JP2546397B2 - 集積化磁気抵抗効果素子回路 - Google Patents

集積化磁気抵抗効果素子回路

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積化磁気抵抗効果素子回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、集積化磁気抵抗効果素子回路は、第３図に示す
ように、４素子の磁気抵抗効果素子（以下Ｒ素子とい
う）31〜34を用い、ブリッジ接続として中点電位差を
得、これを増幅器36により増幅して出力37を得る構成と
なっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の集積化MR素子回路は、MR素子を４素子
用いるための素子のチップ面積が大型化し、また、チッ
プ面積に限界がある場合には素子の抵抗値を大きくする
ことができず、その結果、電源電流を減少させることが
困難であるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の集積化MR素子回路は、同一平面内において互
いに直交する方向に感磁界感度を有する２つの磁気抵抗
効果素子と、これら磁気抵抗効果素子のうち一方を電流
決定抵抗として接続し他方を負荷抵抗として接続したカ
レントミラー回路とを備えている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。
第１図（ｂ）に示すように互いに直交する感磁界感度
を有するMR素子11と12とが各々、トランジスタ13及び14
で構成されるカレントミラー回路の電流制限抵抗11と負
荷抵抗12となっており、この出力電圧v1,v2とを増幅器1
6により増幅し、出力17を得ている。
第２図は第１図（ｂ）に示す磁界Ｈの角度θに対する
各部の波形を示す図である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、２つのMR素子の一方の
カレントミラー回路の電流決定抵抗に、もう一方をカレ
ントミラー回路の負荷抵抗として用いることにより、回
路を小型にし、電源電流を増大することなくチップ面積
を小さくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す回路図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）におけるMR素子11,12のパターン
と磁界角θを示す図、第２図は第１図における各部の波
形を表わす図、第３図（ａ），（ｂ）は従来技術による
場合の回路図及びMR素子パターン図である。 11,12……MR素子、13,14……トランジスタ、15……直流
電圧源、16……差動増幅器、17……出力端子。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】同一平面内において互いに直交する方向に
    感磁界感度を有する２つの磁気抵抗効果素子と、これら
    磁気抵抗効果素子のうち一方を電流決定抵抗として接続
    し他方を負荷抵抗として接続したカレントミラー回路と
    を備えることを特徴とする集積化磁気抵抗効果素子回
    路。
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