JP2541994B2 - 三次元形状計測装置 - Google Patents
三次元形状計測装置Info
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- JP2541994B2 JP2541994B2 JP62192372A JP19237287A JP2541994B2 JP 2541994 B2 JP2541994 B2 JP 2541994B2 JP 62192372 A JP62192372 A JP 62192372A JP 19237287 A JP19237287 A JP 19237287A JP 2541994 B2 JP2541994 B2 JP 2541994B2
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- light
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- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は人体等の被測定物の三次元形状を計測するた
めの三次元形状計測装置に関するものである。
めの三次元形状計測装置に関するものである。
被測定物の三次元形状の計測する従来技術として、ス
テレオ写真法、モアレトポグラフィ法および光切断法な
どがある。
テレオ写真法、モアレトポグラフィ法および光切断法な
どがある。
上記の従来技術のうち、ステレオ写真法およびモアレ
トポグラフィによれば、測定時間を短かくすることがで
きる長所がある。しかしながら、三次元座標系へのデー
タ変換に多大な時間と労力が必要になるだけでなく、高
精度の絶対位置を得るのが難しくなるという欠点があっ
た。
トポグラフィによれば、測定時間を短かくすることがで
きる長所がある。しかしながら、三次元座標系へのデー
タ変換に多大な時間と労力が必要になるだけでなく、高
精度の絶対位置を得るのが難しくなるという欠点があっ
た。
これに対して光切断法によれば、複数のテレビカメラ
とレーザ光を用いることにより、比較的精度の高い計測
が可能になるという長所がある。しかしながら、ビデオ
信号を白と黒のレベルに２値化する際に、被測定物の反
射率に合わせてスレッショルドレベルを設定しなければ
ならず、この作業が煩雑である。また、光源との関係
で、被測定物が人体であるときには安全性の点から保護
メガネを着用することが必要になり、また被測定物を長
時間にわたって静止させなければならない短所があっ
た。
とレーザ光を用いることにより、比較的精度の高い計測
が可能になるという長所がある。しかしながら、ビデオ
信号を白と黒のレベルに２値化する際に、被測定物の反
射率に合わせてスレッショルドレベルを設定しなければ
ならず、この作業が煩雑である。また、光源との関係
で、被測定物が人体であるときには安全性の点から保護
メガネを着用することが必要になり、また被測定物を長
時間にわたって静止させなければならない短所があっ
た。
そこで本発明は、被測定物の静止を短い時間だけ保つ
ことにより測定を可能とし、また被測定物に応じた調整
を不要とし、さらに被測定物が人体などであるときにも
高い安全性を維持することのできる三次元形状計測装置
を提供することを目的とする。
ことにより測定を可能とし、また被測定物に応じた調整
を不要とし、さらに被測定物が人体などであるときにも
高い安全性を維持することのできる三次元形状計測装置
を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明に係る三次元形状計測装置は、所定の軸に垂直
な平面に配設された距離計測リングと、光源および半導
体位置検出器をそれぞれ含み、所定の軸までの距離がほ
ぼ同一となるように距離計測リングの内側面に取り付け
られた複数の検出ヘッドと、距離計測リングを所定の軸
方向に案内するガイド部材と、距離計測リングをガイド
部材に沿って移動させる駆動機構と、複数の検出ヘッド
の動作を順次時系列に切り換えるマルチプレクサおよび
順次時系列に送られてくる検出信号にもとづいて被測定
物までの距離をそれぞれ算出する信号処理部とを有し、
当該被測定物の三次元形状を計測する計測手段とを備え
ることを特徴とする。
な平面に配設された距離計測リングと、光源および半導
体位置検出器をそれぞれ含み、所定の軸までの距離がほ
ぼ同一となるように距離計測リングの内側面に取り付け
られた複数の検出ヘッドと、距離計測リングを所定の軸
方向に案内するガイド部材と、距離計測リングをガイド
部材に沿って移動させる駆動機構と、複数の検出ヘッド
の動作を順次時系列に切り換えるマルチプレクサおよび
順次時系列に送られてくる検出信号にもとづいて被測定
物までの距離をそれぞれ算出する信号処理部とを有し、
当該被測定物の三次元形状を計測する計測手段とを備え
ることを特徴とする。
本発明の構成によれば、距離計測リングの内側面に設
けられた複数の検出ヘッドの動作はマルチプレケサによ
って順次時系列に切り換えられ、各検出ヘッドは被測定
物までの距離に対応する各検出信号を順次時系列に出力
する。そして、この検出ヘッドはガイド部材に沿って移
動するので、被測定物の三次元形状に応じた検出信号が
得られることになり、従ってこの検出信号にもとづいて
三次元形状が計測されることになる。
けられた複数の検出ヘッドの動作はマルチプレケサによ
って順次時系列に切り換えられ、各検出ヘッドは被測定
物までの距離に対応する各検出信号を順次時系列に出力
する。そして、この検出ヘッドはガイド部材に沿って移
動するので、被測定物の三次元形状に応じた検出信号が
得られることになり、従ってこの検出信号にもとづいて
三次元形状が計測されることになる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一
の符号を付し、重複する説明を省略する。
明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一
の符号を付し、重複する説明を省略する。
第１図は本発明の一実施例に係る三次元形状計測装置
の基本構成を示すブロック図である。図示の通り、本実
施例は被測定物を囲むように配設された距離計測リング
を有することを特徴とし、このリングの内側面には複数
の検出ヘッド（距離検出用ヘッド）が配設されている。
そして、この検出ヘッドからの検出信号に対して後述の
演算処理を行なうことにより、被測定物の三次元形状を
求めるものである。
