JP2593590B2 - Manufacturing method of magnetic recording media - Google Patents

Manufacturing method of magnetic recording media

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JP2593590B2
JP2593590B2 JP6197791A JP6197791A JP2593590B2 JP 2593590 B2 JP2593590 B2 JP 2593590B2 JP 6197791 A JP6197791 A JP 6197791A JP 6197791 A JP6197791 A JP 6197791A JP 2593590 B2 JP2593590 B2 JP 2593590B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等の磁気記
録媒体の製造法に係り、特に重ね書き特性を向上させる
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium such as a magnetic disk, and more particularly to a method for improving overwriting characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、CoNiCr,CoCr等の一軸結晶磁気異方性
を有するCo合金系強磁性金属の薄膜(磁性層)を非磁
性基体上にスパッタリングにより成膜した金属薄膜型磁
気記録媒体が用いられている。前記磁気記録媒体におい
て、高密度記録化を行うには、高い保磁力を具備する必
要があり、磁性層の薄膜化を促進しなければならない。
しかし、薄膜化を促進すると残留磁束密度Brと膜厚δ
との積Brδが小さくなり、再生出力が小さくなるとい
う問題があった。
2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in recording density of magnetic recording media, a thin film (magnetic layer) of a Co alloy ferromagnetic metal having uniaxial crystal magnetic anisotropy such as CoNiCr or CoCr has been formed on a non-magnetic substrate. A metal thin film type magnetic recording medium formed by sputtering is used. In order to achieve high-density recording in the magnetic recording medium, it is necessary to have a high coercive force, and it is necessary to promote thinning of the magnetic layer.
However, when the thinning is promoted, the residual magnetic flux density Br and the film thickness δ
And the product Brδ of the product becomes small, and the reproduction output becomes small.

【0003】そこで、磁性層の薄膜化を企図することな
く、保磁力を向上させる方法として、特開平2−154322
号公報に開示されているように、磁性層成膜時に基体に
負のバイアス電圧を印加することにより、磁性層の保磁
力を向上する方法が提案されている。一方、特開平1−
217723号公報に開示されているように、非磁性基体の上
にCrからなる下地層を設け、その上にスパッタリング
によりCo合金系磁性層と非磁性層とを交互に積層する
方法が開発されている。この方法によると、高保磁力の
薄膜磁性層が複数層形成されるため、各磁性層のBrδ
の総和は大きな値となり、再生出力を損うことなく高密
度記録化が可能となる。
In order to improve the coercive force without intending to reduce the thickness of the magnetic layer, Japanese Patent Laid-Open No. 2-154322 discloses a method for improving the coercive force.
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-157, there has been proposed a method for improving the coercive force of a magnetic layer by applying a negative bias voltage to a substrate during the formation of the magnetic layer. On the other hand, JP
As disclosed in Japanese Patent No. 217723, a method has been developed in which a base layer made of Cr is provided on a nonmagnetic substrate, and a Co alloy-based magnetic layer and a nonmagnetic layer are alternately stacked on the base layer by sputtering. I have. According to this method, a plurality of thin-film magnetic layers having a high coercive force are formed.
Is a large value, and high-density recording can be performed without impairing the reproduction output.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法により成膜した磁気記録媒体においては、重ね書
き特性(オーバーライト特性、O/W特性という。)に
ついて配慮されておらず、O/W特性に問題があった。
すなわち、磁気ヘッドの起磁力は磁気記録媒体の表面
(ヘッド対向面)から下方(基体側方向)にいくほど小
さくなるが、単層磁性層の下部および複層磁性層の下層
においても保磁力が高いため、磁気ヘッドの起磁力の低
下と相まって、新たなパタン(情報)が下部又は下層ま
で書き込み難くなり、以前のパタンの残留に起因するノ
イズにより新しいパタンのS/Nが悪くなるという問題
があった。
However, in the magnetic recording medium formed by these methods, the overwriting characteristics (overwrite characteristics, O / W characteristics) are not considered, and the O / W characteristics are not considered. Had a problem.
In other words, the magnetomotive force of the magnetic head decreases as it goes downward (toward the substrate) from the surface of the magnetic recording medium (head-facing surface), but the coercive force also decreases below the single-layer magnetic layer and below the multilayer magnetic layer. Since the magnetic field is high, a new pattern (information) is hardly written to the lower or lower layer in combination with a decrease in the magnetomotive force of the magnetic head, and the S / N of the new pattern deteriorates due to noise caused by the remaining pattern. there were.

