JP2569140B2 - 結晶性化合物半導体膜の形成方法 - Google Patents
結晶性化合物半導体膜の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は有機金属化合物原料を使った化合物半導体の
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
［背景技術］ 従来のMOCVD法によるII−VI族化合物薄膜の作製に
は、VI族元素供給原料（「VI族原料」と略す）として、
VI族元素の水素化物やR1−Ｘ−R2（ＸはS,Se,Teのいず
れか、R1,R2はアルキル基を夫々示す）の形のアルキル
化物が用いられてきた。それらには以下の様な問題点が
あった。
は、VI族元素供給原料（「VI族原料」と略す）として、
VI族元素の水素化物やR1−Ｘ−R2（ＸはS,Se,Teのいず
れか、R1,R2はアルキル基を夫々示す）の形のアルキル
化物が用いられてきた。それらには以下の様な問題点が
あった。
VI族元素の水素化物は、II族元素供給原料（「II族原
料」と略す）との反応性が高過ぎて気相中での反応が抑
えきれず、エピタキシャル膜の結晶性が悪化したり、薄
膜の成長コントロールが難しかった。
料」と略す）との反応性が高過ぎて気相中での反応が抑
えきれず、エピタキシャル膜の結晶性が悪化したり、薄
膜の成長コントロールが難しかった。
また、R1−Ｘ−R2の形のアルキル化物は、II族原料と
の反応性はやや低く成長コントロールは水素化物より容
易だが、その分高い基板温度が必要であった。
の反応性はやや低く成長コントロールは水素化物より容
易だが、その分高い基板温度が必要であった。
従って、上記の様な水素化物あるいはアルキル化物を
MOCVD法の原料として使用し、パターニングされた基板
上へ選択的に膜形成する場合においては、マスク面（非
膜形成面）上に膜形成されるのを十分には抑えきれなか
った。
MOCVD法の原料として使用し、パターニングされた基板
上へ選択的に膜形成する場合においては、マスク面（非
膜形成面）上に膜形成されるのを十分には抑えきれなか
った。
更に、R1−Ｘ−R2の形のアルキル化物は、毒性、爆発
性が高い等の問題点もあった。
性が高い等の問題点もあった。
本発明は、以上説明した従来技術の問題点を解決し
て、薄膜の成長コントロール性を向上させ、品質の良好
な化合物半導体の結晶性膜の形成方法を提供することを
主たる目的とするものである。
て、薄膜の成長コントロール性を向上させ、品質の良好
な化合物半導体の結晶性膜の形成方法を提供することを
主たる目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨は、核形成密度の小さい非核形成面（S
NDS）と、単一核にのみより結晶成長するに充分小さい
表面積を有し、前記非核形成面（SNDS）の核形成密度
（NDS）より大きい核形成密度（NDL）を有する核形成面
（SNDL）とが隣接して配された基体が配された結晶形成
処理空間に、周期律表第VI族に属する元素を供給する一
般式R1−Xn−R2（ｎは２以上の整数、R1,R2はアルキル
基、ＸはS,Se又はTeを示す）で示される有機金属化合物
（VI）と、周期律表第II族に属する元素を供給する化合
物（II）とを気相状態で導入して気相法による結晶成長
処理を前記基体に施して、結晶性II−VI族化合物半導体
膜を前記基体上に選択的に形成することを特徴とする結
晶性化合物半導体膜の形成方法にある。
NDS）と、単一核にのみより結晶成長するに充分小さい
表面積を有し、前記非核形成面（SNDS）の核形成密度
（NDS）より大きい核形成密度（NDL）を有する核形成面
（SNDL）とが隣接して配された基体が配された結晶形成
処理空間に、周期律表第VI族に属する元素を供給する一
般式R1−Xn−R2（ｎは２以上の整数、R1,R2はアルキル
基、ＸはS,Se又はTeを示す）で示される有機金属化合物
（VI）と、周期律表第II族に属する元素を供給する化合
物（II）とを気相状態で導入して気相法による結晶成長
処理を前記基体に施して、結晶性II−VI族化合物半導体
膜を前記基体上に選択的に形成することを特徴とする結
晶性化合物半導体膜の形成方法にある。
［作用］ 以下、本発明の作用を図面を参照し、詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の化合物半導体膜の形成法を具現化
する装置の好適な一例を示す模式的説明図である。
する装置の好適な一例を示す模式的説明図である。
導入管１からII族原料を、導入管２からVI族原料を、
石英チャンバー７内に供給する。それらの原料ガスは吹
出口３の付近で混合されることにより、化学的に反応
し、安定な中間体を形成する。該中間体は基体６の表面
方向へ運ばれる。基体６は高周波コイル４によって加熱
され、基体ホルダー５により保持されている。前記中間
体はこの基体６上で熱分解され化合物半導体膜を堆積す
る。残余ガスは真空ポンプ８を通して排気される。
石英チャンバー７内に供給する。それらの原料ガスは吹
出口３の付近で混合されることにより、化学的に反応
し、安定な中間体を形成する。該中間体は基体６の表面
方向へ運ばれる。基体６は高周波コイル４によって加熱
され、基体ホルダー５により保持されている。前記中間
体はこの基体６上で熱分解され化合物半導体膜を堆積す
る。残余ガスは真空ポンプ８を通して排気される。
本発明は上記のMOCVD法に選択的結晶成長法を適用し
たものである。従って、先ず本発明の理解をより一層深
めるために、この選択的結晶成長法の概略を説明する。
たものである。従って、先ず本発明の理解をより一層深
めるために、この選択的結晶成長法の概略を説明する。
選択的結晶成長法とは非核形成面（すなわち、核形成
密度の小さい面）に設けられた、この非核形成面よりも
核形成密度が十分大きく、かつ、単一の核だけが発生す
る程度に微小な表面積の核形成面に形成された単一核を
起点として単結晶を成長させる方法である。すなわち、
この方法においては、非核形成面での結晶の成長は抑制
され、核形成面のみで単結晶の成長がおこる。
密度の小さい面）に設けられた、この非核形成面よりも
核形成密度が十分大きく、かつ、単一の核だけが発生す
る程度に微小な表面積の核形成面に形成された単一核を
起点として単結晶を成長させる方法である。すなわち、
この方法においては、非核形成面での結晶の成長は抑制
され、核形成面のみで単結晶の成長がおこる。
第２図は本発明の選択核形成法による化合物半導体の
結晶形成法の工程の一例を示す工程図である。
結晶形成法の工程の一例を示す工程図である。
先ず、高融点ガラス、石英、アルミナ、セラミックス
等からなる高温に耐える支持体９上に、例えばシラン
（SiH4）と酸素（O2）を用いた通常の化学気相堆積（CV
D;Chemical Vapor Deposition）法によって、SiO2膜10
を約1000Å程度堆積する（基体の形成）。SiO2膜10上で
のII−VI化合物半導体の核形成密度（NDS）は小さく、
このSiO2膜10が非核形成面（SNDS）を与える。なお、上
記非核形成面（SNDS）を蒸着法やスパッタリング法等の
物理気相堆積（PVD）法によって形成してもよい。ここ
で、支持体９の表面が非核形成面（SNDS）を与える材料
で構成されているのであれば、支持体９上にSiO2膜10等
を設けなくとも支持体９だけで本願で言う基体として使
用することができる。
等からなる高温に耐える支持体９上に、例えばシラン
（SiH4）と酸素（O2）を用いた通常の化学気相堆積（CV
D;Chemical Vapor Deposition）法によって、SiO2膜10
を約1000Å程度堆積する（基体の形成）。SiO2膜10上で
のII−VI化合物半導体の核形成密度（NDS）は小さく、
このSiO2膜10が非核形成面（SNDS）を与える。なお、上
記非核形成面（SNDS）を蒸着法やスパッタリング法等の
物理気相堆積（PVD）法によって形成してもよい。ここ
で、支持体９の表面が非核形成面（SNDS）を与える材料
で構成されているのであれば、支持体９上にSiO2膜10等
を設けなくとも支持体９だけで本願で言う基体として使
用することができる。
次に、フォトレジスト11で所望のパターンにSiO2膜10
の表面をマスクする。
の表面をマスクする。
イオンインプランタを用いてIV族元素、II族元素ある
いはVI族元素から選ばれる元素のイオン12を打込む。上
記イオン12は露出されたSiO2膜10表面に打込まれる（第
２図（Ｃ）及び（Ｄ））。打込み量は所望に従って適宜
決定されるが、１×1015cm-2以上が好ましく、より好ま
しくは５×1015cm-2以上、最適には１×1016〜２×1016
cm-2である。イオン12として打ち込まれる元素の好適な
例はSi,Ge,Zn,Cd,S,Seである。イオンの打込まれないSi
O2膜表面では、II−VI族化合物半導体の核形成密度（ND
S）は小さく、この部分が非核形成面（SNDS）となる。
一方、イオンが打込まれた領域13−1,13−２では非核形
成面（SNDS）より大きな核形成密度（NDL）をもち、こ
の部分が核形成面（SNDL）となる。この時、イオン打込
み部分の大きさは好ましくは数μｍ（16μm2）、以下よ
り好ましくは２μｍ（４μm2）以下、最適には１μｍ
（１μm2）以下である。フォトレジスト11を除去し、基
体（SiO2）膜10が表面に設けられた支持体９）を洗浄し
た後、VI族の元素を供給する原料として前記一般式R1−
Xn−R2で示される有機金属材料を用いて化合物半導体膜
を基体上に形成する。
いはVI族元素から選ばれる元素のイオン12を打込む。上
記イオン12は露出されたSiO2膜10表面に打込まれる（第
２図（Ｃ）及び（Ｄ））。打込み量は所望に従って適宜
決定されるが、１×1015cm-2以上が好ましく、より好ま
しくは５×1015cm-2以上、最適には１×1016〜２×1016
cm-2である。イオン12として打ち込まれる元素の好適な
例はSi,Ge,Zn,Cd,S,Seである。イオンの打込まれないSi
O2膜表面では、II−VI族化合物半導体の核形成密度（ND
S）は小さく、この部分が非核形成面（SNDS）となる。
一方、イオンが打込まれた領域13−1,13−２では非核形
成面（SNDS）より大きな核形成密度（NDL）をもち、こ
の部分が核形成面（SNDL）となる。この時、イオン打込
み部分の大きさは好ましくは数μｍ（16μm2）、以下よ
り好ましくは２μｍ（４μm2）以下、最適には１μｍ
（１μm2）以下である。フォトレジスト11を除去し、基
体（SiO2）膜10が表面に設けられた支持体９）を洗浄し
た後、VI族の元素を供給する原料として前記一般式R1−
Xn−R2で示される有機金属材料を用いて化合物半導体膜
を基体上に形成する。
本願において、一般式R1−Xn−R2で示されるVI族元素
供給原料としての有機金属化合物としては、所望に応じ
て適宜選択されるものであるが、好ましくはｎとして２
〜４、R1,R2としてはメチル基、エチル基である化合物
が望ましい。
供給原料としての有機金属化合物としては、所望に応じ
て適宜選択されるものであるが、好ましくはｎとして２
〜４、R1,R2としてはメチル基、エチル基である化合物
が望ましい。
上記一般式R1−Xn−R2で表される有機金属化合物（V
I）として本願において好適に使用されるものとして、
具体的には以下の様なものが挙げられる。
I）として本願において好適に使用されるものとして、
具体的には以下の様なものが挙げられる。
ジメチルジサルファイド CH3−Ｓ−Ｓ−CH3 ジエチルジサルファイド C2H5−Ｓ−Ｓ−C2H5 ジメチルトリサルファイド CH3−Ｓ−Ｓ−Ｓ−CH3 ジエチルトリサルファイド C2H5−Ｓ−Ｓ−Ｓ−C2H5 ジメチルジセレナイド CH3−Se−Se−CH3 ジエチルジセレナイド C2H5−Se−Se−C2H5 ジメチルトリセレナイド CH3−Se−Se−Se−CH3 ジエチルトリセレナイド C2H5−Se−Se−Se−C2H5 ｔ−ブチルエチルジサルファイド ｔ−C4H9−Ｓ−Ｓ−C2H5 ジプロピルジサルファイド C3H7−Ｓ−Ｓ−C3H7 ジメチルジテルルイド CH3−Te−Te−CH3 ジエチルジテルルイド C2H5−Te−Te−C2H5 本願において、II族元素供給用原料としての化合物
（II）として好適に用いられるものは、具体的にはジメ
チル亜鉛（Zn（CH3）２）、ジエチル亜鉛（Zn（C2H5）
２）、ジメチルカドミウム（Cd（CH3）２）、ジエチル
カドミウム（Cd（C2H5）２）等の有機金属化合物が挙げ
られる。
（II）として好適に用いられるものは、具体的にはジメ
チル亜鉛（Zn（CH3）２）、ジエチル亜鉛（Zn（C2H5）
２）、ジメチルカドミウム（Cd（CH3）２）、ジエチル
カドミウム（Cd（C2H5）２）等の有機金属化合物が挙げ
られる。
また、本発明のII−VI化合物半導体膜の形成法におけ
る成膜条件としては、所望に応じて適宜決定されるが、
基体温度としては好ましくは300〜600℃、より好ましく
は300〜550℃、最適には400〜500℃であり、反応圧力と
しては好適には１〜400Torr、より好ましくは10〜300To
rr、最適には50〜100Torrである。
る成膜条件としては、所望に応じて適宜決定されるが、
基体温度としては好ましくは300〜600℃、より好ましく
は300〜550℃、最適には400〜500℃であり、反応圧力と
しては好適には１〜400Torr、より好ましくは10〜300To
rr、最適には50〜100Torrである。
殊に、ZnSe化合物半導体膜を形成する場合には、10〜
300Torrの範囲の反応圧力とするのが好適である。
300Torrの範囲の反応圧力とするのが好適である。
［実施例］ 以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、
これ等の実施例に本発明は限定されるものいではない。
これ等の実施例に本発明は限定されるものいではない。
（実施例１） 第１図に模式的に示した装置を用いて結晶形成処理を
行った場合を、第２図に従って以下に説明する。
行った場合を、第２図に従って以下に説明する。
石英から成る支持体９の表面に以下の条件で膜厚1000
ÅのSiO2膜10を堆積した。
ÅのSiO2膜10を堆積した。
原料ガスの流量比（モル比）:SiH4:O2＝3:1.7 圧力:1気圧 支持体温度:400℃ 次いで、SiO2膜10表面にフォトレジスト（商品成OSTR
−800:東京応化）11を設けた。
−800:東京応化）11を設けた。
次いで、通常行われている方法と手順に従ってフォト
レジスト11にパターニング処理を施して、１μｍ角の穴
を50μｍ間隔で20×20個設けた（第２図（Ｂ）参照）。
レジスト11にパターニング処理を施して、１μｍ角の穴
を50μｍ間隔で20×20個設けた（第２図（Ｂ）参照）。
次いで、イオンインプランタ（商品成CS3000,VARIAN
Corp.）により１×1015cm-2のSe2-イオンを打ち込み、
領域13−1,13−２を形成した（第２図（Ｃ）参照）。
Corp.）により１×1015cm-2のSe2-イオンを打ち込み、
領域13−1,13−２を形成した（第２図（Ｃ）参照）。
次に、SiO2膜10％上に残されているフォトレジスト11
を剥離した後、基体をPCl3雰囲気中で約550℃で10分間
程度熱処理し、SiO2膜10の表面を清浄化した。
を剥離した後、基体をPCl3雰囲気中で約550℃で10分間
程度熱処理し、SiO2膜10の表面を清浄化した。
次いで、基体を500℃に加熱しながら、基体表面にキ
ャリアガスH2とともにジメチル亜鉛（（CH3）2Zn）とジ
メチルジセレナイド（H3C−Se−Se−CH3）、さらにHCl
をモル比1:8:0.2で流し、ZnSe単結晶14−1,14−２を成
長させた（第２図（Ｅ）〜（Ｆ））。この時の反応圧力
は100Torrにした。
ャリアガスH2とともにジメチル亜鉛（（CH3）2Zn）とジ
メチルジセレナイド（H3C−Se−Se−CH3）、さらにHCl
をモル比1:8:0.2で流し、ZnSe単結晶14−1,14−２を成
長させた（第２図（Ｅ）〜（Ｆ））。この時の反応圧力
は100Torrにした。
本実施例におけるZnSe結晶形成の際の化学反応は次の
様に考えられている。
様に考えられている。
すなわち、前記の原料ガスは第１図で示される吹出口
３の付近で混合されて化学反応を起こし、以下に示す安
定な中間体を形成する。該中間体は基体のSiO2膜10表面
上に運ばれ、そこで熱分解される。
３の付近で混合されて化学反応を起こし、以下に示す安
定な中間体を形成する。該中間体は基体のSiO2膜10表面
上に運ばれ、そこで熱分解される。
H3C−Zn−CH3＋H3C−Se−Se−CH3 →H3C−Se−Zn−Se−CH3（中間体）＋C2H5↑ その際、第２図（Ｅ）に示したように、Se2-イオンを
打込んだ核形成面13−1,13−２においてのみZnSe単結晶
14−1,14−２が成長し、Se2-イオンを打込んでいないSi
O2膜表面上にはZnSe結晶は形成されない。
打込んだ核形成面13−1,13−２においてのみZnSe単結晶
14−1,14−２が成長し、Se2-イオンを打込んでいないSi
O2膜表面上にはZnSe結晶は形成されない。
ZnSe単結晶14−1,14−２がさらに成長を続け、第２図
（Ｆ）に示すようにZnSe結晶14−1,14−２が互いに接す
るようになる。その段階で結晶成長処理を止め、ZnSe単
結晶14−1,14−２の表面部分を研磨し、結晶粒界15部分
をエッチングした（第２図（Ｇ）参照）。この様にして
ZnSe単結晶16−1,16−２が得られた。
（Ｆ）に示すようにZnSe結晶14−1,14−２が互いに接す
るようになる。その段階で結晶成長処理を止め、ZnSe単
結晶14−1,14−２の表面部分を研磨し、結晶粒界15部分
をエッチングした（第２図（Ｇ）参照）。この様にして
ZnSe単結晶16−1,16−２が得られた。
第３図は、Zn供給用の原料にジメチル亜鉛（（CH3）2
Zn）を使用し、Se供給用の原料にジメチルセレナイド
（（CH3）2Se）（比較例）、またはジメチルジセレナイ
ド（（CH3）Se2）（本発明の実施例）を使った時の、単
結晶率（単結晶島数／（単結晶島数＋多結晶島数））と
核形成面の表面積との関係を示したグラフである。第３
図に示すように、ジメチルセレンを使った時は、核形成
面が大きくなるにつれ単結晶率の低下が顕著となる。な
お、ここで多結晶とは２つ以上の単結晶が互いに接する
まで成長して粒界が形成された結晶を言う。実際に結晶
が多結晶であるか否かの判断はSEMで結晶上面から結晶
を観察して結晶に２つ以上の粒界が走っているものと定
義する。
Zn）を使用し、Se供給用の原料にジメチルセレナイド
（（CH3）2Se）（比較例）、またはジメチルジセレナイ
ド（（CH3）Se2）（本発明の実施例）を使った時の、単
結晶率（単結晶島数／（単結晶島数＋多結晶島数））と
核形成面の表面積との関係を示したグラフである。第３
図に示すように、ジメチルセレンを使った時は、核形成
面が大きくなるにつれ単結晶率の低下が顕著となる。な
お、ここで多結晶とは２つ以上の単結晶が互いに接する
まで成長して粒界が形成された結晶を言う。実際に結晶
が多結晶であるか否かの判断はSEMで結晶上面から結晶
を観察して結晶に２つ以上の粒界が走っているものと定
義する。
なお、上記本発明例及び比較例において、結晶形成時
間30分、核形成面間距離100μｍ、VI族元素供給原料とI
I族元素供給原料とのモル比（VI/II）1:5、基体温度500
℃、内圧は120Torrとした。
間30分、核形成面間距離100μｍ、VI族元素供給原料とI
I族元素供給原料とのモル比（VI/II）1:5、基体温度500
℃、内圧は120Torrとした。
第３図に見られるようにVI族元素供給原料にジメチル
ジセレナイドを使った方（本発明例）が単結晶率が高く
なっていることが判る。
ジセレナイドを使った方（本発明例）が単結晶率が高く
なっていることが判る。
（実施例２） 第１図に模式的に示した装置を用いて結晶成長処理を
行った場合を第４図に従って説明する。第４図は本発明
の他の実施例の工程図であって、ZnS結晶の結晶形成の
工程を示したものである。
行った場合を第４図に従って説明する。第４図は本発明
の他の実施例の工程図であって、ZnS結晶の結晶形成の
工程を示したものである。
先ず、アルミナ支持体17の上に、実施例１の場合と同
様にSiH4とO2を原料として用いて、熱CVD法によってSiO
2膜18を膜厚2000Åに堆積した。
様にSiH4とO2を原料として用いて、熱CVD法によってSiO
2膜18を膜厚2000Åに堆積した。
次に、SiH4とNH3を原料ガスとして用いたプラズマCVD
法によって、上記SiO2膜18上にSiNx膜を膜厚300Åに堆
積した。SiH4とNH3の供給比は2:1で、反応圧力は0.15To
rr、高周波出力は1.6×10-2W/cm2とした。
法によって、上記SiO2膜18上にSiNx膜を膜厚300Åに堆
積した。SiH4とNH3の供給比は2:1で、反応圧力は0.15To
rr、高周波出力は1.6×10-2W/cm2とした。
次に、このSiNx膜にパターニング処理を施して１μｍ
角の表面積を有する核形成面19−1,19−２を20×20個形
成した（結晶形成処理を施す基体の形成）（第４図
（Ａ）参照）。
角の表面積を有する核形成面19−1,19−２を20×20個形
成した（結晶形成処理を施す基体の形成）（第４図
（Ａ）参照）。
この基体をよく洗浄した後、H2雰囲気中で約900℃、1
0分間熱処理を行い、表面を清浄化した。
0分間熱処理を行い、表面を清浄化した。
次いで、この基体を550℃に加熱して、キャリアガスH
2とともにジメチル亜鉛（H3C−Zn−CH3）およびジメチ
ルジサルファイド（H3C−Ｓ−Ｓ−CH3）をモル比1:20で
供給し、ZnS単結晶20−1,20−２を成長させた。この際
の反応圧力は150Torrであった。
2とともにジメチル亜鉛（H3C−Zn−CH3）およびジメチ
ルジサルファイド（H3C−Ｓ−Ｓ−CH3）をモル比1:20で
供給し、ZnS単結晶20−1,20−２を成長させた。この際
の反応圧力は150Torrであった。
第４図（Ｂ）に示すように、SiNxからなる核形成面19
−1,19−２の部分からのみZnS結晶20−1,20−２が成長
し、非核形成面であるSiO2表面にはZnSの核は発生しな
かった。
−1,19−２の部分からのみZnS結晶20−1,20−２が成長
し、非核形成面であるSiO2表面にはZnSの核は発生しな
かった。
更に、ZnS単結晶20−1,20−２は成長を続け、第４図
（Ｃ）に示すように、ZnS単結晶20−1,20−２は互いに
接するようになった。その段階で結晶形成処理を施すこ
とを止めた。
（Ｃ）に示すように、ZnS単結晶20−1,20−２は互いに
接するようになった。その段階で結晶形成処理を施すこ
とを止めた。
次いで、ZnS単結晶20−1,20−２の表面部分を研磨
し、次いで、結晶粒界15をエッチングして除去すると、
第２図（Ｄ）に示すようなZnS単結晶20−1,20−２が得
られた。
し、次いで、結晶粒界15をエッチングして除去すると、
第２図（Ｄ）に示すようなZnS単結晶20−1,20−２が得
られた。
得られたZnS単結晶20−1,20−２は、結晶性が極めて
良好であり、半導体特性に優れたものであることが確認
された。
良好であり、半導体特性に優れたものであることが確認
された。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、下記のような
効果が得られる。
効果が得られる。
原料ガスとしてR1−Xn−R2を使用することにより、従
来のR1−Xn−R2の形の原料ガスに比べて毒性や爆発性の
点ではるかに安全である化合物半導体薄膜の形成方法を
提供することができる。
来のR1−Xn−R2の形の原料ガスに比べて毒性や爆発性の
点ではるかに安全である化合物半導体薄膜の形成方法を
提供することができる。
また、II族原料ガスとの反応性が穏やかで、大面積に
亘って均一性の向上が計れる化合物半導体薄膜の形成方
法を提供することができる。
亘って均一性の向上が計れる化合物半導体薄膜の形成方
法を提供することができる。
さらに、選択核形成による結晶形成において、単結晶
率を飛躍的に向上させることができる化合物半導体薄膜
の形成方法を提供することができる。
率を飛躍的に向上させることができる化合物半導体薄膜
の形成方法を提供することができる。
第１図はMOCVD装置図である。第２図は選択核形成法に
よる化合物半導体の結晶形成方法の工程図である。第３
図はVI族原料と単結晶率の関係を示すグラフである。第
４図は選択核形成方法による化合物半導体の結晶形成方
法の他の工程図である。 １……II族原料導入管、２……VI族原料導入管、３……
ガス吹出口、４……高周波コイル、５……基体ホルダ
ー、６……基体、７……石英チャンバー、８……真空ポ
ンプ、９……支持体、10……SiO2膜、11……フォトレジ
スト、12……イオン、13−1,13−２……核形成面（イオ
ン打込領域）、14−1,14−２……化合物半導体結晶、15
……結晶粒界、16−1,16−２……研磨された化合物半導
体単結晶、17……支持体、18……SiO2膜、19−1,19−２
……核形成面、20−1,20−２……ZnS単結晶。
よる化合物半導体の結晶形成方法の工程図である。第３
図はVI族原料と単結晶率の関係を示すグラフである。第
４図は選択核形成方法による化合物半導体の結晶形成方
法の他の工程図である。 １……II族原料導入管、２……VI族原料導入管、３……
ガス吹出口、４……高周波コイル、５……基体ホルダ
ー、６……基体、７……石英チャンバー、８……真空ポ
ンプ、９……支持体、10……SiO2膜、11……フォトレジ
スト、12……イオン、13−1,13−２……核形成面（イオ
ン打込領域）、14−1,14−２……化合物半導体結晶、15
……結晶粒界、16−1,16−２……研磨された化合物半導
体単結晶、17……支持体、18……SiO2膜、19−1,19−２
……核形成面、20−1,20−２……ZnS単結晶。
Claims (2)
- 【請求項１】核形成密度の小さい非核形成面（SNDS）
と、単一核にのみより結晶成長するに充分小さい表面積
を有し、前記非核形成面（SNDS）の核形成密度（NDS）
より大きい核形成密度（NDL）を有する核形成面
（SNDL）とが隣接して配された基体が配された結晶形成
処理空間に、周期律表第VI族に属する元素を供給する一
般式R1−Xn−R2（ｎは２以上の整数、R1,R2はアルキル
基、ＸはS,Se又はTeを示す）で示される有機金属化合物
（VI）と、周期律表第II族に属する元素を供給する化合
物（II）とを気相状態で導入して気相法による結晶成長
処理を前記基体に施して、結晶性II−VI族化合物半導体
膜を前記基体上に選択的に形成することを特徴とする結
晶性化合物半導体膜の形成方法。 - 【請求項２】前記化合物（II）が有機金属化合物である
請求項１に記載の結晶性化合物半導体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210354A JP2569140B2 (ja) | 1987-08-24 | 1988-08-24 | 結晶性化合物半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-209455 | 1987-08-24 | ||
| JP20945587 | 1987-08-24 | ||
| JP63210354A JP2569140B2 (ja) | 1987-08-24 | 1988-08-24 | 結晶性化合物半導体膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157537A JPH01157537A (ja) | 1989-06-20 |
| JP2569140B2 true JP2569140B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=26517457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63210354A Expired - Fee Related JP2569140B2 (ja) | 1987-08-24 | 1988-08-24 | 結晶性化合物半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569140B2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63210354A patent/JP2569140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01157537A (ja) | 1989-06-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |