JP2569312B2 - 偏波性光導波素子 - Google Patents
偏波性光導波素子Info
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- JP2569312B2 JP2569312B2 JP61157016A JP15701686A JP2569312B2 JP 2569312 B2 JP2569312 B2 JP 2569312B2 JP 61157016 A JP61157016 A JP 61157016A JP 15701686 A JP15701686 A JP 15701686A JP 2569312 B2 JP2569312 B2 JP 2569312B2
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- optical waveguide
- oxide film
- porous oxide
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は光通信、光学機器等の分野において、光分岐
器、光偏波器、フイルタ、光スイッチなどの光回路部品
として適用することのできる偏波性光導波素子に関す
る。
器、光偏波器、フイルタ、光スイッチなどの光回路部品
として適用することのできる偏波性光導波素子に関す
る。
『従来の技術』 一般に、光回路部品用の光導波素子を製造するとき、
ガラス、石英、半導体などの材料からなる基板上に、液
相化学反応法、気相化学反応法、あるいは物理的なデポ
ジション手段により、薄膜または厚膜からなるスラブ状
導波路を形成し、必要に応じてリソグラフィなどの技術
で二次元パターンを作製している。
ガラス、石英、半導体などの材料からなる基板上に、液
相化学反応法、気相化学反応法、あるいは物理的なデポ
ジション手段により、薄膜または厚膜からなるスラブ状
導波路を形成し、必要に応じてリソグラフィなどの技術
で二次元パターンを作製している。
その他、基板上にドープ材を付着させてパターンを作
製し、熱拡散する方法とか、不要部分をマスクしてイオ
ン交換によりパターンを作製する方法なども併用されて
いる。
製し、熱拡散する方法とか、不要部分をマスクしてイオ
ン交換によりパターンを作製する方法なども併用されて
いる。
『発明が解決しようとする問題点』 上述した従来例の場合、高価な基板を用いること、導
波膜の成長速度が遅いこと、製造設備が複雑高価である
ことなどに起因し、得られる光導波素子が必然的にコス
ト高となる。
波膜の成長速度が遅いこと、製造設備が複雑高価である
ことなどに起因し、得られる光導波素子が必然的にコス
ト高となる。
一方、従来例の光導波素子を特性上から検討した場
合、基板に平行な偏光（TEモード）も、基板に垂直な偏
光（TMモード）も、伝送損失に大きな差がないので、偏
光モードが規制しがたい欠点がある。
合、基板に平行な偏光（TEモード）も、基板に垂直な偏
光（TMモード）も、伝送損失に大きな差がないので、偏
光モードが規制しがたい欠点がある。
本発明は上記の問題点に鑑み、低コスト、高速製造、
明確な偏波性等を満足させることのできる光導波素子を
提供しようとするものである。
明確な偏波性等を満足させることのできる光導波素子を
提供しようとするものである。
『問題点を解決するための手段』 本発明に係る偏波性光導波素子は、所期の目的を達成
するために下記の手段を特徴とする。すなわち、透明な
多孔質酸化膜がその膜面に対して直交する多数の細孔を
有し、該多孔質酸化膜における一部の細孔が封孔材によ
り封孔されて、多孔質酸化膜の膜面と平行する方向に光
を導波するために光導波路が形成されていることを特徴
とする。
するために下記の手段を特徴とする。すなわち、透明な
多孔質酸化膜がその膜面に対して直交する多数の細孔を
有し、該多孔質酸化膜における一部の細孔が封孔材によ
り封孔されて、多孔質酸化膜の膜面と平行する方向に光
を導波するために光導波路が形成されていることを特徴
とする。
『作用』 本発明の偏波性光導波素子は、上述のごとく多孔質酸
化膜を主体にし、該多孔質酸化膜の孔を部分的に封孔す
ることにより構成されているが、かかる多孔質酸化膜
は、安価なアルミニウム基板上に、陽極酸化法による電
気的／化学的手段を介して成長させることにより、高速
成膜することができ、その封孔も格別の難度なく行なえ
るから、低コスト、高速製造を満足させることができ、
得られる光導波素子も明確な偏波性を示す。
化膜を主体にし、該多孔質酸化膜の孔を部分的に封孔す
ることにより構成されているが、かかる多孔質酸化膜
は、安価なアルミニウム基板上に、陽極酸化法による電
気的／化学的手段を介して成長させることにより、高速
成膜することができ、その封孔も格別の難度なく行なえ
るから、低コスト、高速製造を満足させることができ、
得られる光導波素子も明確な偏波性を示す。
『実 施 例』 以下、本発明に係る偏波性光導波素子の実施例につ
き、図面を参照して説明する。
き、図面を参照して説明する。
第１図、第２図において、１はアルミニウム製の基
板、２は基板１の表面に陽極酸化法を介して一体形成さ
れた透明な多孔質酸化膜である。
板、２は基板１の表面に陽極酸化法を介して一体形成さ
れた透明な多孔質酸化膜である。
多孔質酸化膜２は、第２図のごとく、上位の多孔質層
３と下位のバリア層４とからなり、その多孔質層３は、
細孔５を有する六角柱状の各セル６が面状に連続した構
造となっている。
３と下位のバリア層４とからなり、その多孔質層３は、
細孔５を有する六角柱状の各セル６が面状に連続した構
造となっている。
多孔質酸化膜２には、Ｙ型の光導波路７が形成されて
いるが、かかる光導波路７は、封孔材８を介してそのＹ
