JP2560136B2 - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP2560136B2 JP2156204A JP15620490A JP2560136B2 JP 2560136 B2 JP2560136 B2 JP 2560136B2 JP 2156204 A JP2156204 A JP 2156204A JP 15620490 A JP15620490 A JP 15620490A JP 2560136 B2 JP2560136 B2 JP 2560136B2
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    • H01S5/00Semiconductor lasers
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    • H01S5/022Mountings; Housings
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    • H01S5/02234Resin-filled housings; the housings being made of resin

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レー
ザチップの部分を、キャップ体にて密封して成るいわゆ
るカンシール型の半導体レーザ装置の改良に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor laser device using a semiconductor laser chip as a light emitting element of a laser, in which a portion of the semiconductor laser chip is sealed with a cap body. And a so-called can-seal type semiconductor laser device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種のカンシール型の半導体レーザ装置において、
その半導体レーザチップの部分を、キャップ体によって
密封するのは、前記半導体レーザチップが、大気中の湿
度や塵埃によって劣化することを防止すると共に、前記
半導体レーザチップを、外部からの接触及び衝撃等に対
して保護するためである。
In this type of Canseal type semiconductor laser device,
Sealing the portion of the semiconductor laser chip with a cap body prevents the semiconductor laser chip from deteriorating due to humidity and dust in the atmosphere, and the semiconductor laser chip is contacted from the outside and impact, etc. To protect against.

そこで、従来、この種のカンシール型の半導体レーザ
装置においては、良く知られているように、半導体レー
ザチップをダイボンディングしたステムと、この半導体
レーザチップ対するキャップ体とを、炭素鋼製にして、
このキャップ体における下端の全周を、前記ステムに対
して抵抗溶接にして固着する一方、前記キャップ体に対
してガラス製の透明板を、ガラス半田を使用して固着す
ることによって、キャップ体内における気密性を確保す
るようにしている。
Therefore, conventionally, in this type of Canseal type semiconductor laser device, as is well known, the stem die-bonded to the semiconductor laser chip and the cap body for the semiconductor laser chip are made of carbon steel,
The entire circumference of the lower end of the cap body is fixed to the stem by resistance welding, while the transparent plate made of glass is fixed to the cap body by using glass solder, thereby I try to ensure airtightness.

そして、キャップ体に対してガラス製の透明板をガラ
ス半田にて固着するに際しては、例えば、実開昭62−58
066号公報に詳しく説明されているように、先づ、ガラ
ス粉末をリング状にプレス成形したのち仮焼成すること
によってリング状のガラス半田を製作し、このリング状
ガラス半田とガラス製の透明体とをキャップ体に装填
し、この状態で全体を500〜600℃の高い温度で焼成して
前記ガラス半田を溶融することによって、前記透明板を
ガラス半田にてキャップ体に固着するようにしている。
When fixing a transparent plate made of glass to the cap body with glass solder, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-58.
As described in detail in Japanese Patent No. 066, a ring-shaped glass solder is manufactured by first press-molding glass powder into a ring and then calcining the ring, and the ring-shaped glass solder and a glass transparent body. And are loaded into the cap body, and in this state the whole is baked at a high temperature of 500 to 600 ° C. to melt the glass solder, thereby fixing the transparent plate to the cap body with the glass solder. .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかし、このように、透明板をキャップ体に対してガ
ラス半田にて固着する方法は、その固着が強固にできる
と共に、キャップ体内を高い気密性に維持できる利点を
有する反面、リング状のガラス半田を製作する工程、及
び、高温で焼成する工程を必要とするばかりか、この高
温での焼成によって変色したキャップ体に対して、酸洗
いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工程を必
要とするのであり、しかも、前記ガラス製の透明板に
は、前記後処理工程の酸洗い及びメッキに際して当該透
明板の表面を損傷することがないようにするための保護
膜を予め形成しておく必要があるから、キャップ体に対
して透明板を、完全シール状態で固着することに多大な
コストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅にアップ
すると言う問題があった。
However, in this way, the method of fixing the transparent plate to the cap body with the glass solder has the advantage that the fixing can be made firm and the cap body can be kept highly airtight, while the ring-shaped glass solder is used. In addition to the manufacturing process and the baking process at a high temperature, a post-processing process of nickel-plating the cap body that has been discolored by the baking at a high temperature after pickling it is necessary. In addition, it is necessary to previously form a protective film on the glass transparent plate so as not to damage the surface of the transparent plate during pickling and plating in the post-treatment step. Therefore, there is a problem that fixing the transparent plate to the cap body in a completely sealed state increases the cost and the cost of the semiconductor laser device is significantly increased. .

そこで、先行技術としての実開昭61−83067号公報
は、前記キャップ体内に、硬質の透明樹脂を充填して、
この透明樹脂にて半導体レーザチップを密封することに
より、前記キャップ体に対して透明板を高い気密性で設
けるのを省略することを提案している。
Therefore, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 61-83067 as the prior art discloses that the cap body is filled with a hard transparent resin,
By sealing the semiconductor laser chip with this transparent resin, it is proposed to omit providing the transparent plate with high airtightness to the cap body.

しかし、この先行技術は、キャップ体内に充填する硬
質の透明樹脂により、半導体レーザチップを直接的に密
封するもので、この硬質の透明樹脂の温度変化等による
膨張・収縮が、前記半導体レーザチップ、及びこの半導
体レーザチップに接続した細い金属線に対して直接的に
及ぶことになるから、半導体レーザチップの性質を変化
したり、細い金属線に断線が発生したりするおそれが大
きいと言う問題があった。
However, in this prior art, the semiconductor laser chip is directly sealed by the hard transparent resin filled in the cap body, and the expansion / contraction of the hard transparent resin due to temperature change or the like causes the semiconductor laser chip, Since the thin metal wire connected to the semiconductor laser chip is directly affected, there is a possibility that the property of the semiconductor laser chip may be changed or the thin metal wire may be broken. there were.

本発明は、この問題、つまり、半導体レーザチップを
透明樹脂にて密封する場合に半導体レーザチップの性質
を変化したり、細い金属線に断線が発生したりすること
を確実に防止することを技術的課題とするものである。
The present invention is directed to reliably prevent this problem, that is, changing the property of the semiconductor laser chip when the semiconductor laser chip is sealed with a transparent resin, or causing a break in a thin metal wire. It is a specific subject.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この技術的課題を達成するため本発明は、 「半導体レーザチップを固着したステムと、該ステムに
前記半導体レーザチップに被嵌するように固着したキャ
ップ体とから成る導体レーザ装置において、 前記キャップ体のうち前記半導体レーザチップの前方
劈開面に対向する部位に開口部を設ける一方、前記キャ
ップ体内に、前記半導体レーザチップを覆うように塗着
した軟質の透明樹脂と、当該キャップ体内にその開口部
まで詰まるように充填した硬質の透明樹脂とを設け
る。」 と言う構成にした。
In order to achieve this technical problem, the present invention provides a conductor laser device comprising: a stem to which a semiconductor laser chip is fixed, and a cap member fixed to the stem so as to be fitted to the semiconductor laser chip. While providing an opening in a portion of the semiconductor laser chip facing the front cleavage surface of the semiconductor laser chip, a soft transparent resin coated to cover the semiconductor laser chip in the cap body, and the opening in the cap body A hard transparent resin filled so as to be clogged up is provided. "

〔発明の作用・効果〕[Functions and effects of the invention]

このように構成すると、半導体レーザチップの先端に
おける前方劈開面から発射するレーザ光は、当該半導体
レーザチップを覆う軟質の透明樹脂内、及び、キャップ
体内に充填した硬質の透明樹脂内を通って、当該硬質透
明樹脂の表面から大気中に出射される。
With this configuration, the laser light emitted from the front cleavage surface at the tip of the semiconductor laser chip passes through the soft transparent resin that covers the semiconductor laser chip, and the hard transparent resin filled in the cap body, The light is emitted from the surface of the hard transparent resin into the atmosphere.

