JP2588517Y2 - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP2588517Y2 JP1991026849U JP2684991U JP2588517Y2 JP 2588517 Y2 JP2588517 Y2 JP 2588517Y2 JP 1991026849 U JP1991026849 U JP 1991026849U JP 2684991 U JP2684991 U JP 2684991U JP 2588517 Y2 JP2588517 Y2 JP 2588517Y2
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直史 青木
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本考案は、レーザの発光素子とし
て半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装置のう
ち、前記半導体レーザチップの部分をキャップ体にて密
封して成るカンシール型の半導体レーザ装置の改良に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor laser device using a semiconductor laser chip as a light emitting element of a laser. It is about improvement.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のカンシール型の半導体レーザ装
置は、金属製ステムに一体的に造形したブロック体に、
半導体レーザチップをダイボンディングし、この半導体
レーザチップの部分に、ガラス板等の透明板を備えた金
属製のキャップ体を被嵌し、該キャップ体を前記ステム
に対して固着して封止することにより、前記半導体レー
ザチップが大気中の湿度等によって劣化することを防止
すると共に、半導体レーザチップを外部衝撃等から保護
し、更に、前記ステムに穿設した貫通孔から、リード端
子をキャップ体内に挿入し、このリード端子をステムに
対して、絶縁シール状態に固着した構成になっているこ
とは周知の通りである。
2. Description of the Related Art A can-seal type semiconductor laser device of this type comprises a block formed integrally with a metal stem.
A semiconductor laser chip is die-bonded, a metal cap body provided with a transparent plate such as a glass plate is fitted to the semiconductor laser chip portion, and the cap body is fixed to the stem and sealed. This prevents the semiconductor laser chip from deteriorating due to atmospheric humidity and the like, protects the semiconductor laser chip from external impacts and the like, and furthermore, leads the lead terminal from the through hole formed in the stem to the inside of the cap. It is well known that the lead terminal is fixed to the stem in an insulating sealing state.

【0003】そして、前記リード端子をステムに絶縁シ
ール状態に固着する手段として従来は、ガラスシール材
を筒状に形成して、これを、リード端子に被嵌した状態
でステムの貫通孔に挿通してから、約900℃程度で加
熱・焼成すると言う方法(いわゆるハーメチックシール
法)が採用されていた。
Conventionally, as a means for fixing the lead terminal to the stem in an insulating sealing state, a glass sealing material is formed in a cylindrical shape, and this is inserted into a through hole of the stem while being fitted to the lead terminal. Then, a method of heating and firing at about 900 ° C. (a so-called hermetic sealing method) has been adopted.

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】しかし、このシール方
法では、貫通孔を確実に密封できると言う利点を有する
反面、筒状のガラスシール材を製造する工程と、高温で
の焼成工程とに多大の手間を要することに加えて、高温
での焼成によって変色したステムに対して、酸洗いした
のちニッケルメッキを施すという後処理工程を必要とす
るため、リード端子をステムに固着することに要するコ
ストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅に高くなる
と言う問題があった。
However, this sealing method has an advantage that the through-hole can be securely sealed, but on the other hand, it requires a great deal of steps for manufacturing a cylindrical glass sealing material and firing at a high temperature. In addition to the need for labor, the post-processing step of applying nickel plating after pickling the stem that has been discolored by baking at a high temperature is required, so the cost required for fixing the lead terminals to the stem is required. However, there has been a problem that the cost of the semiconductor laser device is significantly increased.

【0005】この問題に対しては、リード端子を、ステ
ムに対して、合成樹脂等の接着材にて接着することが考
えられ、このように接着材にて接着すると、ガラスシー
ル材を製造する工程、及び後処理としての酸洗い及びメ
ッキ工程を必要としないので、製造コストを大幅に低減
できる。しかし、ステムに対するリード端子の固着強度
を高くするためには、当該接着剤として、乾燥によって
硬化する硬質の接着剤を使用しなければならないが、硬
質の接着剤を使用すると、この硬質の接着剤には、当該
接着剤とステムとの間の熱膨張差、及び当該接着剤とリ
ード端子との間の熱膨張差等によって、微細な亀裂又は
隙間が無数に発生することになるから、キャップ体内に
おける気密状態が低下すると言う問題がある。
In order to solve this problem, it is conceivable to bond the lead terminals to the stem with an adhesive such as a synthetic resin or the like. Since the process and the pickling and plating steps as post-processing are not required, the manufacturing cost can be significantly reduced. However, in order to increase the bonding strength of the lead terminal to the stem, a hard adhesive that cures by drying must be used as the adhesive. However, if a hard adhesive is used, this hard adhesive is used. Infinite number of minute cracks or gaps occur due to the difference in thermal expansion between the adhesive and the stem and the difference in thermal expansion between the adhesive and the lead terminal. However, there is a problem that the hermetic state is reduced.

【0006】本考案は、リード端子の固着強度と、ステ
ムにおける貫通孔の箇所のシール性とを保持したカンシ
ール型の半導体レーザ装置を、低コストで製造できる形
態にして提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a can-seal type semiconductor laser device which maintains the fixing strength of a lead terminal and the sealing property of a through hole in a stem in a form which can be manufactured at low cost. Things.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本考案は、「上面側に半導体レーザチップを設けたステ
ムと、該ステムの上面に前記半導体レーザチップを覆う
ように固着したキャップ体とを備え、前記ステムに穿設
した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成
る半導体レーザ装置において、前記リード端子を、前記
ステムにおける貫通孔の箇所に対して、硬質の接着剤層
と非透湿性で軟質の接着剤層とを、前記貫通孔内のうち
ステムの上面側への開口部に硬質の接着剤層をステムの
下面側への開口部に軟質の接着剤層を各々充填するよう
に重ねて成る二つの接着剤層にて接着し、更に、前記硬
質の接着剤層を、ステムの上面から盛り上がるようにす
る。」と言う構成にした。
In order to achieve the above object, the present invention provides a stem having a semiconductor laser chip provided on an upper surface side and a cap body fixed on the upper surface of the stem so as to cover the semiconductor laser chip. A semiconductor laser device comprising a lead terminal inserted into a cap body through a through hole formed in the stem, wherein the lead terminal is connected to a hard adhesive layer with respect to a position of the through hole in the stem. A moisture-permeable and soft adhesive layer is filled with a hard adhesive layer in an opening on the upper surface side of the stem and a soft adhesive layer in an opening on the lower surface side of the stem in the through hole. In this manner, the two adhesive layers are superposed one on the other, and the hard adhesive layer is raised from the upper surface of the stem. "

【0008】[0008]

【考案の作用・効果】このように構成すると、リード端
子は、ステムに対して、硬質の接着剤層にて強固に接着
される一方、硬質の接着剤層に熱膨張差等によって微細
な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤層が、
硬質の合成樹脂の熱膨張に追従して変形することによ
り、ステムにおける貫通孔を密封した状態に保持できる
から、硬質の接着剤層の亀裂又は隙間の発生に関係な
く、キャップ体の内部を長期間密封状態に保持して、半
導体レーザチップの耐久性を向上できることになる。
With this configuration, the lead terminals are firmly bonded to the stem with a hard adhesive layer, while the lead terminals are finely cracked due to a difference in thermal expansion or the like to the hard adhesive layer. Or even if many gaps occur, the soft adhesive layer,
By deforming following the thermal expansion of the hard synthetic resin, the through hole in the stem can be maintained in a sealed state, so that the inside of the cap body can be lengthened regardless of the occurrence of cracks or gaps in the hard adhesive layer. By maintaining the sealed state for a period, the durability of the semiconductor laser chip can be improved.

【0009】この場合において、前記硬質の接着剤層を
貫通孔内のうちステムの上面側への開口部に充填するこ
とに加え、この硬質の接着剤層を、ステムの上面から盛
り上がるように構成したことにより、前記リード端子の
うちステムの上面側、つまり、キャップ体への突出する
部分を、その付け根部において前記のように盛り上がる
硬質の接着剤層にて強固に支持することができ、このリ
ード端子と半導体レーザチップとの間を金属線にてワイ
ヤーボインディングするに際して、当該リード端子が変
形すること及び振れ動くことを確実に低減できるから、
このリード端子に対する金属線の接合不良、つまり、ワ
イヤーボインディングのミスが発生することを確実に低
減できるのである。
In this case, in addition to filling the hard adhesive layer into the opening in the through hole toward the upper surface of the stem, the hard adhesive layer is configured to rise from the upper surface of the stem. By doing so, the upper surface side of the stem of the lead terminal, that is, the portion protruding to the cap body can be firmly supported by the hard adhesive layer which swells at the base portion as described above. When performing wire binding between the lead terminal and the semiconductor laser chip with a metal wire, it is possible to reliably reduce deformation and swinging of the lead terminal,
Poor bonding of the metal wire to the lead terminal, that is, occurrence of a wire binding error can be reliably reduced.

【0010】従って、本考案によれば、ステムにおける
貫通孔の箇所に接着剤を塗着するだけの簡単な工程に
て、リード端子をステムに強固に固着できるものであり
ながら、ステムにおける貫通孔を確実に密封できて、半
導体レーザチップの耐久性を、低コストで確実に確保で
きると共に、ワイヤボンディングのミスが少なくできる
ことで、コストを更に低減できる効果を有する。
Therefore, according to the present invention, the lead terminal can be firmly fixed to the stem by a simple process of applying an adhesive to the portion of the through hole in the stem. Can be reliably sealed, the durability of the semiconductor laser chip can be reliably ensured at low cost, and the wire bonding error can be reduced, so that the cost can be further reduced.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本考案の実施例を図面について説明す
る。図1〜図3に示すのは第1の実施例であり、これら
の図において符号1は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形
成したステム2と、上端に窓孔を穿設したキャップ体体
3とを備えた半導体レーザ装置を示し、前記キャップ体
3の内面には、前記窓孔を塞ぐガラス等の透明板4が固
着されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 to 3 show a first embodiment. In these figures, reference numeral 1 designates a disk-shaped stem 2 made of metal such as carbon steel, and a cap having a window hole formed at the upper end. 5 shows a semiconductor laser device including a body 3, and a transparent plate 4 made of glass or the like that closes the window hole is fixed to an inner surface of the cap body 3.

【0012】前記ステム2の上面には、ブロック体5を
一体的に設けており、このブロック体5の側面に、半導
体レーザチップ6を、モニター用フォトダイオード(図
示せず)付き半導体基板7を介してダイボンディングす
る一方、前記半導体レーザチップ6に対する三本のリー
ド端子8,9,9のうち一本のリード端子8を、前記ス
テム2の下面に溶接にて固着し、他の二本のリード端子
9,9は、ステム2に穿設した貫通孔10,10からキ
ャップ体3の内部に挿入し、以下のような手段でステム
2に固着している。
A block 5 is integrally provided on the upper surface of the stem 2. A semiconductor laser chip 6 and a semiconductor substrate 7 with a monitoring photodiode (not shown) are provided on the side of the block 5. And one of the three lead terminals 8, 9, 9 for the semiconductor laser chip 6 is fixed to the lower surface of the stem 2 by welding, and the other two are bonded. The lead terminals 9, 9 are inserted into the inside of the cap body 3 through the through holes 10, 10 formed in the stem 2, and are fixed to the stem 2 by the following means.

【0013】すなわち、前記貫通孔10内のうちステム
2の上面側への開口部を部分的に大径孔10aを形成し
て、この大径孔10a内に、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂やUV樹脂等の硬質合成樹脂から成る硬質の接着剤
層11を、当該硬質の接着剤層11がステム2の上面に
盛り上がるように充填する一方、前記貫通孔10内のう
ちステム2の下面側への開口部内に、シリコン系樹脂と
かフッ素系樹脂又はゴムのように硬化することなく非透
湿性と接着性とを有する素材から成る軟質の接着剤12
を充填して、これらリード端子9の軸線方向に重なった
軟硬2層の接着剤層11,12にて、リード端子9をス
テム2に接着する。
That is, a large-diameter hole 10a is partially formed in the through-hole 10 on the upper surface side of the stem 2, and a thermosetting resin such as an epoxy resin is formed in the large-diameter hole 10a. A hard adhesive layer 11 made of a hard synthetic resin such as UV or UV resin is filled so that the hard adhesive layer 11 swells on the upper surface of the stem 2, and the lower surface side of the stem 2 in the through hole 10. A soft adhesive 12 made of a material having non-moisture-permeable and adhesive properties without being cured, such as a silicone resin or a fluorine resin or rubber.
And the lead terminal 9 is bonded to the stem 2 by two soft and hard adhesive layers 11 and 12 which are overlapped in the axial direction of the lead terminal 9.

