JP2566606B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP2566606B2 JP5937188A JP5937188A JP2566606B2 JP 2566606 B2 JP2566606 B2 JP 2566606B2 JP 5937188 A JP5937188 A JP 5937188A JP 5937188 A JP5937188 A JP 5937188A JP 2566606 B2 JP2566606 B2 JP 2566606B2
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【発明の詳細な説明】 〔概要〕 紫外線硬化型テープに接着したウエハをダイシングし
た後に、チップを剥離し易くすべく紫外線を照射する方
法に関し、 紫外線硬化型テープが加熱されることを実質上制限す
ることを目的とし、 フレームに張架された紫外線硬化型テープ上に接着さ
れた半導体ウエハをスクライブして複数のチップに分割
し、上記テープに紫外線を照射し接着力を低下させ、上
記チップを上記テープより剥離し易くする半導体装置の
製造方法において、上記紫外線硬化型テープを水冷し、
この状態で、該テープに紫外線を照射するように構成す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] A method of irradiating ultraviolet rays to facilitate peeling of chips after dicing a wafer adhered to an ultraviolet curable tape, which substantially limits heating of the ultraviolet curable tape. In order to do so, the semiconductor wafer adhered on the ultraviolet curable tape stretched on the frame is scribed and divided into a plurality of chips, and the tape is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive force, In the method for manufacturing a semiconductor device that is more easily peeled off from the tape, water cooling the ultraviolet curable tape,
In this state, the tape is configured to be irradiated with ultraviolet rays.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は紫外線硬化型テープに接着したウエハをダイ
シングした後に、チップを剥離し易くすべく紫外線を照
射する方法に関する。
The present invention relates to a method of dicing a wafer adhered to an ultraviolet curable tape and then irradiating it with ultraviolet rays so as to facilitate chip separation.

半導体装置は、ウエハをスクライブして複数のチップ
に分割し、各チップをピックアップし、パッケージに組
み込み、ワイヤボンディングし、樹脂により封止するこ
とにより製造される。
A semiconductor device is manufactured by scribing a wafer to divide it into a plurality of chips, picking up each chip, incorporating it into a package, wire bonding, and sealing with a resin.

チップのピックアップは、認識装置によりピックアッ
プしようとするチップの位置を認識して、ピックアップ
装置により行なっている。
The chip pickup is performed by the pickup device by recognizing the position of the chip to be picked up by the recognition device.

従って、ピックアップの時点において、チップが剥離
し易い状態となっていることは勿論、位置の認識が正確
に行なわれる状態にあることが必要とされる。
Therefore, at the time of pick-up, it is necessary that the chip is in a state where it can be easily peeled off and that the position is accurately recognized.

紫外線硬化型テープ(以下UVテープという)は、ベー
ス上に、紫外線を照射されると硬化する接着剤層を有す
る構造であり、紫外線が照射されると、接着剤層が硬化
し、チップが剥離し易い状態となる。
An ultraviolet curable tape (hereinafter referred to as a UV tape) has a structure that has an adhesive layer on the base that cures when exposed to ultraviolet light. When exposed to ultraviolet light, the adhesive layer cures and the chip peels off. It becomes easy to do.

UVテープのベースは、チップのピックアップがし易い
ように延び易い軟質の材料、例えばポリプロピレン又は
塩化ビニール等であり、熱に弱く、紫外線が照射された
ときに加熱されて伸びることがある。
The base of the UV tape is made of a soft material, such as polypropylene or vinyl chloride, which is easily stretched so that the chip can be easily picked up.

この場合には、UVテープがたるみ、一部のチップが傾
斜し、位置の認識が正確に行なわれにくくなる。またチ
ップが傾斜することにより隣りのチップと接触し欠ける
ことがある。径の大きいウエハを使用する場合に、この
傾向は顕著となる。
In this case, the UV tape is slack and some chips are inclined, which makes it difficult to accurately recognize the position. Further, the chips may contact with the adjacent chips and be chipped due to the inclination of the chips. This tendency becomes remarkable when a wafer having a large diameter is used.

従って、上記の紫外線の照射時にUVテープを出来るだ
け加熱させないようにすることが必要となる。
Therefore, it is necessary to prevent the UV tape from being heated as much as possible during the irradiation of the ultraviolet rays.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は従来の半導体装置の製造方法の要部をなす紫
外線照射工程を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an ultraviolet ray irradiation step which is a main part of a conventional semiconductor device manufacturing method.

図中、1はウエハ支持装置であり、UVテープ2が、フ
レーム3に張架してある。4はウエハであり、UVテープ
1に接着された状態で、第6図に拡大して示すようにダ
イシングされてフルカットされており、多数のチップ5
に分割されている。
In the figure, 1 is a wafer supporting device, and a UV tape 2 is stretched around a frame 3. Reference numeral 4 denotes a wafer, which is bonded to the UV tape 1 and is diced and fully cut as shown in an enlarged view in FIG.
Is divided into

UVテープ1に対して、第5図に示すように、紫外線7a
が照射される。
For the UV tape 1, as shown in FIG.
Is irradiated.

6は紫外線照射装置であり、紫外線ランプ7とランプ
ハウス8とよりなる。
Reference numeral 6 denotes an ultraviolet irradiation device, which comprises an ultraviolet lamp 7 and a lamp house 8.

9はスリット板、10はスリット、11はスリット10を開
閉するシャッタ、12は紫外線透過率93%の石英ガラス板
である。
Reference numeral 9 is a slit plate, 10 is a slit, 11 is a shutter for opening and closing the slit 10, and 12 is a quartz glass plate having an ultraviolet transmittance of 93%.

UVテープ1は、シャッタ11が開いている間、紫外線7a
を照射される。
UV tape 1 is UV 7a while shutter 11 is open.
Is irradiated.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

紫外線ランプ7は赤外線も放射するため、UVテープ1
は加熱され、第7図に示すように伸びウエハの重みでた
るみ、符号5aで示すチップは特に斜めとなってしまう。
Since the UV lamp 7 also radiates infrared rays, UV tape 1
Are heated and sag due to the weight of the stretched wafer as shown in FIG. 7, and the chip indicated by reference numeral 5a becomes particularly inclined.

このため、認識装置13によりチップ5aの位置を認識す
るときに、不正確となり、チップ5aのピックアップが正
常に行なわれなくなったり、ピックアップ時にチップ5a
を傷付けたりするという問題があった。
Therefore, when the position of the chip 5a is recognized by the recognition device 13, it becomes inaccurate, and the chip 5a cannot be picked up normally, or the chip 5a is not picked up at the time of picking up.
There was a problem of scratching.

またチップ5aの縁がこの隣りのチップ5bに当接し、欠
けが起こることもある。
Further, the edge of the chip 5a may come into contact with the adjacent chip 5b to cause chipping.

本発明はUVテープが加熱されることを実質上制限する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can substantially prevent the UV tape from being heated.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、フレームに張架された紫外線硬化型テープ
上に接着された半導体ウエハをスクライブして複数のチ
ップに分割し、上記テープに紫外線を照射し接着力を低
下させ、上記チップを上記テープより剥離し易くする半
導体装置の製造法において、上記紫外線硬化型テープを
水冷し、この状態で、該テープに紫外線を照射するよう
にしたものである。
The present invention scribes a semiconductor wafer adhered on an ultraviolet curable tape stretched around a frame into a plurality of chips, irradiates the tape with ultraviolet rays to reduce the adhesive force, and the chips are adhered to the tape. In the method of manufacturing a semiconductor device that facilitates peeling, the ultraviolet curable tape is water-cooled, and in this state, the tape is irradiated with ultraviolet rays.

〔作用〕[Action]

紫外線硬化型テープは水冷された状態にあるため、紫
外線の照射によってテープの温度がテープが伸びたりす
る温度まで上昇することを確実に防止することが出来
る。
Since the ultraviolet curable tape is in a water-cooled state, it is possible to reliably prevent the temperature of the tape from rising to the temperature at which the tape is stretched by the irradiation of ultraviolet rays.

従って、紫外線照射工程を経てもチップは平坦な状態
で正常に整列した状態を維持する。
Therefore, the chips remain flat and normally aligned even after the UV irradiation process.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例になる半導体装置の製造方
法の要部をなす紫外線照射工程を示す図である。第3
図,第4図は紫外線照射工程を行なう装置の平面図及び
正面図である。第5図は紫外線照射後のUVテープの状態
を示す図である。各図中、第5図,第6図に示す構成部
分と同意構成部分には同一符号を付し、その説明は省略
する。
FIG. 1 is a diagram showing an ultraviolet irradiation step which is a main part of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Third
FIG. 4 and FIG. 4 are a plan view and a front view of an apparatus for performing an ultraviolet irradiation process. FIG. 5 is a diagram showing the state of the UV tape after irradiation with ultraviolet rays. In each drawing, the same reference numerals are given to the constituent parts shown in FIGS. 5 and 6 and the consent constituent parts, and the description thereof will be omitted.

第1図,第3図,第4図中、20はチャンバであり、モ
ータ21により駆動されるボールねじ22により、スリット
板9上を矢印23方向に移送され、スリット10上を通過す
る。
In FIGS. 1, 3, and 4, reference numeral 20 denotes a chamber, which is moved on the slit plate 9 in the direction of arrow 23 by the ball screw 22 driven by the motor 21 and passes over the slit 10.

