JP2555668B2 - 光ディスク記録装置 - Google Patents
光ディスク記録装置Info
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- JP2555668B2 JP2555668B2 JP63018428A JP1842888A JP2555668B2 JP 2555668 B2 JP2555668 B2 JP 2555668B2 JP 63018428 A JP63018428 A JP 63018428A JP 1842888 A JP1842888 A JP 1842888A JP 2555668 B2 JP2555668 B2 JP 2555668B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ光によりディスク上にピットを形
成してデータの記録を行なうマーク長記録方式の光ディ
スク記録装置に関し、ピット長（光スポット進行方向の
長さ）あるいはブランク長（ピットとピットの間にある
ブランク部の光スポット進行方向の長さ）の誤差を少な
くすることにより、再生信号中のジッタを減少させて、
S/Nの向上等により再生信号の品位を高めたものであ
る。
成してデータの記録を行なうマーク長記録方式の光ディ
スク記録装置に関し、ピット長（光スポット進行方向の
長さ）あるいはブランク長（ピットとピットの間にある
ブランク部の光スポット進行方向の長さ）の誤差を少な
くすることにより、再生信号中のジッタを減少させて、
S/Nの向上等により再生信号の品位を高めたものであ
る。
コンパクトディスク（CD）、ビデオディスク等の原盤
や文書ファイル用ディスクメモリとして書込可能なDRAW
（追記形）ディスク等は、テルル、ビスマス等の記録膜
を均一に塗布したディスクを回転速度一定または線速度
一定で回転し、レーザ光により該膜を溶融してピットを
形成し、上方の記録を行なう。従来においては、この記
録を行なう場合、第２図に示すようなレーザ発生回路が
用いられていた。
や文書ファイル用ディスクメモリとして書込可能なDRAW
（追記形）ディスク等は、テルル、ビスマス等の記録膜
を均一に塗布したディスクを回転速度一定または線速度
一定で回転し、レーザ光により該膜を溶融してピットを
形成し、上方の記録を行なう。従来においては、この記
録を行なう場合、第２図に示すようなレーザ発生回路が
用いられていた。
第２図において、トランジスタTr1,Tr2は差動スイッ
チを構成し、共通エミッタはトランジスタTr3および抵
抗Rpを介して電源−VCCに接続されている。
チを構成し、共通エミッタはトランジスタTr3および抵
抗Rpを介して電源−VCCに接続されている。
レーザダイオードLDはトランジスタTr2のコレクタと
アース間に挿入されている。また、トランジスタTr2の
コレクタと電源−VCC間にはレーザダイオードLDのバイ
アス電流ＩBを決定するバイアス回路10が接続されてい
る。このバイアス回路10は、トランジスタTr2がオフの
とき（すなわちブランク部を形成するときまたは非記録
時すなわち再生するとき）にレーザダイオードLDに一定
のバイアス電流ＩBを与えて、記録膜を溶融しない程度
のバイアス光を発光させるためのものである。また、ト
ランジスタTr3のベースに印加される電圧Vpは、レーザ
ダイオード記録光出力サーボ回路（図示せず）からの制
御電圧であり、この電圧Vpと抵抗Rpでレーザダイオード
LDに流れる記録用基本電流値Ipが決定される。同時にこ
の電流値Ipは温度変化等に伴ない充分大きい時定数を有
して増加減少することによりレーザダイオード記録光出
力を一定化させている。
アース間に挿入されている。また、トランジスタTr2の
コレクタと電源−VCC間にはレーザダイオードLDのバイ
アス電流ＩBを決定するバイアス回路10が接続されてい
る。このバイアス回路10は、トランジスタTr2がオフの
とき（すなわちブランク部を形成するときまたは非記録
時すなわち再生するとき）にレーザダイオードLDに一定
のバイアス電流ＩBを与えて、記録膜を溶融しない程度
のバイアス光を発光させるためのものである。また、ト
ランジスタTr3のベースに印加される電圧Vpは、レーザ
ダイオード記録光出力サーボ回路（図示せず）からの制
御電圧であり、この電圧Vpと抵抗Rpでレーザダイオード
LDに流れる記録用基本電流値Ipが決定される。同時にこ
の電流値Ipは温度変化等に伴ない充分大きい時定数を有
して増加減少することによりレーザダイオード記録光出
力を一定化させている。
記録すべき“1",“0"の論理値データは、トランジス
タTr1のベースに入力される。論理値“1"が入力された
場合はトランジスタTr1はオン、トランジスタTr2はオフ
されてレーザダイオードLDはバイアス電流ＩBのみで駆
動されピット記録は行なわれない。すなわちピットとピ
ットの間のブランク部が形成される。論理値“0"が入力
された場合はトランジスタTr1はオフ、トランジスタTr2
はオンされてレーザダイオードLDは記録用電流値ＩP＋
バイアス電流値ＩBで駆動され、記録膜の溶融がなされ
ピットが形成される。
タTr1のベースに入力される。論理値“1"が入力された
場合はトランジスタTr1はオン、トランジスタTr2はオフ
されてレーザダイオードLDはバイアス電流ＩBのみで駆
動されピット記録は行なわれない。すなわちピットとピ
ットの間のブランク部が形成される。論理値“0"が入力
された場合はトランジスタTr1はオフ、トランジスタTr2
はオンされてレーザダイオードLDは記録用電流値ＩP＋
バイアス電流値ＩBで駆動され、記録膜の溶融がなされ
ピットが形成される。
なお、バイアス光を発光させるのは、１つには、ブラ
ンク部でレーザ光出力を完全に０にしてしまうと、次の
ピットの始端が後方にずれ易くなることを防止するため
である。すなわち、ブランク部でレーザ光出力を完全に
０にしてしまうと、ディスクはブランク部でレーザ光照
射が完全に遮断されて冷却されるため、次にレーザ光照
射が開始されても即座には記録膜の溶融が開始されな
い。これらの原因によりピット始端が後方にずれて、ピ
ット長、ブランク長に誤差が生じ、再生信号がジッタを
多く含むものとなる。バイアス光で予熱しておくことに
より、冷却の度合は減少する。また１つには、このバイ
アス光が、読取用のレーザ光照射となるのでその都度、
バイアス光をオンオフする必要がないことである。
ンク部でレーザ光出力を完全に０にしてしまうと、次の
ピットの始端が後方にずれ易くなることを防止するため
である。すなわち、ブランク部でレーザ光出力を完全に
０にしてしまうと、ディスクはブランク部でレーザ光照
射が完全に遮断されて冷却されるため、次にレーザ光照
射が開始されても即座には記録膜の溶融が開始されな
い。これらの原因によりピット始端が後方にずれて、ピ
ット長、ブランク長に誤差が生じ、再生信号がジッタを
多く含むものとなる。バイアス光で予熱しておくことに
より、冷却の度合は減少する。また１つには、このバイ
アス光が、読取用のレーザ光照射となるのでその都度、
バイアス光をオンオフする必要がないことである。
なお、第３図は、第２図のレーザ発生回路によるレー
ザ光照射の一例を示したものである。
ザ光照射の一例を示したものである。
以上のように、ピットを形成する際に、ブランク部で
バイアス光を発生させることにより、ピット始端でのレ
ーザ光の立上りが良好になり、また記録膜の溶融が良好
になり、ジッタがある程度減少される。
バイアス光を発生させることにより、ピット始端でのレ
ーザ光の立上りが良好になり、また記録膜の溶融が良好
になり、ジッタがある程度減少される。
ところが、本来ジッタ量は一定ではなく、ブランク長
によって変化する。すなわち、ブランク長が長いほどデ
ィスクやレーザダイオードの冷却が著しくなるので、次
のピットの始端での溶融が悪くなり、ジッタが多くな
る。このため、第２図の回路のようにブランク長にかか
わらず一定のバイアス光を与えるものでは、ジッタを十
分に減少させることはできなかった。
によって変化する。すなわち、ブランク長が長いほどデ
ィスクやレーザダイオードの冷却が著しくなるので、次
のピットの始端での溶融が悪くなり、ジッタが多くな
る。このため、第２図の回路のようにブランク長にかか
わらず一定のバイアス光を与えるものでは、ジッタを十
分に減少させることはできなかった。
第４図は第２図の回路によって形成されるピット長が
直前のブランク長によって変化する様子を3T,7T,11Tの
各ピットについて示したものである。ピット長と同じ長
さの直前のブランク長の組合せを基準として、その基準
Refからのずれでそれぞれ表わしている。この図からわ
かるように、直前のブランク長が長いほどその前のピッ
トを形成したときの熱の影響が少なくなり、溶融されに
くくなっているので、照射時間が同じでもピット長が短
く形成されている。逆に、直前のブランク長が短いほど
その前のピットを形成したときの熱の影響で溶融されや
すくなっているので、照射時間が同じでもピット長が長
く形成されている。
直前のブランク長によって変化する様子を3T,7T,11Tの
各ピットについて示したものである。ピット長と同じ長
さの直前のブランク長の組合せを基準として、その基準
Refからのずれでそれぞれ表わしている。この図からわ
かるように、直前のブランク長が長いほどその前のピッ
トを形成したときの熱の影響が少なくなり、溶融されに
くくなっているので、照射時間が同じでもピット長が短
く形成されている。逆に、直前のブランク長が短いほど
その前のピットを形成したときの熱の影響で溶融されや
すくなっているので、照射時間が同じでもピット長が長
く形成されている。
したがって、前記従来装置のようにブランク時に一定
のバイアス光を与えるものでは、ブランク長が短い部分
に合わせてバイアス光の強度を比較的低く定めると、ブ
ランク長が長い部分ではピット始端位置の溶融が不足気
味になり、逆にブランク長が長い部分に合わせてバイア
ス光の強度を比較的高く定めると、ブランク長が短い部
分ではピット始端位置の溶融が過剰になってしまい、い
ずれの場合もジッタの原因となる。
のバイアス光を与えるものでは、ブランク長が短い部分
に合わせてバイアス光の強度を比較的低く定めると、ブ
ランク長が長い部分ではピット始端位置の溶融が不足気
味になり、逆にブランク長が長い部分に合わせてバイア
ス光の強度を比較的高く定めると、ブランク長が短い部
分ではピット始端位置の溶融が過剰になってしまい、い
ずれの場合もジッタの原因となる。
この発明は、前記従来の技術における問題点を解決し
て、ブランク長の長短にかかわらず、ピット始端位置を
正確に規定できるようにして、ジッタの減少を図るよう
にした光ディスク記録装置を提供しようとするものであ
る。
て、ブランク長の長短にかかわらず、ピット始端位置を
正確に規定できるようにして、ジッタの減少を図るよう
にした光ディスク記録装置を提供しようとするものであ
る。
この発明は、記録時にブランク長に応じてバイアス光
出力を変化させるようにしたもので、ブランク長が長い
場合にバイアス光出力を高目にし、ブランク長の短い場
合にバイアス光出力を低目にしたものである。
出力を変化させるようにしたもので、ブランク長が長い
場合にバイアス光出力を高目にし、ブランク長の短い場
合にバイアス光出力を低目にしたものである。
ブランク長が長い部分では冷却が進み次のピット始端
位置の溶融が不足気味になるので、バイアス光出力を高
目にすることにより溶融を良好にすることができる。ま
た、ブランク長が短い部分ではピット始端位置の溶融が
過剰気味になるので、バイアス光出力が低目にすること
により溶融過剰を防止することができる。これにより、
ブランク長にかかわらずジッタを減少させることができ
る。
位置の溶融が不足気味になるので、バイアス光出力を高
目にすることにより溶融を良好にすることができる。ま
た、ブランク長が短い部分ではピット始端位置の溶融が
過剰気味になるので、バイアス光出力が低目にすること
により溶融過剰を防止することができる。これにより、
ブランク長にかかわらずジッタを減少させることができ
る。
この発明の一実施例を第１図に示す。ここでは3T〜11
Tのブランク長をとる信号を扱う場合について説明す
る。第２図の回路構成と同様の部分については同一符号
を付すことによりその説明は省略した。
Tのブランク長をとる信号を扱う場合について説明す
る。第２図の回路構成と同様の部分については同一符号
を付すことによりその説明は省略した。
第１図において、トランジスタTr2のコレクタと電源
−VCC間にはバイアス回路10が接続されている。このバ
イアス回路10は、トランジスタTr2がオフのとき（すな
わちブランク部を形成するときまたは非記録時すなわち
再生するとき）にレーザダイオードLDにブランク長によ
って可変のバイアス電流ＩBを与えて、記録膜を溶融し
ない程度のバイアス光を発光させるためのものである。
−VCC間にはバイアス回路10が接続されている。このバ
イアス回路10は、トランジスタTr2がオフのとき（すな
わちブランク部を形成するときまたは非記録時すなわち
再生するとき）にレーザダイオードLDにブランク長によ
って可変のバイアス電流ＩBを与えて、記録膜を溶融し
ない程度のバイアス光を発光させるためのものである。
バイアス回路10は第２図の構成に加えて各ブランク長
4T〜11Tに対応して回路10−４乃至10−11が並列接続さ
れている。各回路10−４乃至10−11はトランジスタTrB4
〜TrB11と抵抗ＲB4〜ＲB11とで構成されている。
4T〜11Tに対応して回路10−４乃至10−11が並列接続さ
れている。各回路10−４乃至10−11はトランジスタTrB4
〜TrB11と抵抗ＲB4〜ＲB11とで構成されている。
これら回路10−４乃至10−11は、ブランク時に、その
ときのブランク長に対応する回路のトランジスタTrB4〜
TrB11がそのベースに加わる信号ＶB4〜ＶB11によりオン
されて、バイアス電流ＩB4〜ＩB11を流す。例えばブラ
ンク長が4Tの場合は、信号ＶB4が発生されて、トランジ
スタTrB4をオンし、バイアス電流ＩB4を流す。
ときのブランク長に対応する回路のトランジスタTrB4〜
TrB11がそのベースに加わる信号ＶB4〜ＶB11によりオン
されて、バイアス電流ＩB4〜ＩB11を流す。例えばブラ
ンク長が4Tの場合は、信号ＶB4が発生されて、トランジ
スタTrB4をオンし、バイアス電流ＩB4を流す。
なお、バイアス回路10−０は基本のバイアス電流ＩB0
を供給する回路で、ブランク長にかかわらずトランジス
タTr4は常にオンして基本のバイアス電流を供給してい
る。したがって、ブランク長3Tのときはバイアス電流は
基本のバイアス電流ＩB0だけとなり、ブランク長4T〜11
Tのときは基本のバイアス電流ＩB0にバイアス電流ＩB4
〜ＩB11をそれぞれ加算した値となる。
を供給する回路で、ブランク長にかかわらずトランジス
タTr4は常にオンして基本のバイアス電流を供給してい
る。したがって、ブランク長3Tのときはバイアス電流は
基本のバイアス電流ＩB0だけとなり、ブランク長4T〜11
Tのときは基本のバイアス電流ＩB0にバイアス電流ＩB4
〜ＩB11をそれぞれ加算した値となる。
ブランク長が長い場合ほどバイアス電流ＩBが大きく
なるように、抵抗ＢB4，……ＲB11の値は、 ＲB4＞ＲB5＞……＞ＲB11 に設定する。
なるように、抵抗ＢB4，……ＲB11の値は、 ＲB4＞ＲB5＞……＞ＲB11 に設定する。
このようにバイアス電流ＩB0,IBn（ｎ＝4,5,…,11）
を設定した場合の照射状態の一例を第５図に示す。これ
によれば、ブランク長が長い場合にバイアス光を高目に
しているので、ブランク長が長いことによるディスクお
よびレーザダイオードLDの冷却が抑制されて、次のピッ
トの始端でのレーザ光の立上りが良好になり、ピット始
端の溶融不足が解消されて、ジッタが減少される。ま
た、ブランク長が短い場合にバイアス光を低目にしてい
るのでピット始端の溶融過剰が解消されて、ジッタが減
少される。
を設定した場合の照射状態の一例を第５図に示す。これ
によれば、ブランク長が長い場合にバイアス光を高目に
しているので、ブランク長が長いことによるディスクお
よびレーザダイオードLDの冷却が抑制されて、次のピッ
トの始端でのレーザ光の立上りが良好になり、ピット始
端の溶融不足が解消されて、ジッタが減少される。ま
た、ブランク長が短い場合にバイアス光を低目にしてい
るのでピット始端の溶融過剰が解消されて、ジッタが減
少される。
第６図は、このようにブランク長によりバイアス電流
を変化させた場合の再生ピット長センタ位置のずれを示
したものである。これによれば、前記第４図の一定のバ
イアス光出力の場合に比べてピット長センタ位置 ずれ
が少なくなり、ジッタが減少されている。
を変化させた場合の再生ピット長センタ位置のずれを示
したものである。これによれば、前記第４図の一定のバ
イアス光出力の場合に比べてピット長センタ位置 ずれ
が少なくなり、ジッタが減少されている。
なおブランク長に応じてバイアス光出力を変化させる
にあたって、前記実施例ではブランク期間一律にバイア
ス光出力を変化させているが、これに限られることなく
ブランク期間の終端近傍のみを変化させるようにしても
同様の効果を奏する。
にあたって、前記実施例ではブランク期間一律にバイア
ス光出力を変化させているが、これに限られることなく
ブランク期間の終端近傍のみを変化させるようにしても
同様の効果を奏する。
以上説明したようにこの発明によれば、ブランク長に
応じてバイアス光出力を変化させるようにして、ブラン
ク長が長い場合にバイアス光出力を高目にし、ブランク
長の短い場合にこのバイアス光出力を低目にしたので、
ブランク長が長い部分では溶融不足を解消して溶融を良
好にすることができる。また、ブランク長が短い部分で
はバイアス光出力が低目にすることにより溶融過剰を防
止することができる。これにより、ブランク長にかかわ
らず規定のピット長、ブランク長を得ることができ、ジ
ッタを減少して、S/Nを向上させて、再生信号の品位を
高めさせることができる。
応じてバイアス光出力を変化させるようにして、ブラン
ク長が長い場合にバイアス光出力を高目にし、ブランク
長の短い場合にこのバイアス光出力を低目にしたので、
ブランク長が長い部分では溶融不足を解消して溶融を良
好にすることができる。また、ブランク長が短い部分で
はバイアス光出力が低目にすることにより溶融過剰を防
止することができる。これにより、ブランク長にかかわ
らず規定のピット長、ブランク長を得ることができ、ジ
ッタを減少して、S/Nを向上させて、再生信号の品位を
高めさせることができる。
第１図は、この発明の一実施例を示す回路図である。 第２図は、従来回路を示す回路図である。 第３図は、第２図の回路によるレーザ光照射の一例を示
す図である。 第４図は、第２図の回路によるピット長のずれを示す線
図である。 第５図は、第１図の回路によるレーザ光照射の一例を示
す図である。 第６図は、第１図の回路によるピット長のずれを示す線
図である。 LD……レーザダイオード、10……バイアス回路。
す図である。 第４図は、第２図の回路によるピット長のずれを示す線
図である。 第５図は、第１図の回路によるレーザ光照射の一例を示
す図である。 第６図は、第１図の回路によるピット長のずれを示す線
図である。 LD……レーザダイオード、10……バイアス回路。
Claims (1)
- 【請求項１】形成すべきピット長に応じた時間レーザ光
を照射してディスク上にピットを形成するマーク長記録
方式のレーザ光制御手段を具えた光ディスク記録装置に
おいて、 前記レーザ光制御手段が、ブランク部でバイアス光を与
えるものであって、ブランク長が長い場合にこのバイア
ス光出力を高目にし、ブランク長が短い場合にこのバイ
アス光出力を低目にすることを特徴とする光ディスク記
録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018428A JP2555668B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光ディスク記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018428A JP2555668B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光ディスク記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194134A JPH01194134A (ja) | 1989-08-04 |
| JP2555668B2 true JP2555668B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11971374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018428A Expired - Fee Related JP2555668B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光ディスク記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555668B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003099930A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Tdk Corp | 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 |
| KR100459702B1 (ko) | 2002-02-22 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 광 구동기에 있어서 기록 광 파워 제어장치 및 방법 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63018428A patent/JP2555668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01194134A (ja) | 1989-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |