JP2547187Y2 - PCB holder - Google Patents

PCB holder

Info

Publication number
JP2547187Y2
JP2547187Y2 JP707792U JP707792U JP2547187Y2 JP 2547187 Y2 JP2547187 Y2 JP 2547187Y2 JP 707792 U JP707792 U JP 707792U JP 707792 U JP707792 U JP 707792U JP 2547187 Y2 JP2547187 Y2 JP 2547187Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holder
crystal
component
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP707792U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0566073U (en
Inventor
和裕 麻川
富男 梶ヶ谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP707792U priority Critical patent/JP2547187Y2/en
Publication of JPH0566073U publication Critical patent/JPH0566073U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2547187Y2 publication Critical patent/JP2547187Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本考案は、液相エピタキシャル成
長法における結晶成長用基板を保持するための基板用ホ
ルダーに係り、特に、エピタキシャル成長させた後に上
記ホルダーから基板を容易に取外せる基板用ホルダーの
改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate holder for holding a substrate for crystal growth in a liquid phase epitaxial growth method, and more particularly to a substrate holder for easily removing a substrate from the holder after epitaxial growth. It is about improvement.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、赤外線の利用技術が急速に進歩し
ている。
2. Description of the Related Art In recent years, techniques for utilizing infrared rays have been rapidly advancing.

【0003】この赤外線検出素子材料として、エネルギ
ーバンドギャップが狭い水銀・カドミウム・テルル(H
1-x Cdx Te)より成る三元化合物半導体結晶がそ
の高感度、高速性から最も注目されている。また、物体
が放射している赤外線を画像として得るためのイメージ
センサは、微小な赤外線検出素子(ピクセル)をフォト
リソグラフィー処理により平面上に二次元的に多数配列
することによって作られている。そして、これ等のピク
セルは赤外線に対し全て同じ特性を備えていることが必
要なため、従来、このピクセルについては、特性が均一
で大面積かつ結晶表面が平滑な上記三元化合物半導体結
晶を製造し、かつ、これを小割りにして求められてい
る。
As a material for the infrared detecting element, mercury / cadmium / tellurium (H) having a narrow energy band gap is used.
A ternary compound semiconductor crystal made of g 1-x Cd x Te) has received the most attention because of its high sensitivity and high speed. An image sensor for obtaining infrared rays emitted from an object as an image is made by arranging a large number of minute infrared detecting elements (pixels) two-dimensionally on a plane by photolithography. Since these pixels need to have the same characteristics with respect to infrared rays, conventionally, the above ternary compound semiconductor crystal having uniform characteristics, a large area, and a smooth crystal surface has been manufactured for these pixels. In addition, it is required to be divided into small portions.

【0004】ところで、このような大面積の化合物半導
体結晶薄膜を得る方法として液相エピタキシャル成長法
が一般的に用いられている。それは、この方法に必要と
される装置が比較的簡単であり、得られる結晶薄膜の組
成を容易に制御できるためであった。しかし、この様な
利点を有する反面、例えば、得られた結晶薄膜の膜内で
の厚さの均一性や組成の均一性に難があり、均一な特性
を持つ素子を得るために利用できる部分が限られてしま
うため、その生産効率を高める上で支障があることも指
摘されている。
As a method for obtaining such a large-area compound semiconductor crystal thin film, a liquid phase epitaxial growth method is generally used. This is because the apparatus required for this method is relatively simple, and the composition of the obtained crystal thin film can be easily controlled. However, while having such advantages, for example, there is a difficulty in uniformity of the thickness and composition of the obtained crystal thin film in the film, and a portion that can be used to obtain an element having uniform characteristics. It is pointed out that there is a problem in increasing the production efficiency due to the limited production.

【0005】この様な技術的背景の下、最近、上記欠点
を解消した改良型のデッピング法が提案されている。
Under such technical background, an improved dipping method which has solved the above-mentioned drawbacks has recently been proposed.