この場合において、本発明は、半導体レーザチップ
を、先行技術のようにキャップ体内に充填した硬質の透
明樹脂のみで密封するものでなく、当該半導体レーザチ
ップに塗着した軟質の透明樹脂と、キャップ体内に充填
した硬質の透明樹脂との両方で密封するものであるか
ら、前記半導体レーザチップを、キャップ体内に充填し
た硬質の透明樹脂によって、強固に密封することができ
る一方、この硬質透明樹脂における温度変化等による膨
張・収縮が前記半導体レーザチップ及びこれに接続した
細い金属線に及ぶことを、この半導体レーザチップに対
して予め塗着した軟質の透明樹脂にて大幅に低減できる
のである。
In this case, the present invention does not seal the semiconductor laser chip only with the hard transparent resin filled in the cap body as in the prior art, but with the soft transparent resin coated on the semiconductor laser chip and the cap. Since it is to be sealed with both the hard transparent resin filled in the body, the semiconductor laser chip can be tightly sealed by the hard transparent resin filled in the cap body, while in this hard transparent resin The expansion / contraction of the semiconductor laser chip and the thin metal wire connected to the semiconductor laser chip due to temperature change can be greatly reduced by the soft transparent resin previously applied to the semiconductor laser chip.

従って、本発明によると、キャップ体内に、透明樹脂
を充填することによって、前記キャップ体に透明板を設
けることを省略する場合に、半導体レーザチップの性質
が変化したり、細い金属線に断線が発生したりすること
を確実に低減できる効果を有する。
Therefore, according to the present invention, when the cap body is filled with the transparent resin and the provision of the transparent plate on the cap body is omitted, the properties of the semiconductor laser chip are changed or the thin metal wire is broken. It has an effect that it is possible to surely reduce the occurrence.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面(第1図〜第3図)につ
いて説明するに、図において符号1は、炭素鋼等の金属
にて円盤型に形成したステム2と、炭素鋼等の金属板に
て開口部3を有するように筒型に形成したキャップ体4
とによって構成された半導体レーザ装置を示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 3). A cap body 4 formed in a tubular shape so as to have an opening 3 in a plate
1 shows a semiconductor laser device constituted by the above.

前記ステム2の上面に一体的に造形したブロック体5
の側面には、モニター用ホォトダイオード7を備えたサ
ブマウント6が固着され、このサブマウント6の表面
に、半導体レーザチップ8が、当該半導体レーザチップ
8における前方劈開面8aが前記開口部3の方向に向か
い、後方劈開面8bが前記ホォトダイオード7の方向に向
かうようにダイボンディングされている。
A block body 5 integrally formed on the upper surface of the stem 2
A submount 6 equipped with a monitoring photodiode 7 is fixed to the side surface of the semiconductor laser chip 8, and a front cleavage plane 8a of the semiconductor laser chip 8 is provided on the surface of the submount 6. Direction, and the rear cleavage surface 8b is die-bonded so as to face the direction of the photodiode 7.

また、前記半導体レーザチップ8と、前記ホォトダイ
オード7とには、シリコン樹脂等のように比較的軟質の
透明樹脂9が、前記半導体レーザチップ8及びホォトダ
イオード7の全表面を覆うように塗着されている。な
お、この軟質の透明樹脂9は、半導体レーザチップ8と
サブマウント6との間、及び、サブマウント6と後述す
る各リード端子10b,10cとの間を細い金属線にてワイヤ
ボンディングした後において、塗着する。
Further, a relatively soft transparent resin 9 such as a silicone resin is applied to the semiconductor laser chip 8 and the photodiode 7 so as to cover the entire surfaces of the semiconductor laser chip 8 and the photodiode 7. Has been done. The soft transparent resin 9 is used after wire bonding with a thin metal wire between the semiconductor laser chip 8 and the submount 6 and between the submount 6 and each lead terminal 10b, 10c described later. , Apply.

符号10a,10b,10cは、前記半導体レーザチップ8及び
前記ホォトダイオード7に対するリード端子を示し、こ
の各リード端子10a,10b,10cのうち一体のリード端子10a
は、前記ステム2の下面に溶接等にて固着され、他の二
本のリード端子10b,10cは、ステム2に穿設した孔2a,2b
内に、ガラス等の絶縁シール材11にて絶縁シール状態で
固着されている。
Reference numerals 10a, 10b, 10c denote lead terminals for the semiconductor laser chip 8 and the photodiode 7, and the lead terminals 10a of the lead terminals 10a, 10b, 10c are integrated.
Is fixed to the lower surface of the stem 2 by welding or the like, and the other two lead terminals 10b, 10c are holes 2a, 2b formed in the stem 2.
It is fixed inside by an insulating sealing material 11 such as glass in an insulating sealing state.

また、前記キャップ体4は、前記半導体レーザチップ
8付きブロック体5に被嵌したのち、その下端における
外向きフランジ部4aを前記ステム2に対して溶接するこ
とによって固着される。なお、このキャップ体4のステ
ム2に対する固着は、ステム2に各リード端子10a,10b,
10cを固着し、ブロック体5にサブマウント6及び半導
体レーザチップ8をダイボンディングし、且つ、半導体
レーザチップ8とサブマウント6との間、及びサブマウ
ント6の両リード端子10b,10cとの間に細い金属線によ
るワイヤーボンディングを施し、更に、前記軟質の透明
樹脂9を塗着した後において行なわれる。
Further, the cap body 4 is fixed to the block body 5 with the semiconductor laser chip 8 by fitting the block body 5 with the semiconductor laser chip 8 and then welding the outward flange portion 4a at the lower end thereof to the stem 2. In addition, the fixation of the cap body 4 to the stem 2 means that the lead terminals 10a, 10b,
10c is fixed, the submount 6 and the semiconductor laser chip 8 are die-bonded to the block body 5, and between the semiconductor laser chip 8 and the submount 6 and between both lead terminals 10b and 10c of the submount 6. This is performed after wire bonding with a thin metal wire is applied to the above, and the soft transparent resin 9 is applied.

また、前記半導体レーザチップ8における後方劈開面
8aから発射されるモニター用のレーザ光は、半導体レー
ザチップ8及びホォトダイオード7の全表面に塗着した
軟質透明樹脂9を介してホォトダイオード7に導かれ
る。
Also, the rear cleavage plane of the semiconductor laser chip 8
Laser light for monitoring emitted from 8a is guided to the photodiode 7 through the semiconductor laser chip 8 and the soft transparent resin 9 coated on the entire surfaces of the photodiode 7.

そして、前記キャップ体4内に、例えば、エポキシ樹
脂等のような硬質の透明樹脂12を、キャップ体4におけ
る開口部3まで詰まるように充填する。
Then, the cap body 4 is filled with a hard transparent resin 12, such as an epoxy resin, so as to fill the opening 3 in the cap body 4.

このように構成すると、半導体レーザチップ8の先端
における前方劈開面8aから発射するレーザ光は、当該半
導体レーザチップ8の部分を覆う軟質の透明樹脂8内を
経て、キャップ体4内に充填した硬質透明樹脂12内を通
って、当該硬質透明樹脂12の表面12aから大気中に出射
される一方、前記半導体レーザチップ8及びホォトダイ
オード7の全表面は、前記硬質透明樹脂12によって覆わ
れていることにより、当該半導体レーザチップ8及びフ
ォトダイオード7に対する湿度及び塵埃の接触を、前記
硬質透明樹脂12によって阻止することができる。
According to this structure, the laser light emitted from the front cleavage plane 8a at the tip of the semiconductor laser chip 8 passes through the soft transparent resin 8 covering the portion of the semiconductor laser chip 8 and the hard body filled in the cap body 4. While passing through the transparent resin 12 and being emitted into the atmosphere from the surface 12a of the hard transparent resin 12, the entire surfaces of the semiconductor laser chip 8 and the photodiode 7 are covered with the hard transparent resin 12. Thus, the contact of humidity and dust to the semiconductor laser chip 8 and the photodiode 7 can be blocked by the hard transparent resin 12.