【0005】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、記録密度および再生出力が高く、しかも良好なオー
バーライト特性を備えた磁気記録媒体の製造法を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having a high recording density and a high reproduction output and having good overwrite characteristics.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的に鑑みなされた
本発明の磁気記録媒体の製造法は、非磁性基体の上にC
rからなる下地層が形成され、該下地層の上にスパッタ
リングにより強磁性Co合金からなる磁性層とCr層と
を交互に積層成膜して磁気記録層を形成する磁気記録媒
体の製造法において、基体に零もしくは負のバイアス電
圧を印加して磁性層を成膜し、かつ下側の磁性層の成膜
時におけるバイアス電圧の大きさを上側の磁性層の成膜
時よりも小さくすることを発明の構成とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above objects, a method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention comprises:
A magnetic recording medium is manufactured by forming a magnetic recording layer by alternately laminating a magnetic layer made of a ferromagnetic Co alloy and a Cr layer on the underlayer by sputtering. A zero or negative bias voltage is applied to the substrate to form a magnetic layer, and the magnitude of the bias voltage when forming the lower magnetic layer is smaller than when forming the upper magnetic layer. Is a configuration of the present invention.

【0007】[0007]

【作用】基体に負のバイアス電圧を印加すると、磁性層
を形成するCo合金の純度が向上すると共にCo合金膜
の結晶配向性が向上し、かつCo合金膜内でのCrの偏
析が促進される。このため保磁力が向上する。Cr層を
挟んで隣接する磁性層の成膜に際し、下側の磁性層の成
膜時におけるバイアス電圧の大きさを上側の磁性層の成
膜時よりも小さく設定することにより、下側の磁性層の
Co合金純度が上側のそれより低下する。このため、保
持力も下側が上側に対して小さくなり、磁気ヘッドから
の起磁力が弱まっても、容易にパタンを書き換えること
ができ、書き込み前のパタンの残留によるノイズを防止
することができる。
When a negative bias voltage is applied to the substrate, the purity of the Co alloy forming the magnetic layer is improved, the crystal orientation of the Co alloy film is improved, and the segregation of Cr in the Co alloy film is promoted. You. For this reason, the coercive force is improved. When forming the magnetic layer adjacent to the Cr layer, the magnitude of the bias voltage at the time of forming the lower magnetic layer is set smaller than that at the time of forming the upper magnetic layer, so that the lower magnetic layer can be formed. The Co alloy purity of the layer is lower than that of the upper layer. For this reason, the holding force is also lower on the lower side than on the upper side, and even if the magnetomotive force from the magnetic head weakens, the pattern can be easily rewritten, and noise due to the remaining pattern before writing can be prevented.

【0008】[0008]

【実施例】以下、図1に示した磁気記録媒体の製造を例
にとって説明する。この媒体は、非磁性の基体3 の上に
Crからなる下地層4 が形成されており、その上に一軸
結晶磁気異方性を有する強磁性Co合金からなる磁性層
5,7,9 とCr層6,8 とが交互に積層されかつ最上層が磁
性層9とされた磁気記録層10が形成され、更にその上に
保護層11が形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A description will now be given of a magnetic recording medium shown in FIG. 1 as an example. In this medium, an underlayer 4 made of Cr is formed on a nonmagnetic substrate 3, and a magnetic layer made of a ferromagnetic Co alloy having uniaxial crystal magnetic anisotropy is formed thereon.
A magnetic recording layer 10 in which 5, 7, 9 and Cr layers 6, 8 are alternately stacked and the uppermost layer is a magnetic layer 9 is formed, and a protective layer 11 is further formed thereon.

