JP2581731B2 - Waveguide optical device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 温度変化により電極下にたまった電荷の影響で生じる
光デバイスの動作点変動を確実に防止することが出来る
導波路形光デバイスと、その製造方法に関し、焦電効果
を持つ強誘電体からなる光導波路上に絶縁性のバッファ
層を形成する第１の工程と、該バッファ層上に、半導電
膜と酸化防止膜としての第１の金属膜とを真空を破らず
に順次形成する第２の工程と、前記第１の金属膜上に、
第３の金属膜を形成する第３の工程とからなる製造方法
により、焦電効果を持つ強誘電体からなる光導波路と、
光導波路上の絶縁性のバッファ層と、バッファ層上の半
導電膜と、半導電膜上の電極とを備え、前記電極が、酸
化防止膜としての第１の金属膜と前記第１の金属膜上の
第３の金属膜との積層構造を有する導波路形光デバイス
を構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to a waveguide type optical device capable of reliably preventing an operating point of an optical device from fluctuating due to electric charge accumulated under an electrode due to a temperature change, and a method for manufacturing the same. A first step of forming an insulating buffer layer on an optical waveguide made of a ferroelectric material having an electric effect, and forming a semiconductive film and a first metal film as an antioxidant film on the buffer layer by vacuum. A second step of forming sequentially without breaking, and on the first metal film,
An optical waveguide made of a ferroelectric substance having a pyroelectric effect, by a manufacturing method comprising a third step of forming a third metal film;
An insulating buffer layer on the optical waveguide, a semiconductive film on the buffer layer, and an electrode on the semiconductive film, wherein the electrode is formed of a first metal film as an antioxidant film and the first metal film. A waveguide optical device having a laminated structure with a third metal film on the film is formed.
本発明は、電気光学効果を利用した導波路形光デバイ
スと、これの製造方法に関する。The present invention relates to a waveguide optical device using an electro-optic effect and a method for manufacturing the same.
一般に、良好な電気光学効果を有する光導波路材料と
して、LiNbO3が良く知られている。従来、このようなLi
NbO3を用いたＺ板LiNbO3導波路上に電極を形成する場合
は、まず上記導波路上にSiO2膜からなるバッファ層を設
け、その上に電極を形成するようにしている。Generally, LiNbO 3 is well known as an optical waveguide material having a good electro-optic effect. Conventionally, such Li
When an electrode is formed on a Z-plate LiNbO 3 waveguide using NbO 3 , first, a buffer layer made of an SiO 2 film is provided on the waveguide, and an electrode is formed thereon.
ところが、LiNbO3は焦電効果を持つ強誘電体でもある
ため、単に上記のように電極を形成した場合は、次のよ
うな問題が生じた。すなわち、少しでも温度変化が生じ
た場合、焦電効果に基づく電荷が導波路の表面に発生す
るため、この電荷に対応した逆極性の電荷が電極の底面
に外部から供給される。このように電極下に電荷がたま
ると、不要な電界が局所的に発生するため、電極間に発
生する正規の電界が大きな影響を受けてしまい、よって
光デバイスの動作点（例えば光スイッチング素子のスイ
ッチングに必要な電極間電圧等）が変動するという問題
が生じた。However, since LiNbO 3 is also a ferroelectric material having a pyroelectric effect, the following problem occurs when the electrodes are simply formed as described above. That is, when a slight temperature change occurs, an electric charge based on the pyroelectric effect is generated on the surface of the waveguide, and an electric charge of the opposite polarity corresponding to this electric charge is externally supplied to the bottom surface of the electrode. When the electric charge accumulates under the electrodes in this manner, an unnecessary electric field is locally generated, so that the normal electric field generated between the electrodes is greatly affected, and thus the operating point of the optical device (for example, the optical switching element). This causes a problem that the inter-electrode voltage required for switching fluctuates.
そこで、本発明者等は、第２図に示すようにＺ板LiNb
O3の導波路１上に設けられたSiO2のバッファ層２の上
に、Si等からなる半導電膜３を薄く生成し、この上に電
極４を形成することを提案した（特開昭62−73207号公
報参照）。これによれば、上記半導電膜３が、その中を
電荷が動ける程度に大きな抵抗を持っているため、上述
したように焦電効果によって導波路１の表面に電荷が発
生したとしても、これに対応して電極４に供給された電
荷は半導電膜３を介して均一に分布することになる。そ
のため、前述したような局所的な電界が生じず、光デバ
イスの動作点変動を防止できるという効果が期待でき
る。Then, the present inventors, as shown in FIG.
