JPH06148016A - Capacitive pressure sensor - Google Patents

Capacitive pressure sensor

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JPH06148016A
JPH06148016A JP29563292A JP29563292A JPH06148016A JP H06148016 A JPH06148016 A JP H06148016A JP 29563292 A JP29563292 A JP 29563292A JP 29563292 A JP29563292 A JP 29563292A JP H06148016 A JPH06148016 A JP H06148016A
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JP
Japan
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pressure
diaphragm
pressure sensor
sensor
sensor chip
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JP29563292A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Sato
正博 佐藤
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a capacitive pressure sensor which can be employed for different media while facilitating the alteration of operating range. CONSTITUTION:A sensor chip 26a comprises a glass substrate 15a provided with fixed electrodes 14a and a silicon substrate 13a provided with a silicon diaphragm 11a opposing a fixed electrode 14a through a gap. The sensor chip 26a is placed in a sealed housing partially composed of a metal diaphragm 19a which deforms depending on the pressure and the housing is filled with a noncorrosive liquid 21a or inert gas. Operating range can be altered by simply altering the thickness of the metal diaphragm 19a and since pressure applied onto the metal diaphragm 10a is transmitted to the silicon diaphragm 11a through inert gas 21a, the sensor can be operated even in the liquid.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は静電容量型圧力センサに
関し、特に、シリコン基板とガラス基板とにそれぞれ電
極を成形して各電極面を対向させてシリコン基板とガラ
ス基板とを接合した静電容量型圧力センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitance type pressure sensor, and more particularly to a static pressure sensor in which electrodes are formed on a silicon substrate and a glass substrate respectively, and the surfaces of the electrodes are opposed to each other to bond the silicon substrate and the glass substrate. The present invention relates to a capacitance type pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の静電容量型圧力センサとして一
般に図2(a)及び(b)に示す圧力センサが知られて
いる。
2. Description of the Related Art A pressure sensor shown in FIGS. 2A and 2B is generally known as an electrostatic capacitance type pressure sensor of this type.

【0003】まず、図2(a)を参照して、図示の圧力
センサは所謂絶対圧用圧力センサであって、シリコン基
板33aには圧力に応じて変形するダイヤフラム部31
aが形成され、ガラス基板35a上には固定電極34a
が形成されている。図示のようにシリコン基板33aと
ガラス基板35aとはその一部分において接合されてお
り、これによって、ダイヤフラム部31aの下側にはキ
ャビティー部32aが形成されることになる。
First, referring to FIG. 2 (a), the illustrated pressure sensor is a so-called absolute pressure sensor, and a diaphragm portion 31 which deforms in response to pressure is formed on a silicon substrate 33a.
a is formed, and the fixed electrode 34a is formed on the glass substrate 35a.
Are formed. As shown in the figure, the silicon substrate 33a and the glass substrate 35a are joined together at a part thereof, whereby a cavity portion 32a is formed below the diaphragm portion 31a.

【0004】これらシリコン基板33a及びガラス基板
35aによってセンサチップ46aが構成され、センサ
チップ46aはガラス基板35aによって台座37a上
に接着されている。台座37aにはリード端子36aが
配設されており、リード端子36aと固定電極34aと
はリードワイヤ38aによって電気的に接続されてい
る。
A sensor chip 46a is constituted by the silicon substrate 33a and the glass substrate 35a, and the sensor chip 46a is bonded onto the pedestal 37a by the glass substrate 35a. The pedestal 37a is provided with a lead terminal 36a, and the lead terminal 36a and the fixed electrode 34a are electrically connected by a lead wire 38a.

【0005】センサチップ46aには横穴39aが設け
られ、これによって固定電極34aが外部に引き出され
る。その後、キャビティー32aとセンサチップ外部4
0aとを隔離するため、横穴39aは封止剤41aによ
って封止される。そして、台座37aには圧力導入穴4
2aを有するキャップ43aが配置され、台座37aと
キャップ43aとはハーメチックシールによってシール
される。
The sensor chip 46a is provided with a lateral hole 39a, by which the fixed electrode 34a is pulled out to the outside. Then, the cavity 32a and the sensor chip outside 4
The lateral hole 39a is sealed with a sealant 41a in order to isolate the lateral hole 39a from the side 0a. The pressure introducing hole 4 is formed in the pedestal 37a.
A cap 43a having 2a is arranged, and the pedestal 37a and the cap 43a are sealed by a hermetic seal.

【0006】図示の絶対圧用圧力センサでは、ダイアフ
ラム部31aに圧力が加わると、圧力の大きさに応じて
ダイアフラム部31aが変形する。ダイアフラム部31
aの変形によって、ダイアフラム部31aと固定電極3
4aとの間のギャップが変化することになる。ここで、
ダイアフラム部31aと固定電極34aとの間には、C
=ξ(A/d)の関係がある。なお、C:静電容量、
ξ:空気の誘電率、A:電極面積:d:電極間ギャップ
である。
In the illustrated pressure sensor for absolute pressure, when pressure is applied to the diaphragm portion 31a, the diaphragm portion 31a is deformed according to the magnitude of the pressure. Diaphragm part 31
Due to the deformation of a, the diaphragm portion 31a and the fixed electrode 3
The gap with 4a will change. here,
Between the diaphragm portion 31a and the fixed electrode 34a, C
= Ξ (A / d). In addition, C: capacitance,
ξ: permittivity of air, A: electrode area: d: gap between electrodes.

【0007】従って、ギャップの変化によって静電容量
が変化することになり、さらに、圧力とギャップとの間
には一定の相関関係があるから、静電容量を検出するこ
とによって圧力を知ることができる。
Therefore, the capacitance changes due to the change in the gap, and since there is a certain correlation between the pressure and the gap, it is possible to know the pressure by detecting the capacitance. it can.

【0008】図2(b)に示す圧力センサは所謂ゲージ
圧用圧力センサであり、その基本的構造は図2(a)で
説明した絶対圧用圧力センサーと同様である(なお、図
2(b)においては、図2(a)と同様の構成要素につ
いてはアルファベットをaからbとして同一の参照番号
を付す)。図2(a)に示す圧力センサと異なる点は、
センサチップ46bを構成するガラス基板35b及びセ
ンサチップ46bが配置された台座37bに大気導入用
貫通孔44b及び45bが形成されている点である。な
お、図2(b)に示す圧力センサの動作は図2(a)に
示す圧力センサの動作とほぼ同様であるのでここでは説
明を省略する。
The pressure sensor shown in FIG. 2 (b) is a so-called gauge pressure pressure sensor, and its basic structure is the same as that of the absolute pressure pressure sensor described with reference to FIG. 2 (a) (note that FIG. 2 (b)). 2A, the same reference numerals are assigned to the same constituent elements as those in FIG. 2A by changing the alphabet from a to b). The difference from the pressure sensor shown in FIG. 2A is that
This is that the glass substrate 35b forming the sensor chip 46b and the pedestal 37b on which the sensor chip 46b is arranged are provided with the through holes 44b and 45b for introducing the atmosphere. The operation of the pressure sensor shown in FIG. 2B is almost the same as the operation of the pressure sensor shown in FIG.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来の静電容量型圧力
センサでは、被測定圧力を伝達する媒体がダイアフラム
部及びリードワイヤー等に直接接触する構造であるか
ら、信頼性等を考慮すると、媒体は非腐食気体等に限定
されてしまう。
In the conventional capacitance type pressure sensor, the medium for transmitting the pressure to be measured has a structure in which the medium directly contacts the diaphragm portion, the lead wire and the like. Is limited to non-corrosive gases and the like.

【0010】加えて、動作レンジが異なる圧力センサを
作製する際には、シリコン基板上のダイアフラム部の大
きさ及び厚さを変更する必要がある。このため、ダイア
フラム部の設計及び作製工程等を変更しなければなら
ず、作製時間等がアップするばかりでなくコストアップ
となってしまうという問題点がある。
In addition, when manufacturing pressure sensors having different operating ranges, it is necessary to change the size and thickness of the diaphragm portion on the silicon substrate. Therefore, it is necessary to change the design and manufacturing process of the diaphragm portion, which not only increases the manufacturing time, but also increases the cost.

【0011】本発明の目的は被測定圧力伝達のための媒
体が非腐食気体に限られず、しかも動作レンジ等の仕様
変更が容易な静電容量型圧力センサを提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a capacitance type pressure sensor whose medium for transmitting pressure to be measured is not limited to a non-corrosive gas, and whose specifications such as an operating range can be easily changed.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電極部
が形成された第1の基板と、圧力に応じて変形するダイ
アフラム部が形成された第2の基板とを有し前記ダイア
フラム部と前記電極部とがギャップをおいて互いに対向
する関係となるように前記第1及び前記第2の基板とが
接合されたセンサチップを備え、前記ダイアフラム部に
加わる圧力に応じて前記ギャップ幅を変化させて該ギャ
ップ幅の変化による前記ダイアフラム部と前記電極部と
の間の静電容量の変化によって前記圧力を検出するよう
にした静電容量型圧力センサにおいて、前記センサチッ
プは封止筐体内配置され、該筐体の一部は圧力に応じて
変形するサブダイアフラム部で構成されており、前記筐
体内には非腐食性液体又は不活性ガスが充填されている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサが得られる。
According to the present invention, the diaphragm portion has a first substrate on which an electrode portion is formed and a second substrate on which a diaphragm portion that deforms in response to pressure is formed. And a sensor chip in which the first and second substrates are bonded so that the electrode section and the electrode section face each other with a gap therebetween, and the gap width is adjusted according to the pressure applied to the diaphragm section. In a capacitance type pressure sensor which is changed to detect the pressure by a change in capacitance between the diaphragm part and the electrode part due to a change in the gap width, the sensor chip is in a sealed casing. The sub-diaphragm portion that is arranged and part of the housing is deformed according to pressure, and the housing is filled with a non-corrosive liquid or an inert gas. Capacitive pressure sensor can be obtained.

【0013】[0013]

【作用】本発明では、センサチップが配置された封止筐
体の一部分をダイアフラム(サブダイアフラム)で構成
して、しかも封止筐体内に非腐食性液体又は不活性ガス
を充填するようにしたから、圧力を検出する際には、サ
ブダイアフラムに印加された圧力が非腐食性液体又は不
活性ガスを介して第1の基板に形成されたダイアフラム
にて伝達され、これによって、ダイアフラム部と電極部
との間のギャップが変化することになる。
According to the present invention, a part of the sealed casing in which the sensor chip is arranged is composed of a diaphragm (sub-diaphragm), and the sealed casing is filled with a non-corrosive liquid or an inert gas. Therefore, when the pressure is detected, the pressure applied to the sub-diaphragm is transmitted through the diaphragm formed on the first substrate via the non-corrosive liquid or the inert gas, whereby the diaphragm portion and the electrode are The gap with the department will change.

【0014】このように、二重ダイアフラム構造とした
ことよって、被測定圧力が直接センサチップに与えられ
ることがなく、従って、例えば、液体内においても使用
することができる。また、サブダイアフラムの厚さを変
更するだけで、動作レンジを変えることができ、仕様変
更が極めて容易である。
As described above, since the double diaphragm structure is used, the pressure to be measured is not directly applied to the sensor chip, and therefore, it can be used in a liquid, for example. In addition, the operating range can be changed only by changing the thickness of the sub diaphragm, and the specification can be changed very easily.

【0015】[0015]

【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.

【0016】まず、図1(a)を参照して、本発明が適
用された絶対圧測定用圧力センサについて説明する。
First, an absolute pressure measuring pressure sensor to which the present invention is applied will be described with reference to FIG.

【0017】シリコン基板13aには圧力に応じて変形
するシリコンダイヤフラム11aが形成されるとともに
シリコンダイアフラム12aの下側にはキャビティー部
12aが形成されている。ガラス基板15a上には固定
電極14aが形成され、シリコン基板13aとガラス基
板15aとが接着されてセンサチップ26aが構成され
る。センサチップ26aは台座17a上に接着されてお
り、この台座17aにはリード端子16aが配置されて
いる。そして、リード端子16aと固定電極14aとは
リードワイヤー18aによって電気的に接続されてい
る。
The silicon substrate 13a is formed with a silicon diaphragm 11a which deforms in response to pressure, and a cavity portion 12a is formed below the silicon diaphragm 12a. The fixed electrode 14a is formed on the glass substrate 15a, and the silicon substrate 13a and the glass substrate 15a are bonded to each other to form the sensor chip 26a. The sensor chip 26a is adhered onto the pedestal 17a, and the pedestal 17a is provided with the lead terminal 16a. The lead terminal 16a and the fixed electrode 14a are electrically connected by the lead wire 18a.

【0018】センサチップ26aには横穴25aが設け
られ、これによって固定電極34aが外部に引き出され
る。その後、キャビティー部12aとセンサチップ外部
とを隔離するため、横穴25aは封止剤22aによって
封止される。そして、台座17a上にはキャップ20a
が配置され、台座17aとキャップ20aとはハーメチ
ックシールによってシールされる。キャップ20aの上
面には穴部が形成され、この穴部は図示のように圧力に
応じて変形するステンレス等の金属製ダイアフラム19
aによって塞がれている。そして、台座17aとキャッ
プ部20aとで規定される空間にはシリコンオイル等の
液体又は不活性気体(以下封入剤という)が封入されて
いる。
The sensor chip 26a is provided with a lateral hole 25a, by which the fixed electrode 34a is drawn out. After that, the lateral hole 25a is sealed with a sealant 22a in order to separate the cavity portion 12a from the outside of the sensor chip. The cap 20a is placed on the pedestal 17a.
And the pedestal 17a and the cap 20a are sealed by a hermetic seal. A hole is formed on the upper surface of the cap 20a, and this hole is made of a metal diaphragm 19 made of stainless steel or the like that deforms in response to pressure as shown in the figure.
It is blocked by a. A liquid such as silicone oil or an inert gas (hereinafter referred to as an encapsulating agent) is enclosed in the space defined by the pedestal 17a and the cap portion 20a.

【0019】上述の圧力センサでは金属製ダイアフラム
19aに圧力がくわわると、この印加圧力は封入剤を介
してシリコンダイアフラム11aに伝えられ、これによ
って、シリコンダイアフラム11aと固定電極14aと
の間のギャップが変化することになり、前述のように静
電容量が変化することになる。
In the above-mentioned pressure sensor, when pressure is applied to the metal diaphragm 19a, this applied pressure is transmitted to the silicon diaphragm 11a through the encapsulant, whereby the gap between the silicon diaphragm 11a and the fixed electrode 14a is generated. Therefore, the capacitance changes as described above.

【0020】図1(b)に示す圧力センサはケージ圧用
圧力センサであり、図1(a)に示す圧力センサと異な
る点は、台座17bに大気導入用貫通孔24b及び23
bが形成されている点である。図1(b)においては図
1(a)と同一の構成要素については参照番号中のアル
ファベットaをbに変えて参照番号を示す。なお、図1
(b)に示す圧力センサの動作は図1(a)に示す圧力
センサとほぼ同様であるので、ここでは説明を省略す
る。
The pressure sensor shown in FIG. 1 (b) is a cage pressure pressure sensor. The difference from the pressure sensor shown in FIG. 1 (a) is that the pedestal 17b has through holes 24b and 23 for introducing air into the atmosphere.
This is the point where b is formed. In FIG. 1B, the same reference numerals as those in FIG. 1A are used by changing the alphabet a in the reference numerals to b. Note that FIG.
Since the operation of the pressure sensor shown in (b) is almost the same as that of the pressure sensor shown in FIG. 1 (a), the description thereof is omitted here.

【0021】本発明による静電容量型圧力センサでは、
キャップ部に金属製ダイアフラムを設けて、つまり、シ
リコンダイアフラムの他に金属製ダイアフラムを備える
二重ダイアフラム構造としてしかも台座とキャップ部と
で規定される空間にシリコンオイル等の液体又は不活性
ガス(封止剤)を封止しているから、被測定圧力が直接
センサチップに与えられることがなく、被測定圧力は封
止剤を介してセンサチップに伝えられる。その結果、例
えば、液体内の圧力を測定する際にも使用することがで
きる。
In the capacitance type pressure sensor according to the present invention,
By providing a metal diaphragm in the cap portion, that is, as a double diaphragm structure including a metal diaphragm in addition to the silicon diaphragm, a liquid such as silicon oil or an inert gas (sealing) is provided in the space defined by the pedestal and the cap portion. Since the stopper is sealed, the pressure to be measured is not directly applied to the sensor chip, and the pressure to be measured is transmitted to the sensor chip via the sealant. As a result, it can be used, for example, when measuring the pressure in a liquid.

【0022】加えて、金属製ダイアフラムの厚さを変更
するのみで、動作レンジを変更することができる。つま
り、センサチップ自体の設計変更及び作製工程変更を伴
うこと無く同一のセンサチップを用いて種々の動作レン
ジを有する圧力センサを作製することができる。また、
センサチップ及びリードワイヤー等は外界に一切触れる
ことがないから、耐環境に優れ長期に安定して圧力検出
を行うことができる。
In addition, the operating range can be changed only by changing the thickness of the metal diaphragm. That is, the pressure sensor having various operating ranges can be manufactured using the same sensor chip without changing the design and manufacturing process of the sensor chip itself. Also,
Since the sensor chip, the lead wire, and the like never touch the outside world, they have excellent environment resistance and can stably detect pressure for a long period of time.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では二重ダ
イアフラム構造を用いているから、液体中等においても
使用でき、しかも筐体の一部分に形成されたダイアフラ
ムの厚さを変えるだけで、つまり、センサチップ自体に
は変更を施すことなく、動作レンジを変更することがで
き、耐環境性及び長期安定性を向上させることができる
という効果がある。
As described above, since the present invention uses the double diaphragm structure, it can be used even in a liquid and the like, and only by changing the thickness of the diaphragm formed in a part of the housing, that is, The operation range can be changed without changing the sensor chip itself, and the environment resistance and long-term stability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明による絶対圧用静電容量型圧力
センサの一実施例を示す図である。(b)は本発明によ
るケージ圧用静電容量型圧力センサの一実施例を示す図
である。
FIG. 1A is a diagram showing an embodiment of an electrostatic capacitance type pressure sensor for absolute pressure according to the present invention. (B) is a diagram showing an embodiment of the cage pressure electrostatic capacitance type pressure sensor according to the present invention.

【図2】(a)は従来の絶対圧用静電容量型圧力センサ
を示す図である。(b)は従来のケージ圧用静電容量型
圧力センサを示す図である。
FIG. 2A is a diagram showing a conventional absolute pressure capacitive pressure sensor. (B) is a figure which shows the conventional electrostatic capacitance type pressure sensor for cage pressures.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a,11b シリコンダイヤフラム 12a,12b キャビティー部 13a,13b シリコン基板 14a,14b 固定電極 15a,15b ガラス基板 16a,16b リード端子 17a,17b 台座 18a,18b リードワイヤー 19a,19b 金属製ダイアフラム 20a,20b キャップ部 21a,21b 液体又は不活性ガス 22a,22b 封止剤 23b,24b 大気導入穴 25a,25b 横穴 26a,26b センサチップ 11a, 11b Silicon diaphragm 12a, 12b Cavity part 13a, 13b Silicon substrate 14a, 14b Fixed electrode 15a, 15b Glass substrate 16a, 16b Lead terminal 17a, 17b Pedestal 18a, 18b Lead wire 19a, 19b Metallic diaphragm 20a, 20b Cap Part 21a, 21b Liquid or inert gas 22a, 22b Sealant 23b, 24b Atmosphere introduction hole 25a, 25b Horizontal hole 26a, 26b Sensor chip

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電極部が形成された第1の基板と、圧力
に応じて変形するダイアフラム部が形成された第2の基
板とを有し前記ダイアフラム部と前記電極部とがギャッ
プをおいて互いに対向する関係となるように前記第1及
び前記第2の基板とが接合されたセンサチップを備え、
前記ダイアフラム部に加わる圧力に応じて前記ギャップ
幅を変化させて該ギャップ幅の変化による前記ダイアフ
ラム部と前記電極部との間の静電容量の変化によって前
記圧力を検出するようにした静電容量型圧力センサにお
いて、前記センサチップは封止筐体内配置され、該筐体
の一部は圧力に応じて変形するサブダイアフラム部で構
成されており、前記筐体内には非腐食性液体又は不活性
ガスが充填されていることを特徴とする静電容量型圧力
センサ。
1. A first substrate on which an electrode portion is formed, and a second substrate on which a diaphragm portion that deforms in response to pressure is formed, and a gap is formed between the diaphragm portion and the electrode portion. A sensor chip in which the first and second substrates are bonded so as to face each other,
Capacitance in which the gap width is changed according to the pressure applied to the diaphragm portion, and the pressure is detected by a change in the capacitance between the diaphragm portion and the electrode portion due to the change in the gap width. In the mold pressure sensor, the sensor chip is arranged in a sealed casing, and a part of the casing is composed of a sub-diaphragm portion that deforms in response to pressure. Capacitive pressure sensor characterized by being filled with gas.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102967409A (en) * 2012-12-03 2013-03-13 东南大学 Wireless inactive capacitive gas pressure sensor
CN103575453A (en) * 2012-07-31 2014-02-12 飞思卡尔半导体公司 Capacitive pressure sensor in an overmolded package
CN109990942A (en) * 2019-04-30 2019-07-09 芜湖天波光电技术研究院有限公司 A kind of high-pressure common-rail pressure sensor

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