型に該当する部分の各細孔５を封孔することにより、す
なわち、多孔質酸化膜２を局部封孔することにより形成
されている。
いるが、かかる光導波路７は、封孔材８を介してそのＹ
型に該当する部分の各細孔５を封孔することにより、す
なわち、多孔質酸化膜２を局部封孔することにより形成
されている。
この際の封孔材８としては、金属、染料、誘電体な
ど、任意のものが光導波路７の特性に応じて採用され
る。
ど、任意のものが光導波路７の特性に応じて採用され
る。
当該局部封孔による光導波路７は、上記Ｙ型のほか、
Ｘ型、直線型なども採用できる。
Ｘ型、直線型なども採用できる。
上記実施例のスラブ状偏波性光導波素子においては、
多孔質酸化膜２の膜面と平行する光を、第１図のように
光導波路７一端から入射し、その他端から出射させる。
すなわち、光導波路７を介して光を所定の方向へ伝送す
る。
多孔質酸化膜２の膜面と平行する光を、第１図のように
光導波路７一端から入射し、その他端から出射させる。
すなわち、光導波路７を介して光を所定の方向へ伝送す
る。
この際、多孔質酸化膜２に対して平行に偏光された光
RHは低損失となるが、多孔質酸化膜２に対して垂直に偏
光された光RVには、大きな減衰を与える。
RHは低損失となるが、多孔質酸化膜２に対して垂直に偏
光された光RVには、大きな減衰を与える。
なお、前記水平偏光RHにも、アルミニウムの導波性に
起因した光損失があるが、その原因であるアルミニウム
基板１を除去し、光導波路７を有する多孔質酸化膜２を
そ単体とした場合、光導波路７の透光性が向上する。
起因した光損失があるが、その原因であるアルミニウム
基板１を除去し、光導波路７を有する多孔質酸化膜２を
そ単体とした場合、光導波路７の透光性が向上する。
こうしてアルミニウム基板１が除去された多孔質酸化
膜２は、これを補強すべく誘電体製の基板と相互に接合
されることがある。
膜２は、これを補強すべく誘電体製の基板と相互に接合
されることがある。
つぎに、本発明偏波性光導波素子を製造する際の具体
例について説明する。
例について説明する。
アルミニウム製の基板１として、純度99.99％、10cm
角のAl板を電解研磨した後、これをエチルアルコールで
洗浄し乾燥したものを用いた。
角のAl板を電解研磨した後、これをエチルアルコールで
洗浄し乾燥したものを用いた。
その表面は完全な鏡面様を呈している。
かかる基板１を陽極とし、アルミニウム平板を陰極と
する陽極酸化法を、浴温22℃の15％H2SO4浴中において
下記の条件で実施した。
する陽極酸化法を、浴温22℃の15％H2SO4浴中において
下記の条件で実施した。
の場合 陽極電流密度:10mA/cm2、処理時間:120分。
この条件により膜厚約35μｍの多孔質酸化膜２が得ら
れた。
れた。
の場合 陽極電流密度:40mmA/cm2、処理時間:60分。
この条件により膜厚約70μｍの多孔質酸化膜２が得ら
れた。
れた。
これら多孔質酸化膜２は、いずれも前記第２図に述べ
た通りの細孔２を多数有していた。
た通りの細孔２を多数有していた。
つぎに、上記基板１に形成された多孔質酸化膜２の表
面において、Ｙ型部分を除き耐酸性のレジストを塗布す
ることにより光導波路７のパターンニングを行なった。
面において、Ｙ型部分を除き耐酸性のレジストを塗布す
ることにより光導波路７のパターンニングを行なった。
その後、上記基板１、ニッケル板を電極とする金属封
孔法を、下記の条件で実施した。
孔法を、下記の条件で実施した。
の場合（バトリ氏浴によるニッケル封孔） 硫酸ニッケル100g/lとホウ酸50g/lとの混合浴（浴温4
0〜45℃）中において印加電圧（交流）:10V、処理時間
５分の条件で実施して多孔質酸化膜２をニッケルにより
局部封孔した。
0〜45℃）中において印加電圧（交流）:10V、処理時間
５分の条件で実施して多孔質酸化膜２をニッケルにより
局部封孔した。
の場合 沸騰水による水和処理。
上記各手段による封孔後、レジストを除去して前記第
１図にに示す偏波性光導波素子を得た。
１図にに示す偏波性光導波素子を得た。
こうして得られた偏波性光導波素子につき、水平成
分、垂直成分の偏光を通したところ、水平成分のみをよ
く通過させる偏波特性を示した。
分、垂直成分の偏光を通したところ、水平成分のみをよ
く通過させる偏波特性を示した。
これにより、比較的短時間で光導波路として十分な厚
さと良好な偏波特性とを確保できることが確認された。
さと良好な偏波特性とを確保できることが確認された。
前記の条件ではニッケルの水酸化物により、前記
の条件ではアルミニウムの水和酸化物により、それぞれ
針状の封孔が行なわれるため、垂直偏光が吸収されると
考えられる。
の条件ではアルミニウムの水和酸化物により、それぞれ
針状の封孔が行なわれるため、垂直偏光が吸収されると
考えられる。
なお、前述したように、多孔質酸化膜２からアルミニ
ウム基板１を剥離する場合、該多孔質酸化膜２付アルミ
ニウム基板１をHgCl水溶液に浸せばよく、さらに多孔質
酸化膜２をガラス、石英、セラミックなどの誘電体と接
合するとき、アルミニウム基板１の剥離前後において、
当該接合を行なう。
ウム基板１を剥離する場合、該多孔質酸化膜２付アルミ
ニウム基板１をHgCl水溶液に浸せばよく、さらに多孔質
酸化膜２をガラス、石英、セラミックなどの誘電体と接
合するとき、アルミニウム基板１の剥離前後において、
当該接合を行なう。
『発明の効果』 以上説明した通り、本発明に係る偏波性光導波素子
は、透明な多孔質酸化膜がその膜面と直交する多数の細
孔を有し、該多孔質酸化膜における一部の細孔が封孔材
により封孔されて光導波路が形成されているから、安価
な材料と簡易な製作手段とを介して偏波性の良好なもの
を構成することができ、したがって、その素子の品質、
価格、製作易度等を満足させることができる。
