JP2552254B2 - 定電圧回路 - Google Patents
定電圧回路Info
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- JP2552254B2 JP2552254B2 JP6196631A JP19663194A JP2552254B2 JP 2552254 B2 JP2552254 B2 JP 2552254B2 JP 6196631 A JP6196631 A JP 6196631A JP 19663194 A JP19663194 A JP 19663194A JP 2552254 B2 JP2552254 B2 JP 2552254B2
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- Amplifiers (AREA)
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路上に作成される
定電圧回路に関する。
定電圧回路に関する。
【０００２】
【発明の概要】本発明は、集積回路上に作成される定電
圧回路において、光検出手段を付加することにより集積
回路上に作成された定電圧回路の出力を制御し集積回路
に光があたった場合、定電圧回路の出力電圧の絶対値が
小さくならない様にしたものである。
圧回路において、光検出手段を付加することにより集積
回路上に作成された定電圧回路の出力を制御し集積回路
に光があたった場合、定電圧回路の出力電圧の絶対値が
小さくならない様にしたものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、集積回路上に構成される定電圧回
路は図４に示す様に集積回路に光があたる様な使用方法
をされた場合の考慮が全くなされないのが通例であっ
た。
路は図４に示す様に集積回路に光があたる様な使用方法
をされた場合の考慮が全くなされないのが通例であっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の様に集積
回路に光があたる様な使用方法の考慮がなされない時に
定電圧回路のバイアス電流を非常に小さくした場合、集
積回路上の定電圧回路に光があたると、トランジスタの
光リーク電流又はトランジスタに寄生するダイオードの
光リーク電流のため回路の動作点が移動し出力電圧の絶
対値が低下し、定電圧回路の出力を電源として駆動され
る回路が存在する場合にはこの回路の動作が停止してし
まうという問題点があった。
回路に光があたる様な使用方法の考慮がなされない時に
定電圧回路のバイアス電流を非常に小さくした場合、集
積回路上の定電圧回路に光があたると、トランジスタの
光リーク電流又はトランジスタに寄生するダイオードの
光リーク電流のため回路の動作点が移動し出力電圧の絶
対値が低下し、定電圧回路の出力を電源として駆動され
る回路が存在する場合にはこの回路の動作が停止してし
まうという問題点があった。
【０００５】本発明はこの様な問題点を解決するもの
で、その目的は集積回路に光があたる様な使用方法下に
おいても、定電圧回路の出力電圧の絶対値を光があたら
ない状態の値と同等かそれ以上にすることにより、定電
圧回路の出力を駆動電源とする回路の動作を、光があた
つた場合でも保証しようとするものである。
で、その目的は集積回路に光があたる様な使用方法下に
おいても、定電圧回路の出力電圧の絶対値を光があたら
ない状態の値と同等かそれ以上にすることにより、定電
圧回路の出力を駆動電源とする回路の動作を、光があた
つた場合でも保証しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の定電圧回路は、
基準電圧源と、該基準電圧源の出力を一方の入力端子に
入力される差動増幅器と、該差動増幅器の差動出力を入
力とする出力バッファーと、光検出手段とを有し、該出
力バッファーの出力が前記差動増幅器の他方の入力端子
に帰還入力されてなり、第１導電型の半導体基板上に形
成した相補型トランジスタにより構成された定電圧回路
において、前記光検出手段は、前記差動増幅器から差動
出力が出力される第２導電型で形成された差動出力用ト
ランジスタのドレインと電源端子との間に接続され、前
記定電圧回路外からの該定電圧回路へ照射される光を検
出して該光による該定電圧回路の動作点の変動を補償す
る光検出用ダイオードを含み、前記光検出用ダイオード
は、前記半導体基板と前記半導体基板上に形成された第
２導電型の光検出用拡散層より成り、前記光検出用拡散
層は、前記ドレインの拡散層から離間して又は前記ドレ
インの拡散層を延在して形成された拡散層、或いは第２
導電型のウェルよりなることを特徴とする。また、基準
電圧源と、該基準電圧源の出力を一方の入力端子に入力
される差動増幅器と、該差動増幅器の差動出力を入力と
する出力バッファーと、光検出手段とを有し、該出力バ
ッファーの出力が前記差動増幅器の他方の入力端子に帰
還入力されてなり、第１導電型の半導体基板上に形成し
た相補型トランジスタにより構成された定電圧回路にお
いて、前記光検出手段は、前記定電圧を出力する第２導
電型で形成された前記出力バッファー用トランジスタの
ドレインと電源端子との間に接続され、前記定電圧回路
外からの該定電圧回路へ照射される光を検出して該光に
よる該定電圧回路の動作点の変動を補償する光検出用ダ
イオードを含み、前記光検出用ダイオードは、前記半導
体基板と前記半導体基板上に形成された第２導電型の光
検出用拡散層より成り、前記光検出用拡散層は、前記ド
レインの拡散層から離間して又は前記ドレインの拡散層
を延在して形成された拡散層、或いは第２導電型のウェ
ルよりなることを特徴とする。
基準電圧源と、該基準電圧源の出力を一方の入力端子に
入力される差動増幅器と、該差動増幅器の差動出力を入
