JP2001331934A - Magnetic recording medium, method for producing the same, magnetic recording and reproducing unit and sputtering target - Google Patents

Magnetic recording medium, method for producing the same, magnetic recording and reproducing unit and sputtering target

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JP2001331934A JP2001076774A JP2001076774A JP2001331934A JP 2001331934 A JP2001331934 A JP 2001331934A JP 2001076774 A JP2001076774 A JP 2001076774A JP 2001076774 A JP2001076774 A JP 2001076774A JP 2001331934 A JP2001331934 A JP 2001331934A
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竜二 坂口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of easily producing a magnetic recording medium having excellent magnetic characteristics. SOLUTION: An orientation adjusting film 2 is formed on a surface-textured nonmetallic substrate 1, the surface of the film 2 is oxidized or nitrided and a nonmagnetic base film 3 and a magnetic film 4 are formed on the film 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、、上記
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリングターゲ
ット、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium used for a magnetic disk drive, a method for manufacturing the same, a sputtering target used for manufacturing the magnetic recording medium, and magnetic recording / reproducing using the magnetic recording medium. It concerns the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、磁気記録媒体用の基板としては、
アルミニウム合金等からなる金属基板が多く用いられて
いる。金属基板は、通常、表面にテクスチャ加工が施さ
れて用いられている。テクスチャ加工は、基板表面に所
定方向(通常は円周方向)に沿う凹凸を形成する加工で
あり、テクスチャ加工を施すことによって、基板上に形
成される下地膜および磁性膜の結晶配向性を向上させ磁
性膜に磁気異方性をもたせ、熱揺らぎ耐性や分解能など
の磁気特性を向上させることができる。ところで、近年
では、磁気記録媒体用の基板として、アルミニウム等か
らなる金属基板に代えて、ガラス、セラミックスなどか
らなる非金属基板が多く用いられてきている。非金属基
板は、硬度が高いためヘッドスラップが生じにくいと言
う利点がある。しかしながら、ガラス基板などの非金属
基板では、テクスチャ加工を施した場合でも磁性膜に充
分な磁気異方性をもたせるのが難しく、磁気記録媒体の
磁気特性が不充分となることがあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, substrates for magnetic recording media include:
A metal substrate made of an aluminum alloy or the like is often used. The metal substrate is usually used after its surface is textured. Texture processing is processing to form irregularities along a predetermined direction (usually the circumferential direction) on the substrate surface. By performing texture processing, the crystal orientation of the underlayer film and the magnetic film formed on the substrate is improved. Then, the magnetic film is given magnetic anisotropy to improve magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance and resolution. By the way, in recent years, as a substrate for a magnetic recording medium, a nonmetallic substrate made of glass, ceramics, or the like has been often used instead of a metal substrate made of aluminum or the like. The non-metallic substrate has an advantage that head slap hardly occurs because of high hardness. However, in the case of a non-metallic substrate such as a glass substrate, it is difficult to provide a magnetic film with sufficient magnetic anisotropy even when texture processing is performed, and the magnetic characteristics of a magnetic recording medium may be insufficient.

【0003】このため、ガラス、セラミックスなどから
なる非金属基板上に、テクスチャ加工が容易な硬質膜を
形成することが提案されている。例えば特開平5−19
7941号公報には、非金属基板表面に、テクスチャ加
工が容易な硬質膜であるNiP膜をスパッタ法により形
成したものが提案されている。また特開平4−2956
1号公報、および特開平9−167337号公報には、
非金属基板表面に硬質膜として無電解メッキ膜などのメ
ッキ膜を形成した磁気記録媒体が開示されている。非金
属基板表面に硬質膜を設けた磁気記録媒体を製造するに
は、スパッタ装置などの成膜装置内において基板上に硬
質膜を形成した後、基板を一旦成膜装置外に搬出し、テ
クスチャ加工装置を用いてテクスチャ加工を施し、次い
で再び成膜装置内に搬入し下地膜や磁性膜の形成を行う
方法が採られる。
For this reason, it has been proposed to form a hard film that can be easily textured on a nonmetallic substrate made of glass, ceramics, or the like. For example, JP-A-5-19
No. 7941 proposes a non-metal substrate having a NiP film, which is a hard film that can be easily textured, formed by a sputtering method. Also, JP-A-4-2956
No. 1 and JP-A-9-167337,
There is disclosed a magnetic recording medium in which a plating film such as an electroless plating film is formed as a hard film on the surface of a nonmetallic substrate. To manufacture a magnetic recording medium having a hard film provided on the surface of a non-metallic substrate, a hard film is formed on a substrate in a film forming apparatus such as a sputtering apparatus, and then the substrate is once carried out of the film forming apparatus and textured. A method of performing texture processing using a processing apparatus, and then carrying it back into the film forming apparatus to form a base film and a magnetic film is adopted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の磁気記録媒体の製造方法では、製造工程が煩雑であ
るため製造コストが嵩む不満があり、製造工程を簡略化
することができる製造方法が要望されていた。本発明
は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気特性に優れ
た磁気記録媒体を容易に製造することができる方法を提
供することを目的とする。
However, in the above-mentioned conventional method for manufacturing a magnetic recording medium, there is a dissatisfaction that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased, and a manufacturing method capable of simplifying the manufacturing process is desired. It had been. The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a method capable of easily manufacturing a magnetic recording medium having excellent magnetic properties.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、表面にテクスチャ加工を施した非金属基板
上に、直上の膜の配向性を整える配向調整膜を形成し、
この配向調整膜の表面を酸化処理し、その上に非磁性下
地膜および磁性膜を形成することを特徴とする。酸化処
理は、配向調整膜の表面を酸素含有ガスに接触させるこ
とにより行うことが好ましい。酸素含有ガスとしては、
空気、純酸素、水蒸気、酸素富化ガスのうちから選ばれ
た少なくとも1種を挙げることができる。酸素含有ガス
の酸素含有率は、1〜100vol%であることが好ま
しい。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、配向調整膜
の表面を窒化処理し、その上に非磁性下地膜および磁性
膜を形成することを特徴とする。窒化処理は、配向調整
膜の表面を窒素含有ガスに接触させることにより行うこ
とが好ましい。窒素含有ガスとしては、空気、純窒素、
窒素富化ガスのうちから選ばれた少なくとも1種を挙げ
ることができる。窒素含有ガスの窒素含有率は、1〜1
00vol%であることが好ましい。本発明の磁気記録
媒体の製造方法は、配向調整膜を形成する方法としてス
パッタ法を採用し、配向調整膜を形成するに際し、酸素
を含むスパッタガスを用いる方法を採用してもよい。ス
パッタガスの酸素含有率は、1〜80vol%であるこ
とが好ましい。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、配
向調整膜を形成する方法としてスパッタ法を採用し、配
向調整膜を形成するに際し、窒素を含むスパッタガスを
用いる方法を採用してもよい。スパッタガスの窒素含有
率は、1〜80vol%であることが好ましい。配向調
整膜は、NiP(Pの含有率は10〜40at%)を主
成分とするものとすることができる。配向調整膜は、N
iPX(XはCr、Mo、Si、Mn、W、Nb、T
i、Zrのうち1種以上、Xの含有率は0〜25at
%)を主成分とするものとすることができる。本発明の
スパッタリングターゲットは、上記磁気記録媒体の製造
方法を行うにあたり配向調整膜を形成するために用いら
れるスパッタリングターゲットであって、NiPX(X
はCr、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのう
ち1種以上、Xの含有率は0〜25at%)を主成分と
するものであることを特徴とする。本発明の磁気記録媒
体は、表面にテクスチャ加工が施された非金属基板上に
配向調整膜が形成され、その上に非磁性下地膜および磁
性膜が形成され、周方向の保磁力Hccと径方向の保磁
力Hcrとの比Hcc/Hcrが、1.1以上であるこ
とを特徴とする。本発明の磁気記録媒体では、配向制御
膜の表面が酸化処理されている構成とすることができ
る。また配向制御膜の表面が窒化処理されている構成と
することができる。配向調整膜は、NiP(Pの含有率
は10〜40at%)を主成分とするものであることが
好ましい。配向調整膜は、NiPX(XはCr、Mo、
Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのうち1種以上、X
の含有率は0〜25at%)を主成分とするものである
ことが好ましい。配向制御膜の膜厚は2〜100nmで
あることが好ましい。配向調整膜は、表面平均粗さRa
が0.5nm未満であることが好ましい。非金属基板
は、ガラス基板であることが好ましい。本発明の磁気記
録媒体では、非金属基板と配向性調整膜との間に、配向
性調整膜を基板側から剥離しにくくする非磁性密着膜が
形成され、この非磁性密着膜が、Cr、Mo、Nb、
V、Re、Zr、W、Tiのうち1種以上からなる構成
を採ることもできる。本発明の磁気記録再生装置は、上
記磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生す
る磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする。
According to a method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, an orientation adjusting film for adjusting the orientation of a film immediately above is formed on a non-metallic substrate having a textured surface,
The surface of the alignment adjusting film is oxidized, and a non-magnetic base film and a magnetic film are formed thereon. The oxidation treatment is preferably performed by bringing the surface of the alignment adjustment film into contact with an oxygen-containing gas. As the oxygen-containing gas,
At least one selected from air, pure oxygen, water vapor, and oxygen-enriched gas can be given. The oxygen-containing gas preferably has an oxygen content of 1 to 100 vol%. A method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention is characterized in that a surface of an orientation adjusting film is subjected to a nitriding treatment, and a non-magnetic underlayer and a magnetic film are formed thereon. The nitriding treatment is preferably performed by bringing the surface of the alignment adjusting film into contact with a nitrogen-containing gas. As the nitrogen-containing gas, air, pure nitrogen,
At least one selected from nitrogen-enriched gas can be mentioned. The nitrogen content of the nitrogen-containing gas is 1-1.
It is preferably 00 vol%. In the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, a sputtering method may be employed as a method for forming an alignment adjusting film, and a method using a sputtering gas containing oxygen may be employed for forming the alignment adjusting film. The oxygen content of the sputtering gas is preferably 1 to 80 vol%. In the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, a sputtering method may be employed as a method for forming an alignment adjusting film, and a method using a sputtering gas containing nitrogen may be employed for forming the alignment adjusting film. The nitrogen content of the sputtering gas is preferably 1 to 80 vol%. The orientation adjusting film may be mainly composed of NiP (P content is 10 to 40 at%). The alignment adjusting film is made of N
iPX (X is Cr, Mo, Si, Mn, W, Nb, T
one or more of i and Zr, and the content of X is 0 to 25 at.
%) As a main component. The sputtering target of the present invention is a sputtering target used for forming an alignment adjustment film when performing the above-described method for manufacturing a magnetic recording medium, and is a NiPX (X
Is characterized by being mainly composed of one or more of Cr, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr (X content is 0 to 25 at%). In the magnetic recording medium of the present invention, an orientation adjusting film is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, a non-magnetic base film and a magnetic film are formed thereon, and a coercive force Hcc and a diameter in a circumferential direction are formed. The ratio Hcc / Hcr to the coercive force Hcr in the direction is 1.1 or more. In the magnetic recording medium of the present invention, the surface of the orientation control film may be oxidized. Further, a structure in which the surface of the orientation control film is subjected to nitriding treatment can be employed. It is preferable that the orientation adjusting film has NiP (P content: 10 to 40 at%) as a main component. The orientation adjusting film is made of NiPX (X is Cr, Mo,
One or more of Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr, X
(The content is preferably 0 to 25 at%). The thickness of the orientation control film is preferably 2 to 100 nm. The alignment adjustment film has a surface average roughness Ra
Is preferably less than 0.5 nm. The non-metallic substrate is preferably a glass substrate. In the magnetic recording medium of the present invention, a non-magnetic adhesion film is formed between the non-metallic substrate and the orientation adjustment film so that the orientation adjustment film is hardly peeled off from the substrate side. Mo, Nb,
A configuration including one or more of V, Re, Zr, W, and Ti can also be employed. A magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention includes the magnetic recording medium, and a magnetic head for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の磁気記録媒体の
第1の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、表面にテクスチャ加工が施された非金属基板1上に
配向調整膜2が形成され、その上に非磁性下地膜3、磁
性膜4、および保護膜5が順次形成されたものである。
以下、非金属基板1と配向調整膜2を媒体基板6とい
う。
FIG. 1 shows a first embodiment of a magnetic recording medium according to the present invention. The magnetic recording medium shown here is formed on a non-metallic substrate 1 whose surface is textured. An orientation adjusting film 2 is formed, on which a non-magnetic base film 3, a magnetic film 4, and a protective film 5 are sequentially formed.
Hereinafter, the non-metallic substrate 1 and the alignment adjustment film 2 are referred to as a medium substrate 6.

