JP2577187B2 - アルデヒドの製造方法 - Google Patents

アルデヒドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水溶性のロジウム錯体
触媒の存在下におけるオレフインのヒドロホルミル化に
よるアルデヒドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】多年にわたって工業的に大規模に実施さ
れて来たオキソ合成の一変法によれば、オレフインと合
成ガスとの反応は、触媒としての錯体ロジウム化合物の
水溶液の存在下に実施される。この方法の原理は、ドイ
ツ特許第2,627,354号に記載されており、そし
てその技術的構成は、ヨーロッパ特許公告第103,8
10号の対象である。この方法の特徴は、錯配位子とし
てスルホン化トリアリールホスフインを含有するロジウ
ム化合物の使用である。均質触媒を使用する反応に比較
したその利点は、とりわけn- オレフインよりの非分枝
鎖状アルデヒドが極めて高い割合で生成され、そして反
応の終了した後の反応生成物よりの触媒の除去が容易で
あることに基づいている。それは、水性相および有機相
を分離することにより、すなわち、蒸留することなくそ
して従ってアルデヒドの収量の損失に導く付加的な熱的
工程を用いることなく、簡単に実施される。水溶性のロ
ジウム錯化合物の錯体成分としてスルホン化トリアリー
ルホスフインのほかに、カルボキシル化トリアリールホ
スフインもまた使用される。
【0003】上記の2相法は、低級オレフイン、特にエ
チレンおよびプロピレンのヒドロホルミル化に極めて好
適である。ヘキセン、オクテンまたはデセンのようなよ
り高級なオレフインが使用されるならば、転化率は著し
く低下し、従って工業的規模での合成の経済性は、もは
や得られない。上記の反応体の間の反応は、水性相にお
いて進行するので、転化率の低下は、水中への高級オレ
フインの溶解度の減少によって惹起される。
【0004】ヨーロッパ特許公告第157,316号に
記載された方法は、上記の欠点を克服する一つの道を開
くものである。それは、触媒としてのトリスルホン化ト
リアリールホスフインを含有するロジウム錯化合物の存
在下に分子中に6個より多くの炭素原子を有するオレフ
インのヒドロホルミル化において、水性触媒溶液に可溶
化剤として第四級アンモニウム塩を添加することに存す
る。上記の塩のアンモニウムイオンは、それぞれ6〜2
5個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキ
ル- 、ω- ヒドロキシアルキル- 、アルコキシ- または
場合によっては置換されたアリール基および3個の同一
または相異なる1ないし4個の炭素原子を有する直鎖状
または分枝鎖状のアルキル- または10- ヒドロキシア
ルキル基を有する。
【0005】この方法の発展は、ヨーロッパ特許公告第
163,234号の対象である。この特許明細書の教示
によれば、C6-ないしC20- オレフイン、水素および一
酸化炭素がロジウムおよび陽イオンが第四級アンモニウ
ムイオンであるスルホン化アリールホスフインの存在下
に反応せしめられる。このアンモニウムイオンは、7な
いし18個の炭素原子を有する1個のアルキル- または
アルアルキル基および1ないし4個の炭素原子を有する
3個の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】高級オレフインのヒド
ロホルミル化のために記載された方法は、実際上極めて
好適であることが立証された。しかしながら、可溶化剤
として使用された第四級アンモニウム塩の効果について
は、久きにわたって不十分なままであった。何故なら
ば、それらは加水分解および熱応力に対する安定性が限
られているからである。この特性の結果、触媒水溶液
は、可溶化剤を含有しない溶液に比較してより短時間し
か使用できないということになる。
【0007】従って、本発明の解決すべき課題は、上記
の欠点を取除いた方法を開発することであった。
【0008】
【課題を解決しようとする手段】本発明によれば、上記
の課題は、触媒としての水溶性ロジウム- ホスフイン錯
化合物および可溶化剤を含有する水溶液の存在下に水性
相中において20ないし150℃の温度および0.1な
いし20MPaの圧力下に、C6-ないしC20- オレフイ
ンを一酸化炭素および水素と反応せしめることによりア
ルデヒドを製造するにあたり、上記可溶化剤が第四級ホ