【0009】図2は、本発明を実施するためのスパッタ
リング装置の一例を示しており、真空容器21の下部には
磁性層やCr層の成膜用原子を放出するためのターゲッ
ト22が設置され、その回りに環状の陽極33が取り付けら
れており、スパッタリング用電源24によって負の電圧
(一般的には−1KV以下)が印加されている。一方、
上部には基体3 を取り付けるためのホルダー25が設けら
れており、該ホルダー25に取り付けられた基体3 には、
バイアス電源26によりホルダー25を介して零又は負の電
圧(通常、0〜−200 V程度) が印加される。27は排気
管で、真空ポンプに配管接続されており、28はArガス
等のスパッタリングガス供給管である。
FIG. 2 shows an example of a sputtering apparatus for carrying out the present invention. A target 22 for emitting atoms for forming a magnetic layer or a Cr layer is provided below a vacuum vessel 21. An annular anode 33 is attached therearound, and a negative voltage (generally -1 KV or less) is applied by a sputtering power supply 24. on the other hand,
A holder 25 for mounting the base 3 is provided on the upper part, and the base 3 mounted on the holder 25 includes:
Zero or negative voltage (usually about 0 to -200 V) is applied by the bias power supply 26 via the holder 25. Reference numeral 27 denotes an exhaust pipe connected to a vacuum pump by piping, and reference numeral 28 denotes a sputtering gas supply pipe such as an Ar gas.

【0010】尚、スパッタリング装置としては、基体に
負電圧を印加できるものであれば、いずれの装置でも利
用可能である。例えば、磁性層の一軸配向性を向上させ
るために、真空容器内に基体を加熱するためのヒーター
が併設されていてもよい。また、ターゲット裏面にマグ
ネットを設けたマグネトロンスパッタ装置でもよい。更
に、スパッタリング用電源やバイアス電源としては、直
流に限らず高周波(RF)電源でもよい。
[0010] As a sputtering apparatus, any apparatus can be used as long as it can apply a negative voltage to the substrate. For example, in order to improve the uniaxial orientation of the magnetic layer, a heater for heating the base may be provided in the vacuum vessel. Further, a magnetron sputtering apparatus provided with a magnet on the back surface of the target may be used. Further, the sputtering power supply and the bias power supply are not limited to DC, but may be radio frequency (RF) power.

【0011】スパッタリング条件は、使用するスパッタ
リング装置、基体やターゲット材等により異なるが、一
般的にArガス分圧1〜10×10-3Torr、基体温度 150〜
300℃程度とされる。また、基体3 としては、図1では
Al合金製基板1 の上に、剛性を確保するため10〜20μ
m 程度の非晶質Ni−Pメッキ層2が形成されたものを
示したが、かかる構成に限らず、ガラスやセラミックス
を利用しても良い。尚、Ni−Pメッキ層2 の上面は、
通常、磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減するためにテキス
チャーと呼ばれる凹凸加工が施される。
The sputtering conditions vary depending on the sputtering apparatus used, the substrate, the target material, etc., but generally the Ar gas partial pressure is 1 to 10 × 10 −3 Torr, the substrate temperature is 150 to
It is about 300 ° C. In FIG. 1, the base 3 is formed on the Al alloy substrate 1 by 10 to 20 μm to secure rigidity.
Although an amorphous Ni—P plating layer 2 having a thickness of about m is shown, the present invention is not limited to this configuration, and glass or ceramics may be used. The upper surface of the Ni-P plating layer 2 is
Usually, in order to reduce the contact resistance with the magnetic head, irregular processing called texture is performed.