【0014】なお、本実施例の場合、前記半導体レーザ
チップ6と半導体基板7との間、及び、前記半導体基板
7と各リード端子9,9の先端との間の各々は、細い金
属線13,14によるワイヤボンディングにて接続され
ている。前記キャップ体3は、前記ブロック体5に被嵌
したのち、当該キャップ体3の下端に形成した外向きフ
ランジ部3aの全周を前記ステム2の上面に対して抵抗
溶接することによって、ステム2に固着されている。ま
た、透明板4をキャップ体3に固着するに当たっては、
透明板4の外周面とキャップ体3の内周面との間に、硬
質の接着剤層11を環状に形成し、且つ、キャップ体3
の内向きフランジ3bと透明板4の上面との間に、軟質
の接着剤層12を設け、これら軟硬2層の接着剤層1
1,12にて接着している。
In the case of this embodiment, the thin metal wires 13 are provided between the semiconductor laser chip 6 and the semiconductor substrate 7 and between the semiconductor substrate 7 and the tips of the lead terminals 9 and 9, respectively. , 14 are connected by wire bonding. After the cap body 3 is fitted to the block body 5, the entire periphery of the outward flange portion 3 a formed at the lower end of the cap body 3 is resistance-welded to the upper surface of the stem 2, thereby forming the stem 2. It is stuck to. In fixing the transparent plate 4 to the cap body 3,
A hard adhesive layer 11 is formed annularly between the outer peripheral surface of the transparent plate 4 and the inner peripheral surface of the cap body 3, and
A soft adhesive layer 12 is provided between the inward flange 3b of the transparent plate 4 and the upper surface of the transparent plate 4.
Adhered at 1,12.

【0015】以上のように、リード端子9を、ステム2
における貫通孔10に対して、軟硬2層の接着剤層1
1,12にて接着すると、リード端子8を、硬質の接着
剤層11にてステム2に対して強固に固着することがで
きる一方、この硬質の接着剤層11に熱膨張差等によっ
て微細な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤
層12が、硬質の接着剤層11の熱膨張に追従して変形
することにより、貫通孔10を密封した状態が維持され
るから、キャップ体3の内部を、高い気密状態に確実に
保持することができるのである。
As described above, the lead terminal 9 is connected to the stem 2
Adhesive layer 1 of two layers of soft and hard
When the lead terminals 8 are adhered to each other, the lead terminals 8 can be firmly fixed to the stem 2 with the hard adhesive layer 11, while the lead terminals 8 are finely bonded to the hard adhesive layer 11 by a difference in thermal expansion or the like. Even if many cracks or gaps occur, the soft adhesive layer 12 is deformed following the thermal expansion of the hard adhesive layer 11, so that the through hole 10 is maintained in a sealed state. The inside of the body 3 can be reliably maintained in a highly airtight state.

【0016】しかも、前記硬質の接着剤層11を貫通孔
内のうちステム2の上面側への開口部に充填することに
加え、この硬質の接着剤層11を、ステム2の上面から
盛り上がるように構成したことにより、前記リード端子
9のうちステム2の上面側、つまり、キャップ体3への
突出する部分を、その付け根部において前記のように盛
り上がる硬質の接着剤層11にて強固に支持することが
でき、このリード端子9と半導体基板7との間を金属線
14にてワイヤーボインディングするに際して、当該リ
ード端子9が変形すること及び振れ動くことを確実に低
減できるから、このリード端子9に対する金属線14の
接合不良、つまり、ワイヤーボインディングのミスが発
生することを確実に低減できるのである。
Moreover, in addition to filling the hard adhesive layer 11 into the opening in the through hole toward the upper surface of the stem 2, the hard adhesive layer 11 is raised from the upper surface of the stem 2. By virtue of this configuration, the upper side of the stem 2 of the lead terminal 9, that is, the portion protruding to the cap body 3, is firmly supported by the hard adhesive layer 11 bulging as described above at the base thereof. When wire bonding is performed between the lead terminal 9 and the semiconductor substrate 7 with the metal wire 14, deformation and swinging of the lead terminal 9 can be reliably reduced. This makes it possible to reliably reduce the occurrence of poor bonding of the metal wire 14 to the metal wire 9, that is, the occurrence of a wire binding error.

