JP2555784B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2555784B2 JP2555784B2 JP3016144A JP1614491A JP2555784B2 JP 2555784 B2 JP2555784 B2 JP 2555784B2 JP 3016144 A JP3016144 A JP 3016144A JP 1614491 A JP1614491 A JP 1614491A JP 2555784 B2 JP2555784 B2 JP 2555784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- exposure
- pattern
- exposure data
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特に露光工程で発生するパターン寸法不良の発生
原因を識別する方法に関する。
係り，特に露光工程で発生するパターン寸法不良の発生
原因を識別する方法に関する。
【０００２】近年，半導体装置の高集積化にともない，
正確なパターン寸法が要求されている。そのために，発
生した寸法不良の原因を容易にかつ速やかに発見して対
策を行うことが必要である。
正確なパターン寸法が要求されている。そのために，発
生した寸法不良の原因を容易にかつ速やかに発見して対
策を行うことが必要である。
【０００３】本発明はこの必要性に対応したパターン寸
法不良の発生原因を識別する方法として利用できる。
法不良の発生原因を識別する方法として利用できる。
【０００４】
【従来の技術】露光工程で発生するパターン寸法不良
は，露光データの誤りか，あるいは露光工程のプロセス
条件の異常に起因して発生する。
は，露光データの誤りか，あるいは露光工程のプロセス
条件の異常に起因して発生する。
【０００５】したがって，従来のパターン寸法不良の解
析は露光データの見直しとプロセス条件のチェックの両
方を行っていた。このため，不良解析に時間がかかり，
製造のスループットを落としていた。
析は露光データの見直しとプロセス条件のチェックの両
方を行っていた。このため，不良解析に時間がかかり，
製造のスループットを落としていた。
【０００６】また，少々の寸法不良は露光条件の変更で
処理していた。例えば，所望の正規の寸法より細い場合
は露光量を増して線幅を太くすることにより修正を行っ
ている。
処理していた。例えば，所望の正規の寸法より細い場合
は露光量を増して線幅を太くすることにより修正を行っ
ている。
【０００７】この例として，５μｍの線幅の要求に対し
て実際には4.8 μｍであった。この際は露光量 9μCA/c
m2を12 9μCA/cm2に上げて正規のせんはばに近づける。
て実際には4.8 μｍであった。この際は露光量 9μCA/c
m2を12 9μCA/cm2に上げて正規のせんはばに近づける。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来例で
は寸法不良の真の原因が何に起因するかの発見に時間が
かかるという問題があった。
は寸法不良の真の原因が何に起因するかの発見に時間が
かかるという問題があった。
【０００９】本発明はパターン寸法不良の原因が露光デ
ータかプロセス条件にあるのかを簡単に識別できる方法
を提供することを目的とする。
ータかプロセス条件にあるのかを簡単に識別できる方法
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）露光装置に所定のパターンを持つ基準マークを発生
させて，露光データから露光したマークと該基準マーク
を被露光基板上に形成し，両マークの寸法測定の結果を
比較して，パターンの寸法不良が露光データに起因する
のかあるいは製造プロセスに起因するのかを特定する半
導体装置の製造方法，あるいは， ２）前記基準マークが露光データから露光したマークと
同じ線幅を有するパターンを含むことを特徴とする前記
１）記載の半導体装置の製造方法により達成される。
させて，露光データから露光したマークと該基準マーク
を被露光基板上に形成し，両マークの寸法測定の結果を
比較して，パターンの寸法不良が露光データに起因する
のかあるいは製造プロセスに起因するのかを特定する半
導体装置の製造方法，あるいは， ２）前記基準マークが露光データから露光したマークと
同じ線幅を有するパターンを含むことを特徴とする前記
１）記載の半導体装置の製造方法により達成される。
【００１１】
【作用】本発明は，露光データによるパターン露光とは
別に露光装置にある一定のパターンを持つ基準マークを
発生させて，露光データから露光したマークとこの基準
マークの寸法測定の結果を比較して，パターン寸法不良
の原因が露光データかプロセス条件にあるのかを識別す
るものである。
別に露光装置にある一定のパターンを持つ基準マークを
発生させて，露光データから露光したマークとこの基準
マークの寸法測定の結果を比較して，パターン寸法不良
の原因が露光データかプロセス条件にあるのかを識別す
るものである。
【００１２】図１(A),(B) は本発明の原理説明図であ
る。図において，マークＡは露光データから露光したマ
ーク，マークＢは露光装置から発生させた基準マークを
示す。
る。図において，マークＡは露光データから露光したマ
ーク，マークＢは露光装置から発生させた基準マークを
示す。
【００１３】ここで，本来のマークの所望寸法をｂとす
ると，図１(A) では，マークＡ，マークＢとも寸法はａ
で，両マークとも寸法不良が生じている場合である。こ
の場合は，製造プロセスで異常があることになる。
ると，図１(A) では，マークＡ，マークＢとも寸法はａ
で，両マークとも寸法不良が生じている場合である。こ
の場合は，製造プロセスで異常があることになる。
【００１４】図１(B) はマークＢの寸法はｂで正常で，
マークＡの寸法はａで寸法不良が生じている場合であ
る。この場合は，露光データに異常があることになる。
つぎに, さらに詳しく具体例について説明する。
マークＡの寸法はａで寸法不良が生じている場合であ
る。この場合は，露光データに異常があることになる。
つぎに, さらに詳しく具体例について説明する。
【００１５】露光データから作成されるマークＡは, デ
ータ作成する際にシフト, リダクション等をパターンに
対して与える。例えば,設計データが１μｍのパターン
をデータ処理して露光データ（レチクル上）を作成する
際, ５倍のレチクルを用いてシフトが−0.2 μｍである
と露光データは4.8 μｍとなる。
ータ作成する際にシフト, リダクション等をパターンに
対して与える。例えば,設計データが１μｍのパターン
をデータ処理して露光データ（レチクル上）を作成する
際, ５倍のレチクルを用いてシフトが−0.2 μｍである
と露光データは4.8 μｍとなる。
【００１６】これに対して, 露光装置から発生するマー
クＢは常に一定の寸法を持たせる。例えば, 常にレチク
ル上で５μｍとする。この場合以上原因の判定結果はつ
ぎの４通りとなる。 ケース(1) マークＡ 4.8 μｍ マークＢ 5.0 μｍ の場合は正常である。 ケース(2) マークＡ 5.0 μｍ マークＢ 5.0 μｍ の場合は露光データのミスである。 ケース(3） マークＡ 5.0 μｍ マークＢ 5.2 μｍ の場合は製造プロセスの異常である。 ケース(4） マークＡ 5.2 μｍ マークＢ 5.2 μｍ の場合は露光データ, 製造プロセスの異常である。
クＢは常に一定の寸法を持たせる。例えば, 常にレチク
ル上で５μｍとする。この場合以上原因の判定結果はつ
ぎの４通りとなる。 ケース(1) マークＡ 4.8 μｍ マークＢ 5.0 μｍ の場合は正常である。 ケース(2) マークＡ 5.0 μｍ マークＢ 5.0 μｍ の場合は露光データのミスである。 ケース(3） マークＡ 5.0 μｍ マークＢ 5.2 μｍ の場合は製造プロセスの異常である。 ケース(4） マークＡ 5.2 μｍ マークＢ 5.2 μｍ の場合は露光データ, 製造プロセスの異常である。
【００１７】
【実施例】図２は本発明の一実施例を説明するマークの
平面図である。ここで，マークＡの線幅寸法は露光デー
タにおいて３μｍ（本来の所望寸法）である。
平面図である。ここで，マークＡの線幅寸法は露光デー
タにおいて３μｍ（本来の所望寸法）である。
【００１８】一方，マークＢは常に２，３，４μｍの線
幅寸法を発生させている。ここで，マークの実測結果は
以下のようであった。 マークＡは2.7 μｍ, マークＢは 1.7, 2.7, 3.7μｍ. したがって, この例では製造プロセスに異常があること
が分かる。
幅寸法を発生させている。ここで，マークの実測結果は
以下のようであった。 マークＡは2.7 μｍ, マークＢは 1.7, 2.7, 3.7μｍ. したがって, この例では製造プロセスに異常があること
が分かる。
【００１９】ここで，製造プロセスの異常例としては,
露光装置の露光量変化, 現像装置の異常（ベーク温度，
ウエハの回転速度，現像液の劣化等），エッチング装置
の異常（ベーク温度，エッチング液の劣化，エッチング
液除去能力の差，プラズマ発生状態の変化等）等があ
る。
露光装置の露光量変化, 現像装置の異常（ベーク温度，
ウエハの回転速度，現像液の劣化等），エッチング装置
の異常（ベーク温度，エッチング液の劣化，エッチング
液除去能力の差，プラズマ発生状態の変化等）等があ
る。
【００２０】つぎに，マークＢの発生について説明す
る。図３は露光装置からのマークＢパターンの発生方法
を説明するブロック図である。
る。図３は露光装置からのマークＢパターンの発生方法
を説明するブロック図である。
【００２１】図の鎖線に囲まれた部分が露光装置であ
る。通常パターンの露光はつぎのように行われる。露光
データ（磁気テープ）１が露光装置内のバッファメモリ
（磁気ディスク）２に入力され，このデータにしたがっ
てパターンゼネレータ４によりパターンを発生させ，D/
A コンバータ５によりアナログデータに変換されて露光
される。
る。通常パターンの露光はつぎのように行われる。露光
データ（磁気テープ）１が露光装置内のバッファメモリ
（磁気ディスク）２に入力され，このデータにしたがっ
てパターンゼネレータ４によりパターンを発生させ，D/
A コンバータ５によりアナログデータに変換されて露光
される。
【００２２】本発明では露光装置内にマークＢライブラ
リ（磁気ディスク）３を持ち，このデータはパターンゼ
ネレータ４に入力され，露光データと同時に露光され
る。
リ（磁気ディスク）３を持ち，このデータはパターンゼ
ネレータ４に入力され，露光データと同時に露光され
る。
【００２３】
【発明の効果】パターン寸法不良の原因が露光データか
プロセス条件にあるのかを簡単に識別できる方法が得ら
れた。
プロセス条件にあるのかを簡単に識別できる方法が得ら
れた。
【００２４】この結果, 不良解析に要する時間が短縮さ
れ，製造歩留とスループットの向上に寄与することがで
きた。
れ，製造歩留とスループットの向上に寄与することがで
きた。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例を説明するマークの平面図
【図３】 露光装置からのマークＢパターンの発生方法
を説明するブロック図
を説明するブロック図
Ａ 露光データから露光したマーク Ｂ 露光装置から発生させた基準マーク ａ 寸法の不良値 ｂ 寸法の本来の値（所望値）
Claims (2)
- 【請求項１】 露光装置に所定のパターンを持つ基準マ
ークを発生させて，露光データから露光したマークと該
基準マークを被露光基板上に形成し，両マークの寸法測
定の結果を比較して，パターンの寸法不良が露光データ
に起因するのかあるいは製造プロセスに起因するのかを
特定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記基準マークが露光データから露光し
たマークと同じ線幅を有するパターンを含むことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016144A JP2555784B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016144A JP2555784B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255212A JPH04255212A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2555784B2 true JP2555784B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11908306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016144A Expired - Fee Related JP2555784B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555784B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016144A patent/JP2555784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04255212A (ja) | 1992-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0466335B1 (en) | Process of manufacturing semiconductor devices | |
| KR102124896B1 (ko) | 처리 파라미터의 간접 결정 | |
| US10642161B1 (en) | Baseline overlay control with residual noise reduction | |
| US6215896B1 (en) | System for enabling the real-time detection of focus-related defects | |
| US5776640A (en) | Photo mask for a process margin test and a method for performing a process margin test using the same | |
| JP3352354B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
| JP2007073910A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、検証プログラム及び検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| US20150116686A1 (en) | Edge-dominant alignment method in exposure scanner system | |
| JP2555784B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20090094763A (ko) | 포토마스크의 디자인방법 및 포토마스크를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법 | |
| US20220382163A1 (en) | Multi-step process inspection method | |
| JP2003017386A (ja) | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2001174977A (ja) | 露光パターン及び露光原版の検査方法 | |
| US7127359B2 (en) | Real-time mathematical model for wafer spin defect detection and for misalignment analyses | |
| JP2564440B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法 | |
| JPH0864502A (ja) | 半導体装置製造用フォトマスク | |
| US6228661B1 (en) | Method to determine the dark-to-clear exposure dose for the swing curve | |
| EP4231096A1 (en) | Methods of metrology | |
| JPS60107832A (ja) | 電子線描画方法 | |
| US7643126B2 (en) | Method of setting focus condition at time of exposure, apparatus for setting focus condition at time of exposure, program, and computer readable recording medium | |
| JPH0258777B2 (ja) | ||
| JP4208353B2 (ja) | 露光装置および方法 | |
| KR100688721B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 오버레이 측정 방법 | |
| JPH0414812A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |