JP2569863B2 - Semiconductor pressure sensor - Google Patents

Semiconductor pressure sensor

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JP2569863B2
JP2569863B2 JP2032938A JP3293890A JP2569863B2 JP 2569863 B2 JP2569863 B2 JP 2569863B2 JP 2032938 A JP2032938 A JP 2032938A JP 3293890 A JP3293890 A JP 3293890A JP 2569863 B2 JP2569863 B2 JP 2569863B2
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storage chamber
chip storage
pressure
cord
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正博 浅井
善文 渡辺
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日本電装株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体圧力センサに関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor pressure sensor.

〔従来の技術及び課題〕[Conventional technology and problems]

従来、大気圧と被測定媒体との圧力差を測定する、い
わゆる、相対圧検出形の半導体圧力センサがある。この
センサにおいては、センサハウジングに大気を導入する
ための特別な大気導入孔を設ける必要があり、水等の侵
入に対し特別に配慮しなければならないという問題があ
った。つまり、センサハウジングに空気通路を設け、こ
の通路途中に空気のみを通すフィルタを挿入すると、こ
のフィルタが詰まった場合には測定ができなくなるとい
う問題があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a so-called relative pressure detection type semiconductor pressure sensor that measures a pressure difference between an atmospheric pressure and a medium to be measured. In this sensor, it is necessary to provide a special air introduction hole for introducing air into the sensor housing, and there is a problem that special consideration must be given to intrusion of water or the like. That is, when an air passage is provided in the sensor housing and a filter that allows only air to pass through the passage is inserted, there is a problem that measurement cannot be performed if the filter is clogged.

この発明の目的は、確実に大気を導入できる大気導入
通路を確保することができる半導体圧力センサを提供す
ることにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor that can secure an air introduction passage through which air can be reliably introduced.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

第1の発明は、チップ収納室が形成されたハウジング
と、前記ハウジングのチップ収納室の開口部に設けられ
た蓋材と、前記蓋材の上面に配置され、当該蓋材と前記
ハウジングとの隙間を充填するための充填材と、前記ハ
ウジングのチップ収納室の内壁に気密接合され、ハウジ
ングの圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力が印加され
る半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有する半導体チップ
と、前記ハウジングに固定され、より線が絶縁材で被覆
されたコードを気密した状態で接続したグロメットと、
前記蓋材を貫通して下端が前記ハウジングのチップ収納
室に開口するとともに、上端が前記充填材の上面より突
出して前記コードと連通する大気導入管とを備えた半導
体圧力センサをその要旨とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a housing having a chip storage chamber formed therein, a lid member provided at an opening of the chip storage chamber of the housing, and a lid member disposed on an upper surface of the lid member. A filler for filling the gap, a semiconductor chip having a diaphragm with a semiconductor strain gauge, which is hermetically bonded to the inner wall of the chip storage chamber of the housing, and to which pressure of a medium to be measured is applied through a pressure introduction hole of the housing; A grommet fixed to the housing and connected in a hermetically sealed state with a cord in which the stranded wire is covered with insulating material,
The gist of the present invention is a semiconductor pressure sensor having a lower end opening through the lid member to the chip storage chamber of the housing and an upper end protruding from an upper surface of the filler and an air introduction pipe communicating with the cord. .

第2の発明は、チップ収納室が形成されたハウジング
と、前記ハウジングのチップ収納室の開口部に設けられ
た蓋材と、前記蓋材の上面に配置され、当該蓋材と前記
ハウジングとの隙間を充填するための充填材と、前記ハ
ウジングのチップ収納室の内壁に気密接合され、ハウジ
ングの圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力が印加され
る半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有する半導体チップ
と、前記ハウジングに固定され、より線が絶縁材で被覆
されたコードを気密した状態で接続するとともに、当該
コードと連通し、かつ、前記蓋材を貫通して前記ハウジ
ングのチップ収納室に開口する大気導入用パイプ部を有
するグロメットとを備えた半導体圧力センサをその要旨
とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a housing in which a chip storage chamber is formed, a lid member provided in an opening of the chip storage chamber of the housing, and a lid member disposed on an upper surface of the lid member. A filler for filling the gap, a semiconductor chip having a diaphragm with a semiconductor strain gauge, which is hermetically bonded to the inner wall of the chip storage chamber of the housing, and to which pressure of a medium to be measured is applied through a pressure introduction hole of the housing; Atmosphere introduction that connects the cord fixed to the housing and covered with an insulating material with a stranded wire in an airtight state, communicates with the cord, and penetrates the lid material and opens to the chip storage chamber of the housing. The gist of the present invention is a semiconductor pressure sensor including a grommet having a pipe portion for use.

〔作用〕[Action]

第1の発明は、大気がコード内のより線内の隙間を経
て大気導入管に導かれ半導体チップのダイヤフラムに印
加される。このとき、充填材により蓋材とハウジングと
の隙間が充填され、外部からの水分やゴミ等の侵入が阻
止される。又、大気導入管の上端が充填材の上面より突
出しているので、充填材にて大気導入管が塞がれること
はない。
In the first invention, the atmosphere is guided to the atmosphere introduction pipe through the gap in the stranded wire in the cord, and is applied to the diaphragm of the semiconductor chip. At this time, the gap between the lid member and the housing is filled with the filler, and the intrusion of moisture, dust, and the like from the outside is prevented. Further, since the upper end of the air introduction pipe protrudes from the upper surface of the filler, the air introduction pipe is not blocked by the filler.

第2の発明は、大気がコード内のより線内の隙間を経
てグロメットの大気導入用パイプ部内から導かれ半導体
チップのダイヤフラムに印加される。このとき、充填材
により蓋材とハウジングとの隙間が充填され、外部から
の水分やゴミ等の侵入が阻止される。
In the second invention, the air is guided from the inside of the air introduction pipe portion of the grommet through the gap in the stranded wire in the cord, and is applied to the diaphragm of the semiconductor chip. At this time, the gap between the lid member and the housing is filled with the filler, and the intrusion of moisture, dust, and the like from the outside is prevented.

〔第1実施例〕 以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明する。
First Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施例の半導体圧力センサは、車両用冷房装置にお
ける冷媒圧力を測定するためのセンサである。第1図に
は本実施例のセンサの断面を示す。
The semiconductor pressure sensor of the present embodiment is a sensor for measuring a refrigerant pressure in a vehicle cooling device. FIG. 1 shows a cross section of the sensor of this embodiment.

鉄製のハウジング1は有底円筒状に形成され、その内
部がチップ収納室Rとなっている。そのハウジング1の
底面には径小なネジ部2が形成されている。又、ハウジ
ング1の外周面には締め付け用の二面幅3が切り欠き形
成されている。そして、ハウジング1のネジ部2が冷媒
用配管材4に螺入され、本センサが冷媒用配管材4に取
り付けられている。
The iron housing 1 is formed in a cylindrical shape with a bottom, and the inside thereof is a chip storage chamber R. A small diameter screw portion 2 is formed on the bottom surface of the housing 1. A two-sided width 3 for fastening is cut out on the outer peripheral surface of the housing 1. The screw portion 2 of the housing 1 is screwed into the refrigerant pipe 4, and the present sensor is attached to the refrigerant pipe 4.

ハウジング1のチップ収納室Rにおける底面中央部に
は凹部5が形成され、その凹部5内には低融点ガラス6
によりガラス台座7が気密接合されている。又、ガラス
台座7の上面には半導体チップ8が陽極接合法により気
密接合されている。その半導体チップ8にはダイヤフラ
ムが形成されるとともに、ダイヤフラムには半導体歪ゲ
ージが配置されている。そして、ハウジング1の圧力導
入孔9とガラス台座7の圧力導入孔10を通じて冷媒圧力
がダイヤフラムに印加されるようになっている。さら
に、半導体チップ8には信号増幅回路が形成され、この
回路により半導体歪ゲージによる出力の増幅処理が行わ
れる。
A recess 5 is formed in the center of the bottom surface of the chip storage chamber R of the housing 1, and a low melting glass 6 is formed in the recess 5.
Thereby, the glass pedestal 7 is hermetically bonded. A semiconductor chip 8 is hermetically bonded to the upper surface of the glass pedestal 7 by an anodic bonding method. A diaphragm is formed on the semiconductor chip 8, and a semiconductor strain gauge is arranged on the diaphragm. The refrigerant pressure is applied to the diaphragm through the pressure introduction hole 9 of the housing 1 and the pressure introduction hole 10 of the glass pedestal 7. Further, a signal amplifying circuit is formed on the semiconductor chip 8, and the circuit amplifies the output by the semiconductor strain gauge.

ハウジング1の上面開口部には鉄板よりなる電磁波侵
入防止用の蓋材としてのシールドプレート11が圧入され
ている。又、ハウジング1のチップ収納室Rの底面には
ナイロン等の絶縁材よりなるリードピン支持部材12が固
定され、このリードピン支持部材12にてL字状のリード
ピン13が支持されている。さらに、このリードピン13は
ボンディングワイヤ14にて半導体チップ8の増幅回路と
電気的に接続されている。又、リードピン13の立設部は
貫通コンデンサ15を介してシールドプレート11を貫通し
ている。
A shield plate 11 made of an iron plate as a cover member for preventing electromagnetic wave intrusion is press-fitted into an opening on the upper surface of the housing 1. A lead pin support member 12 made of an insulating material such as nylon is fixed to the bottom surface of the chip storage chamber R of the housing 1, and an L-shaped lead pin 13 is supported by the lead pin support member 12. Further, the lead pins 13 are electrically connected to the amplifier circuit of the semiconductor chip 8 by bonding wires 14. The standing portion of the lead pin 13 passes through the shield plate 11 via the feedthrough capacitor 15.

又、シールドプレート11には鉄製の大気導入管16が溶
接にて密封した状態で立設され、その下端はシールドプ
レート11の下のチップ収納室Rに開口している。さら
に、チップ収納室R内でのリードピン13にはイグニッシ
ョンノイズ等を除去するコンデンサ17が設けられてい
る。そして、チップ収納室R内にはシリコンゲルよりな
るゲル状樹脂18が充填され、リードピン13の水平部と半
導体チップ8とボンディングワイヤ14とがゲル状樹脂18
と接触しており、これら部材8,13,14が大気と接触しな
いようになっている。
Further, an iron air introduction pipe 16 is erected on the shield plate 11 in a sealed state by welding, and its lower end is opened to the chip storage chamber R below the shield plate 11. Further, the lead pin 13 in the chip storage chamber R is provided with a capacitor 17 for removing ignition noise and the like. The chip housing chamber R is filled with a gel resin 18 made of silicon gel, and the horizontal portion of the lead pin 13, the semiconductor chip 8, and the bonding wire 14 are connected to the gel resin 18.
, So that these members 8, 13, and 14 do not come into contact with the atmosphere.

ハウジング1の上面にはゴム製のグロメット19が固定
され、グロメット19にはコード(絶縁電線)20が気密し
た状態で接続されている。このコード20は、より線を絶
縁材で被覆したものであり、より線の中に空洞が形成さ
れ、この空洞が大気導入通路となっている。このコード
20の他端は半導体圧力センサとは離間した箇所に開口し
ている。グロメット19の内部室21においてコード20のよ
り線が露出し、この露出部がリードピン22の一端と圧着
にて接続されている。又、リードピン22の他端はリード
ピン13と溶接にて接続されている。
A rubber grommet 19 is fixed to the upper surface of the housing 1, and a cord (insulated wire) 20 is connected to the grommet 19 in an airtight state. The cord 20 is formed by covering a stranded wire with an insulating material, a cavity is formed in the stranded wire, and the cavity serves as an air introduction passage. This code
The other end of 20 is open at a position separated from the semiconductor pressure sensor. The stranded wire of the cord 20 is exposed in the inner chamber 21 of the grommet 19, and this exposed portion is connected to one end of the lead pin 22 by crimping. The other end of the lead pin 22 is connected to the lead pin 13 by welding.

シールドプレート11の上面にはエポキシ樹脂よりなる
充填材23が充填され、この充填材23によりシールドプレ
ート11とハウジング1との隙間が充填されている。又、
リードピン13とリードピン22との溶接部が充填材23内に
位置している。この充填材23はグロメット19に形成され
た充填材注入口24から2回に分けて注入されたものであ
る。
The upper surface of the shield plate 11 is filled with a filler 23 made of epoxy resin, and the filler 23 fills a gap between the shield plate 11 and the housing 1. or,
The weld between the lead pin 13 and the lead pin 22 is located in the filler 23. The filler 23 is injected twice from a filler inlet 24 formed in the grommet 19.

この状態において、大気導入管16の上端は充填材23の
上面より上方に突出し、内部室21に開口している。
In this state, the upper end of the atmosphere introduction pipe 16 protrudes above the upper surface of the filler 23 and opens to the internal chamber 21.

次に、このように構成した半導体圧力センサの作用を
説明する。
Next, the operation of the semiconductor pressure sensor thus configured will be described.

まず、センサの組み付け時において、ハウジング1の
凹部5内に半導体チップ8が接合されたガラス台座7を
低融点ガラス6にて接合し、その後に、リードピン支持
部材12をハウジング1のチップ収納室Rの底面に取り付
ける。次に、ハウジング1のチップ収納室R内にゲル状
樹脂18を充填し、さらに、大気導入管16を固定したシー
ルドプレート11をハウジング1内に圧入する。そして、
貫通コンデンサ15を取り付ける。
First, at the time of assembling the sensor, the glass pedestal 7 in which the semiconductor chip 8 is joined in the concave portion 5 of the housing 1 is joined with the low-melting glass 6, and then the lead pin support member 12 is attached to the chip storage chamber R of the housing 1. Attach to the bottom of. Next, the gel-like resin 18 is filled in the chip storage chamber R of the housing 1, and the shield plate 11 to which the air introduction pipe 16 is fixed is pressed into the housing 1. And
Attach feed-through capacitor 15.

その後、コード20を連結したグロメット19をハウジン
グ1に固定し、リードピン22とリードピン13とを溶接
し、グロメット19の充填材注入口24から充填材23を注入
する。この1回目の充填材23の注入によりグロメット19
の内部室21を除く領域が充填され、シールドプレート11
とハウジング1との隙間が埋められる。さらに、2回目
の充填材23の注入により充填材注入口24が埋められる。
Thereafter, the grommet 19 to which the cord 20 is connected is fixed to the housing 1, the lead pin 22 and the lead pin 13 are welded, and the filler 23 is injected from the filler inlet 24 of the grommet 19. The first injection of the filler 23 causes the grommet 19
The area excluding the inner chamber 21 of the shield plate 11 is filled.
The gap between the housing and the housing 1 is filled. Further, the filler injection port 24 is filled by the second injection of the filler 23.

そして、圧力測定の際には、コード20内のより線内の
空洞にて大気がグロメット19の内部室21に導かれ、さら
に、大気導入管16を介してチップ収納室Rが大気圧とな
る。この状態において、冷房装置の駆動により冷媒配管
材4内には高圧の冷媒が通過する。この冷媒圧力がハウ
ジング1の圧力導入孔9とガラス台座7の圧力導入孔10
を通し半導体チップ8のダイヤフラムに伝搬し、大気圧
と冷媒圧力との差圧に伴いダイヤフラムが変形し、半導
体歪ゲージのピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する。
この抵抗値変化が電気信号に変換され、この信号が増幅
回路にて増幅され、ボンディングワイヤ14、リードピン
13、リードピン22、コード20のより線を経由してセンサ
の外部に取り出される。
Then, at the time of pressure measurement, the atmosphere is guided to the internal chamber 21 of the grommet 19 in the hollow inside the stranded wire in the cord 20, and furthermore, the chip storage chamber R becomes atmospheric pressure through the air introduction pipe 16. . In this state, a high-pressure refrigerant passes through the refrigerant pipe member 4 by driving the cooling device. This refrigerant pressure is applied to the pressure introducing hole 9 of the housing 1 and the pressure introducing hole 10 of the glass pedestal 7.
, And propagates to the diaphragm of the semiconductor chip 8, the diaphragm is deformed by the differential pressure between the atmospheric pressure and the refrigerant pressure, and the resistance value changes due to the piezoresistance effect of the semiconductor strain gauge.
This change in the resistance value is converted into an electric signal, and this signal is amplified by the amplifier circuit, and the bonding wire 14, the lead pin
13. The lead pin 22 is taken out of the sensor via the stranded wire of the cord 20.

このように本実施例においては、チップ収納室Rを有
するハウジング1と、ハウジング1のチップ収納室Rの
開口部に設けられたシールドプレート11(蓋材)と、シ
ールドプレート11の上面に配置され、シールドプレート
11とハウジング1との隙間を充填するための充填材23
と、ハウジング1のチップ収納室Rの内壁に気密接合さ
れ、ハウジング1の圧力導入孔9を通じて冷媒圧力が印
加される半導体歪ケージ付ダイヤフラムを有する半導体
チップ8と、ハウジング1に固定され、より線が絶縁材
で被覆されたコード20を気密した状態で接続したグロメ
ット19と、シールドプレート11を貫通して下端がハウジ
ング1のチップ収納室Rに開口するとともに、上端が充
填材23の上面より突出してコード20と連通する大気導入
管16とを設けた。
As described above, in the present embodiment, the housing 1 having the chip storage chamber R, the shield plate 11 (cover material) provided at the opening of the chip storage chamber R of the housing 1, and the upper surface of the shield plate 11 are provided. , Shield plate
Filler 23 for filling the gap between 11 and housing 1
And a semiconductor chip 8 having a diaphragm with a semiconductor strain cage, which is hermetically bonded to the inner wall of the chip storage chamber R of the housing 1 and to which the refrigerant pressure is applied through the pressure introducing hole 9 of the housing 1, and a stranded wire fixed to the housing 1. A grommet 19 to which a cord 20 coated with an insulating material is connected in an airtight state, and a lower end penetrating through the shield plate 11 and opening in the chip storage chamber R of the housing 1, and an upper end protruding from an upper surface of the filler 23. Thus, an air introduction pipe 16 communicating with the cord 20 was provided.

よって、大気がコード20内のより線内の隙間を経て大
気導入管16に導かれ半導体チップ8のダイヤフラムに印
加される。このとき、充填材23によりシールドプレート
11とハウジング1との隙間が充填され、外部からの水分
やゴミ等の侵入を阻止できる。又、大気導入管16の上端
が充填材23の上面より突出しているので、充填材23にて
大気導入管16が塞がれることはない。その結果、確実に
大気を導入できる大気導入通路を確保することができる
こととなる。
Therefore, the atmosphere is guided to the atmosphere introduction pipe 16 through the gap in the stranded wire in the cord 20 and is applied to the diaphragm of the semiconductor chip 8. At this time, the shield plate is
The gap between the housing 11 and the housing 11 is filled, so that intrusion of moisture, dust and the like from the outside can be prevented. Further, since the upper end of the air introduction pipe 16 protrudes from the upper surface of the filler 23, the air introduction pipe 16 is not blocked by the filler 23. As a result, it is possible to secure an atmosphere introduction passage through which the atmosphere can be reliably introduced.

又、大気がコード20内のより線内の隙間を経て導かれ
るので、特別な大気導入孔、及び、水,ホコリ,油等の
侵入防止用フィルタを設ける必要がなく、小型、軽量、
低コスト化を図ることが可能となる。
Also, since the air is guided through the gap in the stranded wire in the cord 20, there is no need to provide a special air introduction hole and a filter for preventing intrusion of water, dust, oil, etc.
Cost reduction can be achieved.