の基本構成を示すブロック図である。図示の通り、本実
施例は被測定物を囲むように配設された距離計測リング
を有することを特徴とし、このリングの内側面には複数
の検出ヘッド（距離検出用ヘッド）が配設されている。
そして、この検出ヘッドからの検出信号に対して後述の
演算処理を行なうことにより、被測定物の三次元形状を
求めるものである。
この検出ヘッドとしては、従来から公知の距離検出装
置を用いることができ、また本出願人が昭和62年６月19
日付で特許出願した距離検出装置なども用いることがで
き、本発明はこれらを三次元形状の計測に応用したもの
である。そこで、具体的な実施例の説明に先立って、上
記の距離検出装置について、第５図ないし第図を参照し
て説明する。
置を用いることができ、また本出願人が昭和62年６月19
日付で特許出願した距離検出装置なども用いることがで
き、本発明はこれらを三次元形状の計測に応用したもの
である。そこで、具体的な実施例の説明に先立って、上
記の距離検出装置について、第５図ないし第図を参照し
て説明する。
第５図は従来から公知の一般的な半導体位置検出器の
構成図であり、第６図は第５図の半導体位置検出器を用
いた一般的な距離検出装置の構成図である。第６図に示
されるように、距離検出装置は光源１、投光レンズ２、
受光レンズ３および半導体位置検出器４を有し、被測定
物５までの距離を半導体位置検出器４上の光点位置SPか
ら求められるようになっている。そこで、まず半導体位
置検出器４の構成と作用について説明する。
構成図であり、第６図は第５図の半導体位置検出器を用
いた一般的な距離検出装置の構成図である。第６図に示
されるように、距離検出装置は光源１、投光レンズ２、
受光レンズ３および半導体位置検出器４を有し、被測定
物５までの距離を半導体位置検出器４上の光点位置SPか
ら求められるようになっている。そこで、まず半導体位
置検出器４の構成と作用について説明する。
第５図において、半導体位置検出器４はN+型半導体層
41と、高抵抗のＮ型半導体層42と、抵抗率が均一なＰ型
半導体層43とが順次に積層されて形成されている。Ｎ型
半導体層42およびＰ型半導体層43はフォトダイオードを
構成しており、N+型半導体層41にはフォトダイオードに
逆バイアスの電圧を印加するための共通電極44が設けら
れている。また、Ｐ型半導体層43の両端部には一対の電
極45,46が設けられている。この半導体位置検出器４の
共通電極44に所定の電圧を印加し、第５図中の位置SPの
ところに光点として光が入射したとすると、位置SPの下
方のＰ型半導体層43とＮ型半導体層42とのPN接合部には
電子−正孔対が生じ、これにより光点の入射エネルギー
に比例した光電流I0が共通電極44からＰ型半導体層43に
向かって流れる。
41と、高抵抗のＮ型半導体層42と、抵抗率が均一なＰ型
半導体層43とが順次に積層されて形成されている。Ｎ型
半導体層42およびＰ型半導体層43はフォトダイオードを
構成しており、N+型半導体層41にはフォトダイオードに
逆バイアスの電圧を印加するための共通電極44が設けら
れている。また、Ｐ型半導体層43の両端部には一対の電
極45,46が設けられている。この半導体位置検出器４の
共通電極44に所定の電圧を印加し、第５図中の位置SPの
ところに光点として光が入射したとすると、位置SPの下
方のＰ型半導体層43とＮ型半導体層42とのPN接合部には
電子−正孔対が生じ、これにより光点の入射エネルギー
に比例した光電流I0が共通電極44からＰ型半導体層43に
向かって流れる。
ところで、第５図に示すように、電極45,46間の距離
をｃとし、その間のＰ型半導体層43の抵抗をRcとし、さ
らに光て入射位置SPと電極46との間の距離をｘとし、そ
の間のＰ型半導体層43の抵抗をRxとすれば、光電流I0は
光点入射位置SPのところで、Ｐ型半導体層43の有する抵
抗によって分割される。すなわち、電極45への電流IAお
よび電極46への電流IBは、電極45と光点入射位置SPとの
間のＰ型半導体層43の抵抗（Rc−Rx）と、電極46と光点
入射位置SPとの間のＰ型半導体装置43の抵抗Rxのそれぞ
れに反比例するように分割され、 IA＝I0・［Rx/Rc］ IB＝I0・［（Rc−Rx）/Rc］ …（１） のようになる。
をｃとし、その間のＰ型半導体層43の抵抗をRcとし、さ
らに光て入射位置SPと電極46との間の距離をｘとし、そ
の間のＰ型半導体層43の抵抗をRxとすれば、光電流I0は
光点入射位置SPのところで、Ｐ型半導体層43の有する抵
抗によって分割される。すなわち、電極45への電流IAお
よび電極46への電流IBは、電極45と光点入射位置SPとの
間のＰ型半導体層43の抵抗（Rc−Rx）と、電極46と光点
入射位置SPとの間のＰ型半導体装置43の抵抗Rxのそれぞ
れに反比例するように分割され、 IA＝I0・［Rx/Rc］ IB＝I0・［（Rc−Rx）/Rc］ …（１） のようになる。
前述のように、Ｐ型半導体層43の抵抗率は均一に分布
しているので、抵抗Rx,Rcは距離x,cにそれぞれ同じ比例
定数で比例する。従って、上記（１）式は、 IA＝I0・x/c IB＝I0・［（ｃ−ｘ）/c］ …（２） のように表現される。上記（２）式からわかるように、
電流IA,IBを電極45,46から取出し、所定の演算回路（図
示せず。）において所定のアナログ演算処理を施すこと
で、電極46から光点入射位置SPまでの距離ｘを求めるこ
とができる。
しているので、抵抗Rx,Rcは距離x,cにそれぞれ同じ比例
定数で比例する。従って、上記（１）式は、 IA＝I0・x/c IB＝I0・［（ｃ−ｘ）/c］ …（２） のように表現される。上記（２）式からわかるように、
電流IA,IBを電極45,46から取出し、所定の演算回路（図
示せず。）において所定のアナログ演算処理を施すこと
で、電極46から光点入射位置SPまでの距離ｘを求めるこ
とができる。
次に、第６図を参照して一般的な距離検出装置の構成
と作用を説明する。
と作用を説明する。
同図において、距離検出装置は被測定物５を照射する
ための光を出力する光源１と、光源１で出力された光を
被測定物５に集光させる投光レンズ２と、被測定物５で
反射された光を集光させる受光レンズ３と、受光レンズ
３により集光された反射光が光点として入射し、その光
点入射位置SPを検出する前述の半導体位置検出器４とか
ら構成されている。ここで、光源１は発光ダイオードあ
るいは半導体レーザからなっている。また、受光レンズ
３は投光レンズ２に対して基線長Ｂだけ間隔をあけて配
置されており、半導体位置検出器４は受光レンズ３に対
して焦点距離ｆだけ間隔をあけて配置されている。な
お、受光レンズ３の光軸Ａは半導体位置検出器４の電極
46と整合しておらず、電極46から距離x0だけ間隔をあけ
ているとする。
ための光を出力する光源１と、光源１で出力された光を
被測定物５に集光させる投光レンズ２と、被測定物５で
反射された光を集光させる受光レンズ３と、受光レンズ
３により集光された反射光が光点として入射し、その光
点入射位置SPを検出する前述の半導体位置検出器４とか
ら構成されている。ここで、光源１は発光ダイオードあ
るいは半導体レーザからなっている。また、受光レンズ
３は投光レンズ２に対して基線長Ｂだけ間隔をあけて配
置されており、半導体位置検出器４は受光レンズ３に対
して焦点距離ｆだけ間隔をあけて配置されている。な
お、受光レンズ３の光軸Ａは半導体位置検出器４の電極
46と整合しておらず、電極46から距離x0だけ間隔をあけ
ているとする。
第６図の距離検出装置において、被測定物５が投光レ
ンズ２から距離Ｌのところに位置し、このとき受光レン
ズ３からの光点が半導体位置検出器４の位置SPのところ
（電極46から距離ｘのところ）に入射したとすると、距
離ｘは第６図に基づき、被測定物５までの距離Ｌに対し
て ｘ−x0＝x1＝ｆ・B/L …（３） として求められる。従って、前述の（２）式の電流IA,I
Bに所定のアナログ演算処理を施して距離ｘが求まるの
で、上記（３）式を用いて被測定物５までの距離Ｌを検
出することができる。
ンズ２から距離Ｌのところに位置し、このとき受光レン
ズ３からの光点が半導体位置検出器４の位置SPのところ
（電極46から距離ｘのところ）に入射したとすると、距
離ｘは第６図に基づき、被測定物５までの距離Ｌに対し
て ｘ−x0＝x1＝ｆ・B/L …（３） として求められる。従って、前述の（２）式の電流IA,I
Bに所定のアナログ演算処理を施して距離ｘが求まるの
で、上記（３）式を用いて被測定物５までの距離Ｌを検
出することができる。
すなわち、電流IA,IBを （IA−IB）／（IA＋IB） ＝１−2x/c …（４） のように割り算の演算処理を行なうことにより、前述の
距離ｘを求める。そして、前述の（３）式と（４）式か
ら距離ｘを消去すると、 （IA−IB）／（IA＋IB） ＝１−2x0/c−2f・B/（ｃ・Ｌ） …（５） の関係が得られるので、電流演算値（IA−IB）／（IA＋
IB）は被測定物５までの距離Ｌに反比例していることが
わかり、従って間接的に距離Ｌを求めることができる。
距離ｘを求める。そして、前述の（３）式と（４）式か
ら距離ｘを消去すると、 （IA−IB）／（IA＋IB） ＝１−2x0/c−2f・B/（ｃ・Ｌ） …（５） の関係が得られるので、電流演算値（IA−IB）／（IA＋
IB）は被測定物５までの距離Ｌに反比例していることが
わかり、従って間接的に距離Ｌを求めることができる。
一方、前述の特許出願に示される方式によれば、より
簡単な構成で広い範囲の距離検出が可能になる。
簡単な構成で広い範囲の距離検出が可能になる。
第７図は当該出願に係る距離検出装置の基本構成図で
ある。図示の通り、距離検出装置は光源１と、この発光
光束を集光する投光レンズ２と、この投光レンズ２に対
して基線長Ｂだけ隔てて配置された受光レンズ３と、受
光レンズ３からの光を受ける半導体位置検出器４と、こ
の半導体位置検出器４からの光電流を受けて後述の演算
を行なう演算回路20により構成される。そして、演算回
路20は分割された電流IA,IBを電圧信号VA,VBに変換する
I/V変換器21A,21Bと、電圧信号VA,VBを加算する加算器2
2と、電圧信号VAと電圧信号の和VA＋VBの割り算を行な
うアナログ割算器23を有している。
ある。図示の通り、距離検出装置は光源１と、この発光
光束を集光する投光レンズ２と、この投光レンズ２に対
して基線長Ｂだけ隔てて配置された受光レンズ３と、受
光レンズ３からの光を受ける半導体位置検出器４と、こ
の半導体位置検出器４からの光電流を受けて後述の演算
を行なう演算回路20により構成される。そして、演算回
路20は分割された電流IA,IBを電圧信号VA,VBに変換する
I/V変換器21A,21Bと、電圧信号VA,VBを加算する加算器2
2と、電圧信号VAと電圧信号の和VA＋VBの割り算を行な
うアナログ割算器23を有している。
上記の構成によれば、演算回路20の出力（VA＋VB）/V
Aは（IA＋IB）/IAに比例し、かつ（IA＋IB）/IAは後述
の如く第７図中のc,f,b,LFにより定まる数値を比例定数
とする距離Ｌに等しくなるので、被測定物５までの距離
Ｌを簡単に求めることが可能である。そこで、距離検出
の原理から、第７図の距離検出装置の構成と作用を、順
次に説明する。
Aは（IA＋IB）/IAに比例し、かつ（IA＋IB）/IAは後述
の如く第７図中のc,f,b,LFにより定まる数値を比例定数
とする距離Ｌに等しくなるので、被測定物５までの距離
Ｌを簡単に求めることが可能である。そこで、距離検出
の原理から、第７図の距離検出装置の構成と作用を、順
次に説明する。
第８図は測距範囲をLNからLFに設定した時の距離検出
用光学系を示す図である。光源１の発光光束を投光レン
ズ２によって集光し、被測定物５を照射する。被測定物
５からの反射光は投光レンズ２に対して基線長Ｂだけ隔
てて配置された受光レンズ３により集光される。半導体
位置検出器４は受光レンズ３から距離ｆの集光位置（光
点位置）に配置されている。
用光学系を示す図である。光源１の発光光束を投光レン
ズ２によって集光し、被測定物５を照射する。被測定物
５からの反射光は投光レンズ２に対して基線長Ｂだけ隔
てて配置された受光レンズ３により集光される。半導体
位置検出器４は受光レンズ３から距離ｆの集光位置（光
点位置）に配置されている。
ここで、測距範囲内の最至近距離および最遠距離をそ
れぞれLNおよびLFとし、被測定物５までの距離をＬとす
る。また、受光レンズ３の光軸から半導体位置検出器４
の受光部の一方の端までの距離をxFとし、被測定物５か
らの反射光が受光レンズ３によって集光される光点SPの
位置から受光レンズ３の光軸までの距離をｘとし、光点
SPの位置から半導体位置検出器４の受光部の一方の端ま
での距離をx1とし、半導体位置検出器４の受光部の長さ
（一対の電極の間隔）をｃとすると、それぞれ以下の関
係式が成り立つ。
れぞれLNおよびLFとし、被測定物５までの距離をＬとす
る。また、受光レンズ３の光軸から半導体位置検出器４
