジストパターン） ３０ シリコン基板 ３１ レジスト膜 ３１ａ 凹状溝（レジストパターン） ３２ 電解めっき膜 ４０ シリコン基板 ４１ ＳｉＯ2 膜 ４２ 触媒層 ４３ レジスト膜 ４３ａ 凹状溝（レジストパターン） ４４ 無電解めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 今井 淳一 (56)参考文献 特開 平４−127420（ＪＰ，Ａ) ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ Ｌ ＥＴＴＥＲ，55（1989），25 ＳＥＰＴ ＥＭＢＥＲ，ＰＰ．1312−1314 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＶＡＣＵＵＭ ＳＣＩＥＮＣＥ ＆ ＴＥＣＮＯＬＯ ＧＹ Ｂ，ＶＯＬ．12，ＮＯ．３，ＭＡ Ｙ／ＪＵＮ 1994，ＰＰ．1860−1865, Ｍ．ＦＵＪＩＨＩＲＡ ＆ Ｈ．ＴＡＫ ＡＮＯ，”ＡＴＯＭＩＣ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯＳＣＯＰＹ ＡＮＤ ＦＲＩ ＣＴＩ ＯＮ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯ ＳＣＰＹ ＯＦ ＬＡＮＧＭＵＩＲ−Ｂ ＬＯＤＧＥＴＴ ＦＩＬＭＳ ＦＯＲ ＭＩＣＲＯＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ"
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にレジストを塗布してレジスト膜
を形成するレジスト膜形成工程と、 前記基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持することによ
り、該基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベ
ーキング工程と、 プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカ
ンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態で前
記基板を水平方向に移動して、プリベーキングされたレ
ジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する
レジストパターン形成工程と、 前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をポスト
ベーキングするポストベーキング工程と、 ポストベーキングされたレジスト膜をマスクとして前記
基板に対してエッチングを行なうエッチング工程とを備
えていることを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項２】 基板上にレジストを塗布してレジスト膜
を形成するレジスト膜形成工程と、 前記基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持することによ
り、該基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベ
ーキング工程と、 プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカ
ンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態で前
記基板を水平方向に移動して、プリベーキングされたレ
ジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する
レジストパターン形成工程と、 前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をポスト
ベーキングするポストベーキング工程と、 前記基板を電解質水溶液中に浸漬して、該基板の表面に
おける前記レジストパターンに露出している部分に電解
めっき膜を堆積するめっき膜堆積工程とを備えているこ
とを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項３】 基板上に無電解めっき用の触媒層を堆積
する触媒層堆積工程と、 前記触媒層の上にレジストを塗布してレジスト膜を形成
するレジスト膜形成工程と、 前記基板を４０℃〜８０℃の温度下で保持することによ
り、該基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベ
ーキング工程と、 プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカ
ンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態で前
記基板を水平方向に移動して、プリベーキングされたレ
ジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成する
レジストパターン形成工程と、 前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をポスト
ベーキングするポストベーキング工程と、 前記基板を無電解めっき液中に浸漬して、該基板の表面
における前記レジストパターンに露出している部分に無
電解めっき膜を堆積するめっき膜堆積工程とを備えてい
ることを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項４】 前記レジスト膜形成工程において形成す
るレジスト膜の膜厚は３０ｎｍ以下であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細加工方
法。 - 【請求項５】 前記レジストパターン形成工程は、前記
基板を水中に浸漬した状態で行なわれることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220240A JP2599897B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220240A JP2599897B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883789A JPH0883789A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2599897B2 true JP2599897B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=16748094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6220240A Expired - Lifetime JP2599897B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599897B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| EP1112530B1 (de) * | 1998-08-28 | 2010-04-14 | Dyconex AG | Verfahren zur mikrolocherzeugung |
| JP4684570B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-05-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 基板上に規則配列した触媒金属微粒子を利用したカーボンナノチューブの形成法 |
| JP2008044044A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | マイクロアクチュエータシステム |
| US9184369B2 (en) | 2008-09-18 | 2015-11-10 | Fujifilm Sonosite, Inc. | Methods for manufacturing ultrasound transducers and other components |
| US9173047B2 (en) | 2008-09-18 | 2015-10-27 | Fujifilm Sonosite, Inc. | Methods for manufacturing ultrasound transducers and other components |
| US20110144494A1 (en) * | 2008-09-18 | 2011-06-16 | James Mehi | Methods for acquisition and display in ultrasound imaging |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6220240A patent/JP2599897B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Title |
|---|
| ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲ，５５（１９８９），２５ ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ，ＰＰ．１３１２−１３１４ |
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＶＡＣＵＵＭ ＳＣＩＥＮＣＥ ＆ ＴＥＣＮＯＬＯＧＹ Ｂ，ＶＯＬ．１２，ＮＯ．３，ＭＡＹ／ＪＵＮ １９９４，ＰＰ．１８６０−１８６５，Ｍ．ＦＵＪＩＨＩＲＡ ＆ Ｈ．ＴＡＫＡＮＯ，"ＡＴＯＭＩＣ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯＳＣＯＰＹ ＡＮＤ ＦＲＩＣＴＩ ＯＮ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯＳＣＰＹ ＯＦ ＬＡＮＧＭＵＩＲ−ＢＬＯＤＧＥＴＴ ＦＩＬＭＳ ＦＯＲ ＭＩＣＲＯＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ" |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0883789A (ja) | 1996-03-26 |
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