【0006】すなわち、この方法は図6(A)に示すよ
うにアンプルa内に基板bと化合物半導体結晶材料cと
を封入し、このアンプルaを図示外の電気炉内で加熱す
ると共に化合物半導体結晶材料cを融解させて原料融液
c’を求めた後、アンプルaを電気炉ごと180度回転
して図6(B)に示すようにアンプルaの上下を反転さ
せ、かつ、基板b表面を水平にしてこの表面と原料融液
c’とを接触させる。そして、上記原料融液c’を液相
エピタキシャル成長させた後、再度、上記アンプルaの
上下を反転させて原料融液c’と基板bとの分離を行う
方法である。
That is, in this method, as shown in FIG. 6A, a substrate b and a compound semiconductor crystal material c are sealed in an ampoule a, and the ampoule a is heated in an electric furnace (not shown) and the compound semiconductor is heated. After the crystal material c is melted to obtain a raw material melt c ′, the ampule a is rotated 180 degrees together with the electric furnace so that the ampule a is turned upside down as shown in FIG. And the surface is brought into contact with the raw material melt c ′. Then, after the raw material melt c ′ is subjected to liquid phase epitaxial growth, the ampoule a is turned upside down again to separate the raw material melt c ′ from the substrate b.

【0007】この方法において上記基板bを保持するた
めの従来の基板用ホルダーdとしては、図7に示すよう
に石英板等から成る円柱形状の本体d1と、この本体d1の
上面略中央に設けられ適用する基板(図示せず)の厚さ
と同一の深さでかつ上記基板より僅かに大きな面積を有
する凹部d2とでその主要部が構成されており、この凹部
d2内に基板を嵌合させて保持するものであった。
In this method, as a conventional substrate holder d for holding the substrate b, as shown in FIG. 7, a columnar main body d1 made of a quartz plate or the like and a substantially upper center of the main body d1 are provided. And a recess d2 having the same depth as the thickness of a substrate to be applied (not shown) and having a slightly larger area than the above-mentioned substrate.
The board was fitted and held in d2.

【0008】尚、この基板用ホルダーdにおいては、上
記基板表面と本体d1上面とが同一平面を構成するよう適
宜調整し、原料融液の動きに影響を及ぼさないように工
夫が施されていた。
In the substrate holder d, the surface of the substrate and the upper surface of the main body d1 are appropriately adjusted so as to form the same plane, and a device is devised so as not to affect the movement of the raw material melt. .

【0009】[0009]

【考案が解決しようとする課題】ところで、この改良型
ディッピング法においては上述したようにアンプルを回
転させ上記基板表面を上向きかつ水平にしてからこの表
面と原料融液とを接触させてエピタキシャル成長させて
いるが、このとき、図8に示すように基板用ホルダーd
の凹部d2と基板bとの間に隙間eがあると、これ等隙間
eに原料融液c’が侵入してしまい基板bの側面や底面
側で固化することになる。
In the improved dipping method, the ampoule is rotated to make the surface of the substrate upward and horizontal as described above, and the surface is brought into contact with the raw material melt for epitaxial growth. However, at this time, as shown in FIG.
When there is a gap e between the concave portion d2 and the substrate b, the raw material melt c 'enters the gap e and solidifies on the side and bottom sides of the substrate b.

【0010】この結果、上記基板bが固化した原料を介
し基板用ホルダーdに固着されてしまうため、エピタキ
シャル成長させた後において上記基板用ホルダーdから
基板bを取外すことが困難となる場合があった。
As a result, since the substrate b is fixed to the substrate holder d via the solidified raw material, it may be difficult to remove the substrate b from the substrate holder d after epitaxial growth. .

【0011】そして、基板用ホルダーdの背面側から固
化した原料を取除くことはできないため、基板用ホルダ
ーdの上面側から、基板bと基板用ホルダーeとの隙間
eに存在する固化した原料を彫って上記基板bを取出さ
ざるを得なくなり、その取出しの際に形成された結晶を
痛め易い問題点があった。
Since the solidified raw material cannot be removed from the back side of the substrate holder d, the solidified raw material existing in the gap e between the substrate b and the substrate holder e can be removed from the upper surface side of the substrate holder d. And the substrate b must be taken out by engraving, and there is a problem that the crystal formed at the time of taking out is easily damaged.

【0012】この場合、基板用ホルダーdにおける凹部
d2の加工精度を高めることによりその改善を図る方法も
考えられるが、上記凹部d2の底面や内壁面の加工には困
難が伴うため上記隙間eをなくすことは実際上難しかっ
た。
In this case, the recess in the substrate holder d
A method of improving the processing accuracy of d2 may be considered, but it is practically difficult to eliminate the gap e because the processing of the bottom surface and the inner wall surface of the concave portion d2 involves difficulty.

【0013】そして、基板bの面積が大きくなるに伴い
基板用ホルダーdの加工精度が低下し上記基板bと基板
用ホルダーdの凹部d2との整合性は悪化するため、上記
問題が更に顕著になってしまう問題点があった本考案は
この様な問題点に着目してなされたもので、その課題と
するところは、基板との整合性の向上が図れると共にエ
ピタキシャル成長させた後において上記基板を容易に取
外すことのできる基板用ホルダーを提供することにあ
る。
As the area of the substrate b increases, the processing accuracy of the substrate holder d decreases, and the matching between the substrate b and the concave portion d2 of the substrate holder d deteriorates. The present invention, which had the problem of becoming a problem, was made by paying attention to such a problem, and the problem is to improve the consistency with the substrate and to make the substrate after epitaxial growth. An object of the present invention is to provide a substrate holder which can be easily removed.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】すなわち請求項1に係る
考案は、封管内の上方側に配置され、かつ、その凹部に
基板を保持すると共に、上記封管の上下が反転されたと
きに封管内の下方側に配置された原料融液と上記基板と
を接触させて液相エピタキシャル成長させる基板用ホル
ダーを前提とし、その略中央に上記基板より僅かに大き
な開口部を備えその厚みが基板の厚みより大きいホルダ
ー部品と、このホルダー部品の開口部に摺動可能に嵌合
されて上記基板が保持される凹部を形成する凸部を備え
たホルダー本体、とで構成されることを特徴とするもの
である。
That is, the invention according to claim 1 is arranged at an upper side in a sealed tube, holds a substrate in a concave portion thereof, and seals when the sealed tube is turned upside down. Assuming a substrate holder for contacting the raw material melt disposed on the lower side in the tube with the substrate and performing liquid phase epitaxial growth, and having an opening slightly larger than the substrate at substantially the center thereof, the thickness of which is the thickness of the substrate A holder body having a larger holder part and a convex part which is slidably fitted into an opening of the holder part and forms a concave part for holding the substrate. It is.

【0015】この請求項1に係る基板用ホルダーにおい
ては上記ホルダー部品の開口部とこの開口部に摺動可能
に嵌合されたホルダー本体の凸部とで凹部を形成し、こ
の凹部内に基板を嵌込んでこれを保持するものである。
In the substrate holder according to the present invention, a recess is formed by the opening of the holder component and the projection of the holder body slidably fitted in the opening, and the substrate is formed in the recess. And hold it.

【0016】この場合、基板用ホルダーの凹部を直接加
工する従来方式に較べて上記開口部の内壁面や凸部上面
の加工は比較的容易なため、その加工精度が従来より高
くなり基板と凹部との整合性の向上が図れる。
In this case, since the inner wall surface of the opening and the upper surface of the convex portion are relatively easy to process as compared with the conventional method in which the concave portion of the substrate holder is directly processed, the processing accuracy is higher than before, and Can be improved.

【0017】また、エピタキシャル成長させた後におい
て上記基板を基板用ホルダーから取外すには、まず、上
記ホルダー部品から結晶が形成されている面とは反対側
の方向へホルダー本体を引抜いて上記基板を露出させ
る。このとき、基板と上記凹部との整合性が改善されて
基板の底面側とホルダー本体の凸部上面との間に存在す
る固化した結晶原料は従来より少ないため上記ホルダー
本体の引抜き操作が妨げられることはない。次に、露出
された基板をその背面側から結晶形成面側へ押出し、ホ
ルダー部品の開口部から基板を取出して分離するもので
ある。このとき、基板側面と上記開口部内壁間に存在す
る固化した結晶材料も従来より少ないため上記同様基板
の取出し操作が妨げられることはない。
In order to remove the substrate from the substrate holder after the epitaxial growth, first, the holder body is pulled out from the holder component in a direction opposite to the surface on which the crystal is formed to expose the substrate. Let it. At this time, the consistency between the substrate and the concave portion is improved, and the amount of solidified crystal raw material existing between the bottom surface side of the substrate and the upper surface of the convex portion of the holder main body is smaller than in the related art. Never. Next, the exposed substrate is extruded from the back side to the crystal forming surface side, and the substrate is taken out from the opening of the holder component and separated. At this time, the amount of solidified crystal material existing between the side surface of the substrate and the inner wall of the opening is smaller than in the related art, so that the operation of taking out the substrate is not hindered as described above.

【0018】このように、形成された結晶に触れること
なく上記基板用ホルダーから基板を簡単に取外すことが
でき、取外しの際の結晶の損傷を最小限に抑えることが
可能になるため結晶の生産効率が高められる利点を有し
ている。
As described above, the substrate can be easily removed from the substrate holder without touching the formed crystal, and the crystal damage at the time of removal can be minimized. It has the advantage of increased efficiency.

【0019】次に、請求項2に係る考案は請求項1に係
る基板用ホルダーを前提とし、上記ホルダー本体がその
基端側に凸部側面より外方へ突出する突状基部を備え、
上記ホルダー部品と嵌合されたときにこのホルダー部品
と突状基部との間に隙間が形成されていることを特徴と
するものである。
Next, the invention according to a second aspect is based on the substrate holder according to the first aspect, wherein the holder main body has a protruding base portion protruding outward from a side surface of the convex portion at a base end side thereof,
A gap is formed between the holder component and the protruding base when fitted with the holder component.

【0020】この請求項2に係る基板用ホルダーにおい
てはホルダー部品を上記隙間が狭まる方向へ移動させる
ことにより、ホルダー本体の凸部が相対的に上昇しこの
凸部面上に載置された基板をホルダー部品の開口部から
突き出すことができるため、基板用ホルダーから更に簡
便に基板を取出すことが可能になる利点を有する。
In the substrate holder according to the second aspect, by moving the holder component in the direction in which the gap is narrowed, the convex portion of the holder main body relatively rises and the substrate mounted on the convex portion surface. Can be protruded from the opening of the holder component, so that there is an advantage that the substrate can be more easily removed from the substrate holder.

【0021】尚、請求項2に係る基板用ホルダーにおい
ては、上記ホルダー部品をその隙間が狭まる方向へ急激
に移動させた場合、その力の入れ方が悪いと形成された
結晶に負荷がかかり過ぎてこの結晶を損傷させてしまう
恐れがある。
In the substrate holder according to the second aspect, when the holder component is rapidly moved in a direction in which the gap is narrowed, an excessive load is applied to the formed crystal if the force is not properly applied. There is a risk of damaging the leverage crystal.

【0022】請求項3に係る考案はこれを防止するもの
で請求項2に係る基板用ホルダーを前提とし、上記ホル
ダー本体の突状基部とホルダー部品間に形成された隙間
にスプリング等の弾性部材が介在されていることを特徴
とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate holder according to the second aspect, wherein an elastic member such as a spring is provided in a gap formed between the projecting base of the holder body and the holder component. Is interposed.

【0023】すなわち、上記弾性部材を介在させること
により、この弾性部材が上記ホルダー部品に加わった力
の一部を吸収して結晶への負荷を低減するため、結晶の
損傷を最小限に抑えることが可能となる。
That is, by interposing the elastic member, the elastic member absorbs a part of the force applied to the holder component and reduces the load on the crystal, thereby minimizing crystal damage. Becomes possible.

【0024】また、請求項4に係る考案は請求項1〜3
に係る基板用ホルダーを前提とし、上記ホルダー部品と
ホルダー本体が、石英、カーボン、又は、セラミックの
いずれかの材料で構成されていることを特徴とするもの
である。
The invention according to claim 4 is based on claims 1-3.
The holder component and the holder body are made of any of quartz, carbon, and ceramic.

【0025】尚、このような技術的手段において基板を
保持する凹部の形状については基板の形状に合わせて任
意であり、例えば、矩形状、円形状、楕円形状等があ
る。また凹部の深さについては、従来と同様、基板の厚
さと同一に設定し、基板表面とホルダー部品の上面とが
同一面を構成するように調整することが望ましい。
In such technical means, the shape of the concave portion for holding the substrate is arbitrary according to the shape of the substrate, and includes, for example, a rectangular shape, a circular shape, and an elliptical shape. Further, it is desirable that the depth of the concave portion is set to be the same as the thickness of the substrate as in the related art, and is adjusted so that the substrate surface and the upper surface of the holder component form the same surface.

【0026】また、本考案に係る基板用ホルダーに保持
される基板としては、液相エピタキシャル成長法により
求められる半導体結晶の種類により適宜選定され、例え
ば、従来技術において説明した水銀・カドミウム・テル
ル(Hg1-x Cdx Te)より成る三元化合物半導体結
晶の場合には、カドミウム・テルルあるいはカドミウム
・テルルに亜鉛、マンガン、セレンの内の少なくとも一
種以上を添加した化合物半導体結晶基板が挙げられる。
The substrate held by the substrate holder according to the present invention is appropriately selected depending on the kind of semiconductor crystal required by the liquid phase epitaxial growth method. For example, mercury / cadmium / tellurium (Hg) described in the prior art is used. In the case of a ternary compound semiconductor crystal composed of 1-x Cd x Te), a cadmium tellurium or a compound semiconductor crystal substrate in which at least one of zinc, manganese, and selenium is added to cadmium tellurium is mentioned.

【0027】また、これ等技術的手段において上記ホル
ダー本体やホルダー部品の材質を適当な熱伝導度のもの
に変更することにより結晶の膜厚制御を容易にすること
も可能である。
In these technical means, the thickness of the crystal can be easily controlled by changing the material of the holder body and the holder parts to those having an appropriate thermal conductivity.

【0028】[0028]

【作用】請求項1〜4に係る考案によれば、基板を保持
する基板用ホルダーが、その略中央に上記基板より僅か
に大きな開口部を備えその厚みが基板の厚みより大きい
ホルダー部品と、このホルダー部品の開口部に摺動可能
に嵌合されて上記基板が保持される凹部を形成する凸部
を備えたホルダー本体とで構成されている。
According to the present invention, a substrate holder for holding a substrate is provided with an opening slightly larger than the substrate at substantially the center thereof, and a holder component whose thickness is larger than the thickness of the substrate. A holder main body having a convex portion which is slidably fitted into the opening of the holder component and forms a concave portion for holding the substrate.

【0029】そして、上記開口部の内壁面や凸部上面の
加工処理は凹部を直接加工する従来方式に較べて容易な
ため、その加工精度が高まって開口部と凸部とで構成さ
れる凹部と基板との整合性の向上が図れる。
Since the processing of the inner wall surface of the opening and the upper surface of the convex portion is easier than the conventional method of directly processing the concave portion, the processing accuracy is improved, and the concave portion formed by the opening portion and the convex portion is improved. Of the substrate and the substrate can be improved.

【0030】また、エピタキシャル成長させた後におい
て上記ホルダー部品から結晶が形成されている面とは反
対側の方向へホルダー本体を引抜いて上記基板を露出さ
せ、かつ、この基板をその背面側から結晶形成面側へ押
出すことによりホルダー部品の開口部から簡単に取外す
ことができる。
Further, after the epitaxial growth, the holder body is pulled out from the holder component in a direction opposite to the surface on which the crystal is formed to expose the substrate, and the substrate is formed from the rear side. By pushing it to the surface side, it can be easily removed from the opening of the holder component.

【0031】あるいは、上記ホルダー本体又はホルダー
部品の一方を移動させてホルダー本体の凸部を相対的に
上昇させ、この凸部面上に載置された基板をホルダー部
品の開口部から突き出させることによっても簡単に取外
すことが可能となる。
Alternatively, one of the holder main body and the holder component is moved to relatively raise the convex portion of the holder main body, and the substrate mounted on the convex portion surface is protruded from the opening of the holder component. Can also be easily removed.

【0032】従って、形成された結晶に触れることなく
基板用ホルダーから上記基板を簡単に取外せるため、基
板取外しの際の結晶の損傷を最小限に抑えることが可能
となる。
Accordingly, since the substrate can be easily removed from the substrate holder without touching the formed crystal, damage to the crystal when removing the substrate can be minimized.

【0033】[0033]

【実施例】以下、本考案の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0034】すなわち、この実施例に係る基板用ホルダ
ー1は、図1に示すようにホルダー本体2と、ホルダー
部品3とでその主要部が構成されるものである。
That is, the main part of the substrate holder 1 according to this embodiment is composed of the holder main body 2 and the holder component 3 as shown in FIG.

【0035】まず、ホルダー本体2は、図2(A)に示
すように基板サイズの30×30mmに対応した厚さ2mm
の凸部21と、この凸部21側面より外方へ突出する外
形48mmの円盤形状の突状基部22とで構成されてお
り、かつ、これ等凸部21と突状基部22は共に石英材
にて形成されている。
First, as shown in FIG. 2A, the holder main body 2 has a thickness of 2 mm corresponding to a substrate size of 30 × 30 mm.
, And a disc-shaped protruding base 22 having an external shape of 48 mm protruding outward from the side face of the protruding portion 21. Both the protruding portion 21 and the protruding base 22 are made of quartz material. Is formed.

【0036】一方、ホルダー部品3は、上記ホルダー本
体2の突状基部22と同一形状の石英材から成ってお
り、かつ、図2(B)に示すようにホルダー本体2の凸
部21に対応した位置にこれと対応する形状の開口部3
1が設けられている。また、このホルダー部品3の厚さ
は3.5mmに設定されており、図1に示すように上記ホ
ルダー本体2の凸部21と開口部31とを嵌合させたと
きに形成される凹部10の深さが基板の厚さと一致する
ようになっている。
On the other hand, the holder part 3 is made of a quartz material having the same shape as the protruding base 22 of the holder body 2 and corresponds to the projection 21 of the holder body 2 as shown in FIG. Opening 3 of the shape corresponding to this
1 is provided. The thickness of the holder part 3 is set to 3.5 mm, and as shown in FIG. 1, the concave part 10 formed when the convex part 21 of the holder main body 2 and the opening 31 are fitted. Is made to match the thickness of the substrate.

【0037】そして、図3に示すようにホルダー本体2
の凸部21とホルダー部品3の開口部31とを嵌合させ
て形成される凹部10に基板4を嵌込んでこれを保持す
るものである。
Then, as shown in FIG.
The substrate 4 is fitted into and held by the concave portion 10 formed by fitting the convex portion 21 of the holder component 3 and the opening portion 31 of the holder component 3.

【0038】このとき、上記凸部21上面や開口部31
の内壁面等の加工処理については凹部を直接加工してい
た従来方式に較べて容易なため、その加工精度が高まっ
て開口部31と凸部21とで構成された凹部10と基板
4との整合性は良好な状態になっている。
At this time, the upper surface of the projection 21 and the opening 31
Since the processing of the inner wall surface and the like is easier than the conventional method in which the concave portion is directly processed, the processing accuracy is increased and the concave portion 10 formed by the opening portion 31 and the convex portion 21 and the substrate 4 The consistency is in a good state.

【0039】また、エピタキシャル成長後においてこの
実施例に係る基板用ホルダー1から基板4を取外すに
は、上記ホルダー部品3から結晶(図示せず)が形成さ
れている面とは反対側の方向へホルダー本体2を引抜い
て基板4底面を露出させ、次いでこの基板4を結晶形成
面側へ押出してホルダー部品3の開口部31から取出す
ものである。
In order to remove the substrate 4 from the substrate holder 1 according to this embodiment after the epitaxial growth, the holder component 3 can be removed from the holder component 3 in the direction opposite to the surface on which crystals (not shown) are formed. The main body 2 is pulled out to expose the bottom surface of the substrate 4, and then the substrate 4 is extruded toward the crystal forming surface side and taken out from the opening 31 of the holder component 3.

【0040】このとき、上記基板4と凹部10との整合
性が良好な状態にあるため、基板4底面と上記凸部21
上面との間あるいは基板4側面と上記開口部31の内壁
間には固化した結晶原料がほとんど存在しないことから
上記基板4の取出し操作が妨げられることはない。
At this time, since the matching between the substrate 4 and the concave portion 10 is good, the bottom surface of the substrate 4 and the convex
Since there is almost no solidified crystal raw material between the upper surface or between the side surface of the substrate 4 and the inner wall of the opening 31, the operation of taking out the substrate 4 is not hindered.

【0041】このように基板用ホルダー1から基板4を
取出す際、形成された結晶に触れることなく簡単に上記
基板4を取出すことができるため、取出しの際の結晶の
損傷を最小限に抑えることが可能となる利点を有してい
る。
As described above, when taking out the substrate 4 from the substrate holder 1, the substrate 4 can be easily taken out without touching the formed crystal, so that damage to the crystal at the time of taking out is minimized. This has the advantage that it becomes possible.

【0042】また、上記ホルダー部品3の厚さ寸法は目
的とする凹部10の深さ寸法や上記凸部21の高さ寸法
等を考慮して適宜設定されるが、ホルダー部品3の厚さ
を大きく設定することにより機械的強度を高めることが
可能となる。
The thickness of the holder component 3 is appropriately set in consideration of the desired depth of the recess 10 and the height of the projection 21, and the like. By setting a large value, the mechanical strength can be increased.

【0043】尚、図4に示すようにホルダー本体2にお
ける凸部21の高さ寸法を大きく設定してホルダー部品
3と上記ホルダー本体2の突状基部22との間に隙間5
が形成される構造を採ってもよい。
As shown in FIG. 4, the height of the convex portion 21 of the holder body 2 is set large so that the gap 5 between the holder component 3 and the protruding base 22 of the holder body 2 is formed.
May be adopted.

【0044】この様な構造にした場合、ホルダー部品3
を下方側へ押し下げてホルダー本体2の凸部21を相対
的に上昇させることにより、上記基板4をより簡単に取
出すことが可能となる。
In the case of such a structure, the holder component 3
Is pressed down to relatively raise the protrusion 21 of the holder body 2, the substrate 4 can be more easily taken out.

【0045】また、上記隙間5に図5に示すようにスプ
リング等の弾性部材50を介在させた構造にしてもよ
い。
Further, a structure in which an elastic member 50 such as a spring is interposed in the gap 5 as shown in FIG.

【0046】この様な構造にした場合、上記ホルダー部
品3が下方側へ押し下げられた際にこのホルダー部品3
に加わった力の一部を上記弾性部材50にて吸収させる
ことができるため、形成されている結晶に急激な負荷が
加わり難くなってその損傷を最小限に抑えることが可能
となる。
In the case of such a structure, when the holder part 3 is pushed down, the holder part 3
Since a part of the force applied to the crystal can be absorbed by the elastic member 50, it is difficult for a sudden load to be applied to the formed crystal, and the damage thereof can be minimized.

【0047】[0047]

【考案の効果】請求項1〜4に係る考案によれば、形成
された結晶に触れることなく基板用ホルダーから基板を
簡単に取外せるため、基板取外しの際の結晶の損傷を最
小限に抑えることが可能となる。
According to the invention, since the substrate can be easily removed from the substrate holder without touching the formed crystal, damage to the crystal when the substrate is removed is minimized. It becomes possible.

【0048】従って、液相エピタキシャ成長法における
生産効率の向上が図れる効果を有している。
Accordingly, there is an effect that the production efficiency in the liquid phase epitaxy growth method can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例に係る基板用ホルダーの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a substrate holder according to an embodiment.

【図2】(A)はホルダー本体の斜視図、(B)はホル
ダー部品の斜視図。
FIG. 2A is a perspective view of a holder body, and FIG. 2B is a perspective view of a holder component.

【図3】実施例に係る基板用ホルダーの断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate holder according to the embodiment.

【図4】変形例に係る基板用ホルダーの断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a substrate holder according to a modification.

【図5】変形例に係る基板用ホルダーの断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of a substrate holder according to a modification.

【図6】(A)及び(B)は液相エピタキシャル成長法
における改良型のディッピング法の説明図。
FIGS. 6A and 6B are explanatory views of an improved dipping method in a liquid phase epitaxial growth method.

【図7】従来例に係る基板用ホルダーの斜視図。FIG. 7 is a perspective view of a substrate holder according to a conventional example.

【図8】従来例に係る基板用ホルダーの使用状態を示す
説明図。
FIG. 8 is an explanatory view showing a use state of a substrate holder according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板用ホルダー 2 ホルダー本体 3 ホルダー部品 4 基板 5 隙間 6 封管 10 凹部 21 凸部 22 突状基部 31 開口部 50 弾性部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate holder 2 Holder main body 3 Holder component 4 Substrate 5 Gaps 6 Sealed tube 10 Depression 21 Convex part 22 Protrusion base 31 Opening 50 Elastic member

Claims (4)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】封管内の上方側に配置され、かつ、その凹
部に基板を保持すると共に、上記封管の上下が反転され
たときに封管内の下方側に配置された原料融液と上記基
板とを接触させて液相エピタキシャル成長させる基板用
ホルダーにおいて、 その略中央に上記基板より僅かに大きな開口部を備えそ
の厚みが基板の厚みより大きいホルダー部品と、 このホルダー部品の開口部に摺動可能に嵌合されて上記
基板が保持される凹部を形成する凸部を備えたホルダー
本体、 とで構成されることを特徴とする基板用ホルダー。
1. A raw material melt disposed on an upper side of a sealed tube, holding a substrate in a concave portion thereof, and disposed on a lower side of the sealed tube when the sealed tube is turned upside down. In a substrate holder for liquid phase epitaxial growth by contacting with a substrate, a holder part having an opening slightly larger than the substrate at substantially the center thereof and having a thickness larger than the thickness of the substrate, and sliding into the opening of the holder part A holder body provided with a convex portion which is fitted as possible to form a concave portion in which the substrate is held.
【請求項2】上記ホルダー本体がその基端側に凸部側面
より外方へ突出する突状基部を備え、上記ホルダー部品
と嵌合されたときにこのホルダー部品と突状基部との間
に隙間が形成されていることを特徴とする請求項1記載
の基板用ホルダー。
2. The holder main body further includes a protruding base protruding outward from a side surface of the protruding portion on a base end side thereof, and is provided between the holder component and the protruding base when fitted to the holder component. 2. The substrate holder according to claim 1, wherein a gap is formed.
【請求項3】上記ホルダー本体の突状基部とホルダー部
品間に形成された隙間に弾性部材が介在されていること
を特徴とする請求項2記載の基板用ホルダー。
3. The substrate holder according to claim 2, wherein an elastic member is interposed in a gap formed between the projecting base of the holder main body and the holder component.
【請求項4】上記ホルダー部品とホルダー本体が、石
英、カーボン、又は、セラミックのいずれかの材料で構
成されていることを特徴とする請求項1〜3記載の基板
用ホルダー。
4. The substrate holder according to claim 1, wherein the holder component and the holder body are made of any one of quartz, carbon, and ceramic.
JP707792U 1992-02-20 1992-02-20 PCB holder Expired - Lifetime JP2547187Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP707792U JP2547187Y2 (en) 1992-02-20 1992-02-20 PCB holder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP707792U JP2547187Y2 (en) 1992-02-20 1992-02-20 PCB holder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0566073U JPH0566073U (en) 1993-08-31
JP2547187Y2 true JP2547187Y2 (en) 1997-09-10

Family

ID=11656025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP707792U Expired - Lifetime JP2547187Y2 (en) 1992-02-20 1992-02-20 PCB holder

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2547187Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0566073U (en) 1993-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5640275A (en) Preparation of semiconductor device
JP2547187Y2 (en) PCB holder
JP2641800B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
JPS5638815A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2001044463A5 (en)
JPH0625955Y2 (en) Liquid phase epitaxial growth system
JPS5918644A (en) Liquid phase epitaxial growth apparatus
JPS5512754A (en) Semiconductor device manufacturing method
JPS52124860A (en) Electrode formation method for semiconductor devices
JPS6123010Y2 (en)
JP2547188Y2 (en) PCB holder
JPS5293277A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPS5317068A (en) Semiconductor device and its production
JPS58121377U (en) Graphite parts for silicon single crystal pulling equipment
JPH0247436B2 (en) EKISOEPITAKISHARUSEICHOSOCHI
JPH0551963U (en) Substrate holder for liquid phase epitaxial growth
JP4870859B2 (en) Liquid phase epitaxial growth apparatus and growth method
JPH0278233A (en) Liquid-phase epitaxial growth method and device therefor
JPS58212142A (en) Liquid phase epitaxially growth method
JPH0376273A (en) Semiconductor substrate of solar cell
JPS63137436A (en) Liquid phase epitaxial growing system
JPS63315593A (en) Liquid epitaxial growth apparatus
JPS55143048A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS647654A (en) Image reader and manufacture thereof
JPS52137979A (en) Production of semiconductor device