【0012】基体3 の上に形成されるCr下地層4 は、
その上に形成される磁性層5 の強磁性Co合金(結晶構
造hcp)のc軸(結晶磁気異方性を示す結晶軸)を面
内配向させるために形成されるもので、通常、500〜200
0Å程度の厚さにスパッタリングにより形成される。前
記磁気記録層10の磁性層5,7,9 を形成する強磁性Co合
金としては、hcp結晶構造を有するものならいずれの
ものでもよく、例えばCoNiCr、CoCrTa、C
oCrPt等を挙げることができる。磁性層5,7,9 は表
面側より下地層側にいくほど保磁力を弱めるため、下層
側から上層側に成膜するに従い、バイアス電圧の大きさ
を順次大きくする。尚、最下層5の成膜時のバイアス電
圧は零でもよい。各磁性層5,7,9 の層厚の合計は 600〜
800Åとするのがよい。全層厚を 600〜800Åとするの
は、再生出力の確保とノイズ低減のために磁気記録媒体
としてBrδが 450〜 600G・μのものが要求されてい
るからである。尚、各磁性層の層厚は 100Å以上にする
のがよい。 100Å未満になると連続膜でなく、合金部分
が島状に散在するようになり、超常磁性が現れ、保磁力
が急激に小さくなるからである。尚、図例では磁性層5,
7,9は三層としたが、層数は自由に設定することができ
る。
The Cr underlayer 4 formed on the substrate 3 is
The c-axis (crystal axis indicating crystal magnetic anisotropy) of the ferromagnetic Co alloy (crystal structure hcp) of the magnetic layer 5 formed thereon is formed to orient in-plane. 200
It is formed by sputtering to a thickness of about 0 °. The ferromagnetic Co alloy forming the magnetic layers 5, 7, 9 of the magnetic recording layer 10 may be any ferromagnetic Co alloy having an hcp crystal structure, such as CoNiCr, CoCrTa, C
oCrPt and the like. Since the coercive force of the magnetic layers 5, 7, 9 decreases from the surface side to the underlayer side, the magnitude of the bias voltage is sequentially increased as the layers are formed from the lower side to the upper side. The bias voltage at the time of forming the lowermost layer 5 may be zero. The total thickness of each magnetic layer 5, 7, 9 is 600 to
It should be 800 mm. The reason why the total layer thickness is set to 600 to 800 ° is that a magnetic recording medium having a Brδ of 450 to 600 G · μ is required as a magnetic recording medium in order to secure reproduction output and reduce noise. The thickness of each magnetic layer is preferably set to 100 ° or more. If the angle is less than 100 °, not a continuous film but an alloy portion is scattered in an island shape, superparamagnetism appears, and the coercive force decreases rapidly. In the example shown in FIG.
7 and 9 have three layers, but the number of layers can be freely set.

【0013】磁性層5,7,9 の間に形成されるCr層6,8
は、磁性層のCo系合金のc軸を面内配向させるため及
び磁性層間の磁気的な相互作用を弱めるために設けら
れ、層厚は50〜 250Å程度でよい。50Å未満では、Cr
層を挟む磁性層相互間の磁気的相互作用が強すぎるた
め、多層化による媒体ノイズの低減が現われにくい。一
方、 250Åを越えると媒体ノイズが大きくなり、又電気
的特性も劣化するようになるからである。尚、Cr層お
よびCr下地層を成膜する際にも負のバイアス電圧をか
けてもよいことは勿論である。
The Cr layers 6, 8 formed between the magnetic layers 5, 7, 9
Is provided for in-plane orientation of the c-axis of the Co-based alloy of the magnetic layer and for weakening magnetic interaction between the magnetic layers, and the layer thickness may be about 50 to 250 °. If less than 50 mm, Cr
Since the magnetic interaction between the magnetic layers sandwiching the layers is too strong, it is difficult to reduce the medium noise due to the multilayering. On the other hand, if the angle exceeds 250 °, the medium noise increases and the electrical characteristics deteriorate. It is needless to say that a negative bias voltage may be applied when forming the Cr layer and the Cr underlayer.

【0014】前記磁気記録層10の上にはカーボン等から
なる非磁性保護層11が 200〜 400Å程度スパッタリング
により形成されており、更にその上にフッ素化ポリエー
テル等の潤滑剤を20〜50Å程度塗布してもよい。尚、前
記保護層11や潤滑塗布層は必要に応じて形成すればよ
い。尚、Cr下地層、磁性層、Cr層、非磁性保護層の
工業的成膜方法としては、所期層を成膜するためのター
ゲット材を備えたスパッタリング装置を並設し、基体を
各スパッタリング装置に順次移動させて積層成膜すれば
よい。
On the magnetic recording layer 10, a non-magnetic protective layer 11 made of carbon or the like is formed by sputtering at about 200 to 400 °, and a lubricant such as fluorinated polyether is further coated with a lubricant at about 20 to 50 °. It may be applied. The protective layer 11 and the lubricating coating layer may be formed as needed. In addition, as an industrial film forming method of the Cr underlayer, the magnetic layer, the Cr layer, and the non-magnetic protective layer, a sputtering apparatus provided with a target material for forming an intended layer is provided in parallel, and the substrate is sputtered. What is necessary is just to move to an apparatus sequentially and to form a laminated film.

【0015】次に具体的実施例を掲げる。 (1) Al基板にNi−Pメッキ層を形成し、その表面に
テキスチャーを施した基体を用い、Ni−Pメッキ層の
上に、図1のように、Cr下地層4 を1000Å形成した。
その上に 250Åの膜厚の磁性層5,7,9 を 100ÅのCr層
6,8 を介して三層積層した。磁性層5,7,9 を成膜した
際、基体に印加したバイアス電圧の大きさを表1に示
す。上層の磁性層9 を成膜後、更に、その上にカーボン
層を 300Å積層成膜した。
Next, specific embodiments will be described. (1) A Ni-P plating layer was formed on an Al substrate, and a Cr underlayer 4 was formed on the Ni-P plating layer at a thickness of 1000 の 上 as shown in FIG. 1 using a substrate having a textured surface.
On top of this, a 250 mm thick magnetic layer 5,7,9 is added to a 100 mm Cr layer.
Three layers were stacked via 6,8. Table 1 shows the magnitude of the bias voltage applied to the substrate when the magnetic layers 5, 7, and 9 were formed. After the upper magnetic layer 9 was formed, a carbon layer was further formed thereon to a thickness of 300 mm.

【0016】成膜装置としてはRFマグネトロンスパッ
タ装置を用い、RFパワーを500Wとし、成膜条件は
Arガス圧5mmTorr、基体温度230℃とした。ターゲッ
トとして用いたCo合金組成(磁性層の組成) はCo84
Cr14Ta2 である。尚、基体に加えたバイアス電圧と
磁性層の保磁力との関係を図3に示す。同図よりバイア
ス電圧の大きさが小さい程、保磁力も小さいことが認め
られる。
As a film forming apparatus, an RF magnetron sputtering apparatus was used, the RF power was set to 500 W, and the film forming conditions were an Ar gas pressure of 5 mmTorr and a substrate temperature of 230 ° C. The Co alloy composition (composition of the magnetic layer) used as the target was Co 84
Cr 14 Ta 2 . FIG. 3 shows the relationship between the bias voltage applied to the base and the coercive force of the magnetic layer. It can be seen from the figure that the smaller the bias voltage is, the smaller the coercive force is.

【0017】[0017]

【表1】 [Table 1]

【0018】(2) 成膜後の磁気記録媒体の保磁力、媒体
ノイズ(SNm)およびオーバーライト特性を調べた。
その結果を表2に示す。尚、オーバーライト特性は媒体
に1Fデータを書き込み、次に直流消去することなく、
2Fデータを重ね書きした後、1Fと2Fの周波数成分
をスペクトラム・アナライザで測定し、下記式によって
定義する値(O/W値)によって評価した。O/W値が
小さい(絶対値は大)程、書き込み前のパタンはきれい
に消去されていることを示す。測定条件は、磁気ヘッド
として薄膜ヘッドを用い、浮上高さ0.13μm 、1Fデー
タ:1.75MHz 、2Fデータ:5.0MHzとした。
(2) The coercive force, medium noise (SNm) and overwrite characteristics of the magnetic recording medium after film formation were examined.
Table 2 shows the results. The overwrite characteristics are as follows: 1F data is written on the medium,
After overwriting the 2F data, the frequency components of 1F and 2F were measured with a spectrum analyzer and evaluated by the value (O / W value) defined by the following equation. The smaller the O / W value (the larger the absolute value), the clearer the pattern before writing is. The measurement conditions were as follows: a thin film head was used as the magnetic head, and the flying height was 0.13 μm, 1F data: 1.75 MHz, and 2F data: 5.0 MHz.