尚、この実施例の応用例としては、例えば、第2図に
示すように、信号取り出し部をダイレクトカプラ化して
もよい。即ち、グロメット19にターミナルピン25が挿入
支持され、このグロメット19に接続端子26とコード20と
を予め接続したカプラケース27が連結されている。そし
て、コード20から連通孔28を介して大気導入管16に大気
を導入してもよい。
As an application example of this embodiment, for example, as shown in FIG. 2, the signal extraction unit may be a direct coupler. That is, the terminal pin 25 is inserted and supported in the grommet 19, and the coupler case 27 in which the connection terminal 26 and the cord 20 are connected in advance is connected to the grommet 19. Then, the atmosphere may be introduced from the cord 20 to the atmosphere introduction pipe 16 through the communication hole 28.

〔第2実施例〕 次に、第2の発明に対応する第2実施例を説明する。Second Embodiment Next, a second embodiment corresponding to the second invention will be described.

第3図には本実施例の半導体圧力センサの断面を示
す。本実施例の半導体圧力センサはハウジング1aとハウ
ジング1bとがかしめにて固定され、大気導入はグロメッ
ト29の大気導入用パイプ部33により行うものである。
尚、第1図と同じ部材については同一の番号を付すこと
によりその詳細な説明は省略する。
FIG. 3 shows a cross section of the semiconductor pressure sensor of this embodiment. In the semiconductor pressure sensor of this embodiment, the housing 1a and the housing 1b are fixed by caulking, and the air is introduced by the air introducing pipe 33 of the grommet 29.
The same members as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

グロメット29にはコード20が気密した状態で接続され
るとともに、コード20の端部においてコード20のより線
には圧着端子31が接続され、この圧着端子31がハウジン
グ1bの充填材注入室32に突出している。又、グロメット
29には大気導入孔30を有する大気導入用パイプ部33が形
成され、大気導入孔30の一端がコード20の端部と連通し
ている。一方、ハウジング1aのチップ収納室Rの上面開
口部にはシール用Oリング34を介して蓋材としてのシー
ルドプレート11が配置され、グロメット29の大気導入用
パイプ部33がシールドプレート11に密閉した状態で貫通
され大気導入用パイプ部33の下端がチップ収納室Rに開
口している。このとき、シールドプレート11の斜状部11
aとハウジング1aの内壁とハウジング1bの底面とで三角
シールが形成されている。
The cord 20 is connected to the grommet 29 in an airtight state, and a crimp terminal 31 is connected to a stranded wire of the cord 20 at an end of the cord 20, and the crimp terminal 31 is connected to the filler injection chamber 32 of the housing 1b. It is protruding. Also, grommet
An air introduction pipe portion 33 having an air introduction hole 30 is formed in 29, and one end of the air introduction hole 30 communicates with an end of the cord 20. On the other hand, a shield plate 11 as a cover material is disposed at an upper opening of the chip storage chamber R of the housing 1a via a sealing O-ring 34, and the air introduction pipe 33 of the grommet 29 is sealed in the shield plate 11. The lower end of the pipe 33 for air introduction is opened in the chip storage chamber R. At this time, the inclined portion 11 of the shield plate 11
A triangular seal is formed between a, the inner wall of the housing 1a, and the bottom surface of the housing 1b.

又、チップ収納室R内において増幅回路を有する回路
基板35が配設され、回路基板35からリードピン36が貫通
コンデンサ15を介してシールドプレート11を貫通してハ
ウジング1bの充填材注入室32に突出している。充填材注
入室32において、このリードピン36と圧着端子31とが溶
接されるとともに、充填材注入室32内が充填材23にて充
填されている。このとき、圧着端子31の外周部とグロメ
ット29との間にはシール用リング37が介在され、このシ
ール用リング37により充填材23の侵入を防止している。
又、チップ収納室R内にはゲル状樹脂18が充填され半導
体チップ8とボンディングワイヤ14と回路基板35とが大
気に触れないようになっている。
Further, a circuit board 35 having an amplifier circuit is provided in the chip storage chamber R, and lead pins 36 from the circuit board 35 penetrate the shield plate 11 via the penetrating capacitor 15 and protrude into the filler filling chamber 32 of the housing 1b. ing. In the filling material injection chamber 32, the lead pin 36 and the crimp terminal 31 are welded, and the inside of the filling material injection chamber 32 is filled with the filler 23. At this time, a sealing ring 37 is interposed between the outer peripheral portion of the crimp terminal 31 and the grommet 29, and the sealing ring 37 prevents the filler 23 from entering.
Further, the chip storage chamber R is filled with a gel resin 18 so that the semiconductor chip 8, the bonding wires 14, and the circuit board 35 do not come into contact with the atmosphere.

圧力測定の際には、コード20内のより線内の空洞にて
大気がグロメット29の大気導入用パイプ部33内を導か
れ、チップ収納室Rが大気圧となる。この状態におい
て、冷媒圧力がハウジング1の圧力導入孔9とガラス台
座7の圧力導入孔10を通し半導体チップ8のダイヤフラ
ムに伝搬し、大気圧と冷媒圧力との差圧に伴いダイヤフ
ラムが変形し、半導体歪ゲージのピエゾ抵抗効果により
抵抗値が変化する。この抵抗値変化が電気信号に変換さ
れ、この信号がボンディングワイヤ14を介して回路基板
35の増幅回路にて増幅され、リードピン36、圧着端子3
1、コード20のより線を経由してセンサの外部に取り出
される。
At the time of pressure measurement, the atmosphere is guided through the air introduction pipe part 33 of the grommet 29 through the hollow space in the twisted wire in the cord 20, and the chip storage chamber R is brought to the atmospheric pressure. In this state, the refrigerant pressure propagates through the pressure introducing hole 9 of the housing 1 and the pressure introducing hole 10 of the glass pedestal 7 to the diaphragm of the semiconductor chip 8, and the diaphragm is deformed by the differential pressure between the atmospheric pressure and the refrigerant pressure. The resistance value changes due to the piezoresistance effect of the semiconductor strain gauge. This change in the resistance value is converted into an electric signal, and this signal is transmitted to the circuit board via the bonding wire 14.
Amplified by 35 amplifier circuits, lead pin 36, crimp terminal 3
1. It is taken out of the sensor via the stranded wire of the cord 20.

このように本実施例においては、チップ収納室Rを有
するハウジング1a,1bと、ハウジング1a,1bのチップ収納
室Rの開口部に設けられたシールドプレート11(蓋材)
と、シールドプレート11の上面に配置され、シールドプ
レート11とハウジング1a,1bとの隙間を充填するための
充填材23と、ハウジング1a,1bのチップ収納室Rの内壁
に気密接合され、ハウジング1aの圧力導入孔9を通じて
冷媒の圧力が印加される半導体歪ゲージ付ダイヤフラム
を有する半導体チップ8と、ハウジング1a,1bに固定さ
れ、より線が絶縁材で被覆されたコード20を気密した状
態で接続するとともに、コード20に連通し、かつ、シー
ルドプレート11を貫通してハウジング1a,1bのチップ収
納室Rに開口する大気導入用パイプ部33を有するグロメ
ット29とを設けた。
As described above, in this embodiment, the housings 1a and 1b having the chip storage chambers R, and the shield plates 11 (covers) provided at the openings of the chip storage chambers R of the housings 1a and 1b.
And a filler 23 arranged on the upper surface of the shield plate 11 for filling a gap between the shield plate 11 and the housings 1a and 1b, and airtightly bonded to the inner wall of the chip storage chamber R of the housings 1a and 1b. The semiconductor chip 8 having a diaphragm with a semiconductor strain gauge to which the pressure of the refrigerant is applied through the pressure introduction hole 9 of the above, and the cord 20 fixed to the housings 1a and 1b and covered with a stranded wire by an insulating material are connected in an airtight state. At the same time, a grommet 29 having an air introduction pipe portion 33 communicating with the cord 20 and passing through the shield plate 11 and opening to the chip storage chamber R of the housings 1a and 1b is provided.

その結果、確実に大気を導入できる大気導入通路を確
保することができることとなる。
As a result, it is possible to secure an atmosphere introduction passage through which the atmosphere can be reliably introduced.