It has been proposed to form a thin semiconductive film 3 made of Si or the like on a SiO 2 buffer layer 2 provided on an O 3 waveguide 1, and to form an electrode 4 thereon (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-73207). According to this, since the semiconductive film 3 has such a large resistance that electric charges can move therein, even if charges are generated on the surface of the waveguide 1 due to the pyroelectric effect as described above, Accordingly, the electric charges supplied to the electrodes 4 are uniformly distributed through the semiconductive film 3. Therefore, it is possible to expect an effect that the local electric field does not occur as described above, and that the fluctuation of the operating point of the optical device can be prevented.
ところが、上記第２図に示した半導電膜３としてSiを
用い、電極４としてAu（金）を用いようとした場合、そ
の製造工程において以下のような問題が生じた。However, in the case where Si is used for the semiconductive film 3 and Au (gold) is used for the electrode 4 shown in FIG. 2, the following problems occur in the manufacturing process.
一般に、Si膜はスパッタリング法やCVD法を用いて形
成されており、真空蒸着で形成することは困難である。
一方、Au膜は非常に高価なものであるため、大きなター
ゲットを必要とするスパッタリング法やCVD法は使用で
きず、少量の材料で済む真空蒸着が使用される。従っ
て、バッファ層２上にSi膜（半導電膜３）とAu膜（電極
４）を順次形成する場合は、まずスパッタリング法もし
くはCVD法によりバッファ層２上にSi膜を形成し、次に
真空を破って別の装置内に移し、ここで真空蒸着により
上記Si膜上にAu膜を形成しなければならない。この際、
Siは非常に酸化されやすい物質であるため、上記のよう
に真空が破られると、Si膜が酸化されて酸化膜に容易に
変化してしまう。このようなSi酸化膜はほとんど絶縁膜
であり、その中を電荷が動くことはできない。そのた
め、温度変化によって生じた電荷を均一にする作用が得
られず、前述したと同様に光デバイスの動作点が変動し
てしまう。Generally, a Si film is formed using a sputtering method or a CVD method, and it is difficult to form the Si film by vacuum deposition.
On the other hand, since an Au film is very expensive, a sputtering method or a CVD method that requires a large target cannot be used, and vacuum evaporation that requires a small amount of material is used. Therefore, when an Si film (semiconductive film 3) and an Au film (electrode 4) are sequentially formed on the buffer layer 2, an Si film is first formed on the buffer layer 2 by sputtering or CVD, and then a vacuum is formed. Must be broken and transferred to another apparatus, where an Au film must be formed on the Si film by vacuum deposition. On this occasion,
Since Si is a substance that is very easily oxidized, when the vacuum is broken as described above, the Si film is oxidized and easily changed to an oxide film. Such a Si oxide film is almost an insulating film, in which electric charges cannot move. For this reason, the function of making the charges generated by the temperature change uniform cannot be obtained, and the operating point of the optical device fluctuates as described above.
本発明は、上記の問題点に鑑み、温度変化により電極
下にたまった電荷の影響で生じる光デバイスの動作点変
動を確実に防止することのできる導波路形光デバイス
と、その製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and provides a waveguide type optical device capable of reliably preventing an operating point of an optical device from fluctuating due to the influence of electric charge accumulated under an electrode due to a temperature change, and a method of manufacturing the same. The purpose is to do.
本発明の導波路形光デバイス製造方法は、以下の第１
〜第３の工程を備えている。The method of manufacturing a waveguide optical device according to the present invention includes the following first method.
To a third step.
第１の工程は、焦電効果を持つ強誘電体（例えばLiNb
O3等）からなる光導波路上に、絶縁性のバッファ層（例
えばSiO2膜等）を形成する工程である。In the first step, a ferroelectric substance having a pyroelectric effect (eg, LiNb
This is a step of forming an insulating buffer layer (for example, an SiO 2 film) on the optical waveguide made of O 3 or the like.
