JP2553622Y2 - 湿度検知装置 - Google Patents

湿度検知装置

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JP2553622Y2
JP2553622Y2 JP1993011289U JP1128993U JP2553622Y2 JP 2553622 Y2 JP2553622 Y2 JP 2553622Y2 JP 1993011289 U JP1993011289 U JP 1993011289U JP 1128993 U JP1128993 U JP 1128993U JP 2553622 Y2 JP2553622 Y2 JP 2553622Y2
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humidity
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英昭 蛯谷
龍美 京谷
正樹 鳥居
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、雰囲気中の湿度を測定
する装置に関し、特に検出素子としてサーミスタ等の感
温素子を利用して、電気的に絶対湿度を計測する湿度検
知装置に関するものである。
【0002】電気的に雰囲気中の絶対湿度を測定する装
置は、例えば電子レンジにおいて、水蒸気の発生量によ
って、被調理物に対する加熱処理の終了時点を検出する
等の目的に多く利用されている。
【0003】このような湿度検知装置は、従来から各種
のものが提案され、実際に使用されている。そのうち、
検出素子としてサーミスタ等の感温素子を利用するもの
は、生活領域の温度範囲における湿度を、簡易にかつ精
度よく測定できるものとして、広く用いられている。
【0004】サーミスタ等の感温素子を使用した湿度検
知装置においては、検出信号のレベルが高く、従って湿
度測定時のS/Nが良好であることが必要であり、この
ような要求を実現できるものが求められている。
【0005】
【従来の技術】図3は、従来のサーミスタを用いた湿度
検知装置における湿度測定回路を示したものであって、
1はサーミスタ素子を備えた湿度検知素子、2は同じく
サーミスタ素子を備えた温度補償素子、3,4,5は抵
抗、SV は定電圧源である。
【0006】図4は、湿度測定に用いられる、サーミス
タ素子の抵抗−温度特性の一例を示したものである。図
示のように、温度Tの上昇とともに抵抗値Rが低下する
特性を示し、従って、抵抗温度係数α(= ( 1/R )(
dR/dT )) は負の値を持っている。
【0007】湿度検知素子1は、その内部に設けられた
サーミスタ素子が、自由に雰囲気と接触できるように構
成されたものであって、例えば、図5に示すような構造
を有している。すなわち、ハーメチックシール11を貫
通して溶着されたリード線12,13の両端間に、サー
ミスタ素子14を接続し、ハーメチックシール11に金
属キャップ15を被せて溶封して保護するとともに、こ
の金属キャップ15に適当な数の貫通孔16を設けて、
外気が流通できるようになっている。なおこのような湿
度検知素子については、例えば実開昭55−69746
号公報等によって公知である。
【0008】温度補償素子2は、湿度検知素子1と同様
な構造を有し、使用されるサーミスタ素子も、通常、湿
度検知素子1のサーミスタ素子と同型であって、同一環
境条件において抵抗値が等しいものを用いるが、金属キ
ャップ15に貫通孔16がなく、内部に乾燥空気を封入
されている点が異なっている。
【0009】また、湿度検知素子1と温度補償素子2
の、それぞれのサーミスタ素子は同型なので、同一雰囲
気状態では、通常、等しい熱放散定数δ(= W/( T −
Ta ):Wはサーミスタ素子の消費電力、Tはサーミス
タ素子の熱平衡時の温度、Taは雰囲気温度)を有して
いる。
【0010】湿度検知素子1と温度補償素子2とは直列
に接続され、直列に接続された抵抗3,4の両端に並列
に接続されて、ブリッジ回路を形成している。このブリ
ッジ回路の両端を抵抗5を介して定電圧源SV に接続し
て直流電圧Eを与えて、両検知素子のそれぞれのサーミ
スタ素子を加熱状態にし、両検知素子1,2の中間の端
子Aと、両抵抗3,4の中間の端子Bとから検出信号 V
01を取り出す。この状態において、湿度検知素子1と温
度補償素子2のそれぞれのサーミスタ素子の温度を t1,
t2, 抵抗値を R1, R2 ,熱放散定数をδ1,δ2 とする。
【0011】いま、湿度検知素子1と温度補償素子2と
を乾燥空気の雰囲気中に置くと、それぞれのサーミスタ
素子が同じ雰囲気状態になるので、両サーミスタ素子は
等しい冷却状態となる。従って、温度 t1 = t2 ,抵抗
値 R1 = R2 , 熱放散定数δ1 =δ2 になると考えられ
る。
【0012】この状態で、ブリッジがバランスしている
ものとすると、湿度検知素子1と温度補償素子2のサー
ミスタ素子の抵抗値 R1, R2 と、抵抗3,4の値 r3, r
4 との間には、R1・r4=R2・r3の関係が成り立ち、両端
子A,B間の出力電圧 V01=0となる。
【0013】この場合、電源側からみた抵抗5を除くブ
リッジ部分の合成抵抗 RB は、 RB =(R1+R2)・(r3+r4)/{(R1+R2)+(r3+r4)} … (1) 従ってブリッジに流入する電源電流 IS は、抵抗5の値
を r5 として IS = E/( R B + r5 ) … (2) となる。この電流 IS は、湿度検知素子1と温度補償素
子2の側の電流 IA と、抵抗3,4の側の電流 IB とに
分かれて流れるので、これら各電流間には次の関係があ
る。 IS = IA + IB … (3)
【0014】また、電流 IA ,IB はそれぞれ次のように
なる。 IA =(r3+r4) IS /{(R1+R2)+(r3+r4)} … (4) IB =(R1+R2) IS /{(R1+R2)+(r3+r4)} … (5)
【0015】湿度検知装置を湿潤空気中においた場合、
生活領域の温度範囲では、湿度が高くなると雰囲気の熱
伝導率が大きくなる結果、湿度検知素子1におけるサー
ミスタ素子からの熱の放散が増加して、より多く冷却さ
れる。図4に示されるようにサーミスタ素子は負の抵抗
温度係数をもっているため、湿度検知素子1は温度の低
下に伴って抵抗値が増加し、電流 IA が減少する。
【0016】これによって図3の回路におけるA点の電
位が低下するが、B点の電位は変化しないので、B側を
正とする出力電圧V01が得られる。なお、電流 IA の減
少によって、電源電流 IS が減少し、抵抗5における電
圧降下が小さくなる結果、ブリッジにかかる電圧が増加
するが、出力に対する影響は通常、無視できる程度であ
る。
【0017】この際、電流 IA の減少によって、温度補
償素子2も温度が低下してその抵抗値が増加し、電流 I
A の減少を助長する。このように湿度検出素子1と温度
補償素子2とは、湿度の増加に対する抵抗値の変化の方
向が同じであるが、雰囲気の湿度によって、湿度検出素
子1におけるサーミスタ素子の熱放散定数δが見かけ上
大きくなるため、湿度検出素子1における抵抗増加が温
度補償素子2のそれより大きく、そのため上述のような
結果となる。
【0018】
【考案が解決しようとする課題】従来のサーミスタ素子
を用いた湿度検知装置においては、湿度の変化に対応す
る出力電圧が小さいため、外部からの種々のノイズの影
響を受けやすく、検出信号のS/Nを良好に保つことが
困難であった。そのため、ノイズ除去の目的でリード線
にシールド線を使用したり、あるいは信号増幅用として
高精度の増幅回路を用いる等の対策を必要とするという
問題があった。さらに、ブリッジのバランス点が電源の
投入ごとに変動して、S/Nを劣化させるという問題も
あった。
【0019】本考案は、このような従来技術の課題を解
決しようとするものであって、検出素子としてサーミス
タ等の感温素子を利用して、電気的に絶対湿度を計測す
る湿度検知装置において、出力電圧を大きくし、結果的
にS/Nを改善することによって、絶対湿度検出の精度
を向上させることができる、湿度検知装置を提供するこ
とを目的としている。
【0020】
【課題を解決するための手段】本考案の湿度検知装置
は、雰囲気と接触可能な状態に保持された負の抵抗−温
度特性を持つ第1のサーミスタ素子を有する湿度検知素
子6と抵抗8とを直列に接続してなる第1の枝路と、絶
乾状態に保持された第1のサーミスタ素子と同一の特性
を持つ第2のサーミスタ素子を有する温度補償素子7と
抵抗9とを直列に接続してなる第2の枝路とを並列に接
続してブリッジ回路を形成して、このブリッジ回路を形
成する並列に接続された両枝路の両端に定電流源S
接続するとともに、湿度検知素子6と抵抗8の接続点
と、温度補償素子7と抵抗9の接続点間に、絶対湿度の
検出信号を取り出すようにしたものである。
【0021】
【作用】本考案の湿度検知装置では、湿度検知素子6と
抵抗8とを直列に接続した枝路と、温度補償素子7と抵
抗9とを直列に接続した枝路とを並列に接続してブリッ
ジ回路を形成し、その両端に定電流源SI から一定電流
を給電して、両枝路のそれぞれの接続点間から検出信号
を取り出すようにしている。
【0022】このような回路構成にした結果、湿度検知
素子6のサーミスタ素子が、雰囲気中の湿度の増加によ
って、温度が低下して抵抗が増大するとその電流が減少
するので、温度補償素子7のサーミスタ素子の電流が増
大して、温度が上昇し抵抗が減少する。雰囲気中の湿度
が減少した場合には、逆の方向に変化する。
【0023】すなわち、湿度検知素子6の抵抗値の変化
の方向と、温度補償素子7の抵抗値の変化の方向とは常
に反対方向になる。このような相互作用が行われるた
め、従来の湿度検知装置と比べて出力電圧が大きくな
り、結果的に湿度検出信号のS/Nを向上させることが
できる。
【0024】
【実施例】図1は、本考案の一実施例を示したものであ
って、図3の場合と同様に、湿度検知装置における湿度
測定回路を示している。6は湿度検知素子、7は温度補
償素子を示し、8,9は抵抗、SI は定電流源である。
湿度検知素子6と温度補償素子7とは、図3の場合にお
ける湿度検知素子1および温度補償素子2と同じものを
用いるものとする。
【0025】本考案の湿度検知装置における湿度測定回
路においては、図3に示された従来回路と比較して、湿
度検知素子6と抵抗8とを直列に接続し、温度補償素子
7と抵抗9とを直列に接続するとともに、両枝路を並列
に接続して、ブリッジ回路を構成するとともに、その電
源として定電流源SI を接続した点が異なっている。
【0026】ブリッジ回路に定電流源SI から直流電流
Iを与えて、湿度検知素子6と温度補償素子7のそれぞ
れのサーミスタ素子を加熱状態にし、湿度検知素子6と
抵抗8の中間の端子Cと、温度補償素子7と抵抗9の中
間の端子Dとから検出信号 V02を取り出す。この状態に
おいて、湿度検知素子6と温度補償素子7のそれぞれの
サーミスタ素子の温度を t6 t7, 抵抗値を R6, R7 ,熱
放散定数をδ6,δ7 とする。
【0027】いま、湿度検知素子6と温度補償素子7と
を乾燥空気の雰囲気中に置くと、それぞれのサーミスタ
素子が同じ雰囲気状態になるので、両サーミスタ素子は
等しい冷却状態になって、温度 t6 = t7 ,抵抗値 R6
= R7 となり、またサーミスタの特性が揃っていれば、
熱放散定数δ6 =δ7 となる。
【0028】このとき、抵抗8,9の値 r8, r9 が等し
ければ、湿度検知素子6と温度補償素子7にはそれぞれ
等しい電流 IC ID が流れて、ブリッジがバランスする
ので、両端子C,D間の出力電圧 V02=0となる。
【0029】この場合、定電流源SI は負荷の状態に無
関係に一定の電流Iを供給するが、 I= IC + ID … (6) であるから、両枝路の電流 IC, ID は、常に、一方が増
加すれば他方が減少するという関係になっている。
【0030】また図1のように接続した場合、両枝路の
電流 IC, ID は、 IC =〔(R7+r9)/{(R6+r8)+(R7+r9)}〕×I … (7) ID =〔(R6+r8)/{(R6+r8)+(R7+r9)}〕×I … (8) の関係にあり、抵抗値 R6, R7 の変化が相互に影響し合
う関係にある。
【0031】この状態での両サーミスタ素子の温度 t6,
t7 は、 t6 =( IC 2 R6/δ6 )+ ta … (9) t7 =( ID 2 R7/δ7 )+ ta … (10) となる。ここで ta は、雰囲気温度である。
【0032】湿度検知装置を生活領域の温度範囲の湿潤
空気中においた場合、湿度検知素子6におけるサーミス
タ素子からの熱の放散の増加により、見かけ上の熱放散
定数が増加して、δ6'(=δ6 +Δδ6 , Δδ6 >0)
となってより多く冷却され、その結果、サーミスタ素子
の抵抗値 R6 が増加し電流 IC が減少して、ある電流値
と抵抗値に落ちつく。
【0033】一方、温度補償素子2におけるサーミスタ
素子の熱放散定数δ7 は変化しないが、電流 IC の減少
によって、(6) 式の関係から電流 ID が増加するので、
温度t7 が上昇し抵抗値 R7 が減少して、同様に、ある
電流値と抵抗値に落ちつく。
【0034】これによって、ブリッジのバランスが崩れ
て端子C,D間に湿度の検出出力電圧 V02を発生する
が、出力電圧 V02の形成には、電流 IC の減少による端
子Cの電位の上昇と、電流 ID の増加による端子Dの電
位の低下とが相互に寄与している。
【0035】このように、図1に示された湿度測定回路
においては、湿度検知素子1における電流値 IC と抵抗
値 R6 の変化と、温度補償素子2における電流値 ID
抵抗値 R7 の変化とは、常に変化の方向が反対であっ
て、相互に影響し合いながら、一定の安定な状態に収斂
する。このような相互作用が行われる結果、図3に示さ
れた従来の湿度測定回路の場合と比較して、同一の湿度
状態に対応する検出電圧が、大幅に増大する。
【0036】図2は、本考案の湿度検知装置における絶
対湿度−出力電圧特性の一例を示したものであって、雰
囲気温度 Ta =40°Cの場合における、本考案に基づ
く場合の検出信号 V02の特性例を、従来の装置における
検出信号 V01の特性例と対比して示したものである。
【0037】図2に示されるように、本考案による湿度
検知装置の湿度検出信号 (V02)の大きさは、従来の装置
の検出信号 (V01)に比べて約4倍以上であり、ノイズの
量が変わらないとした場合、12dB以上のS/Nの改
善が達成される。従って、本考案によれば、従来の湿度
検知装置の問題点を解消することが可能となる。
【0038】なお、図2の特性例に対応する湿度測定回
路の各部定数の例を示せば、以下の通りである。 (1)従来回路の場合 E=15V r3=10.002kΩ r4=10.022kΩ r5=0.454kΩ サーミスタの温度特性 R1(R2)=8kΩ(温度0°Cの場合) R1(R2)=0.0377kΩ(温度200°Cの場合) 湿度検出電圧 V01 =8.83mV(温度40°C,湿度35g/m3 の場合)
【0039】 (2) 本考案回路の場合 I=40mA r8=r9=0.102kΩ サーミスタの温度特性 R6(R7)=30kΩ(温度0°Cの場合) R6(R7)=0.1272kΩ(温度200°Cの場合) 湿度検出電圧 V02 =36.25mV(温度40°C,湿度35g/m3 の場合)
【0040】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、サ
ーミスタ等の感温素子を検出素子として利用して、電気
的に絶対湿度を計測する湿度検知装置において、湿度の
検出出力レベルを大幅に増大させることができ、従って
検出信号におけるS/Nを改善することができるので、
雰囲気における絶対湿度検出の精度を向上させることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示す図である。
【図2】本考案の湿度検知装置における、絶対湿度−出
力電圧特性の一例を示す図である。
【図3】従来の湿度検知装置を示す図である。
【図4】湿度測定に用いられる、サーミスタ素子の抵抗
−温度特性の一例を示す図である。
【図5】湿度検知素子の構造を例示する図である。
【符号の説明】
6 湿度検知素子 7 温度補償素子 8 抵抗 9 抵抗 SI 定電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−66146(JP,A) 特開 昭56−29151(JP,A) 特開 昭61−60353(JP,A) 実開 昭63−67856(JP,U)

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 雰囲気と接触可能な状態に保持された負
    の抵抗−温度特性を持つ第1のサーミスタ素子を有する
    湿度検知素子(6)と抵抗(8)とを直列に接続してな
    る第1の枝路と、絶乾状態に保持された前記第1のサー
    ミスタ素子と同一の特性を持つ第2のサーミスタ素子を
    有する温度補償素子(7)と抵抗(9)とを直列に接続
    してなる第2の枝路とを並列に接続してブリッジ回路を
    形成し、該ブリッジ回路を形成する前記並列に接続され
    た両枝路の両端に定電流源(S)を接続して、前記湿
    度検知素子(6)と抵抗(8)の接続点と温度補償素子
    (7)と抵抗(9)の接続点間に絶対湿度の検出信号を
    取り出すようにしたことを特徴とする湿度検知装置。
JP1993011289U 1993-02-22 1993-02-22 湿度検知装置 Expired - Lifetime JP2553622Y2 (ja)

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JPH0665855U JPH0665855U (ja) 1994-09-16
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US20240151601A1 (en) * 2021-03-15 2024-05-09 Semitec Corporation Atmospheric-pressure detecting sensor, atmospheric-pressure detecting device, and method for manufacturing atmospheric-pressure detecting device

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JPS6066146A (ja) * 1983-09-20 1985-04-16 Sharp Corp 絶対湿度測定回路
JPS6367856U (ja) * 1986-10-20 1988-05-07

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