JP2578148Y2 - Capacitive pressure sensor - Google Patents

Capacitive pressure sensor

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JP2578148Y2 JP1992071183U JP7118392U JP2578148Y2 JP 2578148 Y2 JP2578148 Y2 JP 2578148Y2 JP 1992071183 U JP1992071183 U JP 1992071183U JP 7118392 U JP7118392 U JP 7118392U JP 2578148 Y2 JP2578148 Y2 JP 2578148Y2
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pressure
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pressure sensor
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glass substrate
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本考案はシリコン基板に可動電極
を設ける一方、ガラス基板に固定電極を設け、各電極面
を対向させてシリコン基板とガラス基板とを接合してセ
ンサチップを構成する静電容量圧力センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the present invention, a movable electrode is provided on a silicon substrate, a fixed electrode is provided on a glass substrate, and the silicon substrate and the glass substrate are joined with their respective electrode surfaces facing each other to form a sensor chip. It relates to a capacitance pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2(a)に示すとおり、従来の静電容
量形圧力センサである絶対圧用圧力センサは、測定圧力
により変形する可動電極を構成するダイアフラム部31
a及びその下に設けたキャビティー部32aを有するシ
リコン基板33aと、固定電極34aを有するガラス基
板35aとから構成されるセンサチップ46aを備えて
いる。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 2A, a pressure sensor for absolute pressure, which is a conventional capacitance type pressure sensor, has a diaphragm portion 31 forming a movable electrode deformed by a measured pressure.
and a sensor chip 46a including a silicon substrate 33a having a cavity portion 32a provided thereunder and a glass substrate 35a having a fixed electrode 34a.

【0003】このセンサチップ46aは、リード端子3
6aを設置した台座37aに接着されている。前記リー
ド端子36aと前記固定電極34aはリードワイヤー3
8aにより電気的に接続されている。センサチップ46
aは、前記ガラス基板35a上に設けた固定電極34a
の引出しのために、シリコン基板33aとガラス基板3
5aとの間に横穴39aが形成されている。この横穴3
9aには、前記キャビティー32aとセンサチップ外界
40aを隔離するために封止剤41aが配置される。前
記センサチップ46aが接着された台座37a上には圧
力導入穴42aを有するキャップ43aがハーメチック
シールされている。
[0003] The sensor chip 46a includes a lead terminal 3
6a is adhered to the pedestal 37a on which the 6a is installed. The lead terminal 36a and the fixed electrode 34a are connected to the lead wire 3
8a. Sensor chip 46
a is a fixed electrode 34a provided on the glass substrate 35a.
The silicon substrate 33a and the glass substrate 3
A lateral hole 39a is formed between the lateral hole 39a and the hole 5a. This side hole 3
9a, a sealant 41a is disposed to isolate the cavity 32a from the sensor chip external world 40a. A cap 43a having a pressure introducing hole 42a is hermetically sealed on the pedestal 37a to which the sensor chip 46a is adhered.

【0004】図2(b)はゲージ圧用圧力センサを示
す。このゲージ圧用圧力センサの基本構造は、図2
(a)に示す絶対圧用圧力センサとほぼ同じであるが、
次の点が異なっている。
FIG. 2B shows a gauge pressure sensor. The basic structure of this gauge pressure sensor is shown in FIG.
It is almost the same as the absolute pressure sensor shown in FIG.
The following points are different.

【0005】センサチップ46bを構成するガラス基板
35b及びセンサチップ46bが配置されている台座3
7bには、大気導入用の貫通穴44b,45bが形成さ
れる。その他の構成は、絶対圧用圧力センサと同じであ
るため、同一部分には同様の符号を付して説明を省略す
る。
The glass substrate 35b constituting the sensor chip 46b and the pedestal 3 on which the sensor chip 46b is disposed
7b are formed with through holes 44b and 45b for introducing air. Other configurations are the same as those of the absolute pressure sensor, and therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0006】次に、静電容量形圧力センサの動作原理に
ついて説明する。圧力導入穴42a,42bを通して可
動電極を構成する前記ダイアフラム部31a,31bに
圧力が加わると、前記ダイアフラム部31a,31bが
変形する。その変形により、前記ダイアフラム部31
a,31bと、それに対向して配置された前記固定電極
34a,34bとの間のギャップが変化する。前記ダイ
アフラム部31a,31bと前記固定電極34a,34
b間のギャップと静電容量との関係は次の数1で表され
る。
Next, the operation principle of the capacitance type pressure sensor will be described. When pressure is applied to the diaphragm portions 31a, 31b constituting the movable electrode through the pressure introducing holes 42a, 42b, the diaphragm portions 31a, 31b are deformed. Due to the deformation, the diaphragm portion 31
The gap between the fixed electrodes 34a and 34b and the fixed electrodes 34a and 34b arranged opposite thereto changes. The diaphragm portions 31a, 31b and the fixed electrodes 34a, 34
The relationship between the gap between b and the capacitance is expressed by the following equation (1).