力とする出力バッファーと、光検出手段とを有し、該出
力バッファーの出力が前記差動増幅器の他方の入力端子
に帰還入力されてなり、第１導電型の半導体基板上に形
成した相補型トランジスタにより構成された定電圧回路
において、前記光検出手段は、前記差動増幅器から差動
出力が出力される第２導電型で形成された差動出力用ト
ランジスタのドレインと電源端子との間に接続され、前
記定電圧回路外からの該定電圧回路へ照射される光を検
出して該光による該定電圧回路の動作点の変動を補償す
る光検出用ダイオードを含み、前記光検出用ダイオード
は、前記半導体基板と前記半導体基板上に形成された第
２導電型の光検出用拡散層より成り、前記光検出用拡散
層は、前記ドレインの拡散層から離間して又は前記ドレ
インの拡散層を延在して形成された拡散層、或いは第２
導電型のウェルよりなることを特徴とする。また、基準
電圧源と、該基準電圧源の出力を一方の入力端子に入力
される差動増幅器と、該差動増幅器の差動出力を入力と
する出力バッファーと、光検出手段とを有し、該出力バ
ッファーの出力が前記差動増幅器の他方の入力端子に帰
還入力されてなり、第１導電型の半導体基板上に形成し
た相補型トランジスタにより構成された定電圧回路にお
いて、前記光検出手段は、前記定電圧を出力する第２導
電型で形成された前記出力バッファー用トランジスタの
ドレインと電源端子との間に接続され、前記定電圧回路
外からの該定電圧回路へ照射される光を検出して該光に
よる該定電圧回路の動作点の変動を補償する光検出用ダ
イオードを含み、前記光検出用ダイオードは、前記半導
体基板と前記半導体基板上に形成された第２導電型の光
検出用拡散層より成り、前記光検出用拡散層は、前記ド
レインの拡散層から離間して又は前記ドレインの拡散層
を延在して形成された拡散層、或いは第２導電型のウェ
ルよりなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明では、以上の様な構成により光検出手段
からの信号で集積回路に光があてられた場合、定電圧発
生手段に制御を加え定電圧出力電圧の絶対値が小さくな
らない様にする。
からの信号で集積回路に光があてられた場合、定電圧発
生手段に制御を加え定電圧出力電圧の絶対値が小さくな
らない様にする。
【０００８】
【実施例】図１に本発明の実施例を示す。１、５、１０
はデプレッション型ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ、
３、６、７はエンハンスメント型ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ、２、４、８、９、１１、１２はエンハンス
メント型ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ、１３、１
４、１５は光検出ダイオードである。
はデプレッション型ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ、
３、６、７はエンハンスメント型ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ、２、４、８、９、１１、１２はエンハンス
メント型ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ、１３、１
４、１５は光検出ダイオードである。
【０００９】本回路の動作は、１〜４までで構成される
基準電圧源を５〜１２で構成されるボルテージフォロア
回路で受けＶDD−Ｄ間に定電圧出力電圧を出力するもの
である。本回路において１、５、１０の各トランジスタ
によって決定されるバイアス電流が非常に小さい時、本
回路に光があたつた場合の動作を以下に述べる。
基準電圧源を５〜１２で構成されるボルテージフォロア
回路で受けＶDD−Ｄ間に定電圧出力電圧を出力するもの
である。本回路において１、５、１０の各トランジスタ
によって決定されるバイアス電流が非常に小さい時、本
回路に光があたつた場合の動作を以下に述べる。
【００１０】本回路に光があたつた場合、光検出ダイオ
ードの光リーク電流とバイアス電流がほぼ同じオーダー
の値となるならば、Ａ点とＶSS間に接続された１３の光
検出ダイオードは光リークを起こしＡ点の電位をＶSS側
に引っぱる。同様にＶDDとＢ点間に接続された１５の光
検出ダイオードはＢ点の電位をＶDD側に引っぱり、Ｃ点
とＶDD側に接続した１４の光検出ダイオードはＣ点の電
位をＶDD側に引っぱる。この様な動作により、Ｃ点の電
位が光のあたらない時と比較してＶDD側に近づくことに
なり、Ｄ点の電位をＶSS側に近づける。従つてＶDD−Ｄ
間にあらわれる電圧の絶対値は光があたることにより、
あたらない時より同じか大きな値をとることになる。従
って、ＶDD−Ｄ間の電圧ＶRegで動作する回路が接続さ
れている場合、これらの回路は光のあたらない時と同様
に動作することが可能となる。
ードの光リーク電流とバイアス電流がほぼ同じオーダー
の値となるならば、Ａ点とＶSS間に接続された１３の光
検出ダイオードは光リークを起こしＡ点の電位をＶSS側
に引っぱる。同様にＶDDとＢ点間に接続された１５の光
検出ダイオードはＢ点の電位をＶDD側に引っぱり、Ｃ点
とＶDD側に接続した１４の光検出ダイオードはＣ点の電
位をＶDD側に引っぱる。この様な動作により、Ｃ点の電
位が光のあたらない時と比較してＶDD側に近づくことに
なり、Ｄ点の電位をＶSS側に近づける。従つてＶDD−Ｄ
間にあらわれる電圧の絶対値は光があたることにより、
あたらない時より同じか大きな値をとることになる。従
って、ＶDD−Ｄ間の電圧ＶRegで動作する回路が接続さ
れている場合、これらの回路は光のあたらない時と同様
に動作することが可能となる。
【００１１】図１における１３、１４、１５の光検出ダ
イオードは、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示
す様な方法で作成する。図２（ａ）は１３のダイオード
に相当するダイオードの作成方法でありＰ- ＷＥＬＬ上
にＮ+ 拡散層を設けＰ- Ｎ+ダイオードとしている。
イオードは、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示
す様な方法で作成する。図２（ａ）は１３のダイオード
に相当するダイオードの作成方法でありＰ- ＷＥＬＬ上
にＮ+ 拡散層を設けＰ- Ｎ+ダイオードとしている。
【００１２】図２（ｂ）は４のトランジスタに寄生する
ダイオードを光検出ダイオードとして使用した例であ
る。この場合４のＮチャンネルトランジスタのドレイン
の面積を通常必要とされるサイズ（最小コンタクトのと
れるサイズ）より大きくとり、Ｐ-Ｎ+ダイオードを作成
している。
ダイオードを光検出ダイオードとして使用した例であ
る。この場合４のＮチャンネルトランジスタのドレイン
の面積を通常必要とされるサイズ（最小コンタクトのと
れるサイズ）より大きくとり、Ｐ-Ｎ+ダイオードを作成
している。
【００１３】図２（ｃ）は１４又は１５に相当するダイ
オードの作成方法である。Ｎ- 基板上にＰ+ 拡散を設け
Ｐ+ Ｎ- ダイオードを作成している。
オードの作成方法である。Ｎ- 基板上にＰ+ 拡散を設け
Ｐ+ Ｎ- ダイオードを作成している。
【００１４】図２（ｄ）は同様に１４又は１５のダイオ
ードの作成方法である。これはＮ-基板上にＰ- ＷＥＬ
Ｌを作成し、Ｐ- Ｎ- ダイオードを構成し光検出ダイオ
ードとしている。また１４、１５のダイオードの作成方
法は図２（ｂ）と同様に１０のトランジスタのドレイン
面積を通常必要とされるサイズより大きくとることによ
り実現することも可能である。
ードの作成方法である。これはＮ-基板上にＰ- ＷＥＬ
Ｌを作成し、Ｐ- Ｎ- ダイオードを構成し光検出ダイオ
ードとしている。また１４、１５のダイオードの作成方
法は図２（ｂ）と同様に１０のトランジスタのドレイン
面積を通常必要とされるサイズより大きくとることによ
り実現することも可能である。
【００１５】図３には、１３、１４、１５の光検出ダイ
オードを他の素子に置き換える例を示してある。１３に
対しては１３´に示す様なＮチャンネルエンハンスメン
トＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用でき、ｌ４、
１５に対しては１４´の様にＰチャンルエハンスメント
ＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用できる。この場
合各トランジスタに光があたるとチャンネル部を光リー
ク電流が流れ各点の電位をそれぞれの方向にひっぱるこ
とができる。
オードを他の素子に置き換える例を示してある。１３に
対しては１３´に示す様なＮチャンネルエンハンスメン
トＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用でき、ｌ４、
１５に対しては１４´の様にＰチャンルエハンスメント
ＭＯＳトランジスタのＯＦＦ接続が使用できる。この場
合各トランジスタに光があたるとチャンネル部を光リー
ク電流が流れ各点の電位をそれぞれの方向にひっぱるこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明の定電圧回路
は、定電圧回路の出力を制御する光検出手段を定電圧回
路を形成する集積回路上に形成したため、定電圧回路を
形成する製造工程と同一の工程内で当該光検出手段を容
易に形成することが可能であり、また、定電圧回路を構
成するトランジスタの特性と同一特性を持つ光検出手段
を得ることができる。そして、本発明の第１の発明であ
る定電圧回路は、基準電圧源と、該基準電圧源の出力を
一方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増幅
器の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出手
段とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅器
の他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型の
半導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構成
された定電圧回路において、前記光検出手段は、前記差
動増幅器から差動出力が出力される第２導電型で形成さ
れた差動出力用トランジスタのドレインと電源端子との
間に接続され、前記定電圧回路外からの該定電圧回路へ
照射される光を検出して該光による該定電圧回路の動作
点の変動を補償する光検出用ダイオードを含み、前記光
検出用ダイオードは、前記半導体基板と前記半導体基板
上に形成された第２導電型の光検出用拡散層より成り、
前記光検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなるため、定電圧
回路に光が当たっても、差動出力が安定化され、定電圧
回路の動作点の変動が補償され定電圧回路の出力電圧を
一定とすることができる。また、本発明の第２の発明で
ある定電圧回路は、基準電圧源と、該基準電圧源の出力
を一方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増
幅器の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出
手段とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅
器の他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型
の半導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構
成された定電圧回路において、前記光検出手段は、前記
定電圧を出力する第２導電型で形成された前記出力バッ
ファー用トランジスタのドレインと電源端子との間に接
続され、前記定電圧回路外からの該定電圧回路へ照射さ
れる光を検出して該光による該定電圧回路の動作点の変
動を補償する光検出用ダイオードを含み、前記光検出用
ダイオードは、前記半導体基板と前記半導体基板上に形
成された第２導電型の光検出用拡散層より成り、前記光
検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間して又
は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡散層、
或いは第２導電型のウェルよりなるため、定電圧回路に
光が当たっても、該定電圧回路の出力電圧が安定化さ
れ、定電圧回路の動作点の変動が補償され定電圧回路の
出力電圧を一定とすることができる。さらに、いずれの
発明も、光検出用拡散層は、ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなるため、該拡散
層の面積を通常使用されるコンタクトのサイズよりも大
きくすることが可能となり、光感度が向上し、また、面
積を調整することにより、光リーク電流の大きさを調整
することができる。そのため、集積回路に光があたる使
用方法をされた場合でも定電圧回路によって動作する回
路の動作を安定に保つことが可能になった。
は、定電圧回路の出力を制御する光検出手段を定電圧回
路を形成する集積回路上に形成したため、定電圧回路を
形成する製造工程と同一の工程内で当該光検出手段を容
易に形成することが可能であり、また、定電圧回路を構
成するトランジスタの特性と同一特性を持つ光検出手段
を得ることができる。そして、本発明の第１の発明であ
る定電圧回路は、基準電圧源と、該基準電圧源の出力を
一方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増幅
器の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出手
段とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅器
の他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型の
半導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構成
された定電圧回路において、前記光検出手段は、前記差
動増幅器から差動出力が出力される第２導電型で形成さ
れた差動出力用トランジスタのドレインと電源端子との
間に接続され、前記定電圧回路外からの該定電圧回路へ
照射される光を検出して該光による該定電圧回路の動作
点の変動を補償する光検出用ダイオードを含み、前記光
検出用ダイオードは、前記半導体基板と前記半導体基板
上に形成された第２導電型の光検出用拡散層より成り、
前記光検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなるため、定電圧
回路に光が当たっても、差動出力が安定化され、定電圧
回路の動作点の変動が補償され定電圧回路の出力電圧を
一定とすることができる。また、本発明の第２の発明で
ある定電圧回路は、基準電圧源と、該基準電圧源の出力
を一方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増
幅器の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出
手段とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅
器の他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型
の半導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構
成された定電圧回路において、前記光検出手段は、前記
定電圧を出力する第２導電型で形成された前記出力バッ
ファー用トランジスタのドレインと電源端子との間に接
続され、前記定電圧回路外からの該定電圧回路へ照射さ
れる光を検出して該光による該定電圧回路の動作点の変
動を補償する光検出用ダイオードを含み、前記光検出用
ダイオードは、前記半導体基板と前記半導体基板上に形
成された第２導電型の光検出用拡散層より成り、前記光
検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間して又
は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡散層、
或いは第２導電型のウェルよりなるため、定電圧回路に
光が当たっても、該定電圧回路の出力電圧が安定化さ
れ、定電圧回路の動作点の変動が補償され定電圧回路の
出力電圧を一定とすることができる。さらに、いずれの
発明も、光検出用拡散層は、ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなるため、該拡散
層の面積を通常使用されるコンタクトのサイズよりも大
きくすることが可能となり、光感度が向上し、また、面
積を調整することにより、光リーク電流の大きさを調整
することができる。そのため、集積回路に光があたる使
用方法をされた場合でも定電圧回路によって動作する回
路の動作を安定に保つことが可能になった。
【図１】 本発明の定電圧回路の回路図。
【図２】（ａ）〜（ｄ） 光検出ダイオードの断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ） 光検出手段としてのオフ接続
したＭＯＳトランジスタの回路図。
したＭＯＳトランジスタの回路図。
【図４】 従来の定電圧回路の回路図。
１３、１４、１５ 光検出ダイオード １３´、１４′ オフ接続したＭＯＳトランジスタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｆ 3/45
Claims (2)
- 【請求項１】 基準電圧源と、該基準電圧源の出力を一
方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増幅器
の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出手段
とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅器の
他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型の半
導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構成さ
れた定電圧回路において、前記光検出手段は、 前記差動増幅器から差動出力が出力される第２導電型で
形成された差動出力用トランジスタのドレインと電源端
子との間に接続され、前記定電圧回路外からの該定電圧
回路へ照射される光を検出して該光による該定電圧回路
の動作点の変動を補償する光検出用ダイオードを含み、 前記光検出用ダイオードは、前記半導体基板と前記半導
体基板上に形成された第２導電型の光検出用拡散層より
成り、 前記光検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなることを特徴と
する定電圧回路。 - 【請求項２】 基準電圧源と、該基準電圧源の出力を一
方の入力端子に入力される差動増幅器と、該差動増幅器
の差動出力を入力とする出力バッファーと、光検出手段
とを有し、該出力バッファーの出力が前記差動増幅器の
他方の入力端子に帰還入力されてなり、第１導電型の半
導体基板上に形成した相補型トランジスタにより構成さ
れた定電圧回路において、前記光検出手段は、 前記定電圧を出力する第２導電型で形成された 前記出力
バッファー用トランジスタのドレインと電源端子との間
に接続され、前記定電圧回路外からの該定電圧回路へ照
射される光を検出して該光による該定電圧回路の動作点
の変動を補償する光検出用ダイオードを含み、 前記光検出用ダイオードは、前記半導体基板と前記半導
体基板上に形成された第２導電型の光検出用拡散層より
成り、 前記光検出用拡散層は、前記ドレインの拡散層から離間
して又は前記ドレインの拡散層を延在して形成された拡
散層、或いは第２導電型のウェルよりなることを特徴と
する定電圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6196631A JP2552254B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6196631A JP2552254B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 定電圧回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217262A Division JPH0724004B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 定電圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07239726A JPH07239726A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2552254B2 true JP2552254B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16360981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6196631A Expired - Lifetime JP2552254B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 定電圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552254B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998057375A1 (fr) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Seiko Epson Corporation | Composant a semi-conducteur, affichage a cristaux liquides et appareil electronique les comprenant |
-
1994
- 1994-08-22 JP JP6196631A patent/JP2552254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07239726A (ja) | 1995-09-12 |
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