【0017】図4に示す第2の実施例は、貫通孔10内
のうちステム2の上面側への開口部を、テーパ孔10b
に形成して、このテーパ孔10b内に、硬質の接着剤層
11を、当該硬質の接着剤層11がテスム2の上面に盛
り上がるように充填する一方、前記貫通孔10内のうち
ステム2の下面側への開口部に、軟質の接着剤層12を
充填したものであり、この構成によっても、前記と同様
な効果を得ることができる。なお、この実施例では、リ
ード端子9のうち硬質の接着剤層11に密着する部位に
切り欠き13を形成して、リード端子9の抜けを防止し
ているが、他の実施例においても、リード端子9に切り
欠き13を形成しても良いことは言うまでもない。
In the second embodiment shown in FIG. 4, an opening in the through hole 10 on the upper surface side of the stem 2 is formed by a tapered hole 10b.
And the hard adhesive layer 11 is filled in the tapered hole 10b so that the hard adhesive layer 11 is raised on the upper surface of the test 2, while the stem 2 of the stem 2 in the through hole 10 is filled. The opening on the lower surface side is filled with a soft adhesive layer 12, and the same effect as described above can be obtained with this configuration. In this embodiment, the notch 13 is formed in a portion of the lead terminal 9 which is in close contact with the hard adhesive layer 11 to prevent the lead terminal 9 from coming off. However, in other embodiments, It goes without saying that the notch 13 may be formed in the lead terminal 9.

【0018】上記の各実施例は、リード端子を断面円形
のピン形に形成した場合であったが、リード端子8,9
は断面角形であっても良いことは言うまでもない。
In each of the above embodiments, the lead terminals are formed in a pin shape having a circular cross section.
It is needless to say that may be square in cross section.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施例を示す正断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing a first embodiment.

【図2】図1のII−II視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】図1のIII −III 視断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of FIG.

【図4】第2の実施例を示す正断面図である。FIG. 4 is a front sectional view showing a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ装置 2 ステム 3 キャップ体 4 透明板 6 半導体レーザチップ 7 半導体基板 8,9 リード端子 10 貫通孔 11 硬質の接着剤層 12 軟質の接着剤層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser device 2 Stem 3 Cap body 4 Transparent plate 6 Semiconductor laser chip 7 Semiconductor substrate 8, 9 Lead terminal 10 Through hole 11 Hard adhesive layer 12 Soft adhesive layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−196291(JP,A) 特開 平1−143284(JP,A) 実開 昭63−167766(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/18 H01L 33/00 H01L 23/02────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-196291 (JP, A) JP-A-1-143284 (JP, A) JP-A 63-167766 (JP, U) (58) Survey Field (Int.Cl. 6 , DB name) H01S 3/18 H01L 33/00 H01L 23/02

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】上面側に半導体レーザチップを設けたステ
ムと、該ステムの上面に前記半導体レーザチップを覆う
ように固着したキャップ体とを備え、前記ステムに穿設
した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成
る半導体レーザ装置において、 前記リード端子を、前記ステムにおける貫通孔の箇所に
対して、硬質の接着剤層と非透湿性で軟質の接着剤層と
、前記貫通孔内のうちステムの上面側への開口部に硬
質の接着剤層をステムの下面側への開口部に軟質の接着
剤層を各々充填するように重ねて成る二つの接着剤層に
て接着し、更に、前記硬質の接着剤層を、ステムの上面
から盛り上がるように構成したことを特徴とする半導体
レーザ装置。
[1 claim: a stem having a semiconductor laser chip on the upper surface side, and a cap member which is fixed so as to cover the semiconductor laser chip on the upper surface of the stem, from the through hole in the cap body which is formed in the stem in the semiconductor laser device formed by inserting the lead terminals, the lead terminals, to sections of the through-holes in the stem, soft in the adhesive layer and the moisture impermeable hard and adhesive layer, the through hole Of the opening on the upper side of the stem
Adhesive layer of soft adhesive at the opening on the bottom side of the stem
Into two adhesive layers that are stacked to fill
And bonding the hard adhesive layer to the upper surface of the stem.
A semiconductor laser device characterized in that the semiconductor laser device is configured to swell .
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