【0007】非金属基板1としては、ガラス、セラミッ
クス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなるものが用いられる。特に、耐久性、
コストなどの観点からガラス基板を用いるのが好まし
い。ガラス基板に用いられるガラスとしては、アモルフ
ァスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラス
としては、汎用のソーダライムガラス、アルミノケート
ガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また
結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用い
ることができる。なかでも特に、硬度などの物性が均一
なアモルファスガラスを用いると、表面に均一なテクス
チャ加工を施すことができるため好ましい。セラミック
ス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミ
ニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、それら
の繊維強化物などが使用可能である。
The non-metallic substrate 1 is made of a non-metallic material such as glass, ceramics, silicon, silicon carbide, and carbon. In particular, durability,
It is preferable to use a glass substrate from the viewpoint of cost and the like. Examples of glass used for the glass substrate include amorphous glass and crystallized glass. As the amorphous glass, general-purpose soda lime glass, aluminosilicate glass, and aluminosilicate glass can be used. As the crystallized glass, a lithium-based crystallized glass can be used. In particular, it is preferable to use an amorphous glass having uniform physical properties such as hardness, since the surface can be uniformly textured. As the ceramic substrate, a general-purpose sintered body mainly containing aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, or the like, or a fiber reinforced material thereof can be used.

【0008】非金属基板1は、固定砥粒を用いたラッピ
ングテープや遊離砥粒による機械的テクスチャ加工など
により、表面にテクスチャ加工が施されている。テクス
チャ加工により非金属基板1表面に形成されたテクスチ
ャラインは基板周方向に沿うものであることが好まし
い。非金属基板1の表面平均粗さRaは0.1〜1nm
(1〜10Å)、好ましくは0.3〜0.8nm(3〜
8Å)とするのが望ましい。
The surface of the non-metallic substrate 1 is textured by wrapping tape using fixed abrasive grains or mechanical texturing using free abrasive grains. It is preferable that the texture line formed on the surface of the non-metallic substrate 1 by the texture processing is along the substrate circumferential direction. The surface average roughness Ra of the non-metallic substrate 1 is 0.1 to 1 nm
(1-10 °), preferably 0.3-0.8 nm (3-
8Å) is desirable.

【0009】表面平均粗さRaが上記範囲未満である
と、非金属基板1が過度に平滑になり磁性膜4の磁気異
方性を高める効果が薄れる。表面平均粗さRaが上記範
囲を越えると、媒体表面の平滑性が低くなりグライドハ
イト特性が低下し、記録再生時において磁気ヘッドのフ
ライングハイトを低くするのが難しくなる。非金属基板
1は、金属基板に比べ硬度が高くテクスチャ加工性が低
いため、テクスチャ加工を行った場合にバリなどの異常
突出部が形成されにくく、最大突起高さRpが比較的低
くなる。
When the surface average roughness Ra is less than the above range, the nonmetallic substrate 1 becomes excessively smooth, and the effect of increasing the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 is reduced. If the surface average roughness Ra exceeds the above range, the smoothness of the medium surface is reduced, the glide height characteristic is reduced, and it is difficult to reduce the flying height of the magnetic head during recording and reproduction. Since the non-metallic substrate 1 has a higher hardness and a lower texture processability than the metal substrate, when the texture process is performed, it is difficult to form an abnormal protrusion such as a burr, and the maximum protrusion height Rp is relatively low.

【0010】配向調整膜2は、直上に形成される非磁性
下地膜3の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成さ
れる磁性膜4の結晶配向性を調整し、磁性膜4の磁気異
方性を向上させるためのものである。また配向調整膜2
は、結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜3
および磁性膜4中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜
としても機能する。
The orientation adjusting film 2 adjusts the crystal orientation of the non-magnetic base film 3 formed immediately above, further adjusts the crystal orientation of the magnetic film 4 formed thereon, and adjusts the magnetic orientation of the magnetic film 4. This is for improving the anisotropy. Also, the alignment adjusting film 2
Is not only for adjusting the crystal orientation, but also for
Also, it functions as a crystal grain refinement film that refines crystal grains in the magnetic film 4.

【0011】配向調整膜2の材料としては、NiPを主
成分とするものを用いるのが好ましい。Pの含有率は1
0〜40at%(好ましくは15〜35at%)とする
のが好ましい。Pの含有率が上記範囲未満であると、こ
の材料が磁化しやすくなり、上記範囲を越えると、非磁
性下地膜3、磁性膜4の結晶配向性が悪化しやすくな
る。なお本明細書において、主成分とは当該成分を50
at%を越えて含むことを指す。
As a material of the alignment adjusting film 2, it is preferable to use a material containing NiP as a main component. P content is 1
It is preferably 0 to 40 at% (preferably 15 to 35 at%). If the P content is less than the above range, the material is easily magnetized, and if it exceeds the above range, the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 tends to deteriorate. In this specification, the main component is defined as 50
Includes more than at%.

【0012】さらに、配向調整膜2の材料としては、N
iPX(XはCr、Mo、Si、Mn、W、Nb、T
i、Zrのうち1種以上)を主成分とするものを用いる
のが好ましい。Xの含有率は0〜25at%(好ましく
は5at%〜25at%、さらに好ましくは10at%
〜25at%)とするのが好ましい。Xの含有量が25
at%を越える場合には、非磁性下地膜3、磁性膜4の
結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。
Further, the material of the alignment adjusting film 2 is N
iPX (X is Cr, Mo, Si, Mn, W, Nb, T
It is preferable to use one containing at least one of i and Zr). X content is 0 to 25 at% (preferably 5 to 25 at%, more preferably 10 at%)
2525 at%). X content of 25
If it exceeds at%, the crystal orientation of the non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4 deteriorates, and the magnetic anisotropy decreases.

【0013】配向調整膜2の膜厚は2〜100nm(2
0〜1000Å)(好ましくは2〜50nm)とするの
が望ましい。この膜厚は、上記範囲未満であると磁性膜
4の磁気異方性が低下し、上記範囲を越えると配向調整
膜2が剥離しやすくなるとともに材料コストが嵩むよう
になるため好ましくない。
The thickness of the orientation adjusting film 2 is 2 to 100 nm (2
0 to 1000 °) (preferably 2 to 50 nm). If the thickness is less than the above range, the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 decreases, and if it exceeds the above range, the alignment adjustment film 2 is easily peeled and the material cost increases, which is not preferable.

【0014】また、配向調整膜2は、表面にテクスチャ
加工が施されていてもよいし、施されていなくてもよ
い。配向調整膜2が表面にテクスチャ加工がされたもの
である場合には、テクスチャラインが基板周方向に沿う
ものであることが好ましい。配向調整膜2の表面平均粗
さRaは、グライドハイト特性の点から1nm以下であ
ることが好ましい。配向調整膜2の表面平均粗さRa
は、0.5nm未満(5Å未満)(より好ましくは0.
3nm未満)とするのがより望ましい。配向調整膜2に
は比較的硬度が低く加工性に富むNiPXなどの金属材
料が配向調整膜2に用いられることから、テクスチャ加
工時において膜表面にバリやカエリなどの大きな突出部
が形成されやすくなり、最大突起高さRpが大きくなり
やすい。配向調整膜2の表面平均粗さRaを0.5nm
未満(5Å未満)とすることによれば、テクスチャ加工
時における研削量を少なくし、表面の最大突起高さRp
が大きくなるのを防ぎ、媒体表面の最大突起高さRpを
小さく抑え、グライドハイト特性の悪化を防ぐことがで
きる。
The surface of the orientation adjusting film 2 may or may not be textured. When the surface of the orientation adjusting film 2 is textured, it is preferable that the texture line is along the circumferential direction of the substrate. The surface average roughness Ra of the alignment adjusting film 2 is preferably 1 nm or less from the viewpoint of glide height characteristics. Surface average roughness Ra of alignment control film 2
Is less than 0.5 nm (less than 5 °) (more preferably, 0.
(Less than 3 nm). Since a metal material such as NiPX having relatively low hardness and high workability is used for the alignment adjustment film 2, large protrusions such as burrs and burrs are easily formed on the film surface during texture processing. Therefore, the maximum projection height Rp tends to increase. The surface average roughness Ra of the alignment adjusting film 2 is 0.5 nm.
With less than 5 °, the amount of grinding during texture processing is reduced, and the maximum projection height Rp on the surface is reduced.
Can be prevented from increasing, the maximum protrusion height Rp on the medium surface can be kept small, and deterioration of the glide height characteristic can be prevented.

【0015】非磁性下地膜3は、従来公知の下地膜材
料、例えばCr、Ti、Ni、Si、Ta、W、Mo、
V、Nbのうち1種以上、またはこれらに、結晶性を損
なわない範囲で他の元素を添加した合金からなるものと
することができる。なかでも特に、CrまたはCr合金
(例えばCrTi系、CrW系、CrMo系、CrV
系、CrSi系)を用いるのが好適である。また非磁性
下地膜3は単層構造としてもよいし、互いに同一または
異なる組成の膜を複数積層させた多層構造としてもよ
い。非磁性下地膜3の厚さは、1〜100nm(10〜
1000Å)、好ましくは2〜50nm(20〜500
Å)とするのが望ましい。非磁性下地膜3の結晶配向は
(002)とするのが好ましい。
The nonmagnetic underlayer 3 is made of a conventionally known underlayer material such as Cr, Ti, Ni, Si, Ta, W, Mo,
It can be made of an alloy in which one or more of V and Nb or other elements are added to these in a range that does not impair the crystallinity. Among them, Cr or Cr alloys (for example, CrTi, CrW, CrMo, CrV
, CrSi-based). The nonmagnetic underlayer 3 may have a single-layer structure or a multilayer structure in which a plurality of films having the same or different compositions are stacked. The thickness of the nonmagnetic underlayer 3 is 1 to 100 nm (10 to 10 nm).
1000 °), preferably 2 to 50 nm (20 to 500
Å) is desirable. The crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 is preferably (002).

【0016】磁性膜4には、Coを主成分とする材料を
用いるのが好ましい。この材料としては、例えばCr、
Pt、Ta、B、Ti、Ag、Cu、Al、Au、W、
Nb、Zr、V、Ni、FeおよびMoのうち1種以上
を、Coに加えたCo合金を用いることができる。上記
材料の好適な具体例としては、CoCrTa系、CoC
rPt系、CoCrPtB系、CoCrPtTa系の合
金を主成分とするものを挙げることができる。なかでも
特に、CoCrPtTa系の合金を用いることが好まし
い。磁性膜4の厚さは、5〜30nm(50〜300
Å)とすることができる。磁性膜4の結晶配向は(11
0)とするのが好ましい。
The magnetic film 4 is preferably made of a material containing Co as a main component. As this material, for example, Cr,
Pt, Ta, B, Ti, Ag, Cu, Al, Au, W,
A Co alloy in which at least one of Nb, Zr, V, Ni, Fe and Mo is added to Co can be used. Preferred specific examples of the above materials include CoCrTa, CoC
An alloy mainly containing an rPt-based, CoCrPtB-based, or CoCrPtTa-based alloy can be given. It is particularly preferable to use a CoCrPtTa-based alloy. The thickness of the magnetic film 4 is 5 to 30 nm (50 to 300 nm).
Å). The crystal orientation of the magnetic film 4 is (11
0) is preferable.

【0017】また磁性膜4は、均一な構成の単層構造と
してもよいし、複数の層を積層した多層構造としてもよ
い。多層構造膜を構成する層には、互いに同じ組成の材
料を用いてもよいし、異なる組成の材料を用いてもよ
い。
The magnetic film 4 may have a single-layer structure having a uniform configuration, or may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. For the layers constituting the multilayer structure film, materials having the same composition or materials having different compositions may be used.

【0018】保護膜5の材料としては、従来公知のもの
を使用してよく、例えばカーボン、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化ジルコニウム等の単一成分またはこれら
を主成分とする材料を使用することができる。保護膜5
の厚さは、2〜10nm(20〜100Å)とするのが
好ましい。また、保護膜5上には、必要に応じ、パーフ
ルオロポリエーテル等のフッ素系液体潤滑剤などの潤滑
剤からなる潤滑膜を設けることができる。
As the material of the protective film 5, a conventionally known material may be used. For example, a single component such as carbon, silicon oxide, silicon nitride, zirconium oxide, or a material containing these as a main component may be used. it can. Protective film 5
Is preferably 2 to 10 nm (20 to 100 °). Further, a lubricating film made of a lubricant such as a fluorinated liquid lubricant such as perfluoropolyether can be provided on the protective film 5 if necessary.

【0019】本実施形態の磁気記録媒体は、周方向の保
磁力Hccと径方向の保磁力Hcrとの比Hcc/Hc
rが、1.1以上(好ましくは1.2以上)とされてい
る。この比Hcc/Hcrが上記範囲未満であると、磁
気記録媒体の磁気異方性が不足し、熱揺らぎ耐性などの
磁気特性が不充分となる。
The magnetic recording medium of this embodiment has a ratio Hcc / Hc of the coercive force Hcc in the circumferential direction to the coercive force Hcr in the radial direction.
r is set to 1.1 or more (preferably 1.2 or more). If the ratio Hcc / Hcr is less than the above range, the magnetic anisotropy of the magnetic recording medium will be insufficient, and the magnetic properties such as thermal fluctuation resistance will be insufficient.

【0020】以下、上記磁気記録媒体を製造する場合を
例として本発明の磁気記録媒体の製造方法の第1の実施
形態を説明する。まず、非金属基板1表面にテクスチャ
加工を施す。テクスチャ加工法としては、固定砥粒を用
いたラッピングテープや遊離砥粒による機械的テクスチ
ャ加工が好適である。テクスチャ加工においては、テク
スチャラインを周方向に形成するのが好ましい。また機
械的テクスチャ加工により膜表面に形成された微小なバ
リやカエリ等を除去し、より高い表面平滑性を得るため
に、機械的テクスチャ加工後、化学エッチング処理を行
うことも可能である。
Hereinafter, a first embodiment of a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to an example of manufacturing the magnetic recording medium. First, texturing is performed on the surface of the non-metallic substrate 1. As the texturing method, lapping tape using fixed abrasive grains or mechanical texturing using free abrasive grains is preferable. In texture processing, it is preferable to form texture lines in the circumferential direction. Further, in order to remove fine burrs and burrs formed on the film surface by mechanical texturing and obtain higher surface smoothness, chemical etching can be performed after mechanical texturing.

【0021】次いで、非金属基板1上に配向調整膜2を
形成し、媒体基板6を得る。配向調整膜2は、成膜装置
であるスパッタ装置を用いたスパッタ法により形成する
のが好ましい。図2は、スパッタ装置の一例を示すもの
で、ここに示すスパッタ装置21は、チャンバ22と、
チャンバ22の両側壁内面に設けられたスパッタリング
ターゲット23と、ターゲット23に電力を供給する電
源24と、基板1にバイアスを印加するバイアス電源2
5と、チャンバ22内にスパッタガスを供給するスパッ
タガス供給手段26と、チャンバ22内に酸素含有ガス
を供給する酸素含有ガス供給手段27とを備えている。
Next, the orientation adjusting film 2 is formed on the non-metallic substrate 1 to obtain the medium substrate 6. The orientation adjusting film 2 is preferably formed by a sputtering method using a sputtering device which is a film forming device. FIG. 2 shows an example of a sputtering apparatus. A sputtering apparatus 21 shown here includes a chamber 22 and
A sputtering target 23 provided on the inner surface of both side walls of the chamber 22, a power supply 24 for supplying power to the target 23, and a bias power supply 2 for applying a bias to the substrate 1
5, a sputtering gas supply means 26 for supplying a sputtering gas into the chamber 22, and an oxygen-containing gas supply means 27 for supplying an oxygen-containing gas into the chamber 22.

【0022】スパッタリングターゲット23としては、
上記配向調整膜2の構成材料からなるものが用いられ
る。スパッタリングターゲット23は、NiPX(Xは
Cr、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのうち
1種以上、Xの含有率は0〜25at%、好ましくは5
at%〜25at%、さらに好ましくは10at%〜2
5at%)を主成分とするものであることが望ましい。
Xの含有量が上記範囲を越える場合には、非磁性下地膜
3、磁性膜4の結晶配向性が悪化し磁性膜4の磁気異方
性が低下する。スパッタリングターゲット23として
は、NiPを主成分とするものを用いることもできる。
Pの含有率は10〜40at%(好ましくは15〜35
at%)とするのが好ましい。Pの含有率が上記範囲未
満であると、この材料が磁化しやすくなり、上記範囲を
越えると、非磁性下地膜3、磁性膜4の結晶配向性が悪
化しやすくなる。
As the sputtering target 23,
What consists of the constituent material of the said orientation adjustment film 2 is used. The sputtering target 23 is made of NiPX (X is one or more of Cr, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr, and the X content is 0 to 25 at%, preferably 5 to 25 at%.
at% to 25 at%, more preferably 10 at% to 2
(5 at%) as a main component.
When the content of X exceeds the above range, the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 deteriorates, and the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 decreases. As the sputtering target 23, a sputtering target containing NiP as a main component can also be used.
The P content is 10 to 40 at% (preferably 15 to 35 at%).
at%). If the P content is less than the above range, the material is easily magnetized, and if it exceeds the above range, the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 tends to deteriorate.

【0023】このターゲット23としては、焼結合金タ
ーゲットや溶解法により製造された合金ターゲットを用
いることができ、特に、焼結合金ターゲットを用いるの
が好ましい。焼結合金ターゲットは、上記組成の合金粉
末、あるいは上記組成となるように混合された複数種の
合金粉末または単体金属粉末の混合物を用い、これをH
IP(熱間静水圧プレス)、ホットプレスなどの従来公
知の焼結法により焼結したものとすることができる。な
お上記合金粉末、金属粉末としては、ガスアトマイズ法
などの従来公知の方法により製造したものを用いること
ができる。
As the target 23, a sintered alloy target or an alloy target manufactured by a melting method can be used, and it is particularly preferable to use a sintered alloy target. As the sintered alloy target, an alloy powder having the above composition, or a mixture of a plurality of alloy powders or elemental metal powders mixed so as to have the above composition is used.
It can be sintered by a conventionally known sintering method such as IP (hot isostatic press) and hot press. As the alloy powder and the metal powder, those manufactured by a conventionally known method such as a gas atomization method can be used.

【0024】配向調整膜2の形成にあたっては、非金属
基板1をチャンバ22内に搬入し、スパッタガス供給手
段26を用いてアルゴンガスなどのスパッタガスをチャ
ンバ22内に導入した後、上記ターゲット23に給電
し、スパッタ法により上記ターゲット構成材料を非金属
基板1上に付着させる。なお配向調整膜2は、スパッタ
法に限らず、無電解メッキ法などのメッキ法、真空蒸
着、イオンプレーティングなどによって形成することも
できる。
In forming the alignment adjusting film 2, the non-metallic substrate 1 is carried into the chamber 22, a sputtering gas such as an argon gas is introduced into the chamber 22 by using a sputtering gas supply means 26, and then the target 23 And the target constituent material is deposited on the non-metal substrate 1 by a sputtering method. The orientation adjusting film 2 is not limited to the sputtering method, and may be formed by a plating method such as an electroless plating method, vacuum deposition, ion plating, or the like.

【0025】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、続いて、配向調整膜2の表面に酸化処理を施す。酸
化処理を行うには、配向調整膜2表面を酸素含有ガスに
接触させる方法を採ることができる。酸素含有ガスとし
ては、空気、純酸素、水蒸気を用いることができる。ま
た空気中の酸素含有量を増加させた酸素富化ガスを用い
ることもできる。
In the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present embodiment, subsequently, the surface of the alignment adjusting film 2 is subjected to an oxidation treatment. In order to perform the oxidation treatment, a method of bringing the surface of the alignment adjustment film 2 into contact with an oxygen-containing gas can be employed. Air, pure oxygen, and water vapor can be used as the oxygen-containing gas. An oxygen-enriched gas having an increased oxygen content in the air can also be used.

【0026】配向調整膜2表面を酸素含有ガスに接触さ
せる方法の具体例としては、上述のように、スパッタ装
置21のチャンバ22内において基板1上に配向調整膜
2を形成した後、チャンバ22内に、酸素含有ガス供給
手段27を用いて酸素含有ガスを導入する方法を挙げる
ことができる。この際、配向調整膜2が曝されるガス
(この場合にはチャンバ22内のガス)中の酸素濃度
は、1〜100vol%(好ましくは1〜70vol
%、さらに好ましくは1〜50vol%)とすることが
できる。酸素含有ガスの使用によって、酸化処理を容易
な操作で行うことができるようになる。
As a specific example of the method of bringing the surface of the alignment adjustment film 2 into contact with an oxygen-containing gas, as described above, after the alignment adjustment film 2 is formed on the substrate 1 in the chamber 22 of the sputtering apparatus 21, Among them, a method of introducing an oxygen-containing gas using the oxygen-containing gas supply means 27 can be mentioned. At this time, the oxygen concentration in the gas to which the alignment adjusting film 2 is exposed (in this case, the gas in the chamber 22) is 1 to 100 vol% (preferably 1 to 70 vol).
%, More preferably 1 to 50 vol%). The use of the oxygen-containing gas allows the oxidation treatment to be performed by an easy operation.

【0027】配向調整膜2表面を酸素含有ガスに接触さ
せる処理を行う際の温度条件は、配向調整膜2が結晶化
することにより非磁性下地膜3、磁性膜4の配向性に悪
影響が及ぶのを防ぐため、配向調整膜2の構成材料が結
晶化する温度よりも低い温度、例えば280℃以下とす
るのが好ましい。またこの温度は常温またはそれ以上に
設定することができる。この処理を行う際の処理時間
(酸素含有ガスへの暴露時間)は、酸素含有ガスの酸素
含有量などに応じて適宜設定することができる。この処
理によって、配向調整膜2は少なくとも表面付近が酸化
される。
The temperature condition when the surface of the alignment adjusting film 2 is brought into contact with an oxygen-containing gas is adversely affected by the crystallization of the alignment adjusting film 2 which affects the orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4. In order to prevent this, the temperature is preferably lower than the temperature at which the constituent material of the alignment adjustment film 2 is crystallized, for example, 280 ° C. or lower. Further, this temperature can be set to normal temperature or higher. The processing time (exposure time to the oxygen-containing gas) in performing this processing can be appropriately set according to the oxygen content of the oxygen-containing gas. By this processing, at least the vicinity of the surface of the alignment adjustment film 2 is oxidized.

【0028】次いで、配向調整膜2上に非磁性下地膜3
を形成する。非磁性下地膜3の形成は、スパッタ装置を
用いたスパッタ法により行うことができる。次いで、非
磁性下地膜3上に磁性膜4を形成する。磁性膜4の形成
は、スパッタ装置を用いたスパッタ法により行うことが
できる。次いで、磁性膜4上に保護膜5を形成する。保
護膜5は、プラズマCVD法、スパッタ法などにより形
成することができる。
Next, a non-magnetic base film 3 is formed on the orientation adjusting film 2.
To form The non-magnetic underlayer 3 can be formed by a sputtering method using a sputtering device. Next, a magnetic film 4 is formed on the non-magnetic base film 3. The formation of the magnetic film 4 can be performed by a sputtering method using a sputtering apparatus. Next, a protective film 5 is formed on the magnetic film 4. The protective film 5 can be formed by a plasma CVD method, a sputtering method, or the like.

【0029】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、表面にテクスチャ加工を施した非金属基板1上に配
向調整膜2を形成し、この配向調整膜2の表面を酸化処
理するので、磁性膜に磁気異方性をもたせるのが難しい
非金属基板1が用いられているにも拘わらず、その上に
形成される非磁性下地膜3および磁性膜4の結晶配向性
を向上させ、磁性膜4における磁気異方性を高めること
ができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性(熱揺らぎ
耐性、エラーレート、S/Nなど)を向上させることが
できる。
In the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present embodiment, the orientation adjusting film 2 is formed on the non-metallic substrate 1 whose surface is textured, and the surface of the orientation adjusting film 2 is oxidized. Despite the use of the non-metallic substrate 1 which is difficult to impart magnetic anisotropy to the film, the crystal orientation of the non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4 formed thereon is improved, 4 can increase the magnetic anisotropy. Therefore, the magnetic characteristics (thermal fluctuation resistance, error rate, S / N, etc.) of the magnetic recording medium can be improved.

【0030】熱揺らぎ耐性は、一般に結晶磁気異方性定
数(Ku)が大きい媒体において良好となる。本実施形
態の磁気記録媒体では、円周方向への磁気異方性が高め
られることにより結晶磁気異方性定数(Ku)が向上す
ることから、熱揺らぎ耐性が高められると考えられる。
なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録し
たデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気記録装置に
おいては、記録したデータの再生出力の経時的な減衰と
して現れる。熱揺らぎ耐性とは、熱揺らぎの発生しにく
さを意味する。
The thermal fluctuation resistance is generally good in a medium having a large magnetocrystalline anisotropy constant (Ku). In the magnetic recording medium of the present embodiment, it is considered that the crystal magnetic anisotropy constant (Ku) is improved by increasing the magnetic anisotropy in the circumferential direction, so that the thermal fluctuation resistance is improved.
Note that thermal fluctuation refers to a phenomenon in which a recording bit becomes unstable and the recorded data loses heat, and in a magnetic recording device, it appears as a decay with time of the reproduction output of the recorded data. Thermal fluctuation resistance means that thermal fluctuation is difficult to occur.

【0031】また再生出力ピークの半値幅を小さくし、
再生出力の分解能を向上させることができる。従って、
エラーレートの点で優れた磁気記録媒体を得ることがで
きる。
Further, the half width of the reproduction output peak is reduced,
The resolution of the reproduction output can be improved. Therefore,
A magnetic recording medium having an excellent error rate can be obtained.

【0032】また、磁気異方性を高めることによって、
保磁力を向上させ、再生出力(S)を向上させることが
できる。従って、S/Nの向上を図ることができる。さ
らには、非磁性下地膜3内の結晶粒を微細化し、これに
より下地膜3の影響下で成長する磁性膜4内の磁性粒を
微細化、均一化することができるため、ノイズ(N)の
低減を図ることができる。このため、単位膜厚あたりの
再生出力を向上させることができ、磁性膜4の薄膜化に
より磁性粒の過度の成長を抑制し微細化することがで
き、さらなるノイズ低減が可能となる。従って、いっそ
うのS/Nの向上が可能となる。
Further, by increasing the magnetic anisotropy,
The coercive force can be improved, and the reproduction output (S) can be improved. Therefore, the S / N can be improved. Further, since the crystal grains in the non-magnetic underlayer 3 are refined and the magnetic grains in the magnetic film 4 grown under the influence of the underlayer 3 can be miniaturized and made uniform, noise (N) Can be reduced. For this reason, the reproduction output per unit film thickness can be improved, and excessive thinning of the magnetic grains can be suppressed and thinned by the thinning of the magnetic film 4, thereby further reducing noise. Therefore, it is possible to further improve the S / N.

【0033】また本実施形態の製造方法では、テクスチ
ャ加工を施した非金属基板1上に、スパッタ装置などの
成膜装置内で配向調整膜2を形成した後、得られた媒体
基板6をこの成膜装置から搬出することなく、引き続き
この成膜装置を用いて配向調整膜2上に非磁性下地膜
3、磁性膜4を形成することができる。従って、製造工
程を簡略化し、製造コスト削減を図ることができる。こ
れに対し、従来の製造方法では、成膜工程(基板上にN
iPなどからなる硬質膜を形成)後、一旦成膜装置から
基板を搬出してテクスチャ加工工程(硬質膜表面にテク
スチャ加工)を行い、次いで再び成膜工程(非磁性下地
膜、磁性膜の形成)を行う必要があるため、製造工程が
煩雑となる。
In the manufacturing method according to the present embodiment, the orientation adjusting film 2 is formed on the non-metallic substrate 1 on which the texture processing has been performed in a film forming apparatus such as a sputtering apparatus, and then the obtained medium substrate 6 is placed on the non-metallic substrate 1. The non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4 can be formed on the alignment adjustment film 2 by using this film forming apparatus without being carried out from the film forming apparatus. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. On the other hand, in the conventional manufacturing method, a film forming step (N
After forming a hard film made of iP or the like), the substrate is once carried out from the film forming apparatus and subjected to a texturing process (texturing on the surface of the hard film), and then a film forming process (formation of a non-magnetic base film and a magnetic film) ), The manufacturing process becomes complicated.

【0034】また配向調整膜2に、NiPX(XはC
r、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのうち1
種以上、Xの含有率は0〜25at%)を主成分とする
材料を用いる場合には、配向調整膜2を形成するにあた
って、NiPXを主成分とするスパッタリングターゲッ
トを用いることによって、上記配向調整膜2を容易に形
成することができる。配向調整膜2に、NiP(Pの含
有率は好ましくは10〜40at%)を主成分とする材
料を用いる場合には、配向調整膜2を形成するにあたっ
て、NiPを主成分とするスパッタリングターゲットを
用いることによって、上記配向調整膜2を容易に形成す
ることができる。
Further, NiPX (X is C
one of r, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr
In the case where a material whose main component is X and the content of X is 0 to 25 at%) is used, when forming the alignment control film 2, a sputtering target mainly containing NiPX is used. The film 2 can be easily formed. When a material mainly composed of NiP (P content is preferably 10 to 40 at%) is used for the alignment adjustment film 2, a sputtering target mainly composed of NiP is used for forming the alignment adjustment film 2. By using this, the alignment adjusting film 2 can be easily formed.

【0035】また上記磁気記録媒体にあっては、表面に
テクスチャ加工が施された非金属基板1上に配向調整膜
2が形成され、その上に非磁性下地膜3および磁性膜4
が形成され、周方向の保磁力Hccと径方向の保磁力H
crとの比Hcc/Hcrが、1.1以上であるので、
磁気異方性が高く、磁気特性(熱揺らぎ耐性、エラーレ
ート、S/Nなど)に優れたものとなる。また製造工程
を簡略化し、製造コスト削減を図ることができる。
In the above magnetic recording medium, an orientation adjusting film 2 is formed on a non-metallic substrate 1 having a textured surface, and a non-magnetic under film 3 and a magnetic film 4 are formed thereon.
Are formed, and the coercive force Hcc in the circumferential direction and the coercive force H in the radial direction are formed.
Since the ratio Hcc / Hcr to cr is 1.1 or more,
It has high magnetic anisotropy and excellent magnetic properties (thermal fluctuation resistance, error rate, S / N, etc.). Further, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

【0036】上記磁気記録媒体において、配向調整膜2
がテクスチャ加工を施していないものである場合には、
製造に際しテクスチャ加工が不要となるため、製造が容
易となり製造コスト削減が可能となる。またテクスチャ
加工に起因して配向調整膜2の表面形状が粗くなり媒体
表面の最大突起高さRpが大きくなることによるグライ
ドハイト特性の低下を防ぐことができる。また配向調整
膜2がテクスチャ加工を施したものである場合には、非
磁性下地膜3、磁性膜4の結晶配向性をさらに向上さ
せ、磁性膜4の磁気異方性をいっそう高めることができ
る。
In the above magnetic recording medium, the alignment adjusting film 2
If is not textured,
Since texture processing is not required during manufacturing, manufacturing is facilitated and manufacturing cost can be reduced. Further, it is possible to prevent the glide height characteristic from being lowered due to the roughening of the surface shape of the orientation adjusting film 2 due to the texture processing and the increase in the maximum protrusion height Rp on the medium surface. In the case where the orientation adjusting film 2 is textured, the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 can be further improved, and the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 can be further increased. .

【0037】図3は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図1に示す構成の磁気記録媒体7と、磁気
記録媒体7を回転駆動させる媒体駆動部8と、磁気記録
媒体7に情報を記録再生する磁気ヘッド9と、ヘッド駆
動部10と、記録再生信号処理系11とを備えている。
記録再生信号処理系11は、外部からの記録信号を処理
して磁気ヘッド9に送ったり、磁気ヘッド9からの再生
信号を処理して外部に送ることができるようになってい
る。
FIG. 3 shows an example of a magnetic recording / reproducing apparatus using the above magnetic recording medium. The magnetic recording / reproducing apparatus shown here includes a magnetic recording medium 7 having a configuration shown in FIG. 1, a medium driving unit 8 for driving the magnetic recording medium 7 to rotate, a magnetic head 9 for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium 7, A head drive unit 10 and a recording / reproducing signal processing system 11 are provided.
The recording / reproducing signal processing system 11 can process a recording signal from the outside and send it to the magnetic head 9, or process a reproduction signal from the magnetic head 9 and send it to the outside.

【0038】この磁気記録再生装置にあっては、磁気記
録媒体の磁気異方性を高めることができるため、S/
N、エラーレートの向上が可能となることから、高記録
密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因する記録
データ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
In this magnetic recording / reproducing apparatus, since the magnetic anisotropy of the magnetic recording medium can be increased,
N. Since the error rate can be improved, a higher recording density can be achieved. In addition, it is possible to prevent troubles such as loss of recorded data due to the thermal fluctuation phenomenon.

【0039】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第2の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法は、
配向調整膜2表面を酸化処理することに代えて、配向調
整膜2表面を窒化処理する点で上記第1の実施形態の方
法と異なる。窒化処理を行うには、配向調整膜2表面を
窒素含有ガスに接触させる方法を採ることができる。例
えば媒体基板6が収容されたチャンバ内に窒素含有ガス
を導入する方法が採用できる。窒素含有ガスとしては、
空気、純窒素を用いることができる。また空気中の窒素
含有量を増加させた窒素富化ガスを用いることもでき
る。この際、配向調整膜2が曝されるガス中の窒素濃度
は、1〜100vol%(好ましくは1〜70vol
%、さらに好ましくは1〜50vol%)とすることが
できる。窒素含有ガスの使用によって、窒化処理を容易
な操作で行うことができるようになる。
Next, a second embodiment of the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention will be described. The manufacturing method of the present embodiment includes:
The method is different from the method of the first embodiment in that the surface of the alignment adjustment film 2 is nitrided instead of oxidizing the surface of the alignment adjustment film 2. In order to perform the nitriding treatment, a method of bringing the surface of the alignment adjustment film 2 into contact with a nitrogen-containing gas can be employed. For example, a method of introducing a nitrogen-containing gas into a chamber containing the medium substrate 6 can be adopted. As the nitrogen-containing gas,
Air or pure nitrogen can be used. It is also possible to use a nitrogen-enriched gas having an increased nitrogen content in the air. At this time, the nitrogen concentration in the gas to which the alignment adjusting film 2 is exposed is 1 to 100 vol% (preferably 1 to 70 vol%).
%, More preferably 1 to 50 vol%). By using a nitrogen-containing gas, the nitriding treatment can be performed by an easy operation.

【0040】配向調整膜2表面を窒素含有ガスに接触さ
せる処理を行う際の温度条件は、配向調整膜2が結晶化
することにより非磁性下地膜3、磁性膜4の配向性に悪
影響が及ぶのを防ぐため、配向調整膜2の構成材料が結
晶化する温度よりも低い温度、例えば280℃以下とす
るのが好ましい。またこの温度は常温またはそれ以上に
設定することができる。この処理を行う際の処理時間
(窒素含有ガスへの暴露時間)は、窒素含有ガスの窒素
含有量などに応じて適宜設定することができる。この処
理によって、配向調整膜2は少なくとも表面付近が窒化
される。
The temperature condition for performing the treatment of bringing the surface of the alignment adjustment film 2 into contact with the nitrogen-containing gas is such that the crystallization of the alignment adjustment film 2 adversely affects the orientation of the nonmagnetic underlayer 3 and the magnetic film 4. In order to prevent this, the temperature is preferably lower than the temperature at which the constituent material of the alignment adjustment film 2 is crystallized, for example, 280 ° C. or lower. Further, this temperature can be set to normal temperature or higher. The processing time (exposure time to the nitrogen-containing gas) when performing this processing can be appropriately set according to the nitrogen content of the nitrogen-containing gas. By this treatment, at least the vicinity of the surface of the alignment adjustment film 2 is nitrided.

【0041】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、表面にテクスチャ加工を施した非金属基板1上に配
向調整膜2を形成し、この配向調整膜2の表面を窒化処
理するので、酸化処理を採用した上記第1の実施形態の
製造方法と同様、非磁性下地膜3および磁性膜4の結晶
配向性を向上させ、磁性膜4における磁気異方性を高め
ることができる。従って、磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性
などの磁気特性を向上させることができる。
In the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present embodiment, the orientation adjusting film 2 is formed on the non-metallic substrate 1 whose surface has been textured, and the surface of the orientation adjusting film 2 is nitrided. As in the manufacturing method of the first embodiment employing the processing, the crystal orientation of the nonmagnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 can be improved, and the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 can be increased. Therefore, magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance of the magnetic recording medium can be improved.

【0042】また本実施形態の製造方法においても、成
膜装置内で配向調整膜2を形成した後、引き続きこの成
膜装置を用いて配向調整膜2上に非磁性下地膜3、磁性
膜4を形成することができるため、製造工程を簡略化
し、製造コスト削減を図ることができる。
Also in the manufacturing method of this embodiment, after forming the alignment adjusting film 2 in the film forming apparatus, the non-magnetic undercoat film 3 and the magnetic film 4 are formed on the alignment adjusting film 2 by using the film forming apparatus. Can be formed, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

【0043】上記第1および第2実施形態の製造方法に
おいて、配向調整膜2表面を酸化または窒化処理するこ
とによって、磁性膜4の磁気異方性を向上させる効果が
得られるのは、配向調整膜2が、テクスチャ加工された
基板1表面に影響された何らかの特性をもつに至り、従
来発現しにくかったこの特性が酸化または窒化処理によ
って発現し、これが下地膜3、磁性膜4の結晶配向性を
向上させたことによると考えられるが、詳細については
未解明である。
In the manufacturing methods of the first and second embodiments, the effect of improving the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 by oxidizing or nitriding the surface of the orientation adjusting film 2 is that The film 2 has some characteristics influenced by the textured surface of the substrate 1, and this characteristic, which was hardly exhibited conventionally, is developed by oxidation or nitridation, and this is the crystal orientation of the base film 3 and the magnetic film 4. It is thought that this has been improved, but details have not been elucidated.

【0044】なお上記実施形態の製造方法においては、
配向調整膜2表面を成膜装置のチャンバ内で酸化または
窒化処理する方法を例示したが、これに限らず、成膜装
置外で酸化または窒化処理を行ってもよい。
In the manufacturing method of the above embodiment,
Although the method of oxidizing or nitriding the surface of the alignment adjustment film 2 in the chamber of the film forming apparatus has been described as an example, the present invention is not limited to this.

【0045】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第3の実施形態を、図1および図2を利用して説明す
る。本実施形態の製造方法は、基板1上に配向調整膜2
を形成する方法としてスパッタ法を採用し、配向調整膜
2を形成するに際し、スパッタ装置のチャンバ内に導入
するスパッタガスとして、酸素を含むものを用いる点に
特徴がある。具体的には、例えば図2に示すスパッタ装
置21を用い、非金属基板1をチャンバ22内に搬入
し、スパッタガス供給手段26を用いて酸素含有スパッ
タガスをチャンバ22内に導入した後、上記ターゲット
23に給電する方法を採用することができる。この酸素
含有スパッタガスとしては、従来スパッタガスとして用
いられているアルゴンガスなどに、酸素含有ガス(空
気、純酸素、水蒸気、酸素富化ガスなど)を添加し酸素
を含有させたものを用いることができる。スパッタガス
中の酸素含有率は、高すぎれば成膜効率が低下し、低す
ぎれば磁気異方性を高める効果が低下するため、1〜8
0vol%(好ましくは2〜50vol%、さらに好ま
しくは5〜30vol%)とするのが好適である。酸素
を含むスパッタガスを用いることによって、配向調整膜
2は酸素を含むものとなる。
Next, a third embodiment of the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to FIGS. The manufacturing method according to the present embodiment uses the alignment adjusting film 2 on the substrate 1.
The method is characterized in that a sputtering method is employed as a method of forming the film, and a gas containing oxygen is used as a sputtering gas introduced into the chamber of the sputtering apparatus when forming the alignment adjustment film 2. Specifically, for example, using the sputtering apparatus 21 shown in FIG. 2, the non-metallic substrate 1 is carried into the chamber 22, and the oxygen-containing sputtering gas is introduced into the chamber 22 using the sputtering gas supply unit 26. A method of supplying power to the target 23 can be adopted. As the oxygen-containing sputtering gas, a gas obtained by adding an oxygen-containing gas (air, pure oxygen, water vapor, oxygen-enriched gas, etc.) to an argon gas or the like conventionally used as a sputtering gas to contain oxygen is used. Can be. If the oxygen content in the sputtering gas is too high, the film-forming efficiency decreases, and if it is too low, the effect of increasing the magnetic anisotropy decreases.
0 vol% (preferably 2 to 50 vol%, more preferably 5 to 30 vol%) is suitable. By using a sputtering gas containing oxygen, the orientation adjusting film 2 contains oxygen.

【0046】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、酸素を含むスパッタガスを用いるので、第1、第2
の実施形態の製造方法(配向調整膜2を酸化または窒化
処理する製造方法)と同様、非磁性下地膜3および磁性
膜4の結晶配向性を向上させ、磁性膜4における磁気異
方性を高めることができる。従って、磁気記録媒体の熱
揺らぎ耐性などの磁気特性を向上させることができる。
In the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present embodiment, the first and second sputtering gases are used because a sputtering gas containing oxygen is used.
As in the manufacturing method of the embodiment (the manufacturing method of oxidizing or nitriding the alignment adjusting film 2), the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 is improved, and the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 is increased. be able to. Therefore, magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance of the magnetic recording medium can be improved.

【0047】酸素を含むスパッタガスを用いることによ
って、磁性膜4の磁気異方性を向上させる効果が得られ
るのは、配向調整膜2が酸素を含有するものとなること
により基板1表面の影響を受けやすくなり、その結果、
配向調整膜2がテクスチャ加工された基板1表面に影響
された何らかの特性をもつに至り、この特性が非磁性下
地膜3、磁性膜4の結晶配向性を向上させたためである
と考えられるが、詳細については未解明である。
The effect of improving the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 can be obtained by using a sputtering gas containing oxygen because the orientation adjustment film 2 contains oxygen, which affects the surface of the substrate 1. And as a result,
It is considered that the orientation adjusting film 2 has some characteristics influenced by the surface of the textured substrate 1, and this characteristic improves the crystal orientation of the non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4. Details are unclear.

【0048】また本実施形態の製造方法においても、成
膜装置内で配向調整膜2を形成した後、引き続きこの成
膜装置を用いて配向調整膜2上に非磁性下地膜3、磁性
膜4を形成することができるため、製造工程を簡略化
し、製造コスト削減を図ることができる。また本実施形
態の製造方法では、配向調整膜2形成後の表面処理が不
要となるため、製造工程をさらに簡略化し、いっそうの
製造コスト削減を図ることができる。
Also in the manufacturing method of this embodiment, after forming the alignment adjusting film 2 in the film forming apparatus, the non-magnetic undercoat film 3 and the magnetic film 4 are successively formed on the alignment adjusting film 2 by using the film forming apparatus. Can be formed, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. Further, in the manufacturing method of the present embodiment, since the surface treatment after the formation of the alignment adjustment film 2 is not required, the manufacturing process can be further simplified, and the manufacturing cost can be further reduced.

【0049】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第4の実施形態を、図1および図21を利用して説明す
る。本実施形態の製造方法は、基板1上に配向調整膜2
を形成する方法としてスパッタ法を採用し、配向調整膜
2を形成するに際し、スパッタ装置のチャンバ内に導入
するスパッタガスとして、窒素を含むものを用いる点に
特徴がある。この窒素含有スパッタガスとしては、従来
スパッタガスとして用いられているアルゴンガスなど
に、窒素含有ガス(空気、純窒素、窒素富化ガスなど)
を添加し窒素を含有させたものを用いることができる。
スパッタガス中の窒素含有率は、高すぎれば成膜効率が
低下し、低すぎれば磁気異方性を高める効果が低下する
ため、1〜80vol%(好ましくは2〜50vol
%、さらに好ましくは5〜30vol%)とするのが好
適である。窒素を含むスパッタガスを用いることによっ
て、配向調整膜2は窒素を含むものとなる。
Next, a fourth embodiment of the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to FIGS. The manufacturing method according to the present embodiment uses the alignment adjusting film 2 on the substrate 1.
The method is characterized in that a sputtering method is employed as a method for forming the film, and a nitrogen-containing gas is used as a sputtering gas introduced into the chamber of the sputtering apparatus when forming the alignment adjustment film 2. As the nitrogen-containing sputtering gas, a nitrogen-containing gas (such as air, pure nitrogen, or a nitrogen-enriched gas) may be used, such as an argon gas conventionally used as a sputtering gas.
To which nitrogen is added.
If the nitrogen content in the sputtering gas is too high, the film-forming efficiency decreases, and if it is too low, the effect of increasing the magnetic anisotropy decreases.
%, More preferably 5 to 30 vol%). By using a sputtering gas containing nitrogen, the alignment adjustment film 2 contains nitrogen.

【0050】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、窒素を含むスパッタガスを用いるので、第1、第2
の実施形態の製造方法(配向調整膜2を酸化または窒化
処理する製造方法)と同様、非磁性下地膜3および磁性
膜4の結晶配向性を向上させ、磁性膜4における磁気異
方性を高めることができる。従って、磁気記録媒体の熱
揺らぎ耐性などの磁気特性を向上させることができる。
In the method of manufacturing a magnetic recording medium of the present embodiment, since the sputtering gas containing nitrogen is used, the first and second sputtering gases are used.
As in the manufacturing method of the embodiment (the manufacturing method of oxidizing or nitriding the alignment adjusting film 2), the crystal orientation of the non-magnetic underlayer 3 and the magnetic film 4 is improved, and the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 is increased. be able to. Therefore, magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance of the magnetic recording medium can be improved.

【0051】窒素を含むスパッタガスを用いることによ
って、磁性膜4の磁気異方性を向上させる効果が得られ
るのは、配向調整膜2が窒素を含有するものとなること
により基板1表面の影響を受けやすくなり、その結果、
配向調整膜2がテクスチャ加工された基板1表面に影響
された何らかの特性をもつに至り、この特性が非磁性下
地膜3、磁性膜4の結晶配向性を向上させたためである
と考えられるが、詳細については未解明である。
The effect of improving the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 can be obtained by using a sputtering gas containing nitrogen because the orientation adjusting film 2 contains nitrogen and the influence of the surface of the substrate 1 is increased. And as a result,
It is considered that the orientation adjusting film 2 has some characteristics influenced by the surface of the textured substrate 1, and this characteristic improves the crystal orientation of the non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4. Details are unclear.

【0052】また本実施形態の製造方法においても、成
膜装置内で配向調整膜2を形成した後、引き続きこの成
膜装置を用いて配向調整膜2上に非磁性下地膜3、磁性
膜4を形成することができるため、製造工程を簡略化
し、製造コスト削減を図ることができる。また本実施形
態の製造方法では、配向調整膜2形成後の表面処理が不
要となるため、製造工程をさらに簡略化し、いっそうの
製造コスト削減を図ることができる。
Also in the manufacturing method of the present embodiment, after the orientation adjusting film 2 is formed in the film forming apparatus, the non-magnetic base film 3 and the magnetic film 4 are successively formed on the orientation adjusting film 2 by using the film forming apparatus. Can be formed, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. Further, in the manufacturing method of the present embodiment, since the surface treatment after the formation of the alignment adjustment film 2 is not required, the manufacturing process can be further simplified, and the manufacturing cost can be further reduced.

【0053】また、図4に示すように、本発明の磁気記
録媒体では、配向調整膜2と非金属基板1との間に、配
向調整膜2を基板1側から剥離しにくくする非磁性密着
膜12を設けることもできる。非磁性密着膜12には、
非金属基板1および配向調整膜2に対する密着性に優れ
た材料、例えばCr、Mo、Nb、V、Re、Zr、
W、Tiのうち1種以上を主成分とする合金を使用する
ことができる。非磁性密着膜12に好適な材料として
は、CrMo系、CrTi系、CrV系、CrW系など
の合金や、Crを挙げることができる。非磁性密着膜1
2の膜厚は、200nm以下、例えば5〜200nmと
するのが好ましい。200nmを越えると磁性膜4の磁
気異方性を高める効果が低下する。非磁性密着膜12を
形成するには、スパッタ法などを用いることができる。
As shown in FIG. 4, in the magnetic recording medium of the present invention, the non-magnetic adhesion between the alignment adjusting film 2 and the non-metallic substrate 1 makes the alignment adjusting film 2 difficult to peel off from the substrate 1 side. A membrane 12 can also be provided. The nonmagnetic adhesion film 12 includes
A material having excellent adhesion to the non-metallic substrate 1 and the alignment adjustment film 2 such as Cr, Mo, Nb, V, Re, Zr,
An alloy containing at least one of W and Ti as a main component can be used. Suitable materials for the nonmagnetic adhesion film 12 include CrMo-based, CrTi-based, CrV-based, CrW-based alloys, and Cr. Non-magnetic adhesion film 1
The film thickness of 2 is preferably 200 nm or less, for example, 5 to 200 nm. If it exceeds 200 nm, the effect of increasing the magnetic anisotropy of the magnetic film 4 will be reduced. To form the nonmagnetic adhesion film 12, a sputtering method or the like can be used.

【0054】ここに示す例では、非磁性密着膜12を設
けることによって、配向調整膜2の剥離を防ぐことがで
きるだけでなく、記録再生時などにおいて媒体が局部的
に高温となったときにこの部分の熱を直ちに媒体面方向
に拡散させ、温度上昇を低く抑え、磁気特性低下を防ぐ
ことができる。
In the example shown here, the provision of the non-magnetic adhesive film 12 not only prevents the alignment adjustment film 2 from peeling off, but also prevents the medium from being locally heated during recording and reproduction. The heat of the portion can be immediately diffused in the direction of the medium surface, the temperature rise can be kept low, and a decrease in magnetic properties can be prevented.

【0055】なお、本発明の磁気記録媒体では、磁性膜
の結晶配向性を良好にし、本発明の効果(熱揺らぎ耐性
などの向上)をより高めることを目的として、非磁性下
地膜と磁性膜との間に、非磁性中間膜を設けることがで
きる。この非磁性中間膜に好適に用いられる材料として
は、CoCr系合金(Cr含有率20〜40at%)を
挙げることができる。図5は、非磁性中間膜を設けた磁
気記録媒体の例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
では、非磁性下地膜3と磁性膜4との間に、非磁性中間
膜13が設けられている。この非磁性中間膜13の厚さ
は、5〜200nmとすることができる。
In the magnetic recording medium of the present invention, a non-magnetic undercoat film and a magnetic film are provided for the purpose of improving the crystal orientation of the magnetic film and further enhancing the effect of the present invention (improvement of thermal fluctuation resistance and the like). , A non-magnetic intermediate film can be provided. As a material suitably used for the non-magnetic intermediate film, a CoCr-based alloy (Cr content: 20 to 40 at%) can be exemplified. FIG. 5 shows an example of a magnetic recording medium provided with a nonmagnetic intermediate film. In the magnetic recording medium shown here, a nonmagnetic intermediate film 13 is provided between the nonmagnetic base film 3 and the magnetic film 4. Have been. The thickness of the non-magnetic intermediate film 13 can be 5 to 200 nm.

【0056】[0056]

【実施例】(試験例1〜4)以下、具体例を挙げて本発
明を詳細に説明する。アモルファス構造のガラス基板1
(直径65mm、厚さ0.635mm)の表面に、円周
方向に機械的テクスチャ加工を行い、表面平均粗さRa
を表1に示す値とした。表面平均粗さRaの測定にはデ
ジタルインストゥルメント(digitalInstrument)社製
のAFMを用いた。この非金属基板1を、充分洗浄し乾
燥させた後にDCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ
社製3010)のチャンバ内にセットし、チャンバ内を
真空到達度2×10-7Paとなるまで排気した後、チャ
ンバ内にスパッタガスとしてアルゴンガスを導入し、ス
パッタ法により基板1上に配向調整膜2を形成した。
EXAMPLES (Test Examples 1 to 4) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to specific examples. Glass substrate 1 with amorphous structure
(Diameter 65 mm, thickness 0.635 mm) The surface is mechanically textured in the circumferential direction, and the surface average roughness Ra
Was set to the value shown in Table 1. An AFM manufactured by Digital Instrument was used to measure the surface average roughness Ra. After the non-metallic substrate 1 is sufficiently washed and dried, it is set in a chamber of a DC magnetron sputtering apparatus (3010 manufactured by Anelva), and the inside of the chamber is evacuated until the vacuum reaches 2 × 10 −7 Pa. An argon gas was introduced as a sputtering gas into the chamber, and an orientation adjusting film 2 was formed on the substrate 1 by a sputtering method.

【0057】次いで、このスパッタ装置のチャンバ内に
酸素含有ガスである空気を導入し、5秒間にわたって配
向調整膜2表面を空気に接触させ酸化処理を行った。こ
の際、温度条件は200℃に設定し、チャンバ内の酸素
濃度は20vol%に設定した。次いでスパッタ装置を
用い、媒体基板6を200℃に加熱した後、スパッタ法
により配向調整膜2上にCrからなる非磁性下地膜3を
形成し、さらに非磁性下地膜3上にスパッタ法によりC
oCrPtTa系合金からなる磁性膜4を形成した。磁
性膜4上にはスパッタ法によりカーボンからなる保護膜
5を形成した。保護膜5上には、ディッピング法により
パーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成した。
Next, air as an oxygen-containing gas was introduced into the chamber of the sputtering apparatus, and the surface of the alignment adjustment film 2 was brought into contact with air for 5 seconds to perform an oxidation treatment. At this time, the temperature condition was set to 200 ° C., and the oxygen concentration in the chamber was set to 20 vol%. Then, the medium substrate 6 is heated to 200 ° C. using a sputtering apparatus, and then a non-magnetic underlayer 3 made of Cr is formed on the orientation adjusting film 2 by a sputtering method.
A magnetic film 4 made of an oCrPtTa-based alloy was formed. A protective film 5 made of carbon was formed on the magnetic film 4 by a sputtering method. On the protective film 5, a lubricating film made of perfluoropolyether was formed by a dipping method.

【0058】得られた磁気記録媒体の静磁気特性を、振
動式磁気特性測定装置(VSM)を用いて測定した。ま
た円周方向の保磁力Hcと半径方向の保磁力Hcの比
(円周方向のHc/半径方向のHc)を測定し磁気異方
性の指標とした(表中「磁気異方性」はこの保磁力比を
示す)。またこれら磁気記録媒体の電磁変換特性を、G
UZIK社製リードライトアナライザRWA1632、
およびスピンスタンドS1701MPを用いて測定し
た。電磁変換特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗
(GMR)素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用
い、記録条件を線記録密度350kFCIとして測定を
行った。熱揺らぎ耐性については、スピンスタンドS1
701MPを用い、70℃の条件における記録密度40
kFCIでの出力減少を観察した。また表中、PW50
とは出力ピークの半値幅を示す。
The magnetostatic properties of the obtained magnetic recording medium were measured using a vibration type magnetic property measuring device (VSM). In addition, the ratio of the coercive force Hc in the circumferential direction to the coercive force Hc in the radial direction (Hc in the circumferential direction / Hc in the radial direction) was measured and used as an index of magnetic anisotropy. This shows the coercive force ratio). Further, the electromagnetic conversion characteristics of these magnetic recording media are represented by G
UZIK read / write analyzer RWA1632,
And it measured using the spin stand S1701MP. The evaluation of the electromagnetic conversion characteristics was performed using a composite thin-film magnetic recording head having a giant magnetoresistive (GMR) element in the reproducing section and measuring the recording conditions at a linear recording density of 350 kFCI. Regarding the thermal fluctuation resistance, the spin stand S1
701MP, recording density 40 at 70 ° C
A decrease in power at kFCI was observed. In the table, PW50
Indicates the half width of the output peak.

【0059】(試験例5)配向調整膜2形成後、チャン
バ内に空気を導入し酸化処理を行うことに代えて、チャ
ンバ内に純窒素を導入し窒化処理を行うこと以外は試験
例1に準じて磁気記録媒体を作製した。窒化処理時にお
けるチャンバ内の窒素濃度は、20vol%に設定し
た。
(Test Example 5) After forming the orientation adjusting film 2, the procedure of Test Example 1 was repeated except that nitridation was performed by introducing pure nitrogen into the chamber instead of introducing air into the chamber to perform oxidation. A magnetic recording medium was manufactured according to the procedure. The nitrogen concentration in the chamber during the nitriding treatment was set to 20 vol%.

【0060】(試験例6)配向調整膜2を形成するにあ
たり、スパッタガスとして、アルゴンと窒素との混合ガ
ス(アルゴン含有率80vol%、窒素含有率20vo
l%)を用いること、および酸化処理を行わないこと以
外は試験例1に準じて磁気記録媒体を作製した。
(Test Example 6) In forming the orientation adjusting film 2, a mixed gas of argon and nitrogen (argon content 80 vol%, nitrogen content 20 vol) was used as a sputtering gas.
1%) and using no oxidation treatment, a magnetic recording medium was produced according to Test Example 1.

【0061】(試験例7)非金属基板1と配向調整膜2
との間にスパッタ法によりCrからなる非磁性密着膜1
2(厚さ100Å)を設けること以外は試験例1に準じ
て磁気記録媒体を作製した。
(Test Example 7) Non-metallic substrate 1 and alignment adjusting film 2
Nonmagnetic adhesion film 1 made of Cr by sputtering between
2 (thickness: 100 mm), except that a magnetic recording medium was manufactured according to Test Example 1.

【0062】(試験例8)非金属基板1表面にテクスチ
ャ加工を行わないこと以外は試験例1の方法に準じて磁
気記録媒体を作製した。
Test Example 8 A magnetic recording medium was manufactured according to the method of Test Example 1, except that the surface of the non-metallic substrate 1 was not textured.

【0063】(試験例9)配向調整膜2表面の酸化処理
(配向調整膜2を空気に接触させる処理)を行わないこ
と以外は試験例1の方法に準じて磁気記録媒体を作製し
た。各試験例の方法によって作製された磁気記録媒体に
ついての試験結果を表1に併せて示す。
Test Example 9 A magnetic recording medium was manufactured according to the method of Test Example 1, except that the surface of the alignment adjustment film 2 was not oxidized (the process of bringing the alignment adjustment film 2 into contact with air). Table 1 also shows the test results of the magnetic recording media manufactured by the methods of the respective test examples.

【0064】[0064]

【表1】 [Table 1]

【0065】表1より、基板1へのテクスチャ加工、ま
たは配向調整膜2への表面処理を行わない方法によって
作製された試験例8、9の磁気記録媒体に比べ、基板1
へのテクスチャ加工、および配向調整膜2表面に酸化処
理を行う方法によって作製された試験例1〜4、7の磁
気記録媒体は、優れた磁気異方性を示したことがわか
る。また酸化処理に代えて窒化処理を行う方法によって
作製された試験例5の磁気記録媒体、および含窒素スパ
ッタガスを使用する方法によって得られた試験例6の磁
気記録媒体についても優れた磁気異方性が得られたこと
がわかる。また試験例1〜7の磁気記録媒体は、優れた
熱揺らぎ耐性を示したことがわかる。さらには、保磁力
が高く、また出力ピークの半値幅PW50が小さくなり
再生出力の分解能に優れていることがわかる。
As shown in Table 1, compared to the magnetic recording media of Test Examples 8 and 9 produced by a method in which the texture processing on the substrate 1 or the surface treatment was not performed on the alignment adjusting film 2, the substrate 1
It can be seen that the magnetic recording media of Test Examples 1 to 4 and 7 produced by a method of performing texturing on the surface and oxidizing the surface of the alignment adjustment film 2 exhibited excellent magnetic anisotropy. The magnetic anisotropy of Test Example 5 produced by a method of performing a nitriding treatment instead of the oxidation treatment and the magnetic recording medium of Test Example 6 obtained by a method using a nitrogen-containing sputter gas were also excellent. It can be seen that the property was obtained. Further, it can be seen that the magnetic recording media of Test Examples 1 to 7 exhibited excellent thermal fluctuation resistance. Further, it can be seen that the coercive force is high and the half width PW50 of the output peak is small, so that the resolution of the reproduced output is excellent.

【0066】(試験例10〜14)結晶化ガラス基板1
(直径65mm、厚さ0.635mm、オハラ社製TS
−10SX)の表面に、円周方向に機械的テクスチャ加
工を行い、表面平均粗さRaを5Å(0.5nm)とし
た。この非金属基板1を、充分洗浄し乾燥させた後にD
Cマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製3010)
のチャンバ内にセットし、チャンバ内を真空到達度2×
10-7Paとなるまで排気した後、チャンバ内にスパッ
タガスとしてアルゴンガスを導入し、スパッタ法により
基板1上にCr10Moからなる非磁性密着膜12(膜
厚100Å(10nm))を形成し、その上に表2に示
す配向調整膜2を形成した。
(Test Examples 10 to 14) Crystallized glass substrate 1
(Diameter 65mm, thickness 0.635mm, OHARA TS
-10SX), the surface was mechanically textured in the circumferential direction to have a surface average roughness Ra of 5 ° (0.5 nm). After the non-metallic substrate 1 is sufficiently washed and dried,
C magnetron sputtering device (3010 manufactured by Anelva)
Set in the chamber, and reach 2 × in the chamber
After evacuating to 10 −7 Pa, an argon gas was introduced as a sputtering gas into the chamber, and a nonmagnetic adhesion film 12 (thickness 100 ° (10 nm)) made of Cr10Mo was formed on the substrate 1 by a sputtering method. An orientation adjusting film 2 shown in Table 2 was formed thereon.