【0007】[0007]

【数1】 (Equation 1)

【0008】この数1から分かるように、ギャップdの
変化により静電容量Cが変化する。また圧力とギャップ
の間には一定の相関関係がある。従って、静電容量の変
化から圧力を検出することができる。
As can be seen from Equation 1, the capacitance C changes due to the change in the gap d. There is also a certain correlation between pressure and gap. Therefore, pressure can be detected from a change in capacitance.

【0009】[0009]

【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造の場合、絶対圧用圧力センサにおいては、固定電極
34aの引出しのための横穴39aに、キャビティー3
2a内とセンサチップ外界40aを分離するために封止
剤41aを設ける必要があった。ゲージ圧用圧力センサ
においては、同様に封止剤41bを設ける必要があるば
かりでなく、ガラス基板35b及び台座37bに大気導
入用の貫通穴44b,45bを設ける必要があった。
However, in the case of the conventional structure, in the pressure sensor for absolute pressure, the cavity 3 is provided in the horizontal hole 39a for leading out the fixed electrode 34a.
In order to separate the inside of the sensor chip 2a from the outside of the sensor chip 40a, it is necessary to provide the sealant 41a. In the pressure sensor for gauge pressure, it is necessary to provide not only the sealant 41b but also the through holes 44b and 45b for introducing air into the glass substrate 35b and the pedestal 37b.

【0010】従って、高度な技術を要するガラス基板3
5bの穴明け加工や封止剤41a、41bの投入といっ
た工程が増え、コストアップとなっていた。また、封止
剤41a、41bの投入の際に誤ってリードワイヤー3
8a,38bを切断する危険性があるという欠点があっ
た。
Therefore, the glass substrate 3 requiring high technology
The number of steps such as drilling of 5b and introduction of the sealants 41a and 41b increased, resulting in an increase in cost. In addition, when the sealants 41a and 41b are charged, the lead wires 3
There is a disadvantage that there is a risk of cutting 8a and 38b.

【0011】そこで、本考案の技術的課題は、上記欠点
に鑑み、シリコン基板とガラス基板との間の横穴に封止
剤を設ける必要がないとともに、ガラス基板に大気導入
穴を設ける必要がない静電容量形圧力センサを提供する
ことである。
In view of the above drawbacks, the technical problem of the present invention is that there is no need to provide a sealant in a lateral hole between a silicon substrate and a glass substrate, and it is not necessary to provide an air introduction hole in a glass substrate. An object of the present invention is to provide a capacitance type pressure sensor.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本考案は、シリコン基板
に可動電極を設ける一方、ガラス基板に固定電極を設
け、前記可動電極および固定電極を対向させて前記シリ
コン基板と前記ガラス基板を接合してセンサチップを構
成し、このセンサチップをベース部材に設置する一方、
測定圧力導入穴を有するカバー部材を覆設し、前記可動
電極と前記固定電極との間の静電容量が測定圧力により
変化することを利用して圧力を測定する静電容量圧力セ
ンサであって、前記シリコン基板と前記カバー部材との
間に封止剤を設けて前記測定圧力導入穴と前記可動電極
とを連通させる測定圧力導入側キャビティー部を前記カ
バー部材内に形成してなることを特徴とするものであ
る。
According to the present invention, a movable electrode is provided on a silicon substrate, a fixed electrode is provided on a glass substrate, and the silicon substrate and the glass substrate are joined with the movable electrode and the fixed electrode facing each other. To configure the sensor chip and install this sensor chip on the base member,
A capacitance pressure sensor that covers a cover member having a measurement pressure introduction hole, and measures pressure by utilizing that a capacitance between the movable electrode and the fixed electrode changes according to a measurement pressure. Forming a measurement pressure introduction side cavity portion in the cover member for providing a sealant between the silicon substrate and the cover member to communicate the measurement pressure introduction hole with the movable electrode. It is a feature.