の受光部の一方の端までの距離をxFとし、被測定物５か
らの反射光が受光レンズ３によって集光される光点SPの
位置から受光レンズ３の光軸までの距離をｘとし、光点
SPの位置から半導体位置検出器４の受光部の一方の端ま
での距離をx1とし、半導体位置検出器４の受光部の長さ
（一対の電極の間隔）をｃとすると、それぞれ以下の関
係式が成り立つ。
第９図は半導体位置検出器４の一方の電極に抵抗RxF
を付加させた図である。電極46から光点入射位置SPまで
の距離をx1とし、この部分のＰ型半導体層の抵抗をRx1
とし、半導体位置検出器４の受光部の長さをｃとし、こ
の抵抗をRcとし、光点入射位置で発生した電流をI0とす
る。また、付加抵抗をRXFを第８図に示すxFに対応させ
ると、この値は下記の（10）式の関係になる。
を付加させた図である。電極46から光点入射位置SPまで
の距離をx1とし、この部分のＰ型半導体層の抵抗をRx1
とし、半導体位置検出器４の受光部の長さをｃとし、こ
の抵抗をRcとし、光点入射位置で発生した電流をI0とす
る。また、付加抵抗をRXFを第８図に示すxFに対応させ
ると、この値は下記の（10）式の関係になる。
ここで電極45,46から取出される電流をそれぞれIA,IB
とする時には、その値は下記の（11）式及び（12）式よ
り求めることができる。
とする時には、その値は下記の（11）式及び（12）式よ
り求めることができる。
そこで、第７図の演算回路20のアナログ割算部にて
（13）式の演算を実行させると、下記（13）式のように
なる。
（13）式の演算を実行させると、下記（13）式のように
なる。
ここで、（８）式よりｘ＝x1＋xFであるから、これを
（13）式に代入すると、次の（14）式を得ることができ
る。
（13）式に代入すると、次の（14）式を得ることができ
る。
（14）式の右辺のカッコ内は全て定数となるので、ア
ナログ割算部の出力は被測定物５までの距離Ｌに比例し
ていることがわかる。従って、任意の測定範囲に対して
（10）式で示す付加抵抗RxFの値を決定すれば、（14）
式で示すアナログ割算部の出力値は被測定物５までの距
離Ｌに比例していることがわかる。
ナログ割算部の出力は被測定物５までの距離Ｌに比例し
ていることがわかる。従って、任意の測定範囲に対して
（10）式で示す付加抵抗RxFの値を決定すれば、（14）
式で示すアナログ割算部の出力値は被測定物５までの距
離Ｌに比例していることがわかる。
本発明に係る三次元形状計測装置は、以上のように構
成される距離検出装置を検出ヘッドに用いる。そこで、
以上の説明を前提にして、第１図により本発明の一実施
例の構成を説明する。
成される距離検出装置を検出ヘッドに用いる。そこで、
以上の説明を前提にして、第１図により本発明の一実施
例の構成を説明する。
第１図に示すように、ｎ個の検出ヘッド111,112,…,1
1nは円環状の距離計測リング12の内側面に固設される。
そして、各検出ヘッド111,112,…,11nは、赤外線LEDの
如き光源と、光源からの光を距離計測リング12の中央に
配置された被測定物33の表面に入射する投光レンズと、
被測定物33からの反射光を集光する受光レンズと、受光
レンズからの光を光点として入射する半導体位置検出器
とを備えている。そして半導体位置検出器に流れる光電
流が、検出信号としてアナログマルチプレクサ13を介し
て出力される。次に、検出信号は信号処理回路14に送ら
れ、その結果がA/Dコンバータ15を介してメモリ16に記
憶され、I/Oインターフェース回路17を介してコンピュ
ータ18に送られ、表示装置19で三次元表示されるように
なっている。
1nは円環状の距離計測リング12の内側面に固設される。
そして、各検出ヘッド111,112,…,11nは、赤外線LEDの
如き光源と、光源からの光を距離計測リング12の中央に
配置された被測定物33の表面に入射する投光レンズと、
被測定物33からの反射光を集光する受光レンズと、受光
レンズからの光を光点として入射する半導体位置検出器
とを備えている。そして半導体位置検出器に流れる光電
流が、検出信号としてアナログマルチプレクサ13を介し
て出力される。次に、検出信号は信号処理回路14に送ら
れ、その結果がA/Dコンバータ15を介してメモリ16に記
憶され、I/Oインターフェース回路17を介してコンピュ
ータ18に送られ、表示装置19で三次元表示されるように
なっている。
一方、距離計測リング12は図示しない案内ガイドに取
り付けられ、これに沿ってリング12の軸方向に移動可能
になっている。このため、システムシーケンスコントロ
ーラ30およびモータ駆動回路31によりモータ32か作動さ
せられると、距離計測リング12は第１図の紙面に垂直な
軸方向（距離計測リング12に平行な軸方向）に移動を行
なう。
り付けられ、これに沿ってリング12の軸方向に移動可能
になっている。このため、システムシーケンスコントロ
ーラ30およびモータ駆動回路31によりモータ32か作動さ
せられると、距離計測リング12は第１図の紙面に垂直な
軸方向（距離計測リング12に平行な軸方向）に移動を行
なう。
次に、上記実施例に係る三次元形状計測装置の動作を
説明する。
説明する。
前述の通り、モータ32により距離計測リング12は同図
の紙面に垂直方向（紙面をＸ−Ｙ平面に指定した時のＺ
軸方向）に移動することができる機構になっている。距
離計測リング12は前もって計測スタート位置に設定され
ており、システムシーケンスコントローラ30からの計測
スタート信号により、Ｚ軸方向の移動を開始する。
の紙面に垂直方向（紙面をＸ−Ｙ平面に指定した時のＺ
軸方向）に移動することができる機構になっている。距
離計測リング12は前もって計測スタート位置に設定され
ており、システムシーケンスコントローラ30からの計測
スタート信号により、Ｚ軸方向の移動を開始する。
距離計測リング12の移動速度が一定になった時点で、
アナログマルチプレクサ13により距離検出ヘッド111の
信号ラインがONになる。次に、距離検出ヘッド111の光
源をパルス点燈させ、投光レンズにより被測定物33の表
面上に集光させる。被測定物33の表面で反射された光束
は、受光レンズにより半導体位置検出器の受光面上に集
光される。そして、この半導体位置検出器から得られる
信号電流（検出信号）は、電流−電圧変換後にアナログ
マルチプレクサ13を介して信号処理回路14に送られる。
アナログマルチプレクサ13により距離検出ヘッド111の
信号ラインがONになる。次に、距離検出ヘッド111の光