【0067】次いで、このスパッタ装置のチャンバ内に
表2に示す酸素含有ガスを導入し、5秒間にわたって配
向調整膜2表面を酸素含有ガスに接触させ酸化処理を行
った。この際、温度条件は200℃に設定し、チャンバ
内の酸素濃度は20vol%に設定した。次いでスパッ
タ装置を用い、媒体基板6を200℃に加熱した後、ス
パッタ法により配向調整膜2上にCrMoからなる非磁
性下地膜3(膜厚200Å(20nm))を形成し、さ
らに非磁性下地膜3上にスパッタ法によりCoCrから
なる非磁性中間膜13(膜厚30Å(3nm))を形成
し、さらにCoCrPtB系合金からなる磁性膜4(膜
厚200Å(20nm))を形成した。磁性膜4上には
スパッタ法によりカーボンからなる保護膜5を形成し、
その上にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形
成した。得られた磁気記録媒体の試験結果を表2に示
す。表中、使用ガスとは上記酸素含有ガスを指す。20
%O2−Arは、酸素含有ガス(チャンバ内ガス)が、
20vol%の酸素を含み、残部がArである酸素・ア
ルゴン混合ガスを意味する。またガス圧力はチャンバ内
の酸素含有ガスの圧力を意味する。
Next, an oxygen-containing gas shown in Table 2 was introduced into the chamber of the sputtering apparatus, and the surface of the alignment adjustment film 2 was brought into contact with the oxygen-containing gas for 5 seconds to perform an oxidation treatment. At this time, the temperature condition was set to 200 ° C., and the oxygen concentration in the chamber was set to 20 vol%. Next, the medium substrate 6 is heated to 200 ° C. using a sputtering apparatus, and then a non-magnetic underlayer 3 (thickness: 200 ° (20 nm)) made of CrMo is formed on the orientation adjusting film 2 by a sputtering method. A nonmagnetic intermediate film 13 (thickness 30 ° (3 nm)) made of CoCr was formed on the base film 3 by sputtering, and a magnetic film 4 (thickness 200 ° (20 nm)) made of a CoCrPtB-based alloy was formed. A protective film 5 made of carbon is formed on the magnetic film 4 by a sputtering method,
A lubricating film made of perfluoropolyether was formed thereon. Table 2 shows the test results of the obtained magnetic recording media. In the table, the used gas refers to the above oxygen-containing gas. 20
% O 2 —Ar is an oxygen-containing gas (gas in the chamber)
It means an oxygen / argon mixed gas containing 20 vol% oxygen and the balance being Ar. The gas pressure means the pressure of the oxygen-containing gas in the chamber.

【0068】[0068]

【表2】 [Table 2]

【0069】表2より、配向調整膜2にNiPを用いた
場合、Pの含有率を40at%以下とすることによっ
て、磁気異方性が高められたことがわかる。また保磁
力、PW50、熱揺らぎ耐性についても優れた結果が得
られたことがわかる。
Table 2 shows that when NiP was used for the alignment adjusting film 2, the magnetic anisotropy was enhanced by setting the P content to 40 at% or less. It can also be seen that excellent results were obtained for the coercive force, PW50, and thermal fluctuation resistance.

【0070】(試験例15〜25)酸素含有ガスとし
て、表3に示すものを用い、その圧力を表3に示すとお
りとすること以外は、試験例10と同様にして磁気記録
媒体を作製した。試験結果を表3に示す。
(Test Examples 15 to 25) Magnetic recording media were produced in the same manner as in Test Example 10, except that the oxygen-containing gas used was as shown in Table 3 and the pressure was as shown in Table 3. . Table 3 shows the test results.

【0071】[0071]

【表3】 [Table 3]

【0072】表3より、配向調整膜2の表面を酸化処理
するにあたって、酸素含有ガス中の酸素濃度を1at%
以上とすることによって、優れた磁気特性が得られたこ
とがわかる。また酸素含有ガスの圧力については、0.
2Pa以上とすることによって、充分な磁気特性を得る
ことができ、2Pa以上とすることによってさらに優れ
た磁気特性を得ることができたことがわかる。
As shown in Table 3, when the surface of the orientation adjusting film 2 was oxidized, the oxygen concentration in the oxygen-containing gas was set to 1 at%.
From the above, it can be seen that excellent magnetic characteristics were obtained. Further, the pressure of the oxygen-containing gas is set to 0.1.
It is understood that sufficient magnetic properties can be obtained by setting the pressure to 2 Pa or more, and more excellent magnetic properties can be obtained by setting the pressure to 2 Pa or more.

【0073】(試験例26〜42)基板の表面平均粗さ
Ra、配向調整膜、酸素含有ガス、その圧力を、表4に
示すとおりとすること以外は試験例11と同様にして磁
気記録媒体を作製した。試験例41、42では、非金属
基板1として、それぞれ強化ガラス基板(日本板硝子社
製)、アルミナ焼結基板(酸化アルミニウム製)を用い
た。試験結果を表4に示す。表中、Airは空気を意味
する。
(Test Examples 26 to 42) A magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Test Example 11, except that the surface average roughness Ra of the substrate, the orientation adjusting film, the oxygen-containing gas, and the pressure were as shown in Table 4. Was prepared. In Test Examples 41 and 42, as the nonmetallic substrate 1, a tempered glass substrate (manufactured by Nippon Sheet Glass) and an alumina sintered substrate (made of aluminum oxide) were used. Table 4 shows the test results. In the table, Air means air.

【0074】[0074]

【表4】 [Table 4]

【0075】表4より、酸素含有ガスとして、空気を用
いた場合でも優れた磁気特性を得ることができたことが
わかる。また水蒸気・アルゴン混合ガス(5%H2O−
Ar)を用いた場合でも優れた磁気特性を得ることがで
きたことがわかる。また強化ガラス基板、アルミナ焼結
基板を用いた場合でも充分な磁気特性を得ることができ
たことがわかる。なお配向調整膜2の表面に空気を接触
させる場合には、酸化と窒化の両方が起こっていると考
えられるが、酸素は窒素に比べ反応性が高いため、酸化
が優先的に起こっていると考えられる。
Table 4 shows that excellent magnetic properties could be obtained even when air was used as the oxygen-containing gas. A steam / argon mixed gas (5% H 2 O-
It can be seen that excellent magnetic properties could be obtained even when Ar) was used. It can also be seen that sufficient magnetic properties could be obtained even when a tempered glass substrate or an alumina sintered substrate was used. When air is brought into contact with the surface of the alignment adjustment film 2, it is considered that both oxidation and nitridation have occurred. However, since oxygen has higher reactivity than nitrogen, it is considered that oxidation occurs preferentially. Conceivable.

【0076】(試験例43〜53)結晶化ガラス基板1
(オハラ社製TS−10SX)上に、Crからなる非磁
性密着膜12(膜厚50Å(5nm))を形成し、その
上に表5に示す配向調整膜2を形成した。次いで、スパ
ッタ装置のチャンバ内に表5に示す窒素含有ガスを導入
し、200℃の温度条件下で5秒間の窒化処理を行っ
た。配向調整膜2上に、非磁性下地膜3(膜厚150Å
(15nm))を形成した。非磁性下地膜3は、Crか
らなる第1層上に、CrWからなる第2層を形成した2
層構造膜とした。非磁性下地膜3上には、CoCrから
なる非磁性中間膜(膜厚30Å(3nm))、および磁
性膜4を形成した。磁性膜4は、CoCrPtBCuか
らなる第1層(層厚180Å(18nm))上に、Co
CrPtTaからなる第2層(層厚20Å(2nm))
を形成した2層構造膜(膜厚200Å(20nm))と
した。磁性膜4上にはスパッタ法によりカーボンからな
る保護膜5を形成し、その上にパーフルオロポリエーテ
ルからなる潤滑膜を形成した。得られた磁気記録媒体の
試験結果を表5に示す。
(Test Examples 43 to 53) Crystallized Glass Substrate 1
A nonmagnetic adhesion film 12 (film thickness: 50 ° (5 nm)) made of Cr was formed on (TS-10SX manufactured by OHARA CORPORATION), and an alignment adjustment film 2 shown in Table 5 was formed thereon. Next, a nitrogen-containing gas shown in Table 5 was introduced into the chamber of the sputtering apparatus, and a nitriding treatment was performed at 200 ° C. for 5 seconds. On the orientation adjusting film 2, a non-magnetic base film 3 (film thickness of 150 °)
(15 nm)). The nonmagnetic underlayer 3 is formed by forming a second layer made of CrW on a first layer made of Cr.
A layered film was obtained. On the non-magnetic base film 3, a non-magnetic intermediate film (thickness: 30 ° (3 nm)) made of CoCr and a magnetic film 4 were formed. The magnetic film 4 is formed by depositing Co on a first layer (layer thickness 180 ° (18 nm)) of CoCrPtBCu.
Second layer made of CrPtTa (layer thickness 20 ° (2 nm))
Was formed into a two-layer structure film (film thickness 200 ° (20 nm)). A protective film 5 made of carbon was formed on the magnetic film 4 by a sputtering method, and a lubricating film made of perfluoropolyether was formed thereon. Table 5 shows the test results of the obtained magnetic recording media.

【0077】[0077]

【表5】 [Table 5]

【0078】表5より、配向調整膜2の表面を窒化処理
した場合でも優れた磁気特性を得ることができたことが
わかる。
Table 5 shows that excellent magnetic properties could be obtained even when the surface of the orientation adjusting film 2 was subjected to nitriding treatment.

【0079】(試験例54〜64)結晶化ガラス基板1
(オハラ社製TS−10SX)上に、CrWからなる非
磁性密着膜12(膜厚100Å(10nm))を形成
し、その上に表6に示す配向調整膜2を形成した。この
際用いたスパッタガス(成膜ガス)としては、表6に示
したものを用いた。配向調整膜2上に、非磁性下地膜3
(Crからなる第1層上に、CrWからなる第2層を形
成した2層構造。膜厚150Å(15nm))をスパッ
タ法により形成した。非磁性下地膜3上には、CoCr
からなる非磁性中間膜(膜厚30Å(3nm))と、C
oCrPtTaZrからなる磁性膜4(膜厚180Å
(18nm))を形成した。得られた磁気記録媒体の試
験結果を表5に示す。
(Test Examples 54 to 64) Crystallized Glass Substrate 1
A nonmagnetic adhesion film 12 (film thickness: 100 ° (10 nm)) made of CrW was formed on (TS-10SX manufactured by OHARA CORPORATION), and an alignment adjustment film 2 shown in Table 6 was formed thereon. The sputtering gas (film forming gas) used at this time was the one shown in Table 6. On the orientation adjusting film 2, a non-magnetic base film 3
(A two-layer structure in which a second layer made of CrW was formed on the first layer made of Cr. A film thickness of 150 ° (15 nm)) was formed by a sputtering method. CoCr on the non-magnetic underlayer 3
A nonmagnetic intermediate film (thickness 30 ° (3 nm)) made of
The magnetic film 4 made of oCrPtTaZr (film thickness 180 °)
(18 nm)). Table 5 shows the test results of the obtained magnetic recording media.

【0080】[0080]

【表6】 [Table 6]

【0081】表6より、スパッタガス(成膜ガス)に酸
素または窒素を含有させた場合でも、優れた磁気特性を
得ることができたことがわかる。
Table 6 shows that excellent magnetic characteristics could be obtained even when oxygen or nitrogen was contained in the sputtering gas (film-forming gas).

【0082】[0082]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体の製造方法にあっては、表面にテクスチャ加工を施
した非金属基板上に、配向調整膜を形成し、この配向調
整膜の表面に酸化処理または窒化処理を行うので、磁性
膜に磁気異方性をもたせるのが難しい非金属基板を用い
た場合でも、その上に形成される非磁性下地膜および磁
性膜の結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方
性を高めることができる。従って、磁気記録媒体の熱揺
らぎ耐性などの磁気特性を向上させることができる。ま
たテクスチャ加工を施した非金属基板上に、成膜装置内
で配向調整膜を形成した後、この成膜装置により引き続
いて非磁性下地膜、磁性膜を形成することができる。こ
のため、製造工程を簡略化し、製造コスト削減を図るこ
とができる。
As described above, according to the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, an orientation adjusting film is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, and the orientation adjusting film is formed. Since the surface is oxidized or nitrided, the crystal orientation of the non-magnetic underlayer and the magnetic film formed on the non-magnetic substrate can be improved even when using a non-metallic substrate where it is difficult to impart magnetic anisotropy to the magnetic film. And the magnetic anisotropy of the magnetic film can be increased. Therefore, magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance of the magnetic recording medium can be improved. Further, after forming an orientation adjusting film in a film forming apparatus on a textured non-metallic substrate, a non-magnetic base film and a magnetic film can be successively formed by the film forming apparatus. Therefore, the manufacturing process can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.

【0083】また本発明の磁気記録媒体にあっては、表
面にテクスチャ加工が施された非金属基板上に配向調整
膜が形成され、その上に非磁性下地膜および磁性膜が形
成され、周方向の保磁力Hccと径方向の保磁力Hcr
との比Hcc/Hcrが、1.1以上であるので、磁気
異方性が高く、熱揺らぎ耐性などの磁気特性に優れたも
のとなる。
In the magnetic recording medium of the present invention, an orientation adjusting film is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, and a non-magnetic underlayer and a magnetic film are formed thereon. Coercive force Hcc in the direction and coercive force Hcr in the radial direction
, The ratio Hcc / Hcr is 1.1 or more, so that the magnetic anisotropy is high and the magnetic characteristics such as thermal fluctuation resistance are excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す
一部断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing one embodiment of a magnetic recording medium of the present invention.

【図2】 図1に示す磁気記録媒体を製造するために
用いられる成膜装置であるスパッタ装置の一例を示す構
成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of a sputtering apparatus which is a film forming apparatus used for manufacturing the magnetic recording medium shown in FIG.

【図3】 本発明の磁気記録再生装置の一実施形態を
示す一部断面図である。
FIG. 3 is a partial sectional view showing an embodiment of the magnetic recording / reproducing apparatus of the present invention.

【図4】 本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示
す一部断面図である。
FIG. 4 is a partial sectional view showing another embodiment of the magnetic recording medium of the present invention.

【図5】 本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形
態を示す一部断面図である。
FIG. 5 is a partial sectional view showing still another embodiment of the magnetic recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・非金属基板、2・・・配向調整膜、3・・・非磁性下地
膜、4・・・磁性膜、7・・・磁気記録媒体、9・・・磁気ヘッ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Non-metallic substrate, 2 ... Orientation adjustment film, 3 ... Non-magnetic base film, 4 ... Magnetic film, 7 ... Magnetic recording medium, 9 ... Magnetic head

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 5/64 G11B 5/64 5/738 5/738 5/84 5/84 Z (72)発明者 坂口 竜二 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 5/64 G11B 5/64 5/738 5/738 5/84 5/84 Z (72) Inventor Sakaguchi Ryuji 5-1, Hachiman Kaigan-dori, Ichihara-shi, Chiba Prefecture Inside Showa Denko H-D Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Sakai 5-5-1, Yawata-kaigan Dori, Ichihara-shi, Chiba Prefecture Inside Showa Denko H-D Corporation

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面にテクスチャ加工を施した非金属
基板上に、直上の膜の配向性を整える配向調整膜を形成
し、この配向調整膜の表面を酸化処理し、その上に非磁
性下地膜および磁性膜を形成することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
1. An orientation adjusting film for adjusting the orientation of a film immediately above is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, and the surface of the orientation adjusting film is oxidized. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a ground film and a magnetic film.
【請求項2】 酸化処理を、配向調整膜の表面を酸素
含有ガスに接触させることにより行うことを特徴とする
請求項1記載の磁気記録媒体の製造方法。
2. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the oxidation treatment is performed by bringing the surface of the orientation adjusting film into contact with an oxygen-containing gas.
【請求項3】 酸素含有ガスが、空気、純酸素、水蒸
気、酸素富化ガスのうちから選ばれた少なくとも1種で
あることを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体の製
造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the oxygen-containing gas is at least one selected from the group consisting of air, pure oxygen, water vapor, and an oxygen-enriched gas.
【請求項4】 酸素含有ガスの酸素含有率が、1〜1
00vol%であることを特徴とする請求項2または3
記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. An oxygen-containing gas having an oxygen content of 1 to 1
4% by volume.
The manufacturing method of the magnetic recording medium according to the above.
【請求項5】 表面にテクスチャ加工を施した非金属
基板上に、直上の膜の配向性を整える配向調整膜を形成
し、この配向調整膜の表面を窒化処理し、その上に非磁
性下地膜および磁性膜を形成することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
5. An orientation adjusting film for adjusting the orientation of a film immediately above is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, and the surface of the orientation adjusting film is subjected to a nitriding treatment. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a ground film and a magnetic film.
【請求項6】 窒化処理を、配向調整膜の表面を窒素
含有ガスに接触させることにより行うことを特徴とする
請求項5記載の磁気記録媒体の製造方法。
6. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 5, wherein the nitriding treatment is performed by bringing the surface of the orientation adjusting film into contact with a nitrogen-containing gas.
【請求項7】 窒素含有ガスが、空気、純窒素、窒素
富化ガスのうちから選ばれた少なくとも1種であること
を特徴とする請求項6記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the nitrogen-containing gas is at least one selected from the group consisting of air, pure nitrogen, and a nitrogen-enriched gas.
【請求項8】 窒素含有ガスの窒素含有率が、1〜1
00vol%であることを特徴とする請求項6または7
記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. The nitrogen-containing gas having a nitrogen content of 1 to 1
8% by volume.
The manufacturing method of the magnetic recording medium according to the above.
【請求項9】 表面にテクスチャ加工を施した非金属
基板上に、直上の膜の配向性を整える配向調整膜を形成
し、その上に非磁性下地膜および磁性膜を形成する磁気
記録媒体の製造方法であって、配向調整膜を形成する方
法としてスパッタ法を採用し、配向調整膜を形成するに
際し、酸素を含むスパッタガスを用いることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
9. A magnetic recording medium comprising: a non-metallic substrate having a textured surface formed thereon; an orientation adjusting film for adjusting the orientation of a film immediately above the film; and a non-magnetic underlayer and a magnetic film formed thereon. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: employing a sputtering method as a method for forming an alignment adjusting film; and using a sputtering gas containing oxygen when forming the alignment adjusting film.
【請求項10】 スパッタガスの酸素含有率が、1〜
80vol%であることを特徴とする請求項9記載の磁
気記録媒体の製造方法。
10. The oxygen content of a sputtering gas is 1 to 10.
The method for producing a magnetic recording medium according to claim 9, wherein the content is 80 vol%.
【請求項11】 表面にテクスチャ加工を施した非金
属基板上に、直上の膜の配向性を整える配向調整膜を形
成し、その上に非磁性下地膜および磁性膜を形成する磁
気記録媒体の製造方法であって、配向調整膜を形成する
方法としてスパッタ法を採用し、配向調整膜を形成する
に際し、窒素を含むスパッタガスを用いることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
11. A magnetic recording medium comprising: a non-metallic substrate having a textured surface formed thereon; an orientation adjusting film for adjusting the orientation of a film directly above the film; and a non-magnetic underlayer and a magnetic film formed thereon. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: employing a sputtering method as a method for forming an alignment adjusting film; and using a sputtering gas containing nitrogen when forming the alignment adjusting film.
【請求項12】 スパッタガスの窒素含有率が、1〜
80vol%であることを特徴とする請求項11記載の
磁気記録媒体の製造方法。
12. The sputter gas has a nitrogen content of 1 to 10.
The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 11, wherein the content is 80 vol%.
【請求項13】 配向調整膜を、NiP(Pの含有率
は10〜40at%)を主成分とするものとすることを
特徴とする請求項1〜12のうちいずれか1項記載の磁
気記録媒体の製造方法。
13. The magnetic recording according to claim 1, wherein the orientation adjusting film is mainly composed of NiP (P content is 10 to 40 at%). The method of manufacturing the medium.
【請求項14】 配向調整膜を、NiPX(XはC
r、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのうち1
種以上、Xの含有率は0〜25at%)を主成分とする
ものとすることを特徴とする請求項1〜12のうちいず
れか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
14. An alignment adjusting film made of NiPX (X is C
one of r, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr
13. The method for producing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the main component is at least one species and the content of X is 0 to 25 at%.
【請求項15】 請求項14記載の磁気記録媒体の製
造方法を行うにあたり配向調整膜を形成するために用い
られるスパッタリングターゲットであって、NiPX
(XはCr、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zr
のうち1種以上、Xの含有率は0〜25at%)を主成
分とするものであることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット。
15. A sputtering target used for forming an alignment adjustment film in performing the method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 14, wherein the sputtering target is NiPX.
(X is Cr, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, Zr
Wherein the content of X is 0 to 25 at%) as a main component.
【請求項16】 表面にテクスチャ加工が施された非
金属基板上に配向調整膜が形成され、その上に非磁性下
地膜および磁性膜が形成され、 周方向の保磁力Hccと径方向の保磁力Hcrとの比H
cc/Hcrが、1.1以上であることを特徴とする磁
気記録媒体。
16. An orientation adjusting film is formed on a non-metallic substrate having a textured surface, a non-magnetic underlayer and a magnetic film are formed thereon, and a circumferential coercive force Hcc and a radial coercive force are formed. Ratio H to magnetic force Hcr
A magnetic recording medium wherein cc / Hcr is 1.1 or more.
【請求項17】 配向制御膜の表面が酸化処理されて
いることを特徴とする請求項16記載の磁気記録媒体。
17. The magnetic recording medium according to claim 16, wherein the surface of the orientation control film is oxidized.
【請求項18】 配向制御膜の表面が窒化処理されて
いることを特徴とする請求項16記載の磁気記録媒体。
18. The magnetic recording medium according to claim 16, wherein the surface of the orientation control film is subjected to a nitriding treatment.
【請求項19】 配向調整膜が、NiP(Pの含有率
は10〜40at%)を主成分とするものであることを
特徴とする請求項16〜18のうちいずれか1項記載の
磁気記録媒体。
19. The magnetic recording according to claim 16, wherein the orientation adjusting film is mainly composed of NiP (P content: 10 to 40 at%). Medium.
【請求項20】 配向調整膜が、NiPX(XはC
r、Mo、Si、Mn、W、Nb、Ti、Zrのうち1
種以上、Xの含有率は0〜25at%)を主成分とする
ものであることを特徴とする請求項16〜18のうちい
ずれか1項記載の磁気記録媒体。
20. When the orientation adjusting film is NiPX (X is C
one of r, Mo, Si, Mn, W, Nb, Ti, and Zr
The magnetic recording medium according to any one of claims 16 to 18, wherein the main component is at least one species and the content of X is 0 to 25 at%).
【請求項21】 配向制御膜の膜厚が2〜100nm
であることを特徴とする請求項16〜20のうちいずれ
か1項記載の磁気記録媒体。
21. A film thickness of an orientation control film is 2 to 100 nm.
The magnetic recording medium according to any one of claims 16 to 20, wherein
【請求項22】 配向調整膜は、表面平均粗さRaが
0.5nm未満であることを特徴とする請求項16〜2
1のうちいずれか1項記載の磁気記録媒体。
22. The alignment adjusting film according to claim 16, wherein the surface average roughness Ra is less than 0.5 nm.
2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein:
【請求項23】 非金属基板が、ガラス基板であるこ
とを特徴とする請求項16〜22のうちいずれか1項記
載の磁気記録媒体。
23. The magnetic recording medium according to claim 16, wherein the non-metallic substrate is a glass substrate.
【請求項24】 非金属基板と配向性調整膜との間
に、配向性調整膜を基板側から剥離しにくくする非磁性
密着膜が形成され、この非磁性密着膜が、Cr、Mo、
Nb、V、Re、Zr、W、Tiのうち1種以上からな
ることを特徴とする請求項16〜23のうちいずれか1
項記載の磁気記録媒体。
24. A non-magnetic adhesion film which makes it difficult for the orientation adjustment film to be peeled off from the substrate side is formed between the non-metallic substrate and the orientation adjustment film, and the non-magnetic adhesion film is made of Cr, Mo,
24. Any one of claims 16 to 23, comprising at least one of Nb, V, Re, Zr, W and Ti.
Item 7. The magnetic recording medium according to Item 1.
【請求項25】 請求項16〜24のうちいずれか1
項記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録
再生する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする磁
気記録再生装置。
25. Any one of claims 16 to 24.
A magnetic recording / reproducing apparatus, comprising: the magnetic recording medium according to claim 1; and a magnetic head for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium.
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