【0013】[0013]

【作用】シリコン基板とカバー部材との間に封止剤を設
けて、測定圧力導入穴と可動電極とを連通させる測定圧
力側キャビティー部をカバー部材内に形成したから、シ
リコン基板とガラス基板との間の横穴を封止剤を用いて
封止する必要がなくなるとともに、封止工程の際のリー
ドワイヤー切断の危険性がなくなる。さらに、ゲージ圧
用圧力センサにおいては、ガラス基板に大気導入穴を設
ける必要がなくなる。
The sealant is provided between the silicon substrate and the cover member, and the measurement pressure side cavity for communicating the measurement pressure introduction hole with the movable electrode is formed in the cover member. It is no longer necessary to seal the side hole between them with a sealant, and the risk of cutting the lead wire during the sealing step is eliminated. Further, in the pressure sensor for gauge pressure, it is not necessary to provide an air introduction hole in the glass substrate.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本考案に係る静電容量形圧力センサの
一実施例について添付図面を参照して説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a capacitance type pressure sensor according to the present invention.

【0015】図1(a)および(b)は、本考案に係る
静電容量形センサを示す断面図であり、このうち図1
(a)は絶対圧測定用圧力センサを示す。
FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing a capacitance type sensor according to the present invention.
(A) shows a pressure sensor for measuring absolute pressure.

【0016】絶対圧測定用圧力センサは、測定圧力によ
り変形する可動電極を構成するダイアフラム部11a及
びその下に設けたキャビティー部12aを有するシリコ
ン基板13aと、固定電極14aを有するガラス基板1
5aとから構成されるセンサチップ46aを備えてい
る。このセンサチップ26aはリード端子16aを配置
したベース部材としての台座17a上に接着されてい
る。前記リード端子16aと前記固定電極14aはリー
ドワイヤー18aにより電気的に接続されている。前記
センサチップ26aが接着された台座17a上には、測
定圧力を導入するための圧力導入穴19aを有するカバ
ー部材としてのキャップ20aがハーメチックシールさ
れている。
The absolute pressure measuring pressure sensor is composed of a silicon substrate 13a having a diaphragm portion 11a forming a movable electrode deformed by a measured pressure and a cavity portion 12a provided thereunder, and a glass substrate 1 having a fixed electrode 14a.
5a. The sensor chip 26a is adhered on a pedestal 17a as a base member on which the lead terminals 16a are arranged. The lead terminal 16a and the fixed electrode 14a are electrically connected by a lead wire 18a. A cap 20a as a cover member having a pressure introduction hole 19a for introducing a measurement pressure is hermetically sealed on the pedestal 17a to which the sensor chip 26a is adhered.

【0017】前記センサチップ26aのシリコン基板1
3a側と前記キャップ20aの間には封止剤21aが配
置される。封止剤21aはシリコン基板13aとキャッ
プ20aの内面に密着している。この封止剤21aによ
り圧力導入側キャビティー部22aとその他のキャップ
内領域23aが分離されている。圧力導入側キャビティ
ー部22aは測定圧力を導入するための圧力導入穴19
aと、前記可動電極としてのダイアフラム部31aとを
連通させている。また、圧力導入側キャビティー部22
a以外のキャップ内領域23aは封止剤21aにより密
封されている。前記センサチップ26aのシリコン基板
13a側とキャップ20aの間に封止剤21aを配置す
る工程は、あらかじめ封止剤21aをセンサチップ26
aまたはキャップ20a側に配置することにより、台座
17aとキャップ20aのハーメチックシール工程と同
時に行われる。
The silicon substrate 1 of the sensor chip 26a
A sealant 21a is disposed between the 3a side and the cap 20a. The sealant 21a is in close contact with the inner surfaces of the silicon substrate 13a and the cap 20a. The sealing agent 21a separates the pressure introduction side cavity portion 22a from the other cap inner region 23a. The pressure introduction side cavity portion 22a has a pressure introduction hole 19 for introducing a measurement pressure.
a and the diaphragm portion 31a as the movable electrode. Further, the pressure introduction side cavity portion 22
A region 23a inside the cap other than a is sealed with a sealant 21a. The step of arranging the sealant 21a between the silicon substrate 13a side of the sensor chip 26a and the cap 20a is performed in advance by sealing the sealant 21a with the sensor chip 26a.
By arranging it on the side of the cap 20a or the cap 20a, it is performed simultaneously with the hermetic sealing step of the pedestal 17a and the cap 20a.

【0018】図1(b)はゲージ圧用圧力センサを示
す。ゲージ圧用圧力センサの基本構造は、絶対圧測定用
圧力センサとほぼ同じであるが、次の点が異なる。すな
わち、センサチップ26bが配置されている台座17b
に大気導入用の貫通穴24bが設けてある。この貫通穴
24bおよびキャップ内領域23aを介してセンサ用の
キャビティ部12bが大気と連通している。その他の構
造は図1(a)に示す絶対圧測定用圧力センサと同じで
あるため、同一部分については同様の符号を付して重複
説明を省略する。
FIG. 1B shows a gauge pressure sensor. The basic structure of the pressure sensor for gauge pressure is almost the same as that of the pressure sensor for absolute pressure measurement, except for the following points. That is, the pedestal 17b on which the sensor chip 26b is disposed
Is provided with a through hole 24b for introducing air. The sensor cavity 12b communicates with the atmosphere via the through hole 24b and the cap inner region 23a. Since other structures are the same as those of the absolute pressure measuring pressure sensor shown in FIG. 1A, the same portions are denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.

【0019】上記のように封止剤21a,21bをセン
サチップ26a,26bのシリコン基板13a,13b
側とキャップ20a,20bの間に設けることにより、
圧力導入側キャビティー部22a,22bとその他キャ
ップ内領域23a,23bの圧力を分離することができ
る。その結果、ガラス基板15a,15b上の固定電極
14a,14bの引出しのための横穴25a,25bを
封止する必要がなくなるとともに、封止の際のリードワ
イヤーの切断の危険性がなくなる。また、ゲージ圧用圧
力センサに関しては、センサチップ46bのガラス基板
15b側に大気導入用の貫通穴を設ける必要がなくな
り、ガラス穴明け加工の高度技術を使用することなくゲ
ージ圧用圧力センサを製作することができる。
As described above, the sealants 21a and 21b are replaced with the silicon substrates 13a and 13b of the sensor chips 26a and 26b.
By providing between the side and the caps 20a and 20b,
It is possible to separate the pressure between the pressure introduction side cavity portions 22a and 22b and the other cap inner regions 23a and 23b. As a result, it is not necessary to seal the lateral holes 25a, 25b for drawing out the fixed electrodes 14a, 14b on the glass substrates 15a, 15b, and the danger of cutting the lead wire at the time of sealing is eliminated. Further, with respect to the pressure sensor for gauge pressure, it is not necessary to provide a through hole for introducing air into the glass substrate 15b side of the sensor chip 46b, and the pressure sensor for gauge pressure can be manufactured without using advanced technology of glass drilling. Can be.

【0020】[0020]

【考案の効果】以上説明したように、本考案はシリコン
基板とカバー部材との間に封止剤を設けて測定圧力導入
穴と可動電極とを連通させる測定圧力導入側キャビティ
ー部を前記カバー部材内に形成してなるから、リードワ
イヤーの切断の危険性のある横穴の封止を行う必要がな
くなるとともに、高度技術を要するガラス穴明け加工を
行う必要がなくなるため、製作が容易かつ安価な絶対圧
用、ゲージ圧用静電容量形センサを提供することができ
る。
As described above, according to the present invention, the sealant is provided between the silicon substrate and the cover member to cover the measurement pressure introduction side cavity for communicating the measurement pressure introduction hole with the movable electrode. Since it is formed in the member, there is no need to seal the side holes that may cause cutting of the lead wire, and it is not necessary to perform glass drilling that requires advanced technology, making it easy and inexpensive to manufacture. An electrostatic capacitance sensor for absolute pressure and gauge pressure can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本考案に係る静電容量形圧力センサの一実施例
を示す断面図であり、このうち(a)は絶対圧測定用圧
力センサを示し、(b)はゲージ圧測定用圧力センサを
示す。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a capacitance type pressure sensor according to the present invention, in which (a) shows a pressure sensor for measuring absolute pressure, and (b) shows a pressure sensor for measuring gauge pressure. Is shown.

【図2】従来の静電容量形圧力センサを示す断面図であ
り、このうち(a)は絶対圧測定用圧力センサを示し、
(b)はゲージ圧測定用圧力センサを示す。
FIG. 2 is a sectional view showing a conventional capacitance type pressure sensor, in which (a) shows a pressure sensor for measuring absolute pressure,
(B) shows a pressure sensor for measuring gauge pressure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a,11b ダイアフラム部 12a,12b キャビティー部(センサ部) 13a,13b シリコン基板 14a,14b 固定電極 15a,15b ガラス基板 16a,16b リード端子 17a,17b 台座 18a,18b リードワイヤー 19a,19b 圧力導入穴 20a,20b キャップ 21a,21b 封止剤 22a,22b キャビティー部(圧力導入側) 23a,23b キャップ内領域 24b 大気導入穴 25a,25b 固定電極引出し用横穴 26a,26b センサチップ 31a,31b ダイアフラム部 32a,32b キャビティー部(センサ部) 33a,33b シリコン基板 34a,34b 固定電極 35a,35b ガラス基板 36a,36b リード端子 37a,37b 台座 38a,38b リードワイヤー 39a,39b 固定電極引出し用横穴 40a,40b チップ外領域 41a,41b 封止剤 42a,42b 圧力導入穴 43a,43b キャップ 44b 大気導入穴(台座) 45b 大気導入穴(ガラス基板) 46a,46b センサチップ 11a, 11b Diaphragm part 12a, 12b Cavity part (sensor part) 13a, 13b Silicon substrate 14a, 14b Fixed electrode 15a, 15b Glass substrate 16a, 16b Lead terminal 17a, 17b Base 18a, 18b Lead wire 19a, 19b Pressure introduction hole 20a, 20b Cap 21a, 21b Sealant 22a, 22b Cavity part (pressure introduction side) 23a, 23b Inner cap area 24b Atmospheric introduction hole 25a, 25b Fixed electrode lead-out lateral hole 26a, 26b Sensor chip 31a, 31b Diaphragm part 32a , 32b Cavity part (sensor part) 33a, 33b Silicon substrate 34a, 34b Fixed electrode 35a, 35b Glass substrate 36a, 36b Lead terminal 37a, 37b Base 38a, 38b Lead wire 3 a, 39 b fixed electrode drawing-out side holes 40a, 40b outside the chip regions 41a, 41b sealants 42a, 42b pressure introducing hole 43a, 43b cap 44b air introducing hole (base) 45b air introducing hole (glass substrate) 46a, 46b the sensor chip

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 シリコン基板に可動電極を設ける一方、
ガラス基板に固定電極を設け、前記可動電極および固定
電極を対向させて前記シリコン基板と前記ガラス基板を
接合してセンサチップを構成し、このセンサチップをベ
ース部材に設置する一方、測定圧力導入穴を有するカバ
ー部材を覆設し、前記可動電極と前記固定電極との間の
静電容量が測定圧力により変化することを利用して圧力
を測定する静電容量圧力センサであって、前記シリコン
基板と前記カバー部材との間に封止剤を設けて前記測定
圧力導入穴と前記可動電極とを連通させる測定圧力導入
側キャビティー部を、前記カバー部材内に形成してなる
ことを特徴とする静電容量形圧力センサ。
A movable electrode is provided on a silicon substrate.
A fixed electrode is provided on a glass substrate, a sensor chip is formed by joining the silicon substrate and the glass substrate with the movable electrode and the fixed electrode facing each other, and a sensor chip is mounted on the base member. A capacitance pressure sensor that covers a cover member having a thickness of the silicon substrate, and measures a pressure by utilizing that a capacitance between the movable electrode and the fixed electrode changes according to a measurement pressure. A measurement pressure introduction side cavity portion for providing a sealant between the cover member and the measurement pressure introduction hole and the movable electrode so as to communicate with each other, is formed in the cover member. Capacitive pressure sensor.
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