なお、前記キャップ体4内への硬質透明樹脂12の充填
は、第4図に示すように、キャップ体4をステム2に対
して固着した後において、ノズル13より行なわれるもの
で、この硬質透明樹脂12における表面12aを、平坦面に
形成するには、自然液面のまま硬化するか、或いは、こ
の硬質透明樹脂12が硬化する直前において、その硬質透
明樹脂12の表面に12aに、離型性を有する平面板を押圧
するとか、更に或いは、当該硬質透明樹脂12の硬化後に
おいて、その表面を研磨加工によって平坦面に仕上げる
ようにしても良い。また、キャップ体4は、金属製にす
ることに限らず、非透明性の合成樹脂製にしても良いこ
とは言うまでもない。
The filling of the hard transparent resin 12 into the cap body 4 is performed by the nozzle 13 after the cap body 4 is fixed to the stem 2 as shown in FIG. In order to form the surface 12a of the resin 12 into a flat surface, the surface of the hard transparent resin 12 is cured as it is, or just before the hard transparent resin 12 is cured. The flat plate having the property may be pressed, or further, or after the hard transparent resin 12 is cured, the surface thereof may be finished into a flat surface by polishing. Further, it goes without saying that the cap body 4 is not limited to being made of metal and may be made of non-transparent synthetic resin.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

図面は本発明の実施例を示し、第1図は縦断正面図、第
2図は第1図のII−II視断面図、第3図は第1図の要部
拡大図、第4図は硬質透明樹脂を充填している状態を示
す断面図である。 1……半導体レーザ装置、2……ステム、3……開口
部、4……キャップ体、5……ブロック体、6……サブ
マウント、7……モニター用ホォトダイオード、8……
半導体レーザチップ、8a……半導体レーザチップの前方
劈開面、8b……半導体レーザチップの後方劈開面、9…
…軟質透明樹脂、10a,10b,10c……リード端子、12……
硬質透明樹脂、12a……硬質透明樹脂の表面。
The drawings show the embodiments of the present invention. Fig. 1 is a vertical sectional front view, Fig. 2 is a sectional view taken along line II-II of Fig. 1, Fig. 3 is an enlarged view of an essential part of Fig. 1, and Fig. 4 is It is sectional drawing which shows the state in which hard transparent resin is filled. 1 ... Semiconductor laser device, 2 ... Stem, 3 ... Aperture, 4 ... Cap body, 5 ... Block body, 6 ... Submount, 7 ... Monitor photodiode, 8 ...
Semiconductor laser chip, 8a ... Front cleavage plane of semiconductor laser chip, 8b ... Rear cleavage plane of semiconductor laser chip, 9 ...
… Soft transparent resin, 10a, 10b, 10c …… Lead terminals, 12 ……
Hard transparent resin, 12a: Surface of hard transparent resin.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザチップを固着したステムと、
該ステムに前記半導体レーザチップに被嵌するように固
着したキャップ体とから成る導体レーザ装置において、 前記キャップ体のうち前記半導体レーザチップの前方劈
開面に対向する部位に開口部を設ける一方、前記キャッ
プ体内に、前記半導体レーザチップを覆うように塗着し
た軟質の透明樹脂と、当該キャップ体内にその開口部ま
で詰まるように充填した硬質の透明樹脂とを設けたこと
を特徴とする半導体レーザ装置。
A stem to which a semiconductor laser chip is fixed;
In a conductor laser device including a cap body fixed to the stem so as to be fitted to the semiconductor laser chip, an opening is provided in a portion of the cap body facing a front cleavage plane of the semiconductor laser chip, A semiconductor laser device characterized in that a soft transparent resin applied so as to cover the semiconductor laser chip is provided in the cap body, and a hard transparent resin filled so as to fill the opening of the cap body in the cap body. .
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