第２の工程は、上記バッファ層上に、半導電膜（例え
ばSi膜等）と、酸化しにくい第１の金属膜（例えばTi膜
やCr膜等）とを、１つの装置内で真空を破らずに順次形
成する工程である。In the second step, a semiconductive film (for example, a Si film or the like) and a first metal film (for example, a Ti film or a Cr film) which is hardly oxidized are vacuum-formed in one device on the buffer layer. This is a step of forming sequentially without breaking.
第３の工程は、上記第１の金属膜上に、第３の金属膜
（例えば、Au膜等）を形成する工程である。The third step is a step of forming a third metal film (for example, an Au film) on the first metal film.
以上の工程を備えることにより、導波路形光デバイス
の光導波路上にはバッファ層と半導電膜の二層構造が形
成され、その上には少なくとも第１と第３の金属膜から
なる電極が形成される。With the above steps, a two-layer structure of a buffer layer and a semiconductive film is formed on the optical waveguide of the waveguide type optical device, and at least an electrode made of the first and third metal films is formed thereon. It is formed.
第２の工程において、半導電膜として酸化しやすいSi
膜を用いた場合であっても、このSi膜と第１の金属膜と
はスパッタリング法等により真空を破らずに形成される
ため、この過程でSi膜が酸化されるようなことはない。In the second step, Si that is easily oxidized as a semiconductive film
Even when a film is used, the Si film and the first metal film are formed without breaking a vacuum by a sputtering method or the like, so that the Si film is not oxidized in this process.
また、第３の工程において、第３の金属膜として高価
なAu膜を用いようとする場合は、真空蒸着を利用する必
要がある。そのため上記第２の工程から第３の工程へ移
る際に真空が破れてしまうが、酸化しにくい第１の金属
膜がSi膜の酸化防止膜として作用するため、この際にも
Si膜は酸化されない。In the third step, when an expensive Au film is used as the third metal film, it is necessary to use vacuum evaporation. Therefore, the vacuum is broken when the process proceeds from the second step to the third step. However, the first metal film, which is hardly oxidized, acts as an oxidation preventing film for the Si film.
The Si film is not oxidized.
以上のことから、バッファ層と電極との間に、半導電
膜（Si膜）を全く酸化させずに形成することができる。
従って、このようにして得られた光デバイスでは、たと
え温度変化が生じても、上記半導電膜の作用により均一
な電荷分布が得られるので、動作点の変動は確実に防止
される。From the above, a semiconductive film (Si film) can be formed between the buffer layer and the electrode without any oxidation.
Therefore, in the optical device thus obtained, even if the temperature changes, a uniform charge distribution can be obtained by the action of the semiconductive film, so that the fluctuation of the operating point is reliably prevented.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明の導波路形光デバイスの製造方法に
係る一実施例を示す工程図である。FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of a method of manufacturing a waveguide optical device according to the present invention.
本実施例では、まず、第１図（ａ）に示すように、Ｚ
板LINbO3からなる導波路11上に、従来と同様に、SiO2か
らなる厚さ2000Å程度のバッファ層12を形成する。In this embodiment, first, as shown in FIG.
On the waveguide 11 made of the plate LINbO 3, a buffer layer 12 made of SiO 2 and having a thickness of about 2000 mm is formed as in the related art.
続いて、第１図（ｂ）に示すように、上記バッファ層
12上に、Siからなる厚さ500〜1000Å程度の半導電膜13
とTiからなる厚さ300Å程度の第１の金属膜14とを１つ
の装置内で真空を破らずに順次形成する。この場合は、
Si膜とTi膜のどちらをも形成可能なスパッタリング法や
CVD法を利用できる。次に、第１図（ｃ）に示すよう
に、上記第１の金属膜14上に、これと同じTiからなる厚
さ200Å程度の第２の金属膜15とAuからなる厚さ500〜10
00Å程度の第３の金属膜16とを、１つの装置内で真空を
破らずに順次形成する。この場合は、Au膜とTi膜のどち
らをも形成可能な真空蒸着を利用できる。Subsequently, as shown in FIG.
A semi-conductive film 13 made of Si and having a thickness of about 500 to 1000
And a first metal film 14 made of Ti and having a thickness of about 300 ° are sequentially formed in one apparatus without breaking vacuum. in this case,
A sputtering method that can form both a Si film and a Ti film,
CVD method can be used. Next, as shown in FIG. 1 (c), on the first metal film 14, a second metal film 15 made of the same Ti and having a thickness of about 200 ° and a thickness 500 to 100 made of Au are formed.
The third metal film 16 having a thickness of about 00 ° is sequentially formed in one apparatus without breaking vacuum. In this case, vacuum deposition capable of forming both an Au film and a Ti film can be used.
次に、第１図（ｄ）に示すように、上記第３の金属膜
16上に、その電極となる部分のみが露出されるようにレ
ジスト17を厚くパターン形成する。続いて、このレジス
ト17を介し、第３の金属膜16上の露出部分にAuの電解メ
ッキを十分に厚く（例えば３〜10μｍ程度）施す。その
後、レジスト17を除去することにより、第３の金属膜16
上の電極となる部分には、第１図（ｅ）に示すようにAu
からなる厚さ３〜10μｍ程度の第４の金属膜18が形成さ
れる。Next, as shown in FIG. 1 (d), the third metal film
A resist 17 is formed in a thick pattern on 16 so that only the portion to be the electrode is exposed. Subsequently, an Au electrolytic plating is applied to the exposed portion on the third metal film 16 through the resist 17 so as to be sufficiently thick (for example, about 3 to 10 μm). Thereafter, the resist 17 is removed, so that the third metal film 16 is removed.
As shown in FIG. 1 (e), Au
A fourth metal film 18 having a thickness of about 3 to 10 μm is formed.
最後に、選択性のウェットエッチングを利用して、上
記第１〜第３の金属膜14〜16のパターニングを行う。ま
ず、Auのみを溶かすエッチング液（例えばヨウ化カリウ
ムを主成分とするエッチング液）を用いて、第３の金属
膜16が第４の金属膜16の下方領域を残し全て除去される
までエッチングを続ける。この際、第４の金属膜18も第
３の金属膜16と同時にエッチングされるが、前者は後者
と比べて十分に厚いため、第３の金属膜16が除去された
後でも、第４の金属膜18はまだ十分な厚さを有してい
る。続いて、Tiのみを溶かすエッチング液（例えばエチ
レンジアミン４酢酸２ナトリウムと過酸化水素水とアン
モニア水との混合液）を用いて、第１及び第２の金属膜
14、15が第４の金属膜16の下方領域を残し全て除去され
るまでエッチングを続ける。以上のエッチングにより、
半導電膜13上には、第１図（ｆ）に示すように第１〜第
４の金属膜14、15、16、18でできた電極19が形成され
る。Lastly, the first to third metal films 14 to 16 are patterned by using selective wet etching. First, etching is performed using an etching solution that dissolves only Au (for example, an etching solution containing potassium iodide as a main component) until the third metal film 16 is entirely removed except for a region below the fourth metal film 16. to continue. At this time, the fourth metal film 18 is also etched at the same time as the third metal film 16, but the former is sufficiently thicker than the latter, so that even after the third metal film 16 is removed, the fourth metal film 18 is removed. The metal film 18 still has a sufficient thickness. Subsequently, the first and second metal films are formed using an etching solution that dissolves only Ti (for example, a mixed solution of disodium ethylenediaminetetraacetate, hydrogen peroxide solution, and ammonia water).
The etching is continued until 14 and 15 are completely removed except for the region under the fourth metal film 16. By the above etching,
On the semiconductive film 13, an electrode 19 made of the first to fourth metal films 14, 15, 16, and 18 is formed as shown in FIG.
本実施例によれば、第１図（ｂ）に示した工程におい
て、酸化しやすいSiからなる半導電膜13と、酸化しにく
い安価なTiからなる第１の金属膜14とが、スパッタリン
グ法等により真空を破らずに形成される。そのため、こ
の過程で半導電膜13が酸化されるようなことはない。ま
た、第１図（ｃ）に示した工程では、第３の金属膜16と
してAuを用いているため、真空蒸着が利用されている。
そのため、第１図（ｂ）の工程から同図（ｃ）の工程へ
移る際に真空が破れてしまうが、この場合は上記の酸化
しにくい第１の金属膜14が半導電膜13の酸化防止膜とし
て作用するため、この際にも半導電膜13は酸化されずに
済む。なお、上記のように真空が破れた際に第１の金属
膜14の表面がわずかに酸化されたとしても、その上に同
一材質の第２の金属膜15が真空蒸着で形成されていく過
程で第１及び第２の金属膜14,15が互いに溶解しあうた
め、第１の金属膜14の表面にできていた酸化膜が破れ、
全く問題はなくなる。According to the present embodiment, in the step shown in FIG. 1 (b), the semiconductive film 13 made of easily oxidizable Si and the first metal film made of inexpensive Ti which is hardly oxidized are formed by the sputtering method. Formed without breaking vacuum. Therefore, the semiconductive film 13 is not oxidized in this process. In the step shown in FIG. 1C, since the third metal film 16 is made of Au, vacuum deposition is used.
Therefore, the vacuum is broken when the process of FIG. 1B is shifted to the process of FIG. 1C, but in this case, the first metal film 14 which is hardly oxidized is formed by oxidation of the semiconductive film 13. In this case, the semiconductive film 13 does not need to be oxidized because it functions as the prevention film. Even if the surface of the first metal film 14 is slightly oxidized when the vacuum is broken as described above, the process of forming the second metal film 15 of the same material thereon by vacuum evaporation Then, the first and second metal films 14 and 15 dissolve each other, so that the oxide film formed on the surface of the first metal film 14 is broken,
No problem at all.
以上のことから、酸化しやすいSi膜からなる半導電膜
13上に、これを全く酸化させることなく、高価なAu膜
（第３及び第４の金属膜16,18）を大部分とする電極19
を容易に形成することができる。従って、このようにし
て得られた導波路形光デバイスでは、たとえ温度変化が
生じても、上記のように酸化されずに形成された半導電
膜13の作用により均一な電荷分布が得られるので、従来
のような動作点の変動は確実に防止される。From the above, the semiconductive film made of the Si film which is easily oxidized
An electrode 19 mainly composed of an expensive Au film (third and fourth metal films 16 and 18) is formed on the electrode 13 without any oxidation.
Can be easily formed. Therefore, in the waveguide type optical device thus obtained, even if the temperature changes, a uniform charge distribution can be obtained by the action of the semiconductive film 13 formed without being oxidized as described above. In addition, the variation of the operating point as in the prior art is reliably prevented.
また、従来は、第２図に示したような電極４のパター
ンを形成するのに、イオンミリングを用いていた。とこ
ろが、電極４の下にある半導電膜３の厚さが500〜1000
Å程度と薄いため、この半導電膜３までイオンミリング
によって削り取られてしまうという問題があった。その
点、本実施例では、第１図（ｄ）〜（ｆ）の工程に示し
たように選択性の良いウェットエッチングを使用してい
るため、半導電膜13を侵さずに、その上の金属膜のみを
容易にパターン化できる。Conventionally, ion milling has been used to form the pattern of the electrode 4 as shown in FIG. However, the thickness of the semiconductive film 3 under the electrode 4 is 500 to 1000
Since it is as thin as Å, there is a problem that this semiconductive film 3 is scraped off by ion milling. In this regard, in the present embodiment, since wet etching having good selectivity is used as shown in the steps of FIGS. 1D to 1F, the semi-conductive film 13 is not affected by the wet etching. Only the metal film can be easily patterned.
なお、半導電膜13としてSi以外の酸化性の物質を用い
た場合であっても、また第３及び第４の金属膜16,18と
してAu以外の高価な金属を用いた場合であっても、上記
実施例と同様な効果が得られる。同様に、第１及び第２
の金属膜14、15としては、Ti以外の酸化しにくい安価な
物質（例えばCr等）を用いることができる。Note that even when the oxidizing substance other than Si is used as the semiconductive film 13, or when an expensive metal other than Au is used as the third and fourth metal films 16 and 18, The same effects as in the above embodiment can be obtained. Similarly, the first and second
As the metal films 14 and 15, an inexpensive substance (for example, Cr or the like) which is hardly oxidized other than Ti can be used.
また、上記実施例では、十分に厚い第４の金属膜18を
形成するのに電解メッキを利用したが、その他の方法を
用いてもよい。更には、このような第４の金属膜18を用
いる代りに、第３の金属膜16を十分に厚く形成し、これ
を公知の方法でパターン化することもできる。このよう
にしても、半導電膜13の酸化を確実に防止できるという
効果に、何ら変りはない。In the above embodiment, electrolytic plating is used to form the sufficiently thick fourth metal film 18, but other methods may be used. Further, instead of using such a fourth metal film 18, the third metal film 16 may be formed sufficiently thick and patterned by a known method. Even in this case, there is no change in the effect that the oxidation of the semiconductive film 13 can be reliably prevented.
また、本発明の電極形成方法は、LiNbO3のような焦電
効果を持つ強誘電体からなる光導波路を利用した、例え
ば導波路形光スイッチや導波路形光変調器等の各種光デ
バイスに適用できる。Further, the electrode forming method of the present invention is applicable to various optical devices such as a waveguide type optical switch and a waveguide type optical modulator using an optical waveguide made of a ferroelectric material having a pyroelectric effect such as LiNbO 3. Applicable.
以上説明したように、本発明によれば、たとえ半導電
膜としてSiのような酸化性の膜を用い、かつ電極（の大
部分）としてAuのような高価な膜を用いる場合であって
も、上記半導電膜上にこれを全く酸化させずに電極を形
成することができる。従って、このようにして得られた
導波路形光デバイスでは、たとえ温度変化が生じても、
上記のように酸化されずに形成された半導電膜の作用に
より均一な電荷分布が得られ、よって動作点の変動は確
実に防止される。As described above, according to the present invention, even when an oxidizing film such as Si is used as the semiconductive film and an expensive film such as Au is used as (most of) the electrodes. An electrode can be formed on the semiconductive film without oxidizing it at all. Therefore, in the waveguide type optical device thus obtained, even if a temperature change occurs,
A uniform charge distribution is obtained by the action of the semi-conductive film formed without being oxidized as described above, and thus, the fluctuation of the operating point is reliably prevented.
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の導波路形光デバイスの
製造方法に係る一実施例を示す工程図、 第２図は従来の導波路形光デバイスの断面構成図であ
る。 11……導波路、 12……バッファ層、 13……半導電膜、 14……第１の金属膜、 15……第２の金属膜、 16……第３の金属膜、 17……レジスト、 18……第４の金属膜、 19……電極。1 (a) to 1 (f) are process diagrams showing an embodiment of a method of manufacturing a waveguide type optical device according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional waveguide type optical device. 11 ... waveguide, 12 ... buffer layer, 13 ... semiconductive film, 14 ... first metal film, 15 ... second metal film, 16 ... third metal film, 17 ... resist , 18 ... the fourth metal film, 19 ...... electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−73207（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9111（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−185614（ＪＰ，Ａ) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-62-73207 (JP, A) JP-A-64-9111 (JP, A) JP-A-1-185614 (JP, A)
Claims (11)
と、 該導波路上に設けられた絶縁性のバッファ層と、 該バッファ層上の全面に設けられた半導電膜と、 該半導電膜上に設けられた電極とを備え、 該電極は、前記バッファ層上の全面に前記半導電膜と酸
化防止膜としての第１の金属膜とを真空を破らずに順次
形成し、該第１の金属膜上に前記半導電膜の形成方法と
は異なる方法で第３の金属膜を形成した後、前記半導電
膜上の前記第１及び第３の金属膜をその電極となる部分
を残して選択的に除去することにより得られたものであ
って、前記第１及び第３の金属膜の積層構造を有するこ
とを特徴とする導波路形光デバイス。An optical waveguide comprising a ferroelectric substance having a pyroelectric effect; an insulating buffer layer provided on the waveguide; a semiconductive film provided on the entire surface of the buffer layer; An electrode provided on a semiconductive film, the electrode sequentially forming the semiconductive film and a first metal film as an antioxidant film on the entire surface of the buffer layer without breaking vacuum; After forming a third metal film on the first metal film by a method different from the method for forming the semiconductive film, the first and third metal films on the semiconductive film are used as electrodes thereof. A waveguide type optical device, which is obtained by selectively removing a portion, leaving a laminated structure of the first and third metal films.