源をパルス点燈させ、投光レンズにより被測定物33の表
面上に集光させる。被測定物33の表面で反射された光束
は、受光レンズにより半導体位置検出器の受光面上に集
光される。そして、この半導体位置検出器から得られる
信号電流（検出信号）は、電流−電圧変換後にアナログ
マルチプレクサ13を介して信号処理回路14に送られる。
信号処理回路14では外乱光のノイズ成分が重畳された
信号のうち、ノイズを除いた成分のみが抜き取られる。
このノイズの除去は、例えば第10図に示すような信号処
理により行なうことができる。同図において、タイミン
グφ０は光源がパルス点燈するタイミングであり、VA,V
A＋VBそれぞれ半導体位置検出器の電極から得られる光
電流に対応した検出信号（電圧信号）である。このよう
な状態において、タイミングφ１で信号のサンプリング
を行なうと、サンプリングされた信号にはノイズのみが
含まれる。また、タイミングφ２でサンプリングを行な
うと、サンプリングされた信号にはノイズ成分と信号成
分とが含まれる。そこで、タイミングφ２でサンプリン
グされた信号からタイミングφ１でサンプリングされた
信号を引くと、ノイズを含まない信号成分のみを抽出で
きる。
信号のうち、ノイズを除いた成分のみが抜き取られる。
このノイズの除去は、例えば第10図に示すような信号処
理により行なうことができる。同図において、タイミン
グφ０は光源がパルス点燈するタイミングであり、VA,V
A＋VBそれぞれ半導体位置検出器の電極から得られる光
電流に対応した検出信号（電圧信号）である。このよう
な状態において、タイミングφ１で信号のサンプリング
を行なうと、サンプリングされた信号にはノイズのみが
含まれる。また、タイミングφ２でサンプリングを行な
うと、サンプリングされた信号にはノイズ成分と信号成
分とが含まれる。そこで、タイミングφ２でサンプリン
グされた信号からタイミングφ１でサンプリングされた
信号を引くと、ノイズを含まない信号成分のみを抽出で
きる。
次に、信号処理回路14中のアナログ割算器により、演
算されたアナログ出力が得られる。このアナログ出力は
距離検出ヘッド11から被測定部13の表面の照射位置まで
の距離に対応している。このアナログ出力はA/Dコンバ
ータ15によりデジタル信号に変換され、一時的に記憶し
ておくためのメモリ16に記憶される。
算されたアナログ出力が得られる。このアナログ出力は
距離検出ヘッド11から被測定部13の表面の照射位置まで
の距離に対応している。このアナログ出力はA/Dコンバ
ータ15によりデジタル信号に変換され、一時的に記憶し
ておくためのメモリ16に記憶される。
以上述べた測距動作が、距離検出ヘッド111に関する
ものであるが、同様の動作を距離検出ヘッド112,113,
…,11nで時系列に実行して行く。そして、ｎ番目の距離
検出ヘッド11nによる測距動作が完了すると、被測定物3
3を一周した測定が完了する。この計測時点において距
離計測リング12は等速度でＺ軸方向に移動しており、順
次第２周目、３周目の計測が実行され、計測完了するま
での全てのデータが一時記憶のためにメモリ16に格納さ
れる。
ものであるが、同様の動作を距離検出ヘッド112,113,
…,11nで時系列に実行して行く。そして、ｎ番目の距離
検出ヘッド11nによる測距動作が完了すると、被測定物3
3を一周した測定が完了する。この計測時点において距
離計測リング12は等速度でＺ軸方向に移動しており、順
次第２周目、３周目の計測が実行され、計測完了するま
での全てのデータが一時記憶のためにメモリ16に格納さ
れる。
計測完了の後には、メモリ16に格納された距離データ
はI/Oインターフェース回路17を介してコンピュータ18
の主記憶メモリに転送され、X,Y,Zの三次元座標の数値
データに変換される。この変換されたデータは被測定物
33の三次元形状のためのデータであり、表示装置19にグ
ラフィック表示するために、任意に設定されたビューポ
イントに対する表示が可能なデータに変換され、被測定
物33の三次元形状が表示装置19によって表示される。
はI/Oインターフェース回路17を介してコンピュータ18
の主記憶メモリに転送され、X,Y,Zの三次元座標の数値
データに変換される。この変換されたデータは被測定物
33の三次元形状のためのデータであり、表示装置19にグ
ラフィック表示するために、任意に設定されたビューポ
イントに対する表示が可能なデータに変換され、被測定
物33の三次元形状が表示装置19によって表示される。
次に、上記の実施例に係る三次元形状計測装置を、人
体の三次元形状の計測に応用した例を説明する。
体の三次元形状の計測に応用した例を説明する。
第２図はその要部の斜視図である。図示の通り、内径
が1200mmの距離計測リング12の内側面には、180個の検
出ヘッド111〜11180が組み込まれている。距離計測リン
グ12は３本のガイドロッド51に摺動自在に取り付けら
れ、第１図のモータ32により0.5m/秒の等速度でＺ軸方
向に移動する。そして、この距離計測リング12は被検者
33の体形に応じて、スタート位置（距離計測リングの動
き出す前に置かれているＺ軸方向の位置）と計測完了位
置があらかじめ設定される。
が1200mmの距離計測リング12の内側面には、180個の検
出ヘッド111〜11180が組み込まれている。距離計測リン
グ12は３本のガイドロッド51に摺動自在に取り付けら
れ、第１図のモータ32により0.5m/秒の等速度でＺ軸方
向に移動する。そして、この距離計測リング12は被検者
33の体形に応じて、スタート位置（距離計測リングの動
き出す前に置かれているＺ軸方向の位置）と計測完了位
置があらかじめ設定される。
第３図はこの具体例の計測動作における各信号のタイ
ミングを示す図である。
ミングを示す図である。
計測スタート信号が入力されると第１図に示すシステ
ムシーケンスコントローラ30が動作を開始し、第２図に
示す距離計測リング12があらかじめ設定された上部スタ
ート位置より動き出し、100ミリ秒以内に移動速度が0.5
m/sの等速度になり安定する。第３図において、計測ス
タート信号が起動されて距離検出ヘッド111の光源がパ
ルス点燈（同図の信号波形P1）するまでに、100ミリ秒
という計測装置にとっては長い時間を費やすのは、前述
の移動速度の安定化のためである。
ムシーケンスコントローラ30が動作を開始し、第２図に
示す距離計測リング12があらかじめ設定された上部スタ
ート位置より動き出し、100ミリ秒以内に移動速度が0.5
m/sの等速度になり安定する。第３図において、計測ス
タート信号が起動されて距離検出ヘッド111の光源がパ
ルス点燈（同図の信号波形P1）するまでに、100ミリ秒
という計測装置にとっては長い時間を費やすのは、前述
の移動速度の安定化のためである。
各距離検出ヘッド11内の半導体位置検出器から得られ
る光電流には、信号電流（IAおよびIB）以外に、外乱光
による光電流（In）が重畳されている。それ故、Ｉ−Ｖ
変換後に信号成分のみを抜き取る必要があり、これを実
行するのが第１図中に示す信号処理回路14内のパルス信
号抜取回路（図示せず）である。パルス信号抜取回路は
２個のサンプルアンドホールド回路と１つの作動オペア
ンプで構成されており、一方のサンプルホールド回路
（S/H1）でパルス点燈する直前の電圧レベルを第３図に
示す信号波形φ1-1〜φ180-1のタイミングでサンプルし
てホールドし、もう一方のサンプルアンドホールド回路
（S/H2）でパルス点燈時の電圧レベルを、信号波形φ
1-2〜φ180-2のタイミングでサンプルホールドする。こ
れら２つのサンプリングアンドホールド回路（S/H1,S/H
2）の出力は、差動オペアンプによってその差分（Ｖ
S/H2−ＶS/H1）が演算され、信号成分（VA,VB）のみが
抜き取られる。なお、このノイズ除去の原理について
は、第10図を参照してすでに説明した。
る光電流には、信号電流（IAおよびIB）以外に、外乱光
による光電流（In）が重畳されている。それ故、Ｉ−Ｖ
変換後に信号成分のみを抜き取る必要があり、これを実
行するのが第１図中に示す信号処理回路14内のパルス信
号抜取回路（図示せず）である。パルス信号抜取回路は
２個のサンプルアンドホールド回路と１つの作動オペア
ンプで構成されており、一方のサンプルホールド回路
（S/H1）でパルス点燈する直前の電圧レベルを第３図に
示す信号波形φ1-1〜φ180-1のタイミングでサンプルし
てホールドし、もう一方のサンプルアンドホールド回路
（S/H2）でパルス点燈時の電圧レベルを、信号波形φ
1-2〜φ180-2のタイミングでサンプルホールドする。こ
れら２つのサンプリングアンドホールド回路（S/H1,S/H
2）の出力は、差動オペアンプによってその差分（Ｖ
S/H2−ＶS/H1）が演算され、信号成分（VA,VB）のみが
抜き取られる。なお、このノイズ除去の原理について
は、第10図を参照してすでに説明した。
次に、信号成分の演算として（VA＋VB）/VA,），（VA
＋VB）/VBあるいは（VA−VB）／（VA＋VA）などを実行
する。このようにすれば、先に説明したようにいずれの
演算であっても、出力特性上の差異はあるが、距離に対
応したアナログ出力が得られる。アナログ出力は第１図
に示すA/Dコンバータ15によりデジタル信号に変換さ
れ、第３図に示す信号波形A/D1〜A/D180のタイミングで
一時記憶用のメモリ16に格納される。各距離検出ヘッド
111の測距動作は５マイクロ秒以内に完了し、次の測距
動作に移る。
＋VB）/VBあるいは（VA−VB）／（VA＋VA）などを実行
する。このようにすれば、先に説明したようにいずれの
演算であっても、出力特性上の差異はあるが、距離に対
応したアナログ出力が得られる。アナログ出力は第１図
に示すA/Dコンバータ15によりデジタル信号に変換さ
れ、第３図に示す信号波形A/D1〜A/D180のタイミングで
一時記憶用のメモリ16に格納される。各距離検出ヘッド
111の測距動作は５マイクロ秒以内に完了し、次の測距
動作に移る。
距離計測リング12における一周期の計測時間は約９ミ
リ秒であり、身長170cmの披検者33の全身の計測に要す
る時間は次のようになる。
リ秒であり、身長170cmの披検者33の全身の計測に要す
る時間は次のようになる。
一周期の計測動作時間（９ミリ秒）に移動する距離計
測リングの距離 500〔mm/s〕×0.009〔ｓ〕 ＝4.5mm …（21） 被検者全身の計測に必要な周期回数 1700〔mm〕÷4.5〔mm〕 ＝378回 …（22） 計測時間 ９〔ms〕×378〔回〕＝3.4〔ｓ〕 …（23） 以上の結果より、被検者が一定の姿勢で3.4秒間静止
状態を保つことは容易であり、計測精度を向上させるこ
とが可能であることがわかる。ここで、ある距離検出ヘ
ッドを基準に設定し、それぞれの番号をＮ計測時の周期
番号をＴとし、各距離データをＬ（T,N）の形で表わす
と、この具体例ではそれぞれの番号の最大値がＮ＝180,
T＝378で、一時記憶メモリ16に格納される距離データは
第４図に示すデータ構成となる。
測リングの距離 500〔mm/s〕×0.009〔ｓ〕 ＝4.5mm …（21） 被検者全身の計測に必要な周期回数 1700〔mm〕÷4.5〔mm〕 ＝378回 …（22） 計測時間 ９〔ms〕×378〔回〕＝3.4〔ｓ〕 …（23） 以上の結果より、被検者が一定の姿勢で3.4秒間静止
状態を保つことは容易であり、計測精度を向上させるこ
とが可能であることがわかる。ここで、ある距離検出ヘ
ッドを基準に設定し、それぞれの番号をＮ計測時の周期
番号をＴとし、各距離データをＬ（T,N）の形で表わす
と、この具体例ではそれぞれの番号の最大値がＮ＝180,
T＝378で、一時記憶メモリ16に格納される距離データは
第４図に示すデータ構成となる。
コンピュータ18において第４図に示す距離データによ
りX,Y,Z三次元座標系に変換するには、以下の方式を用
いる。すなわち、Ｘ−Ｙ平面の原点は距離計測リング12
の内径中心に一致させ、またこの内径の半径をＲとし、
Ｚ軸の原点はＬ（1,1）の測定位置に選ぶと次の関係式
が成り立つ。
りX,Y,Z三次元座標系に変換するには、以下の方式を用
いる。すなわち、Ｘ−Ｙ平面の原点は距離計測リング12
の内径中心に一致させ、またこの内径の半径をＲとし、
Ｚ軸の原点はＬ（1,1）の測定位置に選ぶと次の関係式
が成り立つ。
Ｘ（T,N） ＝｛Ｒ−Ｌ（T,N）｝COS θＮ …（24） Ｙ（T,N） ＝｛Ｒ−Ｌ（T,N）｝SIN θＮ …（25） Ｚ（T,N） ＝4.5×（Ｔ−１） ＋4.5×（Ｎ−１）/180 …（26） 但し、θＮ＝２（度）×Ｎ …（27） 上記の方式によって得られる被検者の三次元形状デー
タに対して、任意の観察をするための視点を設定し、二
次元表示用演算を実行することにより、表示装置19で任
意の角度から見た時の形状を表示することができる。ま
たこの具体例においては、安全確保のために、計測スタ
ートおよび停止の制御が被検者とオペレータとの両方か
ら実行可能になっている。
タに対して、任意の観察をするための視点を設定し、二