は、透明な多孔質酸化膜がその膜面と直交する多数の細
孔を有し、該多孔質酸化膜における一部の細孔が封孔材
により封孔されて光導波路が形成されているから、安価
な材料と簡易な製作手段とを介して偏波性の良好なもの
を構成することができ、したがって、その素子の品質、
価格、製作易度等を満足させることができる。
第１図は本発明に係る偏波性光導波素子の一実施例を略
示した斜視図、第２図はその偏波性光導波素子の要部拡
大図である。 １……基板 ２……多孔質酸化膜 ３……多孔質層 ４……バリア層 ５……細孔 ６……セル ７……光導波路 ８……封孔材
示した斜視図、第２図はその偏波性光導波素子の要部拡
大図である。 １……基板 ２……多孔質酸化膜 ３……多孔質層 ４……バリア層 ５……細孔 ６……セル ７……光導波路 ８……封孔材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平谷 雄二 東京都品川区二葉２丁目９番15号 古河 電気工業株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−88493（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−168121（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−72663（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−5077（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−104463（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】透明な多孔質酸化膜がその膜面に対して直
交する多数の細孔を有し、該多孔質酸化膜における一部
の細孔が封孔材により封孔されて、多孔質酸化膜の膜面
と平行する方向に光を導波するための光導波路が形成さ
れていることを特徴とする偏波性光導波素子。 - 【請求項２】多孔質酸化膜が、その膜面のみからなる特
許請求の範囲第１項記載の偏波性光導波素子。 - 【請求項３】多孔質酸化膜がアルミニウム基板上に一体
形成されている特許請求の範囲第１項記載の偏波性光導
波素子。 - 【請求項４】多孔質酸化膜が誘電体基板と相互に接着さ
れている特許請求の範囲第１項記載の偏波性光導波素
子。 - 【請求項５】封孔材が金属、誘電体のいずれかからなる
特許請求の範囲第１項記載の偏波性光導波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157016A JP2569312B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157016A JP2569312B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313003A JPS6313003A (ja) | 1988-01-20 |
| JP2569312B2 true JP2569312B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=15640337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157016A Expired - Fee Related JP2569312B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569312B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN109107511B (zh) * | 2018-08-23 | 2020-12-08 | 博兴兴博投资有限公司 | 一种加料精准的化工生产用反应釜 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54104463A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-16 | Ricoh Co Ltd | Surface treating method for aluminum |
| JPS575077A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS5972663A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60168121A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Nec Corp | カラ−マトリツクス液晶表示装置 |
| JPS60182689A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | 日本メクトロン株式会社 | 固体蛍光素子の製造法 |
| JPS6188493A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP61157016A patent/JP2569312B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313003A (ja) | 1988-01-20 |
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Legal Events
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