同一の材質からなる第２の金属膜を介して形成されてな
ることを特徴とする請求項１記載の導波路形光デバイ
ス。2. The waveguide type according to claim 1, wherein said third metal film is formed via a second metal film made of the same material as said first metal film. Optical device.
ファ層はSiO2であり、前記半導体膜はSiであり、前記第
３の金属膜はAuであることを特徴とする請求項１記載の
導波路形光デバイス。3. The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide is LiNbO 3 , the buffer layer is SiO 2 , the semiconductor film is Si, and the third metal film is Au. The waveguide type optical device according to the above.
であることを特徴とする請求項１乃至２記載の導波路形
光デバイス。4. The method according to claim 1, wherein the first and second metal films are made of Ti or Cr.
3. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein:
上に絶縁性のバッファ層を形成する工程と、 該バッファ層上の全面に、半導電膜と酸化防止膜として
の第１の金属膜とを真空を破らずに順次形成する工程
と、 該第１の金属膜上に前記半導電膜の形成方法とは異なる
方法で第３の金属膜を形成する工程と、 前記半導電膜上に積層された前記第１及び第３の金属膜
を、その電極となる部分を残して選択的に除去する工程
とを含むことを特徴とする導波路形光デバイスの製造方
法。5. A step of forming an insulating buffer layer on an optical waveguide made of a ferroelectric material having a pyroelectric effect, and forming a semiconductive film and a first antioxidant film on the entire surface of the buffer layer. A step of sequentially forming a metal film and a vacuum without breaking vacuum; a step of forming a third metal film on the first metal film by a method different from the method of forming the semiconductive film; Selectively removing the first and third metal films laminated thereon while leaving a portion serving as an electrode thereof.
と同一の材質からなる第２の金属膜を介して、前記第３
の金属膜を該第２の金属膜と共に真空を破らずに順次形
成した後、前記半導電膜上に積層された前記第１〜第３
の金属膜を、その電極となる部分を残して選択的に除去
することを特徴とする請求項５記載の導波路形光デバイ
スの製造方法。6. The third metal film on the first metal film via a second metal film made of the same material as the first metal film.
Are sequentially formed without breaking vacuum together with the second metal film, and then the first to third layers stacked on the semiconductive film are formed.
6. The method according to claim 5, wherein the metal film is selectively removed except for a portion serving as an electrode.
４の金属膜を膜厚形成した後、前記第１〜第３の金属膜
をその電極となる部分を残して選択的に除去することを
特徴とする請求項６記載の導波路形光デバイスの製造方
法。7. After forming a fourth metal film on a portion of the third metal film to be an electrode, selectively forming the first to third metal films on the third metal film except for the portion to be the electrode. 7. The method according to claim 6, wherein the light is removed.
は、前記第４の金属膜をマスクとするウェットエッチン
グによって行うことを特徴とする請求項７記載の導波路
形光デバイスの製造方法。8. The waveguide type optical device according to claim 7, wherein the selective removal of the first to third metal films is performed by wet etching using the fourth metal film as a mask. Manufacturing method.
タリング法又はCVD法にて形成することを特徴とする請
求項５記載の導波路形光デバイスの製造方法。9. The method according to claim 5, wherein the semiconductive film and the first metal film are formed by a sputtering method or a CVD method.
真空蒸着法にて形成することを特徴とする請求項６記載
の導波路形光デバイスの製造方法。10. The second metal film and the third metal film,
7. The method according to claim 6, wherein the optical device is formed by a vacuum deposition method.
形成することを特徴とする請求項７記載の導波路形光デ
バイスの製造方法。11. The method according to claim 7, wherein the fourth metal film is formed by an electrolytic plating method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3401688A JP2581731B2 (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Waveguide optical device and method of manufacturing the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3401688A JP2581731B2 (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Waveguide optical device and method of manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01210928A JPH01210928A (en) | 1989-08-24 |
| JP2581731B2 true JP2581731B2 (en) | 1997-02-12 |
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- 1988-02-18 JP JP3401688A patent/JP2581731B2/en not_active Expired - Lifetime
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