スホニウム化合物の塩であることを特徴とする上記方法
によって解決される。
【0009】驚くべきことには、触媒としての水溶性ロ
ジウム- ホスフイン錯化合物の水溶液の存在下における
高級オレフインのヒドロホルミル化は、可溶化剤として
の第四級ホスホニウム塩の存在において高い転化率およ
び高い選択性をもって長時間にわたって成功裡に達成さ
れる。明らかに、ホスホニウム化合物は、触媒系に影響
を与えることなく、従ってその活性は、維持される。こ
れに加うるに、ホスホニウム化合物は、水溶性の触媒を
用いるオキソ合成の条件下に極めて安定であることが立
証された。
【0010】第四級ホスホニウム化合物は、市場で入手
されうる物質である。それらは、例えば、第三級ホスフ
インをハロアルカンでアルキル化することによって、工
業的規模で得られる。それらを製造するためのその他の
経路についての概観は、ホウベン- ワイル編有機化学の
方法第E1巻(1982)第491頁以下 (Houben-Wey
l, Methoden der organischen CHemie, Band E1 (198
2), Seite 491 ff)に記載されている。
【0011】本発明による方法において好ましく使用さ
れるホスホニウム化合物は、下記の一般式で表さるもの
である:
【0012】
【化4】
【0013】上式中、Aは6ないし18個の炭素原子を
有するアルキル- またはアリール基または7ないし18
個の炭素原子を有するアルアルキル基を意味し、そして
B,CおよびDは、1ないし4個の炭素原子を有する直
鎖状または分枝鎖状アルキル基を意味する。Eは陰イオ
ンを表し、そしてハライド、サルフエート、テトラフル
オロボレート、アセテート、メトサルフエート、ベンゼ
ンスルホネート、トルエンスルホネート、ラクテートま
たはシトレートを意味する。好ましくは、陰イオンは、
サルフエート、メトサルフエート、スルホネートおよび
ラクテートである。選択された陰イオンを有するホスホ
ニウム塩の製造は、好都合には、第四級ホスホニウムヒ
ドロオキシドによって実施される。これらは、例えば、
強塩基性の陰イオン交換樹脂のカラムを貫いて水溶液中
に導かれるハロゲン化物から得られる。適当な方法は、
例えば、ドイツ特許第3,708,041号に記載され
ている。本発明による方法の実施に好適なホスホニウム
化合物は、例えば、トリメチルテトラデシルホスホニウ
ム- 、トリ -n- ブチルヘキサデシルホスホニウム-、
トリ -n- ブチルフエニルホスホニウム- またはトリ -
n- ブチルベンジルホスホニウム塩である。
【0014】水性触媒溶液中の可溶化剤の濃度は、触媒
溶液を基準にして0.5ないし10重量%である。触媒
として使用されたロジウム化合物は、錯体としての結合
状態で、水溶性のホスフイン、すなわち、その陰イオン
が少なくとも1個のスルホン化またはカルボキシル化さ
れた芳香族基を有するホスフインである塩である。ホス
フインという概念は、またリン原子が複素環の構成成分
である3価のリンの化合物をも包含する。芳香族基は、
ホスフインのリン原子に直接に、または他の基を介して
結合されうる。芳香族基の例は、フエニル- およびナフ
チル基である。それらは、1回またはそれ以上スルホン
化またはカルボキシル化されてもよく、そして更に、ア
ルキル、ヒドロキシルおよびハロゲニドのような原子ま
たは原子団によって置換されていてもよい。モノホスフ
イン陰イオンは、好ましくは下記一般式(1)で表され
る化合物から誘導される。
【0015】
【化5】
【0016】{上式中、Ar1 、Ar2 およびAr3
それぞれフエニル- またはナフチル基を意味し、Y1
2 およびY3 はそれぞれ1ないし4個の炭素原子を有
する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、OH- 、CN- 、NO2-またはR1
2 N(ここにR1 およびR2 はそれぞれ1ないし4個
の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基
を表す)を意味し、X1 、X2 およびX3 はそれぞれカ
ルボキシルレート- (COO- -)および/またはスルホ
ネート基(SO3 - -)を表し、そしてn1 、n2 および
3 は同一または相異なる0ないし5の整数であり、そ
してMはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン
の当量、亜鉛イオン、アンモニウムイオンまたは一般式
N(R3 4 5 6)+ (ここにR3 、R4 、R お
よびR6 はそれぞれ1ないし4個の炭素原子を有する直
鎖状または分枝鎖状のアルキル基を表す)で表される第
四級アンモニウムイオンである。
【0017】特に好適なものは、上記の一般式におい
て、Ar1 、Ar2 およびAr3 がそれぞれフエニル基
を意味しそしてX1 、X2 およびX3 がそれぞれスルホ
ネート基を意味する化合物である。
【0018】上記の陰イオンは、モノホスフインを除い
て、ポリホスフイン、特に少なくとも1個のスルホン化
またはカルボキシル化された芳香族基を含有するジホス
フインから形成されうる。ジホスフイン陰イオンは、好
ましくは、下記一般式(2)で表される、少なくとも1
個のスルホネート(SO3 - ) 基またはカルボキシレー
ト(COO- ) 基によって置換されているジアリール化
合物から誘導される:
【0019】
【化6】
【0020】上記一般式中、R1 は同一または相異なる
アルキル- 、シクロアルキル- 、フエニル- 、トリル-
またはナフチル基を表し、R2 は同一または相異なるも
のであって、水素、1ないし14個の炭素原子を有する
アルキル- またはアルコキシ基、6ないし14個の炭素
原子を有するシクロアルキル- 、アリール- またはアロ
キシ基または融合されたベンゼン環を意味し、mは同一
または相異なるものであって0ないし5の整数を表し、
そしてnは同様に同一または相異なるものであって0な
いし4の整数を表す。これらの化合物群のうちで立証さ
れた代表例は、2,2'-ビス(ジフエニルホスフイノメ
チル)-1,1'-ビフエニルまたは2,2'-ビス(ジフエ
ニルホスフイノメチル)-1,1'-ビナフチルのスルホン
化によって得られた生成物である。複素環式リン化合物
の陰イオンの例としては、3,4-ジメチル -2,5,
6- トリス(p- スルホナトフエニル)-1- ホスフアノ
ルボルナジエンが挙げられる。
【0021】触媒成分としては、スルホン化またはカル
ボキシル化ホスフインのアルカリ金属塩、特にナトリウ
ム塩が通常使用される。本発明の好ましい実施態様に従
えば、ホスホニウム塩としてはホスフインが使用され
る。陽イオンは、この場合には、ホスホニウムイオンで
あり、可溶化剤の陽イオンに一致する。この手段によっ
て、ホスフインの触媒作用にホスホニウム塩の可溶化作
用が結合される。本発明による方法のこの実施態様にお
いては、ホスホニウム塩のようにホスフインを全部使用
する必要はなく、それどころかむしろホスホニウム塩の
ような錯配位子の一部のみを使用することで十分であ
り、一方残部は、通常のようにアルカリ金属塩と同様に
使用されうる。
【0022】オレフインと水素および一酸化炭素との反
応は、20ないし150℃、特に50ないし120℃の
温度および0.1ないし20MPaの圧力において実施
される。
【0023】触媒は、予備成形して反応系に添加されて
もよい。しかしながら、同様に成功を収めて触媒成分、
すなわちロジウムまたはロジウム化合物およびスルホン
化またはカルボキシル化されたホスフインの水溶液か
ら、反応条件下に反応混合物中で、すなわちオレフイン
の存在下に製造することもできる。微細に分割された形
態の金属ロジウムのほかに、ロジウム源として塩化ロジ
ウム、硫酸ロジウム、酢酸ロジウムのような水溶性のロ
ジウム塩または2- エチルヘキサン酸ロジウムのような
有機媒質に可溶性の化合物、または酸化ロジウムのよう
な不溶性の化合物もまた使用されうる。
【0024】水性触媒溶液中のロジウム濃度は、溶液を
基準にして10ないし2000重量ppmである。スル
ホン化またはカルボキシル化ホスフインは、ロジウム1
mol当りホスフイン化合物1ないし100mol、好
ましくは2ないし30molの量で使用される。
【0025】水性触媒溶液のPH値は、2以下であって
はならない。一般に、2ないし13、好ましくは4ない
し10のpH値に調整される。合成ガスの組成、すなわ
ち一酸化炭素対水素の比は、広い範囲内で変動しうる。
合成ガスは、一般に、一酸化炭素対水素の容量比が1:
1であるかまたはこの値からあまり逸脱しないように使
用される。
【0026】反応は、回分的にかまたは連続的に実施さ
れうる。本発明による方法は、直鎖状または分枝鎖状の
オレフインのヒドロホルミル化において、それらの分子
の大きさに関係なく成功裡に使用される。それは、6個
またはそれ以上の炭素原子を有するオレフインの反応に
特に好適である。これらのオレフインにおける二重結合
は、末端に位置してもまたは内部に位置してもよい。