【0019】[0019]

【数1】 (Equation 1)

【0020】[0020]

【表2】 [Table 2]

【0021】(3) 表2より、実施例は比較例に比して保
磁力が同等又はそれ以上であるにも拘らず、O/W値は
大幅に低下しており、オーバーライト特性の向上が認め
られる。尚、媒体ノイズについては著しい改善は認めら
れないが、比較例と同等かそれ以上良好な結果が得られ
た。
(3) As shown in Table 2, the O / W value of the example is significantly lower than that of the comparative example, even though the coercive force is equal to or higher than that of the comparative example. Is recognized. Although no remarkable improvement was observed in the medium noise, good results equivalent to or better than the comparative example were obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の磁気記録媒
体の製造法は、複数の磁性層をCr層を介して積層成膜
したので、記録密度および再生出力の向上を図ることが
できる。しかも、磁気記録層の下側の磁性層ほど成膜時
に基体に加える負のバイアス電圧の大きさを小さくした
ので、下側の磁性層の保磁力を弱めることができ、磁気
ヘッドからの起磁力が減少しても、下側の磁性層に容易
に新しいパタンを書き込むことができ、オーバーライト
特性の向上を図ることができる。
As described above, in the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention, a plurality of magnetic layers are stacked and formed with a Cr layer interposed therebetween, so that recording density and reproduction output can be improved. Moreover, the lower the magnetic layer, the smaller the negative bias voltage applied to the substrate during film formation, so that the coercive force of the lower magnetic layer can be reduced, and the magnetomotive force from the magnetic head can be reduced. Even if the number of magnetic layers decreases, a new pattern can be easily written in the lower magnetic layer, and the overwrite characteristics can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例に係る磁気記録媒体の要部断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a magnetic recording medium according to an embodiment.

【図2】本発明を実施するためのスパッタリング装置の
一例を示す構成説明図である。
FIG. 2 is a configuration explanatory view showing an example of a sputtering apparatus for carrying out the present invention.

【図3】基体に加えたバイアス電圧と保磁力との関係を
示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between a bias voltage applied to a base and a coercive force.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 基体 4 下地層 5 磁性層 6 Cr層 7 磁性層 8 Cr層 9 磁性層 10 磁気記録層 22 ターゲット 24 バイアス電源 26 スパッタリング用電源 3 Base 4 Underlayer 5 Magnetic layer 6 Cr layer 7 Magnetic layer 8 Cr layer 9 Magnetic layer 10 Magnetic recording layer 22 Target 24 Bias power supply 26 Power supply for sputtering

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹村 芳樹 兵庫県伊丹市奥畑5丁目10番地 株式会 社クボタ尼崎工場伊丹分工場内 (56)参考文献 特開 平2−161617(JP,A) 特開 平1−217723(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshiki Takemura 5-10-10 Okuhata, Itami-shi, Hyogo Pref. Japan, Kubota Amagasaki Plant Itami-Bran Plant (56) References JP-A-2-161617 (JP, A) Kaihei 1-217723 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 非磁性基体の上にCrからなる下地層を
形成し、該下地層の上にスパッタリングにより強磁性C
o合金からなる磁性層とCr層とを交互に積層成膜して
磁気記録層を形成する磁気記録媒体の製造法において、 基体に零もしくは負のバイアス電圧を印加して磁性層を
成膜し、かつ下側の磁性層の成膜時におけるバイアス電
圧の大きさを上側の磁性層の成膜時よりも小さくするこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造法。
An underlayer made of Cr is formed on a nonmagnetic substrate, and a ferromagnetic layer is formed on the underlayer by sputtering.
In a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a magnetic recording layer is formed by alternately laminating a magnetic layer made of an o-alloy and a Cr layer, a magnetic layer is formed by applying a zero or negative bias voltage to a substrate. A method of manufacturing the magnetic recording medium, wherein the magnitude of the bias voltage at the time of forming the lower magnetic layer is smaller than that at the time of forming the upper magnetic layer.
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