次元表示用演算を実行することにより、表示装置19で任
意の角度から見た時の形状を表示することができる。ま
たこの具体例においては、安全確保のために、計測スタ
ートおよび停止の制御が被検者とオペレータとの両方か
ら実行可能になっている。
本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、種
々の変形が可能である。
々の変形が可能である。
例えば、検出ヘッドの具体的な構成については、被測
定物からの光を光点として入射し、その光電流を検出信
号として出力するものであれば、種々の構成とすること
ができる。また、距離計測リングの具体的な構成につい
ても、第２図に示されるものに限らない。さらに、計測
手段の具体的な構成についても、第１図でブロックによ
り示したものに限られない。
定物からの光を光点として入射し、その光電流を検出信
号として出力するものであれば、種々の構成とすること
ができる。また、距離計測リングの具体的な構成につい
ても、第２図に示されるものに限らない。さらに、計測
手段の具体的な構成についても、第１図でブロックによ
り示したものに限られない。
以上、詳細に説明した通り本発明によれば、距離計測
リングの内側面に設けられた複数の検出ヘッドの動作は
マルチプレクサによって順次時系列に切り換えられ、各
検出ヘッドは被測定物までの距離に対応する各検出信号
を順次時系列に出力する。そして、この検出ヘッドはガ
イド部材に沿って移動するので、被測定物の三次元形状
に応じた検出信号が得られることになり、従ってこの検
出信号にもとづいて三次元形状が計測されることにな
る。このため、被測定物の静止を短い時間だけ保つこと
により測定を可能とし、また被測定物に応じた調整を不
要とし、さらに被測定物が人体などであるときにも高い
安全性を維持することのできる効果がある。
リングの内側面に設けられた複数の検出ヘッドの動作は
マルチプレクサによって順次時系列に切り換えられ、各
検出ヘッドは被測定物までの距離に対応する各検出信号
を順次時系列に出力する。そして、この検出ヘッドはガ
イド部材に沿って移動するので、被測定物の三次元形状
に応じた検出信号が得られることになり、従ってこの検
出信号にもとづいて三次元形状が計測されることにな
る。このため、被測定物の静止を短い時間だけ保つこと
により測定を可能とし、また被測定物に応じた調整を不
要とし、さらに被測定物が人体などであるときにも高い
安全性を維持することのできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る三次元形状計測装置の
基本構成のブロック図、第２図は実施例の人体の三次元
形状の計測に応用した例の要部の斜視図、第３図は具体
例による計測動作を説明するタイミング図、第４図は距
離データの構成図、第５図は一般的な半導体位置検出器
の構成図、第６図は第５図の半導体位置検出器を用いた
検出装置の構成図、第７図は別途に特許出願した距離検
出装置の基本構成図、第８図は測距範囲を広くしたとき
の距離検出用光学系の説明図、第９図は半導体位置検出
器の一方の電極に抵抗を付加した図、第10図はノイズ除
去のための信号処理を説明する波形図である。 １……光源、２……投光レンズ、３……受光レンズ、４
……半導体位置検出器、5,33……被測定物、111〜11n…
…検出ヘッド、12……距離計測リング、13……アナログ
マルチプレクサ、14……信号処理回路、15……A/Dコン
バータ、16……メモリ、17……I/Oインターフェース回
路、18……コンピュータ、19……表示装置、30……シス
テムシーケンスコントローラ、31……モータ駆動回路、
32……モータ、51……ガイドロッド。
基本構成のブロック図、第２図は実施例の人体の三次元
形状の計測に応用した例の要部の斜視図、第３図は具体
例による計測動作を説明するタイミング図、第４図は距
離データの構成図、第５図は一般的な半導体位置検出器
の構成図、第６図は第５図の半導体位置検出器を用いた
検出装置の構成図、第７図は別途に特許出願した距離検
出装置の基本構成図、第８図は測距範囲を広くしたとき
の距離検出用光学系の説明図、第９図は半導体位置検出
器の一方の電極に抵抗を付加した図、第10図はノイズ除
去のための信号処理を説明する波形図である。 １……光源、２……投光レンズ、３……受光レンズ、４
……半導体位置検出器、5,33……被測定物、111〜11n…
…検出ヘッド、12……距離計測リング、13……アナログ
マルチプレクサ、14……信号処理回路、15……A/Dコン
バータ、16……メモリ、17……I/Oインターフェース回
路、18……コンピュータ、19……表示装置、30……シス
テムシーケンスコントローラ、31……モータ駆動回路、
32……モータ、51……ガイドロッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−55212（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−180411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−146803（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−38808（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】所定の軸に垂直な平面に配設された距離計
測リングと、 前記所定の軸上もしくはその近傍に置かれた被測定物に
光を入射させる光源と、前記被測定物からの反射光が光
点として入射される半導体層に流れる光電流にもとづい
て検出信号を出力する半導体位置検出器とをそれぞれ含
み、前記所定の軸までの距離がほぼ同一となるように前
記距離計測リングの内側面に取り付けられた複数の検出
ヘッドと、 前記距離計測リングを前記所定の軸方向に案内するガイ
ド部材と、 前記距離計測リングを前記ガイド部材に沿って移動させ
る駆動機構と、 前記複数の検出ヘッドの動作を順次時系列に切り換える
マルチプレクサと、このマルチプレクサを介して前記複
数の検出ヘッドから順次時系列に送られてくる前記検出
信号にもとづいて前記被測定物までの距離をそれぞれ算
出する信号処理部とを有し、当該被測定物の三次元形状
を計測する計測手段と を備えることを特徴とする三次元形状計測装置。 - 【請求項２】前記複数の検出ヘッドのそれぞれは、前記
光源の前面に配設された投光レンズと、前記半導体位置