チャンバ20は、底板を石英ガラス板25で構成された皿
状の凹部24を有し、凹部24の淵にフレーム支持部26を有
し、且つ一例に供給口27、他側に排出口28を有する。
The chamber 20 has a dish-shaped recess 24 having a bottom plate made of a quartz glass plate 25, a frame support portion 26 at the edge of the recess 24, a supply port 27 as an example, and a discharge port 28 at the other side. Have.

30は純水で貯留したタンクである。31,32は夫々ホー
スであり、タンク30と供給口27、排出口28との間に接続
してある。
30 is a tank that is stored with pure water. 31 and 32 are hoses, which are connected between the tank 30 and the supply port 27 and the discharge port 28.

タンク30内の純水は、矢印33で示すようにホース31、
凹部24、ホース32を通して継続的に循環され、凹部24内
には純水33が所定の水位H(排出口28、供給口27の配設
位置により決定される)を矢印で示すように流れている
状態で常時貯留される。
The pure water in the tank 30 is supplied with a hose 31, as shown by an arrow 33.
The pure water 33 is continuously circulated through the recess 24 and the hose 32, and the pure water 33 flows in the recess 24 at a predetermined water level H (determined by the positions of the discharge port 28 and the supply port 27) as indicated by the arrows. It is always stored in the state of being.

フレーム支持部26は、フレーム3を支持したときに、
UVテープ2の下面2aが純水に触れるように、水位Hに対
して所定の高さに定めてある。
The frame support portion 26, when supporting the frame 3,
The UV tape 2 has a predetermined height with respect to the water level H so that the lower surface 2a of the UV tape 2 comes into contact with pure water.

ウエハ支持装置1はフレーム3をフレーム支持部26に
支持されてチャンバ20上に載置される。UVテープ2の下
面2a全体が、凹部24内の純水33の水面に接触した状態と
なり、UVテープ2が純水33により水冷される状態とな
る。
The wafer supporting device 1 is mounted on the chamber 20 with the frame 3 supported by the frame supporting portion 26. The entire lower surface 2a of the UV tape 2 is in contact with the water surface of the pure water 33 in the recess 24, and the UV tape 2 is cooled by the pure water 33.

UVテープ2は全面に亘ってフレーム3に接着してあ
り、純水33はUVテープ2の上面側には入り込まず、ウエ
ハ4(チップ5)が純水に触れることはない。
The UV tape 2 is adhered to the frame 3 over the entire surface, the pure water 33 does not enter the upper surface side of the UV tape 2, and the wafer 4 (chip 5) does not come into contact with the pure water.

UVテープ2は純水33により水冷されたままチャンバ20
と共に移動する。
The UV tape 2 remains in the chamber 20 while being cooled by pure water 33.
Move with.

チャンバ20がスリット10に近ずくと、シャッタ11が開
き、UVテープ2はスリット10を通過するときに紫外線7a
を照射される。
When the chamber 20 approaches the slit 10, the shutter 11 opens, and the UV tape 2 passes the slit 7 and the ultraviolet rays 7a.
Is irradiated.

紫外線7aは石英ガラス板12を透過しスリット10外に
出、石英ガラス板25を透過し、純水33を透過し、UVテー
プ2に到り、これを照射する。
The ultraviolet rays 7a pass through the quartz glass plate 12, go out of the slit 10, pass through the quartz glass plate 25, pass through the pure water 33, reach the UV tape 2, and irradiate this.

純水33は紫外線の透過率が100%である純水33の存在
により、UVテープ2への紫外線7aが減ぜられることはな
い。
The presence of the pure water 33, which has a transmittance of 100% of ultraviolet rays, does not reduce the amount of ultraviolet rays 7a to the UV tape 2.

UVテープ2は従来の場合と同量の紫外線を照射され、
接着剤層が硬化されるチップ5は剥離し易い状態とされ
る。
UV tape 2 is irradiated with the same amount of ultraviolet rays as in the conventional case,
The chip 5 in which the adhesive layer is cured is in a state of being easily peeled off.

またUVテープ2は加熱されようとするが、UVテープ2
の下面は流れている純水33と接触して強力に水冷された
状態になり、UVテープ2の温度は上昇せず、UVテープ2
に伸びは生じない。
UV tape 2 is about to be heated, but UV tape 2
The bottom surface of the UV tape 2 comes into contact with the flowing pure water 33 and becomes strongly cooled, and the temperature of the UV tape 2 does not rise.
Does not grow.

第4図は、紫外線照射工程を経た、ウエハ支持体1を
示す。UVテープ2は殆んど伸びていず、各チップ5は水
平姿勢で整列しており、各チップ5は認識装置13により
位置精度良く認識される。
FIG. 4 shows the wafer support 1 that has undergone the ultraviolet irradiation process. The UV tape 2 is hardly stretched, the chips 5 are aligned in a horizontal posture, and each chip 5 is recognized by the recognition device 13 with high positional accuracy.

このため、ピックアップミスは起こらず、各チップは
正常にピックアップされる。
Therefore, no pick-up error occurs and each chip is normally picked up.

また隣り合うチップの縁同志が当接することもなく、
チップ欠けも起こらない。
Also, the edges of adjacent chips do not touch each other,
No chipping occurs.

〔発明の効果〕 以上説明した様に、本発明によれば、紫外線硬化型テ
ープは紫外線照射工程において実質上加熱が制限される
ため、当該テープが伸びたりすることが無く、隣りのチ
ップ同志の接触が無く、接触によるチップの欠けを防止
することができる。またテープの伸びが無いため、各の
各チップを剥離し易い状態で且つ位置を正確に認識でき
る状態とすることが出来、然してチップのピックアップ
ミスを無くすることが出来、且つピックアップの際にチ
ップを傷付ける虞れが無く、良質の半導体装置を得るこ
とが出来る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the heating of the ultraviolet curable tape is substantially limited in the ultraviolet irradiation step, the tape does not stretch, and the adjacent chips There is no contact, and chipping of the chip due to contact can be prevented. Also, since the tape does not stretch, each chip can be easily peeled off and the position can be accurately recognized, and it is possible to eliminate chip pick-up mistakes and to pick up the chips when picking up. It is possible to obtain a good-quality semiconductor device without the risk of damaging the semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の半導体装置の製造方法における紫外線
照射の状態を示す図、 第2図は本発明の製造方法の紫外線照射工程を実施する
装置の平面図、 第3図は第2図に示す装置の正面図、 第4図は本発明の製造方法において紫外線が照射された
後のウエハ支持装置の状態を示す図、 第5図は従来の半導体装置の製造方法における紫外線照
射の状態を示す図、 第6図は紫外線照射前のウエハ支持装置を示す図、 第7図は従来の製造方法における紫外線照射後のウエハ
支持装置の状態を示す図である。 図において、 1はウエハ支持装置、2はUVテープ、3はフレーム、4
はウエハ、5はチップ、6は紫外線照射装置、7は紫外
線ランプ、7aは紫外線、20はチャンバ、24は皿状凹部、
25は石英ガラス板、26はフレーム支持部、27は供給口、
28は排出口、30はタンク、33は純水、を示す。
FIG. 1 is a diagram showing the state of ultraviolet irradiation in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, FIG. 2 is a plan view of an apparatus for carrying out the ultraviolet irradiation step of the manufacturing method of the present invention, and FIG. 3 is shown in FIG. 4 is a front view of the apparatus shown in FIG. 4, FIG. 4 is a view showing a state of the wafer supporting apparatus after being irradiated with ultraviolet rays in the manufacturing method of the present invention, and FIG. 5 is a state of ultraviolet irradiation in the conventional method for manufacturing a semiconductor device. 6 and 6 are views showing the wafer support device before ultraviolet irradiation, and FIG. 7 is a view showing the state of the wafer support device after ultraviolet irradiation in the conventional manufacturing method. In the figure, 1 is a wafer supporting device, 2 is a UV tape, 3 is a frame, 4
Is a wafer, 5 is a chip, 6 is an ultraviolet irradiation device, 7 is an ultraviolet lamp, 7a is ultraviolet, 20 is a chamber, 24 is a dish-shaped recess,
25 is a quartz glass plate, 26 is a frame support part, 27 is a supply port,
28 is a discharge port, 30 is a tank, and 33 is pure water.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】フレーム(3)に張架された紫外線硬化型
テープ(2)上に接着された半導体ウエハ(4)をスク
ライブして複数のチップ(5)に分割し、上記テープに
紫外線を照射し接着力を低下させ、上記チップを上記テ
ープより剥離し易くする半導体装置の製造方法におい
て、 上記紫外線硬化型テープを水冷し(20,24,33)、この状
態で、該テープに紫外線(7a)を照射するようにしたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A semiconductor wafer (4) adhered onto an ultraviolet curable tape (2) stretched around a frame (3) is scribed to divide it into a plurality of chips (5), and the tape is exposed to ultraviolet light. In the method for manufacturing a semiconductor device, which reduces the adhesive strength by irradiation and makes it easier to peel off the chip from the tape, the ultraviolet curable tape is water-cooled (20, 24, 33), and in this state, ultraviolet rays ( 7a) is irradiated, The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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