【0027】
【実施例】以下の実施例によって本発明をそれに限定す
ることなく例示する。触媒系の性能を特徴づけるため
に、n- アルデヒド対i- アルデヒドの比と共に、下記
式に定義されるような「活性」(A値): および下記式に定義されるような「生産率」(P値): の概念が使用される。アルコールおよび炭化水素の形成
は、最小限である。例1: a)触媒の予備形成 浸漬管を備えた1lのオートクレーブ内に、トリナトリ
ウムトリ(m- スルホフエニル)ホスフイン212g
(0.12mol)および水382gおよび酢酸ロジウ
ムとしてのRh200ppmよりなる水溶液569ml
を装入する。合成ガス(CO/H2 の容量比1:1)を
25bar(2.5MPa)の圧力になるまで圧入す
る。次いで反応溶液を110℃において合成ガスで撹拌
下に3時間処理し、その際、活性な触媒が形成される。
約30℃まで冷却した後、撹拌を停止し、そして15分
間の沈降時間の後に、過剰の溶液(約80g)を浸漬管
を介して取出しそして分析にかける。残部の溶液は、反
応器内に残留せしめる。 b)ヒドロホルミル化 a)において調製された溶液にテトラデセン- 1 25
0gを送入する。2.5MPaの一定の圧力下に混合物
を110℃に加熱しそしてこの温度に6時間放置する。
次に70℃まで冷却しそして沈降せしめる。上澄み有機
相を浸漬管を介して除去する。それを秤量しそしてガス
クロマトグラフィーによって分析する。部分工程b)を
全部で2回繰返えす。これらの実験(1.1、1.2お
よび1.3)の結果は、表に示されている。転化率は、
0.1%にすぎない。活性および生産率の値は、オート
クレーブ内に存在する水性相および有機相の量に関連す
る。水性相の密度は1.055g/cm3 である。例2 a)触媒の予備形成 浸漬管を有する1lのオートクレーブにトリナトリウム
(m- スルホフエニル)ホスフイン212g(0.12
mol)、テトテデシル- トリエチルホスホニウムブロ
ミド15.8g、緩衝液(pH6.0)30gおよび水
336gならびに酢酸ロジウムとしてのRh200pp
mよりなる水溶液569mlを装入する。合成ガス(C
O/H2 O=1:1)を2.5MPaの圧力になるまで
圧入する。次に反応溶液を合成ガスを用いて撹拌下に1
10℃において3時間処理し、その際活性な触媒が形成
される。約30℃まで冷却した後撹拌を停止しそして1
5分間の沈降時間の後に過剰の溶液(約80g)を浸漬
管を経て取出しそして分析する。溶液の残部は、オート
クレーブ内に残留している。 b)ヒドロホルミル化 a)に従って調製された溶液中にテトラデセン- 1 2
50gを撹拌下に送入する。2.5MPaの一定の圧力
の下に混合物を110℃に加熱しそしてこの温度に6時
間放置する。次に70℃まで冷却しそして沈降せしめ
る。上澄み有機相を浸漬管を介して除去する。それを秤
量しそしてガスクロマトグラフィーによって分析する。
部分工程b)を全部で4回反復する。これらの実験
(2.1、2.2、2.3、2.4および2.5)の結
果は、表に示されている。転化率は、急激に増大し、そ
して低い水準において安定する。活性および生産率の値
は、オートクレーブ内に存在する水性相および有機相に
関連する。水性相の密度は1.057g/cm3 であ
る。例3 a)触媒の予備形成 浸漬管を有する1lのオートクレーブにトリナトリウム
トリ(m- スルホフエニル)ホスフイン212g(0.
12mol)、トリブチル- ヘキサデシルホスホニウム
ブロミド20.4g、緩衝液(pH6.0)30gおよ
び水332gならびに酢酸ロジウムとしてのRh200
ppmよりなる水溶液569mlを装入する。合成ガス
(CO/H2 の容量比1:1)を2.5MPaの圧力に
なるまで圧入する。次に反応溶液を合成ガスを用いて撹
拌下に110℃において3時間処理し、その際活性な触
媒が形成される。約30℃まで冷却した後撹拌を停止し
そして15分間の沈降時間の後に過剰の溶液(約80
g)を浸漬管を経て取出しそして分析する。溶液の残部
は、オートクレーブ内に残留している。 b)ヒドロホルミル化 a)に従って調製された溶液中にテトラデセン- 1 2
50gを撹拌下に送入する。2.5MPaの一定の圧力
の下に混合物を110℃に加熱しそしてこの温度に6時
間放置する。次に70℃まで冷却しそして沈降せしめ
る。上澄み有機相を浸漬管を介して取出す。それを秤量
しそしてガスクロマトグラフィーによって分析する。部
分段階b)を全部で3回反復する。これらの実験(3.
1、3.2、3.3および3.4)の結果は、下記の表
に示されている。転化率は、空実験に比較して高い水準
において安定化している。活性および生産率の数値は、
オートクレーブ内に残存する水性相および有機相に関連
する。水性相の密度は1.059g/cm3 である。
【0028】
【表1】

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水溶性のロジウム- ホスフイン錯化合物
    を触媒としておよび可溶化剤を含有する水溶液の存在下
    に液相においてC6-ないしC20- オレフインを一酸化炭
    素および水素と反応せしめることによりアルデヒドを製
    造する方法において、上記可溶化剤が第四級ホスホニウ
    ム化合物の塩であることを特徴とする上記アルデヒドの
    製造方法。
  2. 【請求項2】 ホスホニウム塩が一般式 【化1】 (上式中、Aはそれぞれの場合に6ないし18個の炭素
    原子を有するアルキル−またはアリール基を意味しそし
    てB,CおよびDは1ないし4個の炭素原子を有する直
    鎖状または分枝鎖状のアルキル基を意味しそしてEは陰
    イオンを表わす)で表されるものであることを特徴とす
    る請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 ホスホニウム塩の陰イオンがハライド、
    サルフエート、テトラフルオロボレート、アセテート、
    メトサルフエート、ベンゼンスルホネート、トルエンス
    ルホネート、ラクテートまたはシトレートであることを
    特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 ホスホニウム塩の陰イオンが錯化合物の
    成分として使用されたスルホン化またはカルボキシル化
    されたホスフインであることを特徴とする請求項2に記
    載の方法。
  5. 【請求項5】 触媒として使用されたロジウム化合物が
    錯体として結合されている、一般式 【化2】 {上式中、Ar1 、Ar2 およびAr3 はそれぞれフエ
    ニル- またはナフチル基を意味し、Y1 、Y2 およびY
    3 はそれぞれ1ないし4個の炭素原子を有する直鎖状ま
    たは分枝鎖状のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
    子、OH- 、CN- 、NO2-、またはR1 2 N基(こ
    こにR1 およびR2 はそれぞれ1ないし4個の炭素原子
    を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基を表す)を
    意味し、X1 、X2 およびX3 はそれぞれカルボキシル
    レ−ト基(COO- - )および/またはスルホネート基
    (SO3 - -)を表し、そしてn1 、n2 およびn3 は同
    一または相異なる0ないし5の整数であり、そしてMは
    アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、亜鉛イ
    オン、アンモニウムイオンまたは一般式N(R3 4
    5 6)+(ここにR3 、R4 、R5 およびR6 はそれぞ
    れ1ないし4個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖
    状のアルキル基を表す)で表される第四級アンモニウム
    イオンである}で表されるトリスルホン化されそして/
    またはトリカルボキシル化されたトリアリールホスフイ
    ンを含有することを特徴とする請求項1ないし4のうち
    のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 Ar1 、Ar2 およびAr3 がそれぞれ
    フエニル基を意味しそしてX1 、X2 およびX3 がそれ
    ぞれスルホネート塩基を意味することを特徴とする請求
    項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】 触媒として使用されたロジウム化合物が
    錯化合物として結合され、一般式 【化3】 (上式中、R1 は同一または相異なるアルキル- 、シク
    ロアルキル- 、フエニル- 、トリル- またはナフチル基
    を表し、R2 は同一または相異なるものであって、水
    素、1ないし14個の炭素原子を有するアルキル- また
    はアルコキシ基、6ないし14個の炭素原子を有するシ
    クロアルキル- 、アリール- またはアロキシ基または融
    合されたベンゼン環を意味し、mは同一または相異なる
    ものであって0ないし5の整数を表し、そしてnは同様
    に同一または相異なるものであって0ないし4の整数を
    表す)で表されるジアリール化合物(これは少なくとも
    1個のスルホネート(SO3-)基またはカルボキシレー
    ト(COO- ) 基によって置換されている)を含有する
    ことを特徴とする請求項1ないし5のうちのいずれかに
    記載の方法。
  8. 【請求項8】 水性触媒溶液中の可溶化剤の濃度が触媒
    溶液を基準にして0.5ないし10重量%であることを
    特徴である請求項1ないし7のうちのいずれかに記載の
    方法。
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