検出器の前面に配設され前記被測定物からの反射光を前
記半導体層に光点として入射する受光レンズとを有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の三次元形
状計測装置。 - 【請求項３】前記半導体位置検出器は、前記半導体層の
両端に一対の電極を有し、かつ前記反射光が光点として
入射されたときに前記半導体層に流れる光電流と前記一
対の電極の一方から取り出される電流とを前記検出信号
として出力し、 前記計測手段は、前記一対の電極の一方から取り出され
る電流と前記光電流との割り算を行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の三次元形状
計測装置。 - 【請求項４】前記半導体位置検出器は、前記一対の電極
の一方に接続された固定もしくは半固定抵抗を有し、前
記一対の電極に流れる光電流の分割比は前記固定のもし
くは半固定抵抗により設定されることを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の三次元形状計測装置。 - 【請求項５】前記計測手段は、前記信号処理部で算出さ
れた距離データを記憶するメモリを有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の三次元形状計測装置。 - 【請求項６】前記計測手段は、前記メモリに記憶された
距離データを三次元の座標データに変換する演算手段
と、この三次元データをグラフィック表示する表示手段
とを有することを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
の三次元形状計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192372A JP2541994B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 三次元形状計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192372A JP2541994B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 三次元形状計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6434329A JPS6434329A (en) | 1989-02-03 |
| JP2541994B2 true JP2541994B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16290190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62192372A Expired - Fee Related JP2541994B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 三次元形状計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541994B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006320425A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Osamu Hiwaki | 磁気刺激における刺激部位の特定あるいはターゲッティングを行うための装置 |
| CN109793577A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 温州大学 | 一种基于三维扫描的人体数据收集系统 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372216A (en) * | 1990-10-08 | 1994-12-13 | Mazda Motor Corporation | Power plant supporting structure of automotive vehicle |
| WO2004095059A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Shima Seiki Manufacturing, Ltd. | 人体形状測定方法とその装置 |
| JP5340644B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-11-13 | 株式会社タニタ | 腹部周囲径測定装置 |
| CN104535017B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-11-21 | 合肥市百胜科技发展股份有限公司 | 在线轮廓测量装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055212A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Nec Corp | 非接触三次元測定装置 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP62192372A patent/JP2541994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006320425A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Osamu Hiwaki | 磁気刺激における刺激部位の特定あるいはターゲッティングを行うための装置 |
| CN109793577A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 温州大学 | 一种基于三维扫描的人体数据收集系统 |
| CN109793577B (zh) * | 2019-01-31 | 2020-07-14 | 温州大学 | 一种基于三维扫描的人体数据收集系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6434329A (en) | 1989-02-03 |
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