又、本実施例において圧力媒体を冷媒としたが、各種
オイル、水等を使用できることは勿論である。
Further, in this embodiment, the refrigerant is used as the pressure medium, but it is needless to say that various kinds of oil, water and the like can be used.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上詳述したようにこの発明によれば、確実に大気を
導入できる大気導入通路を確保することができる優れた
効果を発揮する。
As described above in detail, according to the present invention, an excellent effect that an air introduction passage through which the air can be reliably introduced can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は第1実施例の半導体圧力センサの断面図、第2
図は第1実施例の応用例の半導体圧力センサの断面図、
第3図は第2実施例の半導体圧力センサの断面図であ
る。 1はハウジング、8は半導体チップ、9は圧力導入孔、
11は蓋材としてのシールドプレート、16は大気導入管、
19はグロメット、20はコード、23は充填材、29はグロメ
ット、33は大気導入用パイプ部、Rはチップ収納室。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor pressure sensor according to a first embodiment, and FIG.
The figure is a sectional view of a semiconductor pressure sensor of an application example of the first embodiment,
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor pressure sensor according to a second embodiment. 1 is a housing, 8 is a semiconductor chip, 9 is a pressure introducing hole,
11 is a shield plate as a lid material, 16 is an air introduction pipe,
19 is a grommet, 20 is a cord, 23 is a filler, 29 is a grommet, 33 is a pipe for introducing air, and R is a chip storage room.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】チップ収納室が形成されたハウジングと、 前記ハウジングのチップ収納室の開口部に設けられた蓋
材と、 前記蓋材の上面に配置され、当該蓋材と前記ハウジング
との隙間を充填するための充填材と、 前記ハウジングのチップ収納室の内壁に気密接合され、
ハウジングの圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力が印
加される半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有する半導体
チップと、 前記ハウジングに固定され、より線が絶縁材で被覆され
たコードを気密した状態で接続したグロメットと、 前記蓋材を貫通した下端が前記ハウジングのチップ収納
室に開口するとともに、上端が前記充填材の上面より突
出して前記コードと連通する大気導入管と を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
A housing having a chip storage chamber formed therein; a lid provided at an opening of the chip storage chamber of the housing; a gap disposed between the lid and the housing disposed on an upper surface of the lid. And a sealing material for airtightly bonding to an inner wall of the chip storage chamber of the housing,
A grommet in which a semiconductor chip having a diaphragm with a semiconductor strain gauge to which a pressure of a medium to be measured is applied through a pressure introduction hole of a housing and a cord fixed to the housing and having a stranded wire covered with an insulating material connected in an airtight state. A semiconductor pressure, comprising: a lower end that penetrates the lid member and opens into a chip storage chamber of the housing, and an upper end protrudes from an upper surface of the filler and communicates with the cord. Sensor.
【請求項2】チップ収納室が形成されたハウジングと、 前記ハウジングのチップ収納室の開口部に設けられた蓋
材と、 前記蓋材の上面に配置され、当該蓋材と前記ハウジング
との隙間を充填するための充填材と、 前記ハウジングのチップ収納室の内壁に気密接合され、
ハウジングの圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力が印
加される半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有する半導体
チップと、 前記ハウジングに固定され、より線が絶縁材で被覆され
たコードを気密した状態で接続するとともに、当該コー
ドと連通し、かつ、前記蓋材を貫通して前記ハウジング
のチップ収納室に開口する大気導入用パイプ部を有する
グロメットと を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
2. A housing having a chip storage chamber formed therein, a lid member provided at an opening of the chip storage chamber of the housing, and a gap between the lid member and the housing disposed on an upper surface of the lid member. And a sealing material for airtightly bonding to an inner wall of the chip storage chamber of the housing,
A semiconductor chip having a diaphragm with a semiconductor strain gauge to which the pressure of the medium to be measured is applied through a pressure introduction hole of the housing, and a cord fixed to the housing and covered with a stranded wire covered with an insulating material, in a hermetically connected state. A grommet communicating with the cord and having a pipe portion for introducing air into the chip storage chamber of the housing that penetrates through the lid member.
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