JP2538137B2 - コネクタアセンブリ - Google Patents

コネクタアセンブリ

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JP2538137B2
JP2538137B2 JP3137995A JP13799591A JP2538137B2 JP 2538137 B2 JP2538137 B2 JP 2538137B2 JP 3137995 A JP3137995 A JP 3137995A JP 13799591 A JP13799591 A JP 13799591A JP 2538137 B2 JP2538137 B2 JP 2538137B2
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    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/648Protective earth or shield arrangements on coupling devices, e.g. anti-static shielding  
    • H01R13/658High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
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    • H01R12/70Coupling devices
    • H01R12/71Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/72Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/73Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/735Printed circuits including an angle between each other
    • H01R12/737Printed circuits being substantially perpendicular to each other

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  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、信号伝送用導体間のイ
ンピーダンスとクロストークを減少するためのグランド
構造付きコネクタに関する。
【0002】
【従来の技術】技術の進歩に伴って、高密度の電子回路
や素子をプリント配線基板やプリント回路基板(PC
B)上に配置することが可能になった。電子回路や素子
が小さくなるに伴って、バックパネル、すなわちマザー
ボードのようなPCBと、ドータボードのようなPCB
を電気的および機械的に相互接続するコネクタが必要に
なってきた。さらに、このようなコネクタは典型的には
信号密度容量が高いものが望まれる。すなわち、コネク
タのユニットボリューム当たりの信号が多くなければな
らない。ある導体上を搬送される電気信号により、近接
する導体を搬送される信号が干渉されることがある。
【0003】このような干渉は「クロストーク」といわ
れる。このようなクロストークを制御することは、特
に、コネクタが高密度である場合に重要である。クロス
トークは種々の方法で制御することができる。
【0004】クロストークを制御する方法の1つには、
高密度コネクタの幾つかの端子をPCBのグランドした
導体部分に接続するか、あるいは高密度コネクタの幾つ
かの端子をPCBの予め定めたグランド電位に接続する
方法がある。これはコネクタ外で解決する方法である。
【0005】米国特許4,655,518号(Lenn
art B.Johnson etal.に付与)、米
国特許4,686,607号(Lennart B.J
ohnsonに付与)、および米国特許4,869,6
77号(LennartB.Johnson et a
l.に付与)には、グランド用の接触素子を有するドー
タボード/バックプレーン・アセンブリが開示されてい
る。ヘッダ接触素子は接触部によりグランド、またはバ
ックプレーン上の予め定めた電位に接続することが可能
になっている。ヘッダ接触素子は内部ヘッダ壁に設けた
バネ接触部により、直角リセプタクルの外壁に設けた接
触部に接触される。他の接触部は直角リセプタクルの外
壁に設けた接触部とともになくてはならないもので、直
角リセプタクルの外壁に設けた接触部に直交するように
設けられており、ドータボードに接続されている。
【0006】Timothy A.Lemkeに付与さ
れた米国特許4,601,527号は、特に、バーチカ
ルおよび直角ヘッダの内部シールド構造が開示されてい
る。このシールド構造にはヘッダハウジングの嵌合面に
グランドストリップが取り付けられている。さらに、こ
のシールド構造には導電性のばね接触部が延在させてあ
り、このばね接触部は接触ビームとロックタブに接触さ
せてある。接触ビームはハウジングの側壁の穴に延在さ
れており、ロックタブはグランドシャーシに接続したグ
ランドストリップとグランドバーに接続されている。
【0007】Timothy A.Lemkeに付与さ
れた米国特許4,824,383号には、マルチプル導
体ケーブルか、あるいはマルチプルトレーシングサブス
トレート用のコネクタまたはプラグタイプのターミネー
タのシールド構造が開示されている。このマルチプル導
体ケーブルまたはマルチプルトレーシングサブストレー
トは、近接導体の間のクロストークを防ぐかあるいは最
小にするため、また、信号伝送品位の低下を防ぐかある
いは最小にするため、ターミネータの個々の接触素子
か、あるいは接触素子群と電気的に絶縁されている。タ
ーミネータのグランド構造はチャンネルが一般にU字型
をしている。このチヤンネルに接触素子が延在されてい
る。このグランド構造は予め定めた電位に接続されてい
るというよりむしろ、接触素子の幾つかがこの目的のた
めに割り当てられている。
【0008】Richard A.Elcoに付与され
た米国特許4,898,546号には、直角コネクタの
グランドシールド素子が開示されている。このシールド
の他の例としては、コネクタの接触素子の列を交互に跨
ぐようにしたものがある。各シールド素子はシールド素
子が跨ぐ接触素子のうちの1つの接触素子のテールにク
リップされている。接触素子はグランドまたは予め定め
た電位に接続されている。
【0009】図41および図42は従来のコネクタアセ
ンブリ6,8を示す。従来のコネクタアセンブリ6,8
は第1回路アセンブリ22と第2回路アセンブリ24を
相互接続する高密度コネクタ10,20,30,40を
含む。
【0010】図41を説明する。図41は従来の高密度
コネクタアセンブリ6の一例を示す分解図である。高密
度コネクタアセンブリ6は第1回路アセンブリ22と第
2回路アセンブリ24を相互接続するための、高密度直
角またはアングルドリセプタクル10と高密度直角また
はアングルドヘッダ20を含む。典型的には、第1回路
アセンブリ22はプリント回路基板、特に、マザーボー
ドであり、第2回路アセンブリ24は別のプリンと回路
基板、特に、ドータボードである。第1、第2プリント
回路基板22,24はそれぞれ、コネクタをスルーマウ
ントするためのメッキスルーホールか、あるいはサーフ
ェスマウントするためのパッドのような、行列状の導体
領域パターン26を有する。このコネクタアセンブリ6
では、マザーボード22がドータボード24と平行か、
あるいは共通線上にある。
【0011】直角リセプタクル10は端子群または接触
子群35を支持する絶縁性のハウジング28を備えてい
る。リセプタクル端子群35はハウジング28を貫通す
るパッセジ(図示しない)に第1接触部(図示しない)
を配列させてある。リセプタクルの第1接触部(図示し
ない)は、ヘッダ20の第1接触部と接続させるため、
一般的に、互いに平行であり、行列状に配列されてい
る。リセプタクルの端子群35はドータボード24上の
導体領域パターン26に接続するため、第2接触部55
が行列状に配列されている。リセプタクルの端子群35
は第1接触部(図示しない)と第2接触部55が一般的
に直角になるように中間部36で曲げられている。リセ
プタクルハウジング28は中間部36の隣接する列の間
に位置させ、中間部36の隣接する列から離した絶縁性
のバッフル(図示しない)を備えるようにしても良い。
【0012】直角ヘッダ20は絶縁性のハウジング34
を備えており、ハウジング34はベース42と、接触領
域46を規定する側壁44を含み、リセプタクル10の
嵌合面48を受けるようになっている。接触子群または
端子群5はベース42を貫通するパッセジ(図示しな
い)に保持されている。端子群5は第1接触部15が接
触領域46に配列されている。第1接触部15はリセプ
タクル10の第1接触部(図示しない)に接続するた
め、一般的に互いに平行であり、行列状に配列されてい
る。端子群5はマザーボード22の導電領域パターン2
6に接続するため、第2接触部(図示しない)が行列状
に配列されている。端子群5は一般的に第1接触部15
と第2接触部が直角になるように中間部56で曲げられ
ている。
【0013】図42は第2高密度コネクタアセンブリ8
の分解図である。第2高密度コネクタアセンブリ8はバ
ーチカルリセプタクル30とバーチカルヘッダ40を含
み、第1回路アセンブリ22と第2回路アセンブリ24
を相互接続するようになっている。このコネクタアセン
ブリ8では、マザーボード22がドータボード24から
離してあり、マザーボード22がドータボード24と平
行になっている。
【0014】バーチカルリセプタクル30は接触子群ま
たは端子群60を支持する絶縁性のハウジング58を備
えている。リセプタクル端子群60はハウジング58を
貫通するパッセジ(図示しない)に第1接触部(図示し
ない)が配列されている。リセプタクルの第1接触部
(図示しない)はヘッダ40の第1接触部65と接続す
るため、互いに平行であり、行列状に配列されている。
リセプタクル端子群60はドータボード24上の導体領
域パターン26に接続するため、第2接触部95が行列
状に配列されている。リセプタクルの端子群60は一般
的に中間部が直線状になっている。
【0015】バーチカルヘッダ40は絶縁性のハウジン
グ66を備え、ハウジング66はベース62と、接触領
域66を規定する側壁64を含み、リセプタクル30の
嵌合面68を受けるようになっている。接触子群または
端子群70はベース62を貫通するパッセジ(図示しな
い)に保持されている。ヘッダの端子群70は第1接触
部65が接触領域54に配列されている。ヘッダの第1
接触部65はリセプタクル30の第1接触部(図示しな
い)に接続するため、一般的に互いに平行であり、行列
状に配列されている。ヘッダ端子群70はマザーボード
22の導電領域パターン26に接続するため、第2接触
部(図示しない)が行列状に配列されている。端子群7
0は一般的に中間部が直線状になっている。
【0016】図41および図42に示す4つのコネクタ
10,20,30,40は、それぞれ、1つのコネクタ
を別のコネクタ、またはプリント回路基板に搭載するた
め、孔74と、対応する固定またはガイドピンアセンブ
リ76を有することができる。孔74と、ピンアセンブ
リ76のピンは、米国特許4,568,134号に記載
されているように、鍵型することができる。
【0017】ドータボード24と、ドータボード24に
直交するマザーボード22とを結合するには、直角リセ
プタクル10とこれに接続するバーチカルヘッダ40を
用いるか、あるいはバーチカルリセプタクル30とこれ
に接続する直角ヘッダ20を用いることは良く知られた
ことである。
【0018】図41および図42に示す従来のヘッダ2
0,40と、リセプタクル10,30は、特に、デラウ
ェア州、ウィリントンのオフィスとともに、E.I.d
uPont de Nemours and Comp
anyから得られるHigh Pin Count(H
PC)生産系統である。しかし、それらのコネクタはM
etral生産系統とDinシリーズのコネクタ、いず
れもE.I.duPont de Nemours a
nd Companyから得られるコネクタを含むその
他多くの生産系統におけるコネクタを示したものであ
る。これらの生産系統はそれぞれ接触子群が行列状に配
列された、バーチカルコネクタおよび直角コネクタを含
む。
【0019】本発明の目的は、電子回路および/または
素子を電気的または機械的に相互接続し、コネクタ内の
インピーダンスおよび/またはクロストークを制御する
高密度のコネクタを提供することにある。
【0020】また、本発明の目的は、回路アセンブリ
と、ヘッダまたはシュラウドに行列状に配列された端子
群とを電気的および機械的に相互接続し、インピーダン
スおよび/またはクロストークを制御し、リセプタクル
内の信号伝送品位の低下を防ぐかあるいは最小にする高
密度リセプタクルを提供することにある。
【0021】さらに、本発明の目的は、回路アセンブリ
と、リセプタクルに行列状に配列された端子群とを電気
的および機械的に相互接続し、インピーダンスおよび/
またはクロストークを制御し、ヘッダ内の信号伝送品位
の低下を防ぐかあるいは最小にする高密度ヘッダを提供
することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の接触領
域を有する回路アセンブリと、嵌合コネクタとを電気的
および機械的に相互接続するコネクタアセンブリであっ
て、前記嵌合コネクタは第1側壁と、該第1側壁内に行
列状に配置した複数の接触部と、少なくとも1つの側部
接触部とを有するコネクタアセンブリにおいて、絶縁性
のハウジングと、第1の複数の電気接触子と、少なくと
も1つの導電体と、導電性シールドとを備え、前記絶縁
性のハウジングは第2側壁と、該第2側壁内に行列状に
配置した複数のパッセジとを有し、前記第1の複数の電
気接触子の1つは前記パッセジの一部にあり、前記第1
の複数の電気接触子は第3接触部および第4接触部を有
し、前記第3接触部は前記第1接触部と接触させるため
行列状に配置してあり、前記第1の複数の電気接触子は
それぞれ中間部を含み、前記第4接触部を前記第3接触
部に対してある角度で延在させてあり、前記少なくとも
1つの導電体は、少なくとも1つの第5接触部と、少な
くとも1つの第6接触部とを有し、前記第5接触部は前
記第2接触部に接触させるためのものであって前記第2
側壁のうちの1つの上に設けてあり、前記導電性シール
ドは、前記複数の電気接触子の前記中間部の列と列の間
に各列から離して配置したバッフルと、前記第6接触部
に接触させるための第7接触部と、前記第4接触部と行
列状に配置し前記回路アセンブリ接触領域に接続するた
めの複数の第8接触部とを含むことを特徴とする。
【0023】本発明は、複数の接触領域を有する回路ア
センブリと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相
互接続するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネ
クタは第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複
数の接触部と、少なくとも1つの側部接触部とを有する
コネクタアセンブリにおいて、複数の電気接触子と、ハ
ウジングと、少なくとも1つのグランド接触部とを備
え、前記複数の電気接触子はそれぞれ第1接触部と第2
接触部を有し、前記ハウジングは、単一の絶縁性ベース
と、外部導電性側壁と、導電性格子とを備え、前記単一
の絶縁性ベースは、絶縁層と、該絶縁性層から延在させ
た複数の絶縁性スリーブと、前記絶縁性ベースを行列状
に貫通させた複数のパッセジとを備え、該複数のパッセ
ジのうちの1つは前記各スリーブを貫通しており、前記
複数の電気接触子の前記第1接触部は前記複数の接触部
に接触させるためのものであり、前記第1接触部が前記
絶縁性ベースの一方側に、前記第2接触部が前記ベース
の他方側に来るように、前記複数の電気接触子を前記各
パッセジに固定してあり、前記外部導電性側壁と、前記
絶縁性ベースと、前記導電性側壁は、前記接触領域の一
部を囲んでおり、前記導電性側壁は、少なくとも1つの
側部接触部と接触させるためのものであって、少くとも
1つの第3接触部を備え、前記導電性格子は、前記導電
性側壁に接続させると共に、前記導電性側壁の間に延在
させ、前記導電性格子は前記導電性側壁に一般的に垂直
であり、前記導電性格子は複数のパッセジを有し、該複
数のパッセジをスリーブが貫通しており、前記導電性格
子と導電性側壁は単一構造をしており、前記少なくとも
1つのグランド接触部は、前記回路アセンブリの接触領
域に接続させるためのものであり、前記第2接触部と前
記グランド接触部が行列状に配置されるように、前記導
電性側壁から延在させたことを特徴とする。
【0024】本発明は、複数の接触領域を有する回路ア
センブリと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相
互接続するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネ
クタは第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複
数の第1接触部と、少なくとも1つの第2側部接触部と
を有するコネクタアセンブリにおいて、絶縁性のハウジ
ングと、第1の複数の電気接触子と、少なくとも1つの
導電体と、絶縁性のスペーサとを備え、前記絶縁性ハウ
ジングは第2側壁を有し、該第2側壁内に複数のパッセ
ジを行列状に配置してあり、前記第1の複数の電気接触
子は、それぞれ、第3接触部と第4接触部を有し、前記
第3接触部が前記第4接触部と一般的に同一線上にあ
り、前記第3接触部は、前記第1接触部と接触するため
のものであって前記各パッセジ内にあり、前記第4接触
部は前記回路アセンブリ上の接触領域の第1集合に接続
するためのものであり、前記少なくとも1つの導電体
は、少なくとも1つの第5接触部と、少なくとも1つの
第6接触部と、折り曲げた端部とを有し、前記第5接触
部は前記第2側部接触部と接触させるためのものであっ
て前記第2側壁の1つの外面上に設けてあり、前記第6
接触部は一般的に前記第5接触部と同一線上にあり、前
記第6接触部は一般的に前記第4接触部と同一方向に延
在してあり、前記回路アセンブリ上の接触領域の第2集
合に接続するためのものであり、前記折り曲げた端部は
前記コネクタの嵌合面のグルーブに延在するためのもの
であり、前記絶縁性のスペーサは、複数の孔が行列状に
配置してあり、該複数の孔の幾つかを前記接触子が貫通
しており、前記複数の孔の残りを前記第6接触部が貫通
しており、前記スペーサの一方側に前記第4および第6
接触部があり、前記スペーサの他方側に前記第3および
第5接触部があることを特徴とする。
【0025】本発明は、複数の接触領域を有する回路ア
センブリと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相
互接続するコネクタアセンブリであって、嵌合コネクタ
は第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の
第1接触部と、少なくとも1つの第2側部接触部とを有
するコネクタアセンブリにおいて、複数の電気接触子
と、ハウジングと、複数の絶縁性ブロックと、導電性バ
ッフルとを備え、前記複数の電気接触子は、それぞれ第
1接触部と第2接触部を有し、該第1接触部は、前記嵌
合コネクタの第1接触部に接触するものであって、行列
状に配置されており、前記複数の接触子はそれぞれ中間
部を含み、該複数の接触子の第2接触部が前記第1接触
部に対してある角度を有し、前記ハウジングは、導電性
のベースと、複数の絶縁性のブロックと、導電性のバッ
フルとを含み、前記導電性のベースは複数のパッセジが
行列状に貫通しており、該複数のパッセジに前記複数の
接触子が配置されており、前記複数の絶縁性のブロック
は前記パッセジ内に配置されており、前記接触子は前記
ブロックパッセジ内にあり、前記複数の電気接触子の第
1接触部は接触領域のベースの一方側にあり、前記接触
子の第2接触部が前記接触領域のベースの他方側にあ
り、前記導電性バッフルは前記接触子の中間部の列と列
の間に各列から離して配置してあり、前記導電性のベー
スに接続されていることを特徴とする。
【0026】本発明は、複数の接触領域を有する回路ア
センブリと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相
互接続するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネ
クタは複数の端子と、行列状に配置した第1接触部とを
有するコネクタアセンブリにおいて、複数の電気接触子
と、ハウジングとを備え、前記複数の電気接触子はそれ
ぞれ第1接触部と第2接触部を有し、前記複数の電気接
触子は第1集合および第2集合を備え、前記第1接触部
は前記嵌合アセンブリの第1接触部分に接触するための
ものであって行列状に配置してあり、前記第1集合は中
間部を含み、前記複数の電気接触子の第2接触部は前記
第1接触部に対してある角度で延在しており、前記ハウ
ジングは、導電性ベースと、複数の絶縁性ブロックと、
導電性バッフルとを含み、前記導電性ベースは複数のパ
ッセジが行列状に貫通させてあり、該パッセジのうちの
幾つかのパッセジに、前記複数の電気接触子の第2集合
が配置され、該複数の電気接触子の第2集合が前記導電
性のベースに電気的に接続され、前記複数の絶縁性ブロ
ックは、前記パッセジのうちの残りのパッセジに配置さ
れ、前記絶縁性ブロックはパッセジを有し、該ブロック
パッセジ内に前記複数の電気接触子の第1集合があり、
前記電気接触子の第1接触部が接触領域の前記ベースの
一方側にあり、前記電気接触子の第2接触部が前記ベー
スの他方側にあり、前記導電性バッフルは、前記第1集
合の電気接触子の中間部の列と列の間で各列から離して
あり、前記接触領域のベースに接続されていることを特
徴とする。
【0027】本発明は、複数の接触領域を有する回路ア
センブリと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相
互接続するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネ
クタは第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複
数の第1接触部と、少なくとも1つの第2側部接触部と
を有するコネクタアセンブリにおいて、第1の複数の導
電性ピンと、絶縁性のハウジングと、細長いグランドス
トリップと、導電性のスプリング接触部と、スプリング
接触部と、第2の複数のピンとを備え、前記第1の複数
の導電性ピンは第1エンドと第2エンドをそれぞれ有
し、該第1端部が前記第1接触部に係合するためのもの
であり、前記絶縁性のハウジングは凹部を有し、キャビ
ティエンドが第1エンドにあり、前部と後部の細長い側
壁により囲まれ、2つの端部側壁はフロアと一体であ
り、そのフロアは複数の貫通孔があり、該複数の貫通孔
は前記導電性ピンとそれぞれ係合しており、サイドスカ
ートがそれぞれ前および後側壁から下方向に延在してお
り、複数のグルーブを有し、該複数のグルーブはそれぞ
れ前記ピンと平行に延在しており、前記各サイドスカー
トのリブにより分離されており、前記グランドストリッ
プは前記サイドスカートの間に取り付けてあり、該サイ
ドスカートの各グルーブの端部と複数のノッチが整合し
ており、前記導電性のスプリング接触部は、接触ビーム
が少なくとも1つの第2接触部と係合しており、しか
も、キャリアストリップから共通平面内に上方に突出し
ており、複数のロッキングタブが前記キャリアタブに取
り付けられ、各接触ビームから突出しており、複数のシ
ェルフタブはロッキングタブの間のキャリアストリップ
に取り付けられ、前記ロッキングタブと同一方向に延在
され、前記スプリング接触部は前記ハウジングに取り付
けてあり、前記接触ビームはそれぞれ前記前および後側
壁の内側に接触しており、前記シェルフタブと前記ロッ
キングタブが前記グランドストリップの平坦側を保持す
るために曲げられ、前記第2複数ピンは第1エンドと第
2エンドを有し、該第2複数ピンの第1エンドが前記キ
ャリアストリップに接続され、前記第1複数ピンの第2
エンドと前記第2複数ピンの第2エンドが行列状に配置
され、前記回路アセンブリまで延在され、前記接触領域
と係合していることを特徴とする。
【0028】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【0029】図1は本発明第1実施例に係る高密度コネ
クタアセンブリの分解図を示す。高密度コネクタアセン
ブリは第1回路アセンブリ222と第2回路アセンブリ
224を相互接続するための高密度直角またはアングル
ドリセプタクル200と、高密度バーチカルヘッダ40
0を含む。直角またはアングルドリセプタクル200
は、接触領域群226を有する回路アセンブリ224
と、(コネクタ400のような)第2コネクタを電気的
および機械的に相互接続するものである。第2コネクタ
は(接触部444のような)第1側壁と、第1側壁内に
行列状に配列された(接触部445のような)第1接触
部群と、少なくとも1つの(接触部465のような)第
2サイド接触部とを有する。
【0030】図2は図1図示リセプタクル200の分解
図である。図3は図1に示すリセプタクル200の第1
嵌合面248の拡大図である。図4は図1に示すリセプ
タクル200の第2嵌合面278の拡大図である。図5
は図1に示すリセプタクル200の背面280の拡大図
である。図6は図1に示すリセプタクル200の側面2
82の拡大図である。図11はリセプタクル200の拡
大断面図である。図1ないし図6、図11を説明する。
リセプタクル200は絶縁性のハウジング228と、ハ
ウジング228に搭載された第1接触子群235と、少
なくとも1つの導体240と、導電性シールド300と
を備えている。
【0031】絶縁性ハウジング228は第1、ヘッダま
たはシュラウド、嵌合面248、第2側壁230、およ
びパッセジ群284を第2側壁230内に有する。パッ
セジ284は行列状に配列され、第1嵌合面248に直
交する方向にハウジング228を貫通している。ハウジ
ング228は導体240とシールド300を整合させる
ための手段を有するようにしても良い。整合手段は突起
(またはスロット)250を備えるようにしても良い。
【0032】接触子235は直角またはアングルド接触
子として用いる限り、その形状は問わない。言い換えれ
ば、接触子235は雄型素子、雌型素子、または中性型
素子であっても良い。さらに、接触子235は第3接触
部245および第4接触部255を有する。第3接触部
245はソケット型ビームまたはスプリングビームでも
良い。第4接触部255は実質的に平坦なソルダテイル
でも良い。第3接触部245は第1接触部445の1つ
に接触させるため、パッセジ284にそれぞれ固定され
ている。図1および図11を参照されたい。第3接触部
245は一般的に互いに平行であり、行列状に配列され
ている。第3接触部245の行と列の数は任意にでき
る。しかし、行と列の数は少なくとも2行と2列である
のが望ましい。第3接触部245の典型的な行数は3
行,4行,5行,または6行ある。図には、行数が4行
の第3接触部245を示す。第3接触部245は列数が
多いのが典型的である。接触子235はその中間部23
6の形状がそれぞれ第4接触子が第3接触子245に対
してある角度をもつか、あるいは直交する形状になって
いる。中間部236は直角になるように曲げるか、45
度ずつ2回曲げるか、等々してもよい。第4接触部25
5はスルーマウントさせるか、あるいはサーフェスマウ
ントさせることができる。
【0033】導体240はそれぞれ少なくとも1つの第
5接触部265と少なくとも1つの第6接触部275を
有する。導体240はそれぞれ第5接触部265群と第
6接触部275群を有するのが望ましい。各導体240
の第5接触部265は第2側壁230の一方にあり、第
1側壁444の一方の第2接触部465に接触させるよ
うになっている。各導体240上の第5接触部265は
第2側壁230の一方の外面上にあるのが望ましい。導
体240は2つあり、接触子235の行に一般的に平行
な第2側壁230のうち異なる側壁上にあるのが望まし
い。導体240は、それぞれ、コネクタ200の第1嵌
合面248の対応する保持用グルーブまたはスロット2
52に挿入させるため、図1ないし図6、図11に示す
ように、シールド部材の細長い部分の少なくとも一端部
242を曲げたものでも良い。曲げた端部242が保持
グルーブまたはスロットに挿入された場合、第6接触部
275はシールド300上の第7接触部305および/
または307に接続され、導体240は第2側壁230
上に固定される。また、導体240は個々に導体素子群
を備えることができ、導体素子群は個々に第5接触素子
群265の1つと第6接触群275の1つを有すること
ができる。導体240は任意の手段により第2側壁23
0「上」に設けることができる。例えば、導体240の
第5接触部265は側壁上の導電性コーティングでもよ
い。導体240は導体240と、ハウジング228とシ
ールド300を整合させるための手段を有することがで
きる。導体整合手段はスロット(または突起)224を
備えてもよい。
【0034】図2は図1図示高密度直角またはアングル
ドリセプタクル200を示す。図に示すリセプタクル2
00はハウジング228から分解されたシールド300
を含む。視点は一般的にリセプタクル200の上部すな
わち嵌合面248にある。シールド300は接触子23
5の中間部236の列の間で、中間部の列から離れた位
置にあるバッフル302を含む。バッフル302の1つ
は接触子235の中間部236の各列対の間にあるのが
望ましい。シールド300とバッフル302は任意の導
電性材料から作ることができる。また、シールド300
および/またはバッフル302はポリマーであっても良
いし、導電性の層またはコーティングを有することがで
きる。シールド300は第7接触部305または307
により、導体240上の各第6接触部と接触されてい
る。第7接触部305は導体240の第6接触部275
を受ける、シールド300のスロットまたは孔であるの
が望ましい。第7接触部307はバッフル302から延
在させるのが望ましい。さらに、シールド300は回路
アセンブリ224の接触領域226に接続させるため、
第4接触部255とともに行列状に配列されている第8
接触部315群を含む。第8接触部315を単独で、ま
たは行状に配列された第4接触部255とともに1また
はそれ以上の行に配列することは、本発明の範囲内にあ
る。第4接触部255はソルダーテールであることが望
ましい。第8接触部315はシールド300の他の部分
と同様の金属から作ることができる。さらに、第8接触
部315はシールド300の外壁310の穴または貫通
孔に固定されるピンでもよい。さらに、シールド300
はバッフル302にそれぞれ結合させた外側壁310を
備えるのが望ましい。外側壁310と近傍のバッフル3
02対により、接触子235の列の中間部236を入れ
るポケット308が規定されている。シールド300の
導体部分に接触して、中間部分236がショートしない
ように、ポケット308に絶縁層をコートしてもよい。
外側壁310は一般的にハウジング228と第4接触部
255の間に延在させるようにしてもよい。外側壁31
0は1つの連続する壁であって、ベンドが中間部のベン
ドに続くようにしてもよい。外側壁310のベンドが実
質的に直角である場合、外側壁310は、実際には、第
1外側壁311が第2外側壁313に接続されることに
なる。外側壁310は、第1エッジ312、第2エッジ
314、第3エッジ316、および第4エッジ318を
有するようにしてもよい。第1エッジ312は導体24
0の近傍に位置させてある。シールド300はシールド
300と、導体240およびハウジング248とを整合
させる手段を有するようにしてもよい。例えば、第1エ
ッジ312または第1エッジ312の近傍の部分は、ス
ロット、突起、または歯320を有し、ハウジング24
8の突起またはスロット250に合わせるようにしても
よい。シールド300は第1側壁322を有し、第1側
壁322は第1エッジ324、第2エッジ326、およ
び第3エッジ328を有するようにしてもよい。第1側
壁322の第1エッジ324はハウジング248と接続
させるためのものである。第1側壁322の第2エッジ
326は外側壁310の第2エッジ314に接続するよ
うにしてもよい。シールド300は第2側壁330を有
し、第2側壁330は第1エッジ、第2エッジ、および
第3エッジを有するようにしてもよい。第2側壁330
の第1エッジは、ハウジング248と接触するためのも
のである。第2側壁330の第2エッジは外側壁310
の第3エッジ316に接続するためのものである。さら
に、第1側壁322と第2側壁330はハウジング24
8に接続せることができ、シールド300に接続する
か、あるいはシールド300の一部にするよりも、むし
ろ絶縁するようにしてもよい。接触子235の中間部2
36は外側壁310、第1側壁322、および第2側壁
の範囲内にある。外側壁310および/または第1側壁
322,第2側壁330は、クリーニングまたはドレン
パッセジ(図示しない)を有するようにしてもよい。さ
らに、外側壁310、側壁322,330のエッジに沿
ってスタンドオフを設け、クリーニング液をコネクタ2
00内を通すようにしてもよい。
【0035】図1,図4,および図11を説明する。直
角またはアングルドリセプタクル200は絶縁性のスペ
ーサ350を含み、絶縁性のスペーサ350には孔また
はスロットが行列状に配列されている。スペーサ350
はスタンドオフ351を有するようにしてもよい。接触
子235を孔352を貫通させて、第8接触部315お
よび第4接触部255と、それらの中間部236とがス
ペーサ350の別の側にあるようにする。さらに、第6
接触部275と第7接触部305はスペーサ350に対
して中間部236がある側に設けるのが望ましい。スペ
ーサ350はポケット308に挿入するため、スリーブ
(図示しない)を孔352の周りに延在させ、スペーサ
350と第4接触部255がシールド300に対して横
方向に移動するのを減少させることができる。
【0036】図7は図1図示高密度バーチカルヘッダ4
00の上面、すなわち第1嵌合面448の拡大図であ
る。図8は図1図示高密度バーチカルヘッダ400の底
面、すなわち第2嵌合面480の拡大図である。図9は
図1図示高密度バーチカルヘッダ400の前面478の
拡大図である。図10は図1図示高密度バーチカルヘッ
ダ400の側面482の拡大図である。図11は図1図
示高密度バーチカルヘッダ400の拡大断面図である。
図1および図11を説明する。コネクタ400は第1回
路アセンブリ222とリセプタクルを相互接続するため
の高密度バーチカルヘッダ400を備えている。リセプ
タクルはリセプタクルハウジング内に行列状に配列され
た第1接触部群を有する端子群を有し、さらに少なくと
も1つの第2サイド接触部を有する。図1、図7ないし
図10を説明する。直角またはアングルドヘッダ400
は、ハウジング428、接触子群435、および少なく
とも1つの接触部475を備えている。ハウジング42
8は絶縁性のベース442と側壁444を含み、接触子
群435はベース442上にマウントされており、接触
部475は導電性の側壁444から延在されている。
【0037】導電性の接触子群435はバーチカル接触
子として用いられる限り、どのような形態でもよい。言
い換えると、雄型素子、雌型素子、または中性型素子で
あっても良い。さらに、特に、接触子435は第1接触
部445と第2接触部455を有する。第1接触子44
5と第2接触子455はピンの端部で、その断面は一般
的に0.24インチ×0.24インチの四角形であるの
が望ましい。接触子435はベース242を貫通するパ
ッセジ484にそれぞれ固定され、第1接触部445は
接触領域446に配列され、(リセプタクル200のよ
うな)リセプタクルの(接触部245のような)第1接
触部とそれぞれ接触するようになっている。第1接触部
445は一般的に互いに平行であり、行列状に配列され
ている。第1接触部445の行列数は任意で良い。しか
し、行列数は少なくとも2行、2列にするのが望まし
い。第1接触部445の典型的な行数は、3行,4行,
5行,または6行である。図には、行数が4行の第1接
触部445を示す。第2接触部445は列数が多いのが
典型的である。一般的に、第1接触部445はそれぞれ
第2接触部455と同一直線上にあるか、あるいは平行
であるのが望ましい。第2接触部455はスルーマウン
ト接触部か、あるいはサーフェスマウント接触部であっ
ても良い。
【0038】図11を説明する。絶縁性のベース442
はパッセジ群484が絶縁性ベース442を貫通すると
ともに、行列状に配列されている。接触子435はパッ
セジ484にそれぞれ固定され、第1接触部445は接
触領域446のベース442の一方の側に位置し、(接
触部245のような)第3接触部と、ベース442のも
う一方の側に位置する第2接触部455と接触させてい
る。図1において、ベース442は接触子435を囲む
絶縁性のスリーブ454を備えてもよい。スリーブ45
4は絶縁性の層456に接続してもよいし、絶縁性の層
456から延在させてもよい。第6接触部475は絶縁
性の層456の縁部460の孔458を貫通させるよう
にしてもよい。
【0039】再び、図11を説明する。導電性の側壁4
44は、嵌合側コネクタの側壁の一方に設けた(接触部
265のような)第2接触部と接触させるため、少なく
とも1つの第5接触部465を備えている。第5接触部
465は側壁444の内面でもよいし、外面でもよい。
実施例では、導電性の側壁444の対応する内面に第5
接触部465を備えている。ベース442と導電性側壁
444により、部分的に接触領域が囲まれている。導電
性側壁444は絶縁性層456の縁部460に一般的に
接触させ、縁部460と直交するように延在させてもよ
い。回路アセンブリ222の接触領域226に接続する
ため、第2接触部455と第6接触部475を行列状に
配列し、少なくとも1つの第6接触部475は導電性側
壁444から延在させてある。第6接触群475は対向
する側壁444から延在させるのが望ましい。第6接触
部475はその形状がピン状になっているのが望まし
い。第6接触部475はその形状が第2接触部455と
同様でもよいし、あるいは異なってもよい。例えば、第
6接触部475と第2接触部455の形状が両方ともピ
ン状であってもよいが、第6接触部475のような断面
を他の接触部の断面より大きくすることができる。第6
接触部475は側壁444と同一の金属で一体成形する
ことができる。また、接触部475は側壁444の孔か
あるいは貫通孔に固定することができる導電性のピンで
あってもよい。
【0040】図1、図7および図11を説明する。ハウ
ジング428は導電性の側壁444に接続し、側壁44
4と側壁444の間に延在させた、導電性のベース、す
なわち格子462を備えても良い。格子462は一般的
に導電性の側壁444に直交させてある。格子462に
は接触子435を囲むパッセジ群464がある。スリー
ブ454は格子462のパッセジ464に設けることが
できる。
【0041】図11は図1、図7ないし図10のバーチ
カルヘッダ400から分解された、図1ないし図6に示
す直角またはアングルドリセプタクル200の断面図で
ある。
【0042】しかし、高密度リセプタクル200の第3
接触部245は、バーチカルヘッダ400の第3接触部
245にのみ接続されるとは限らないことに注意すべき
である。高密度リセプタクル200の第3接触部245
は、少なくとも1つの第5接触部265に係合するた
め、第1接触部群が行列状に配列され、少なくとも1つ
の第2接触部を有する端子群または接触子群を有するコ
ネクタであればどのコネクタにも接続させることができ
る。リセプタクル200と嵌合できるヘッダは、バーチ
カルヘッダか、あるいは直角またはアングルドヘッダで
も良い。リセプタクル200と嵌合できるヘッダの端子
群はピンであり、ピンの断面は0.24インチ×0.2
4インチの四角形である。リセプタクル200と嵌合す
るヘッダが直角またはアングルドヘッダである場合、そ
れは図21に示す直角またはアングルドヘッダ600で
あるのが望ましい。同様にして、高密度ヘッダ400の
第1接触部445の接続はリセプタクル200の接触部
245にのみに限定されない。高密度ヘッダ400の第
1接触部445は、少なくとも1つの接触部465に係
合するため、第1接触子群が行列状に配列され、少なく
とも1つの第2側部接触部を有する端子群または接触子
群を有するコネクタにはどのコネクタにも接続すること
はできない。ヘッダ400と嵌合するリセプタクルは、
バーチカルリセプタクル、直角またはアングルドリセプ
タクルであっても良い。ヘッダ400と嵌合するリセプ
タクルの端子群は、ソケット型の接触部を有し、ヘッダ
400の第1接触部445に係合させるのが望ましい。
ヘッダ400と嵌合するリセプタクルが直角またはアン
グルドリセプタクルである場合、図11に示す直角また
はアングルドリセプタクルのリセプタクル200である
のが望ましい。
【0043】図12は本発明第2実施例の高密度コネク
タアセンブリ、すなわち、第1回路アセンブリ522と
第2回路アセンブリ524を相互接続するための高密度
バーチカルリセプタクル500と高密度直角またはアン
グルドヘッダ600を含むアセンブリの分解図を示す。
高密度バーチカルリセプタクル500は接触領域群52
6を有する第2回路アセンブリ524と、(コネクタ6
00のような)第2コネクタを電気的および機械的に相
互接続するものである。(コネクタ600のような)第
2コネクタは(644のような)第1側壁と、第1側壁
内に行列状に配列された(645のような)第1接触部
群と、(655のような)少なくとも1つの第2接触部
を有する。
【0044】図13は図12に示す高密度バーチカルリ
セプタクル500の上面、すなわち第1嵌合面548の
拡大図である。図14は図12に示す高密度バーチカル
リセプタクル500の底面、すなわち第2嵌合面580
の拡大図である。図15は図12に示す高密度バーチカ
ルリセプタクル500の前面578の拡大図である。図
16は図12に示す高密度バーチカルリセプタクル50
0の側面582の拡大図である。図21は図12に示す
高密度バーチカルリセプタクル500の拡大断面を含
む。図12ないし図16、図21を説明する。バーチカ
ルリセプタクル500は絶縁性のハウジング528と,
ハウジング528に搭載された第1導電性接触子群と、
少なくとも1つの導体240と、絶縁性のスペーサ59
0を備えている。
【0045】例えば、図13を説明する。絶縁性のハウ
ジング528は第1、ヘッダまたはシュラウド、嵌合面
548,第2側壁530を有し,第2側壁530内にパ
ッセジ群584を有する。パッセジ584は行列状に配
列され、第1嵌合面548と直交するようにハウジング
528を貫通さてある。ハウジング528はハウジング
528に導体240を整合させる手段を有しても良い。
ハウジング整合手段は突起またはスロット550を備え
るようにしても良い。図12および図15を参照された
い。
【0046】導電性接触子535はバーチカル接触子と
して用いる限り形状は問わない。言い換えると、導電性
接触子535は雄素子、雌素子または中性素子でも良
い。特に、図21を説明すると、導電性接触子535は
接触部545と接触部555を有する。接触部545は
一般的に接触部555と平行か、あるいは同一線上にあ
るのが望ましい。接触部545はソケット形状のビーム
か、あるいはスプリングビームであっても良い。接触部
555は実質的に平坦なソルダテイルでも良い。接触部
545は接触部645と接触させるため、パセッジ58
4に固定されている。接触部545は一般的に互いに平
行であり、行列状に配列されている。接触部545の行
数と列数は任意にできる。しかし、行列数は少なくとも
2行、2列であるのが望ましい。接触部545の行数は
3行,4行,5行,または6行であるのが典型的であ
る。図に示す接触部545は行数が4行のものである。
接触部545の列数は多のが典型的である。接触部55
5はスルーマウント接触部か、あるいはサーフェスマウ
ント接触部であっても良い。
【0047】導体240上の第5接触部265は側壁5
30上にあり、側壁644上の接触部665と接触させ
るようになっている。導体240上の第5接触部265
は第2側壁530の外面上にあるのが望ましい。導体2
40は2つあるのが望ましく、導体240は一般的に接
触子535の行に平行な側壁530の異なる側壁上にあ
るのが望ましい。導体240は図12ないし図16、図
21に示すように、シールド部材を延在させ、少なくと
も1つの曲折した端部242を有し、コネクタ500の
嵌合面548の対応する保持用グルーブまたはスロット
552に挿入させることができる。また、導体240は
それぞれ導体素子群を備えることができ、導体素子はそ
れぞれ1つの第5接触部265と1つの第6接触部27
5を有してもよい。導体240は任意の手段を用いて側
壁530の「上」に設けることができる。例えば、導体
240の第5接触部265は、側壁530上の導電性コ
ーティングでもよい。導体240は導体240とハウジ
ング528を整合させるための手段を有するようにして
も良い。図15を説明する。導体整合手段はスロットま
たは突起244を備えても良い。曲折した端部242が
保持グルーブまたはスロット552に挿入される場合、
スロット244は突起550を覆うように配列され、導
体240は第2側壁530上に固定される。
【0048】例えば、図12ないし図14、図21を説
明する。バーチカルリセプタクル500は孔群またはス
ロット群592が行列状に配列された絶縁性スペーサ5
90を含むようにしても良い。接触子535は、第6接
触部275および接触部555と、接触部545および
第5接触部265とがスペーサ590の別の側に来るよ
うに、孔592を介して延在させることができる。スペ
ーサ590はスペーサ590と第2アセンブリ524の
間を離すか、あるいは間隔をあけるため、スタンドオフ
532を有することができる。
【0049】図17は図12に示す高密度直角またはア
ングルドヘッダ600の上面、すなわち嵌合面648の
拡大図である。図18は図12に示す高密度直角または
アングルドヘッダ600の前面、すなわち嵌合面678
の拡大図である。図19は図12に示す高密度直角また
はアングルドヘッダ600の底面680の拡大図であ
る。図20は図12に示す高密度直角またはアングルド
ヘッダ600の側面682の拡大図である。図21は図
12に示す高密度直角またはアングルドヘッダ600の
側面682の拡大図である。図12および図21を説明
する。コネクタ600は高密度直角またはアングルドヘ
ッダ600を備え、回路アセンブリ522とリセプタク
ルを相互接続するようになっている。リセプタクルは第
1接触部がハウジング内で行列状に配列された端子群を
有し、少なくとも1つの第2サイド接触部を含む。
【0050】図12、図17ないし図21を説明する。
直角またはアングルドヘッダ600は導電性接触子群6
35と、ハウジング628と、少なくとも1つの接触部
675を備えている。ハウジング628は導電性ベース
638と、絶縁性ブロック642と、少なくとも1つの
導電性バッファ670を有する。接触部675はバッフ
ァ670から延在されている。
【0051】導電性接触子635は直角またはアングル
ド接触子として用いる限り、その形状は任意である。言
い換えれば、導電性接触子635は雄素子、雌素子、ま
たは中性素子であっても良い。さらに、図12および図
21を説明する。接触子635は接触部645と接触部
655を有する。接触部645と接触部655は断面形
状が0.24インチ×0.24インチの四角形であるピ
ンの端部であるのが望ましい。接触子635はベース6
38を貫通するパッセジ684に固定され、接触部64
5が接触領域646に位置され、(リセプタクル500
のような)嵌合リセプタクルの(接触部545のよう
な)接触部と接触させるようになっている。接触部64
5は一般的に互いに平行であり、行列状に配列されてい
る。接触部645の行列数は任意である。しかし、行列
数は少なくとも2行、2列であるのが望ましい。接触部
645の行数は、典型的には、3行,4行,5行,また
は6行である。図には行数が4行の接触部645を示
す。接触部645の列数は多いのが典型的である。接触
子635の中間部636の形状は接触子635が接触部
645に対して直角か、あるいは直交するような形状に
なっている。中間部636は1つの直角ベンド、2つの
45°ベンド等を有する。接触部655はスルーマウン
ト接触部か、あるいはサーフェスマウント接触部であっ
ても良い。
【0052】導電性ベース638はパッセジ群684が
行列状に配列され、ベース638を貫通するようになっ
ている。接触子635はパッセジ684に固定され、接
触部645が接触領域646のベース638の第1面上
に配列され、(接触部545のような)接触部と、ベー
ス638の第2面に位置する接触部655とが接触する
ようになっている。絶縁性ブロック642はパッセジ6
84に配列してある。接触子635はブロックパッセジ
674を貫通させてベース638から絶縁され、接触部
645がベース638の第1面上にあり、接触部655
がベース638の第2面上にあるようにする。ブロック
642は接触子635を囲むようにした絶縁性のスリー
ブ654を備えるようにしても良い。接触子635の列
とそれぞれ関わるスリーブ654は同一のブロック67
2に接続するようにしてもよい。バッフル670は導電
性ベース638から延在させるようにしても良い。
【0053】導電性バッファ670は接触子635の中
間部636の列の間に位置させるか、中間部636の列
から離してある。バッフル接触部675は接触部655
とバッフル接触部675が行列状に配列され、回路アセ
ンブリ522の接触領域526に接続されるように、導
電性バッフルから延在させてある。バッフル接触部67
5はその形状が接触部655と同一か、あるいは異なっ
ても良い。例えば、接触部655とバッフル接触部67
5は両方ともピン形状にできるが、バッフル接触部67
5のような断面を他の断面より大きくすることができ
る。バッフル接触部675はベース638とバッフル6
70と同一の金属から作ることができる。また、バッフ
ル接触部675はバッフル670の穴かあるいは貫通孔
に固定させた導電性のピンでもよい。(図23に示す壁
776のような)導電性壁は近傍のバッフル670対に
接続するようにしても良い。バッフル670は一般にベ
ース638に直交するように延在させてある。
【0054】ハウジング628は導電性の側壁644を
備え、一般的にベース638に直交するように延在させ
るようにしても良い。ベース638と導電性側壁644
は部分的に接触領域646を囲むようにしてある。導電
性ベース638を、導電性側壁644に接続するか、あ
るいは導電性側壁644の間に延在させた導電性格子と
して記述することができる。格子638は一般的に導電
性側壁644に直交するようにしても良い。
【0055】図21は図12、図17ないし図20に示
す直角またはアングルドヘッダ600から分解された図
12ないし図16に示すバーチカルリセプタクル500
の断面図である。図22は図12、図17ないし図20
に示す直角またはアングルドヘッダ600から分解され
た図1ないし図6に示す直角またはアングルドリセプタ
クル200の断面図である。高密度リセプタクル500
の接触部545はバーチカルヘッダ600の接触部64
5にのみ接続されるとは限らないということに注意すべ
きである。高密度リセプタクル500の接触部545
は、コネクタが端子を囲む端子またはシュラウドに固定
されたハウジングの接触領域に行列状に配列された第1
接触群を有する端子群または接触子群を有する限り、ま
た、コネクタが少なくとも1つの第5接触部265と係
合する少なくとも1つの第2側接触部を有する限り、ど
のようなコネクタにも接続することができる。リセプタ
クル500と嵌合できるヘッダはバーチカルヘッダまた
は直角またはアングルドヘッダとすることができる。リ
セプタクル500に嵌合できるヘッダの端子群はピンで
あり、その断面形状が0.24インチ×0.24インチ
の四角形である。リセプタクル500と嵌合できるヘッ
ダが直角またはアングルドヘッダである場合、それは図
21に示す直角またはアングルドヘッダ600であるの
が望ましい。同様にして、高密度ヘッダ600の接触部
645の接続はリセプタクル200の接触部245、ま
たはリセプタクル500の接触部545にのみに限定さ
れない。高密度ヘッダ600の接触部645は、少なく
とも1つの接触部665に係合する少なくとも1つの第
2側部接触部を有し、かつ行列状に配列された第1接触
部群を有する端子群または接触子群を有するコネクタに
は接続することはできない。ヘッダ600と嵌合するリ
セプタクルは、バーチカルリセプタクル、直角またはア
ングルドリセプタクルであっても良い。ヘッダ600と
嵌合するリセプタクルの端子群はソケット型の接触部を
有し、ヘッダ600の接触部645に係合させるのが望
ましい。ヘッダ600と嵌合するリセプタクルが直角ま
たはアングルドリセプタクルである場合、図22に示す
直角またはアングルドリセプタクルのリセプタクル20
0であるのが望ましい。
【0056】図23は本発明第3実施例の高密度コネク
タアセンブリの分解図を示す。高密度コネクタアセンブ
リは、第1回路アセンブリ122と第2回路アセンブリ
124を接続するための、高密度の直角またはアングル
ドリセプタクル100と高密度ヘッダ700を含む。高
密度の直角またはアングルドリセプタクル100は回路
アセンブリと、ヘッダハウジングまたはシュラウドに行
列状に配列された第1接触部群を有する端子群とを電気
的および機械的に接続するためのものである。図25は
図23,図24に示す直角またはアングルドリセプタク
ル100の上面、すなわち第1嵌合面148の拡大図で
ある。図26は図23,24に示す直角またはアングル
ドリセプタクル100の前面、すなわち第2嵌合面17
8の拡大図である。図27は図23,図24に示す直角
またはアングルドリセプタクル100の底面180の拡
大図である。図28は図23,図24に示す直角または
アングルドリセプタクル100の側面182の拡大図で
ある。図33は図23,図24に示す直角またはアング
ルドリセプタクル100の断面を含む。図23ないし図
28、図33を説明する。直角またはアングルドリセプ
タクル100は絶縁性ハウジング128と、導電性接触
子群135を備え、ハウジングと導電性シールドに搭載
されている。
【0057】絶縁性ハウジング128は第1、ヘッダま
たはシュラウド、嵌合面148を有する。ハウジング1
28はパッセジ群184が行列状に配列され、第1嵌合
面148に直交するように延在されている。
【0058】導電性接触子135は直角またはアングル
ド接触子として用いられる限り、形状は問わない。言い
換えると、導電性接触子135は雄素子、雌素子または
中性素子でも良い。導電性接触子135は第2接触部1
45と第3接触部155を有する。第2接触部145は
ソケット形状のビームであっても良いし、スプリングビ
ームであっても良い。第3接触部155は実質的に平坦
なソルダテイルでも良い。第2接触部145は第1接触
部65と接触させるため、パッセジ184に固定されて
いる。第2接触部155は一般的に互いに平行であり、
行列状に配列されている。第2接触部145の行数と列
数は任意にできる。しかし、行列数は少なくとも2行、
2列あるのが望ましい。第2接触部145の行数は典型
的には、3行,4行,5行,または6行である。図に示
す第2接触部145は行数が4行のものである。第2接
触部145の列数は典型的には多数である。接触子13
5は、パッセジ185の第n行に第2接触部145を有
する接触子135を除き、その中間部の形状は、第3接
触部155が第2接触部145に対して直角か、あるい
は直交する形状になっている。中間部136は1つの直
角ベンド、2つの45°ベンド等を有する。第4行の接
触子135は長さが最大の接触子135である。第1組
188の接触子135は第n行パッセジに第2接触部1
45を有し、その形状は、第3接触部155が第2接触
部145に対して直角か、あるいは直交する形状であ
る。これらの中間部136は1つの直角ベンド、2つの
45°ベンド等を有するようにしても良い。第2接触部
145が第n行パッセジ184にあり、少なくとも1つ
の接触子135よりなる第2組190を有する。接触子
135よりなる第2組190の第3接触部155は、実
質的に平坦なソルダテイルである。接触子135よりな
る第2組190の第3接触部155は、一般的に、第2
接触部145に対してコーリニアか、あるいは平行にな
っているのが望ましい。また、第2組190は第1組1
88の各対の間にあるのが望ましい。第3接触部155
は、第2組190の接触部を除き、スルーマウント接触
部またはサーフェスマウント接触部にすることができ
る。
【0059】図24は図23に示す高密度直角またはア
ングルドリセプタクル100で、ハウジング128から
分解されたシールド300を含むリセプタクル100の
上面、すなわち第1嵌合面148から一般的に見た図で
ある。シールド300は接触子135の中間部136の
列の間に位置させるか、あるいは中間部136の列から
離した位置に位置させてある。バッファ302の1つは
接触子135の中間部の近傍の列の各対の間にあるのが
望ましい。シールド300とバッファ302は導電性材
料から作ることができる。また、シールド300および
/またはバッファ302は高分子材料であっても良い
し、導電層またはコーティングを有することができる。
シールド300は接触子135よりなる第2組190の
各第3接触部155に接触させる第4接触部305を含
む。
【0060】第4接触部305はシールド300内のス
ロットまたは孔であって、接触子135よりなる第2組
190の第3接触子155を受けるようにするのが望ま
しい。シールド300は第5接触部群315を含み、第
5接触部315と第3接触部155が、第n行の接触子
135よりなる第2組190の第3接触部を除き、回路
アセンブリ124に接続するため行列状に配列されてい
る。第3接触部155が第5接触部315を有する行に
配列されてもされなくても、第5接触部315が1また
はそれ以上の行に配列されることは本発明の範囲内であ
る。第5接触部315はピン形状になっている。第5接
触部315はその形状を第3接触部155のそれと異な
らせることができる。例えば、第3接触部155と第5
接触部315は両方ともピン形状にすることができる
が、第5接触部315のような断面を他の断面より大き
くすることができる。第5接触部315は他のシールド
300と同一の金属から作ることができる。また、第5
接触部315は導電性ピンをシールド300の壁310
の孔か、あるいは貫通孔に固定することができる。シー
ルド300はバッフル302に接続され、延在された外
側壁310を備えている。外側壁310と近傍バッフル
302の対により、接触子135の1列の中間部136
のためのポケットが規定されている。中間部136がシ
ールド300の導電部に接触してショートしないように
するため、ポケット308は絶縁性層でコーティングす
ることができる。外側壁310はハウジング128とス
ペーサ350の間に延在させてある。外側壁は1つの連
続する壁であり、一般的に、1つのベンドが接触子13
5の中間部136のベンドに続くようにしても良い。外
壁310のベンドが実質的に直角である場合は、外壁は
実際上第1外壁311が第2外壁313に接続される。
外壁310は第1エッジ312、第2エッジ314、第
3エッジ316、および第4エッジ318を有するよう
にしても良い。第1エッジ312はハウジング148に
接触させるためのものである。第1エッジ312は歯、
穴、または突起を有し、ハウジング148の歯、穴、ま
たは突起に挿入するか、あるいは嵌合するようにしても
良い。シールド300は第1側部壁322を有し、第1
側部壁322は第1エッジ324、第2エッジ326、
および第3エッジ328を有するようにしても良い。第
1側部壁322の第1エッジ324はハウジング148
を接触させるためのものである。第1側部壁322の第
2エッジ326は側壁310の第2エッジ314に接続
するようにしても良い。シールド300は第2側部壁3
30を有し、第2側部壁330は第1エッジ332、第
2エッジ334、および第3エッジ336を有するよう
にしても良い。第2側壁330の第1エッジ332はハ
ウジング148を接触させるためのものである。第2側
部壁330の第2エッジ334は側壁310の第3エッ
ジ316に接続するためのものである。また、第1側壁
322と第2側部壁330はハウジング148に接続す
ることができ、シールド300の一部に接続するか、あ
るいはシールド300の一部とするよりはむしろ、絶縁
性にすることができる。接触子135の中間部136は
外側壁310、第1側部壁322、および第2の側部壁
330の境界線内にある。外側壁310および/または
外壁322,330は図示しないクリーニング用または
ドレイニング用パッセジを有するようにしても良い。さ
らに、コネクタ100を通過するようにクリーニング液
を流すため、壁310のエッジに沿ってスタンドオフを
有するようにしても良い。
【0061】直角またはアングルドリセプタクル100
は行列状に配列した孔群352を有する絶縁性のスペー
サ350を含むようにしても良い。接触子135は、第
2組190を除き、孔352を貫通するように延在さ
せ、第8接触部315と第3接触部155を、第n列の
接触子135よりなる第1組188の第3接触部155
を除き、スペーサ350の一方の側にあるようにし、中
間部136をスペーサ350のもう一方の側にあるよう
にすることができる。スペーサ350は図示しないスリ
ーブを有し、ポケット308に挿入してシールド300
に対するスペーサ350と第3接触部155の横移動を
減少させるための孔352から延在させることができ
る。
【0062】図29は図23の高密度直角またはアング
ルドヘッダ700の上面、すなわち第1嵌合面748の
拡大図である。図30は図23の高密度直角またはアン
グルドヘッダ700の前面、すなわち第2嵌合面778
の拡大図である。図31は図23の高密度直角またはア
ングルドヘッダ700の底面780の拡大図である。図
32は図23の高密度直角またはアングルドヘッダ70
0の側面782の拡大図である。図33はヘッダ700
の断面を含む。コネクタ700は高密度直角またはアン
グルドヘッダ700とリセプタクルを備えている。高密
度直角またはアングルドヘッダ700は回路アセンブリ
122に相互接続するためのものである。リセプタクル
は端子群を含み、第1接触部群がハウジングに行列状に
配列されている。図23、図29および図33を説明す
る。直角またはアングルドヘッダ700は導電性接触子
735群と、ハウジング728を備えている。ハウジン
グ728は導電性のベース738,絶縁性のブロック7
42,少なくとも1つの導電性バッファ770、および
導電性バッファ770から延在させた接触部775を含
む。
【0063】導電性接触子735は直角またはアングル
ド接触子として用いる限り、任意の形状を有するように
しても良い。言い換えれば、導電性接触子735雄素
子、雌素子、中性素子であっても良い。さらに、接触子
735は第2接触部745と第3接触部755を有す
る。第2接触部745と第3接触部755はピンの端部
であり、その断面形状が0.24インチ×0.24イン
チの四角形であっても良い。図29を説明する。接触子
735は第1組794と第2組796を備えている。接
触子735はベース738を貫通するパッセジ784に
あり、第2接触部745が接触領域746に位置させて
あり、(リセプタクル100のような)嵌合リセプタク
ルの(接触部145のような)第1接触部と接触させる
ようになっている。第2接触部745は一般的に互いに
平行であり、行列状に配列されている。第2接触部74
5の行数、列数は任意にできる。しかし、行列数は少な
くとも2行、2列であるのが望ましい。第2接触部74
5の典型的な行列数は3列,4列,5列,または6列で
ある。図には4列の第2接触部745を示す。第2接触
部745の行数が多いのが典型的である。接触子735
の第1組の中間部736の形状は、第3接触部755が
第2接触部745に対して直角か、あるいは直交するよ
うにした形状を有する。中間部736は1つの直角ベン
ド、2つの45°アングルベンド等を有しても良い。第
3接触部755はスルーマウント接触部、またはサーフ
ェスマウント接触部であっても良い。
【0064】図23,図29および図33を説明する。
導電性ベース738はパッセジ784群が行列状に配列
され、ベース738を貫通するように延在されている。
接触子735はパッセジ784にあり、第2接触部74
5が接触領域746のベース738の第1面に配列さ
れ、(接触部145のような)第1接触部と、ベース7
38の第2面に配列された第3接触部755と接触させ
るようになっている。接触子735の第2組796は幾
つかのパッセジ784に配列され、ベース738に電気
的に接続されている。絶縁性ブロック742は残りのパ
ッセジ784に配列されている。ブロック742はパッ
セジ774を有する。接触子735の第1組794はブ
ロックパッセジ774を貫通させて、第2接触部745
が接触領域746のベース738の第1面上にあり、第
3接触部755がベース738の第2面上にあるように
して、ベース738から絶縁する。ブロック742は絶
縁性スリーブ754を備え、第1組794の接触子73
5を囲むようにしても良い。接触子735の列に関わる
スリーブ754は、図23に示すように、同一ブロック
742に接続させるようにしても良い。
【0065】導電性バッフル770は第1組794の接
触子735の中間部736の列の間に位置させるか、あ
るいは中間部736の列から離してある。バッフル77
0は導電性ベース738に電気的に接続されている。バ
ッフル接触部775は導電性バッフル770から延在さ
せ、第3接触部755とバッフル接触部775が行列状
に配列され、回路アセンブリ122の接触領域126に
接触するようにしても良い。バッフル接触部775はそ
の形状が第3接触部755と同一か、あるいは異なって
も良い。例えば、第3接触部755とバッフル接触部7
75は、両方ともピン形状にできるが、バッフル接触部
775のような断面を他の断面より大きくすることがで
きる。バッフル接触部775はベース738およびバッ
フル770と同一金属から作ることができる。また、バ
ッフル接触部775は導電性ピンであり、バッフル77
0の穴または貫通孔に固定することができる。図23,
図30および図33を説明する。導電性壁776は隣接
したバッフル770対に接続するようにしても良い。導
電性壁776は一般的にベース738と直交する。導電
性壁776はバッフル770の全体に沿って延在するよ
うにしても良く、バッフル770の全てに接続するよう
にしても良い。例えば、バッフル770と壁776はシ
ールド300は同様の形状でも良く、またシールド30
0の代わりに用いても良い。
【0066】ハウジング728は導電性の側部壁744
を有し、一般的にベース738と直交するように延在さ
せるようにしても良い。ベース738と導電性側部壁7
44は部分的に接触領域746を囲むようになってい
る。
【0067】図33は図23、図29ないし図32の直
角またはアングルドヘッダから分解された図23ないし
図28の直角またはアングルドリセプタクルの断面図で
ある。高密度ヘッダ700の第2接触部745は、リセ
プタクル100の接触部145にのみ接続されるとは限
らない。高密度ヘッダ700の第2接触部745は、コ
ネクタに行列状に配列された第1接触部を有する端子群
または接触子群を有するコネクタには、どのコネクタに
も接続することができない。ヘッダ700と嵌合するこ
とができるリセプタクルはバーチカルリセプタクル、ま
たは直角またはアングルドリセプタクルでも良い。ヘッ
ダ700と嵌合することができるリセプタクルの端子
は、その形状がソケット形状であり、ヘッダ700の第
2接触部745に係合するようにするのが望ましい。ヘ
ッダ700と嵌合するリセプタクルが直角またはアング
ルドリセプタクルである場合、図23に示す直角または
アングルドリセプタクルであるのが望ましい。
【0068】図34は本発明第4実施例に係る高密度コ
ネクタアセンブリの分解図であり、アセンブリは図1な
いし図6の直角またはアングルドリセプタクル200を
含み、第1回路アセンブリ822と第2回路アセンブリ
824を相互接続するための高密度バーチカルヘッダ8
00を含む。図35は図34に示す高密度バーチカルヘ
ッダ800のパーツの分解図である。コネクタ800は
第1回路アセンブリ822とリセプタクルを相互接続す
る高密度バーチカルヘッダを備え、リセプタクルはリセ
プタクルハウジング内に行列状に配列された第1接触部
群を有する端子群を含み、また少なくとも1つの第2側
部接触部を含む。
【0069】ヘッダ800は番号のみを記載して本実施
例の一部とした米国特許4,601,527号に開示さ
れたヘッダアセンブリと同様である。しかし、ピン80
2は米国特許4,601,527号に開示された導電性
金属スプリング接触部810に接続されている。ピン8
02は回路アセンブリ822のメッキスルーホールのよ
うな、導電性領域826に接続するためのものである。
【0070】図36は図34の高密度バーチカルヘッダ
800の上面、すなわち第1嵌合面848の拡大図であ
る。図37は図34の高密度バーチカルヘッダ800の
底面、すなわち第2嵌合面878の拡大図である。図3
8は図34の高密度バーチカルヘッダ800の前面の拡
大図である。図39は図34の高密度バーチカルヘッダ
800の側面882の拡大図である。図40はヘッダ8
00の断面図を含む。図34ないし図40を説明する。
直角またはアングルドヘッダ800は導電性のピン83
5群と、絶縁性ハウジング828と、グランドストリッ
プ830と、少なくとも1つの導電性スプリング接触部
810と、第2ピン802群を備えている。
【0071】例えば、図40を説明する。第1導電性接
触子群、すなわちピン835は、第1接触部すなわち端
部845と、第2接触部すなわち端部855を有する。
第1端部845は(245のような)第1接触部に係合
するためのものである。
【0072】絶縁性のハウジング828はキャビティ、
すなわち接触領域846が第1端部で開口している。キ
ャビティ846は部分的に前部壁また後部壁844によ
り囲まれ、ベースまたはフロア842とともに、2つの
側部壁843により囲まれている。フロア842にはス
ルーホール群があけられている。スルホール(すなわち
スルーホールを規定するフロア842の円筒形の壁)は
ピン842と係合するようになっている。サイドスカー
ト850は前部および後部壁844から下方に延在され
ている。グルーブ852群はスカート850の外面のピ
ン835に平行に延在されている。グルーブ852はサ
イドスカート850のリブ854により分けられてい
る。
【0073】グランドストリップ830はサイドスカー
ト850の間のハウジング828の第2エンドに搭載さ
れている。グランドストリップ830にはノッチ832
群がサイドスカート850のグルーブ852のロワーエ
ンドと一致するようになっている。
【0074】導電性スプリング接触部810は接触ビー
ム812を有し、(265のような)第2接触部と係合
するようになっている。接触ビーム812は、各ビーム
812の間にオプションとしてL形グランドバーを有す
るキャリアストリップ814から共通平面内の上方に突
出するようになっている。グランドバー816の第1レ
グはビーム812と実質的に同一平面内のキャリアスト
リップ814に結合されている。グランドバー816の
第2レグは平面に対して直角に突き出ている。ロッキン
グタブ818群はキャリアストリップ814に結合さ
れ、各ビームから離れるように突き出ている。シェルフ
タブ820群はキャリアストリップ814に結合され、
各グランドバー816から離れるように下方に突き出て
いる。シェルフタブ820はグランドバー816の第2
レグから離れる方向にカールしている。
【0075】スプリング接触部810はハウジング82
8に搭載され、各ビーム812がハウジング828の孔
829を貫通するようになっており、各ビーム812が
前部および後部壁844の内面と接触するようになって
いる。グランドバー816の第1レグは側壁844の外
から直角に突き出ている。シェルフタブ820およびロ
ッキングタブ818は曲げられ、グランドストリップ8
30の平坦面を保持するようになっている。
【0076】第2ピン802群は第1エンドと第2エン
ドを有する。第2ピン802群はキャリアストリップ8
14に接続され、第1ピン835群の第2エンド855
と、第2ピン802群の第2エンドが行列状に配列さ
れ、接触領域826と係合するようになっている。
【0077】図40は図34ないし図39のバーチカル
ヘッダから分解された図1ないし図6の直角またはアン
グルドリセプタクル200の断面図である。高密度ヘッ
ダ800の第3接触部845はリセプタクル200の接
触部245またはリセプタクル500の接触部545に
のみ接続されるとは限らない。高密度ヘッダ800の第
1エンド845は、接触部ビーム812に係合するため
の第2接触部を少なくとも1つ有するコネクタ内に、行
列状に配列された第1接触部群を有する端子群または接
触子群を有するコネクタであれば、どのコネクタにも接
続することができる。ヘッダ800と嵌合することがで
きるリセプタクルはバーチカルリセプタクル、または直
角またはアングルドリセプタクルであっても良い。ヘッ
ダ800と嵌合することができるリセプタクルの端子
は、その形状がソケット形状であり、ヘッダ800の第
1エンド845と係合するようになっている。ヘッダ8
00と嵌合することができるリセプタクルが直角または
アングルドリセプタクルである場合は、図34に示す直
角またはアングルドリセプタクルが望ましい。
【0078】第1および第2回路アセンブリ122,1
24,222,224,522,524,822,およ
び824は、導体群、リード、メッキスルーホールまた
は導電性パス,パッドまたはエリア126,226,5
26,および826を有するアセンブリであれば、どの
ようなアセンブリでも良い。回路アセンブリ122,1
24,222,224,522,524,822,およ
び824は、各アセンブリまたはいずれかのアセンブリ
が、バックパネル、マザーボードまたはドータボードの
ようなプリント配線基板またはプリント回路基板であっ
ても良い。回路アセンブリ122,124,222,2
24,522,524,822,および824は、各ア
センブリまたはいずれかのアセンブリが、ケーブルアセ
ンブリであっても良い。回路アセンブリ122,12
4,222,224,522,524,822,および
824は、剛性または可撓性を有するものであっても良
い。1つの典型的な状態では、ヘッダは電気的および機
械的にバックパネルまたはマザーボードに接続するもの
であり、リセプタクルはマザーボードに直交するドータ
ボードに電気的および機械的に接続するためのものであ
る。
【0079】本発明のグランド構造を、リセプタクルま
たはヘッダの接触子の2つの接触部のなす角が180°
以上であるアングルドリセプタクルまたはヘッダで用い
られるように変更することができることは、当業者にと
って容易に理解できることである。
【0080】本実施例のパーツは同様の公知のパーツを
製造するために用いられる公知の材料から製造すること
ができる。例えば、絶縁性のハウジングは、ポリエーテ
ルイミドレジンまたはポリフェニレンサルファイドレジ
ンのような種々のプラスチックから製造することができ
る。導電性壁、導電性ベース、バッフル、およびシール
ドは、亜鉛、アルミニウム、銅、真鍮、またそれらの合
金を含む非磁性金属または合金から製造することができ
る。本発明の接触子は、真鍮、燐青銅、ベリリウム銅等
の端子に用いられる適正な金属から製造することができ
る。接触子はメッキするか、あるいは錫、ニッケル、パ
ラジウム、金、銀等、または適正な合金をコートするこ
とができる。
【0081】当業者は、上述した教示から発明を変更を
することができる。変更した発明は特許請求の範囲に記
載の発明の範囲内にあると解釈される。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上記のように構成したので、(1)電子回路および/ま
たは素子を電気的および機械的に相互接続し、コネクタ
内のインピーダンスおよび/またはクロストークを制御
する高密度のコネクタを提供することができる。(2)
回路アセンブリと、ヘッダまたはシュラウドに行列状に
配列された端子群とを電気的および機械的に相互接続
し、インピーダンスおよび/またはクロストークを制御
し、リセプタクル内の信号伝送品位の低下を防ぐかある
いは最小にする高密度リセプタクルを提供することがで
きる。(3)回路アセンブリと、リセプタクルに行列状
に配列された端子群とを電気的および機械的に相互接続
し、インピーダンスおよび/またはクロストークを制御
し、ヘッダ内の信号伝送品位の低下を防ぐかあるいは最
小にする高密度ヘッダを提供することできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す分解図である。
【図2】図1図示リセプタクル200を示す分解図であ
る。
【図3】図1に示すリセプタクル200の第1合わせ側
面248の拡大図である。
【図4】図1に示すリセプタクル200の第2合わせ側
面278の拡大図である。
【図5】図1に示すリセプタクル200の背面280の
拡大図である。
【図6】図1に示すリセプタクル200の側面282の
拡大図である。
【図7】図1図示ヘッダ400の第1嵌合側面448の
拡大図である。
【図8】図1図示ヘッダ400の第2嵌合側面480の
拡大図である。
【図9】図1図示ヘッダ400の前側面478の拡大図
である。
【図10】図1図示ヘッダ400の側面482の拡大図
である。
【図11】図1図示ヘッダ400とリセプタクル200
の拡大断面図である。
【図12】本発明第2実施例の高密度コネクタアセンブ
リを示す分解図である。
【図13】図12に示す高密度バーチカルリセプタクル
500の上部、すなわち第1嵌合部548の拡大図であ
る。
【図14】図12に示す高密度バーチカルリセプタクル
500の底部、すなわち第2嵌合部580の拡大図であ
る。
【図15】図12に示す高密度バーチカルリセプタクル
500の前部578の拡大図である。
【図16】図12に示す高密度バーチカルリセプタクル
500の側部582の拡大図である。
【図17】図12に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ600の上面、すなわち第1嵌合面648の拡大図
である。
【図18】図12に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ600の前面、すなわち第2嵌合面678の拡大図
である。
【図19】図12に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ600の底面680の拡大図である。
【図20】図12に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ600の側面682の拡大図である。
【図21】図12に示す高密度バーチカルリセプタクル
500の拡大断面図である。
【図22】図12および図17ないし図20に示す直角
またはアングルドヘッダ600から分解した図1ないし
図6に示す直角またはアングルドリセプタクル200の
断面図である。
【図23】図23は本発明第3実施例の高密度コネクタ
アセンブリの分解図である。
【図24】図23に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル100と、ハウジング128から分解された
シールド300を含むリセプタクル100の上面、すな
わち第1嵌合面148を示す図である。
【図25】図23に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル100の第1嵌合面を示す図である。
【図26】図23に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル100の第2嵌合面を示す図である。
【図27】図23に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル100の底面を示す図である。
【図28】図23に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル100の側面を示す図である。
【図29】図23の高密度直角またはアングルドヘッダ
700の上面、すなわち第1嵌合面748の拡大図であ
る。
【図30】図23の高密度直角またはアングルドヘッダ
700の前面、すなわち第2嵌合面778の拡大図であ
る。
【図31】図23の高密度直角またはアングルドヘッダ
700の底面780の拡大図である。
【図32】図23の高密度直角またはアングルドヘッダ
700の側面782の拡大図である。
【図33】図23ないし図28に示す直角またはアング
ルドリセプタクルの断面図である。
【図34】本発明第4実施例に係る高密度コネクタアセ
ンブリの分解図である。
【図35】図34に示す高密度バーチカルヘッダ800
のパーツの分解図である。
【図36】図34の高密度バーチカルヘッダ800の上
面、すなわち第1嵌合面848の拡大図である。
【図37】図34の高密度バーチカルヘッダ800の底
面、すなわち第2嵌合面878の拡大図である。
【図38】図34の高密度バーチカルヘッダ800の前
面の拡大図である。
【図39】図34の高密度バーチカルヘッダ800の側
面882の拡大図である。
【図40】図1ないし図6に示す直角またはアングルド
リセプタクルの断面図である。
【図41】従来の高密度コネクタアセンブリの一例を示
す分解図である。
【図42】従来の高密度コネクタアセンブリの他の例を
示す分解図である。
【符号の説明】
200 リセプタクル 222,224 回路アセンブリ 228 ハウジング 240 導電体 300 シールド 350 スペーサ 400 ヘッダ 428 ハウジング 435 接触子 442 ベース 444 側壁 464 パッセジ
フロントページの続き (72)発明者 デイビッド フランシス ファゼルマン アメリカ合衆国 17057 ペンシルバニ ア州 ミドルタウン イースト メイン ストリート 717 (56)参考文献 特開 平3−78983(JP,A) 特開 昭63−148578(JP,A) 実開 平3−48883(JP,U) 特表 平5−507834(JP,A)

Claims (36)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の接触領域を有する回路アセンブリ
    と、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続す
    るコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネクタは第
    1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の接触
    部と、少なくとも1つの側部接触部とを有するコネクタ
    アセンブリにおいて、 絶縁性のハウジングと、 第1の複数の電気接触子と、 少なくとも1つの導電体と、 導電性シールドとを備え、 前記絶縁性のハウジングは第2側壁と、該第2側壁内に
    行列状に配置した複数のパッセジとを有し、 前記第1の複数の電気接触子の1つは前記パッセジの一
    部にあり、前記第1の複数の電気接触子は第3接触部お
    よび第4接触部を有し、前記第3接触部は前記第1接触
    部と接触させるため行列状に配置してあり、前記第1の
    複数の電気接触子はそれぞれ中間部を含み、前記第4接
    触部を前記第3接触部に対してある角度で延在させてあ
    り、 前記少なくとも1つの導電体は、少なくとも1つの第5
    接触部と、少なくとも1つの第6接触部とを有し、前記
    第5接触部は前記第2接触部に接触させるためのもので
    あって前記第2側壁のうちの1つの上に設けてあり、 前記導電性シールドは、前記複数の電気接触子の前記中
    間部の列と列の間に各列から離して配置したバッフル
    と、前記第6接触部に接触させるための第7接触部と、
    前記第4接触部と行列状に配置し前記回路アセンブリ接
    触領域に接続するための複数の第8接触部とを含むこと
    を特徴とするコネクタアセンブリ。
  2. 【請求項2】 請求項1において、少なくとも1つの第
    5接触部は第2側壁のうちの1つの側壁の外面上にある
    ことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  3. 【請求項3】 請求項1において、2つの導体があり、
    該導体は接触子の行に対して一般的に平行である第2側
    壁のうちの異なる側壁上にあることを特徴とするコネク
    タアセンブリ。
  4. 【請求項4】 請求項1において、導体は第5接触部群
    と第6接触部群とを備えたことを特徴とするコネクタア
    センブリ。
  5. 【請求項5】 請求項1において、 孔を行列状に設けた絶縁性スペーサと、 第4接触部と第8接触部がスペーサの一方の側にあり、
    かつ、それらの中間部が前記スペーサのもう一方の側に
    あるように前記孔を貫通させた接触子とを備えたことを
    特徴とするコネクタアセンブリ。
  6. 【請求項6】 請求項1において、中間部が直角ベンド
    であることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  7. 【請求項7】 請求項1において、第7接触部はシール
    ドにスロットまたは孔を含むことを特徴とするコネクタ
    アセンブリ。
  8. 【請求項8】 請求項1において、 少くとも1つの導体は、コネクタの嵌合面のグルーブに
    延在させるための曲折された端部を有し、該曲折された
    端部が前記グルーブに延在された場合、少なくとも1つ
    の第6接触部が少なくとも1つの第7接触部に接続さ
    れ、前記導体は前記第2側壁のうちの1つの側壁上に固
    定されるようになっていることを特徴とするコネクタア
    センブリ。
  9. 【請求項9】 請求項1において、ハウジングは突起群
    を有し、少なくとも1つの導体は前記突起群を受けるス
    ロット群または孔群を有し、前記シールドは前記突起を
    受けるスロット群または孔群を有することを特徴とする
    コネクタアセンブリ。
  10. 【請求項10】 複数の接触領域を有する回路アセンブ
    リと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続
    するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネクタは
    第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の接
    触部と、少なくとも1つの側部接触部とを有するコネク
    タアセンブリにおいて、 複数の電気接触子と、 ハウジングと、 少なくとも1つのグランド接触部とを備え、 前記複数の電気接触子はそれぞれ第1接触部と第2接触
    部を有し、 前記ハウジングは、単一の絶縁性ベースと、外部導電性
    側壁と、導電性格子とを備え、 前記単一の絶縁性ベースは、絶縁層と、該絶縁性層から
    延在させた複数の絶縁性スリーブと、前記絶縁性ベース
    を行列状に貫通させた複数のパッセジとを備え、該複数
    のパッセジのうちの1つは前記各スリーブを貫通してお
    り、前記複数の電気接触子の前記第1接触部は前記複数
    の接触部に接触させるためのものであり、前記第1接触
    部が前記絶縁性ベースの一方側に、前記第2接触部が前
    記ベースの他方側に来るように、前記複数の電気接触子
    を前記各パッセジに固定してあり、前記外部導電性側壁
    と、前記絶縁性ベースと、前記導電性側壁は、前記接触
    領域の一部を囲んでおり、前記導電性側壁は、少なくと
    も1つの側部接触部と接触させるためのものであって、
    少くとも1つの第3接触部を備え、 前記導電性格子は、前記導電性側壁に接続させると共
    に、前記導電性側壁の間に延在させ、前記導電性格子は
    前記導電性側壁に一般的に垂直であり、前記導電性格子
    は複数のパッセジを有し、該複数のパッセジをスリーブ
    が貫通しており、前記導電性格子と導電性側壁は単一構
    造をしており、 前記少なくとも1つのグランド接触部は、前記回路アセ
    ンブリの接触領域に接続させるためのものであり、前記
    第2接触部と前記グランド接触部が行列状に配置される
    ように、前記導電性側壁から延在させたことを特徴とす
    るコネクタアセンブリ。
  11. 【請求項11】 請求項10において、ベースは各接触
    子を囲んだスリーブを備えたことを特徴とするコネクタ
    アセンブリ。
  12. 【請求項12】 請求項11において、ベースはスリー
    ブの一方のエンドかあるいは両方のエンドに接続した絶
    縁性の層を備えたことを特徴とするコネクタアセンブ
    リ。
  13. 【請求項13】 請求項12において、第6接触部は絶
    縁性の層の端部の貫通孔に延在させたことを特徴とする
    コネクタアセンブリ。
  14. 【請求項14】 請求項12において、導電性の側壁は
    一般的に絶縁層の端部に直交するように延在され、接触
    することを特徴とするコネクタアセンブリ。
  15. 【請求項15】 請求項10において、ハウジングは導
    電性の側壁に接続されるとともに、側壁の間に延在さ
    れ、導電性の側壁に一般的に直交し、パセッジ群を有す
    る格子を備えたことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  16. 【請求項16】 請求項15において、ベースは各接触
    子を囲む絶縁性のスリーブを備え、スリーブは格子のパ
    セッジ内にあることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  17. 【請求項17】 請求項10において、電気的コネクタ
    はヘッダであることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  18. 【請求項18】 請求項10において、少なくとも1つ
    の第5接触部は導電性の側壁のうち1つの側壁の内面あ
    ることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  19. 【請求項19】 請求項10において、導電性の側壁の
    対向する内面は第6接触部を備えたことを特徴とするコ
    ネクタアセンブリ。
  20. 【請求項20】 複数の接触領域を有する回路アセンブ
    リと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続
    するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネクタは
    第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の第
    1接触部と、少なくとも1つの第2側部接触部とを有す
    るコネクタアセンブリにおいて、 絶縁性のハウジングと、 第1の複数の電気接触子と、 少なくとも1つの導電体と、 絶縁性のスペーサとを備え、 前記絶縁性ハウジングは第2側壁を有し、該第2側壁内
    に複数のパッセジを行列状に配置してあり、 前記第1の複数の電気接触子は、それぞれ、第3接触部
    と第4接触部を有し、前記第3接触部が前記第4接触部
    と一般的に同一線上にあり、前記第3接触部は、前記第
    1接触部と接触するためのものであって前記各パッセジ
    内にあり、前記第4接触部は前記回路アセンブリ上の接
    触領域の第1集合に接続するためのものであり、 前記少なくとも1つの導電体は、少なくとも1つの第5
    接触部と、少なくとも1つの第6接触部と、折り曲げた
    端部とを有し、前記第5接触部は前記第2側部接触部と
    接触させるためのものであって前記第2側壁の1つの外
    面上に設けてあり、前記第6接触部は一般的に前記第5
    接触部と同一線上にあり、前記第6接触部は一般的に前
    記第4接触部と同一方向に延在してあり、前記回路アセ
    ンブリ上の接触領域の第2集合に接続するためのもので
    あり、前記折り曲げた端部は前記コネクタの嵌合面のグ
    ルーブに延在するためのものであり、 前記絶縁性のスペーサは、複数の孔が行列状に配置して
    あり、該複数の孔の幾つかを前記接触子が貫通してお
    り、前記複数の孔の残りを前記第6接触部が貫通してお
    り、前記スペーサの一方側に前記第4および第6接触部
    があり、前記スペーサの他方側に前記第3および第5接
    触部があることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  21. 【請求項21】 請求項20において、少なくとも1つ
    の第5接触部は第2側壁のうち1つの側壁の外面上にあ
    ることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  22. 【請求項22】 請求項20において、2つの導体があ
    り、該導体は接触子の行と一般的に平行である第2側壁
    のうち異なる側壁上にあることを特徴とするコネクタア
    センブリ。
  23. 【請求項23】 請求項20において、導体は第5接触
    部と第6接触部を有することを特徴とするコネクタアセ
    ンブリ。
  24. 【請求項24】 請求項20において、ハウジングは突
    起群を有し、前記少なくとも1つの導体は前記突起を受
    けるスロット群または孔群を有することを特徴とするコ
    ネクタアセンブリ。
  25. 【請求項25】 複数の接触領域を有する回路アセンブ
    リと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続
    するコネクタアセンブリであって、嵌合コネクタは第1
    側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の第1接
    触部と、少なくとも1つの第2側部接触部とを有するコ
    ネクタアセンブリにおいて、 複数の電気接触子と、 ハウジングと、 複数の絶縁性ブロックと、 導電性バッフルとを備え、 前記複数の電気接触子は、それぞれ第1接触部と第2接
    触部を有し、該第1接触部は、前記嵌合コネクタの第1
    接触部に接触するものであって、行列状に配置されてお
    り、前記複数の接触子はそれぞれ中間部を含み、該複数
    の接触子の第2接触部が前記第1接触部に対してある角
    度を有し、 前記ハウジングは、導電性のベースと、複数の絶縁性の
    ブロックと、導電性のバッフルとを含み、 前記導電性のベースは複数のパッセジが行列状に貫通し
    ており、該複数のパッセジに前記複数の接触子が配置さ
    れており、 前記複数の絶縁性のブロックは前記パッセジ内に配置さ
    れており、前記接触子は前記ブロックパッセジ内にあ
    り、前記複数の電気接触子の第1接触部は接触領域のベ
    ースの一方側にあり、前記接触子の第2接触部が前記接
    触領域のベースの他方側にあり、 前記導電性バッフルは前記接触子の中間部の列と列の間
    に各列から離して配置してあり、前記導電性のベースに
    接続されていることを特徴とするコネクタアセンブリ。
  26. 【請求項26】 請求項25において、回路アセンブリ
    の接触領域に接続するため、第4接触部とともに行列状
    に配置した各導電性バッフルから延在したバッフル接触
    部を備えたことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  27. 【請求項27】 請求項25において、絶縁性ブロック
    はそれぞれ接触子の列を保持するため、ブロックパッセ
    ジを含むことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  28. 【請求項28】 請求項25において、前記ブロックは
    各接触子を囲んだ絶縁性スリーブを備えたことを特徴と
    するコネクタアセンブリ。
  29. 【請求項29】 請求項25において、ベースから延在
    され、該ベースとともに前記接触領域を囲む導電性側壁
    を備えたことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  30. 【請求項30】 複数の接触領域を有する回路アセンブ
    リと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続
    するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネクタは
    複数の端子と、行列状に配置した第1接触部とを有する
    コネクタアセンブリにおいて、 複数の電気接触子と、 ハウジングとを備え、 前記複数の電気接触子はそれぞれ第1接触部と第2接触
    部を有し、前記複数の電気接触子は第1集合および第2
    集合を備え、前記第1接触部は前記嵌合アセンブリの第
    1接触部分に接触するためのものであって行列状に配置
    してあり、前記第1集合は中間部を含み、前記複数の電
    気接触子の第2接触部は前記第1接触部に対してある角
    度で延在しており、 前記ハウジングは、導電性ベースと、複数の絶縁性ブロ
    ックと、導電性バッフルとを含み、 前記導電性ベースは複数のパッセジが行列状に貫通させ
    てあり、該パッセジのうちの幾つかのパッセジに、前記
    複数の電気接触子の第2集合が配置され、該複数の電気
    接触子の第2集合が前記導電性のベースに電気的に接続
    され、 前記複数の絶縁性ブロックは、前記パッセジのうちの残
    りのパッセジに配置され、前記絶縁性ブロックはパッセ
    ジを有し、該ブロックパッセジ内に前記複数の電気接触
    子の第1集合があり、前記電気接触子の第1接触部が接
    触領域の前記ベースの一方側にあり、前記電気接触子の
    第2接触部が前記ベースの他方側にあり、 前記導電性バッフルは、前記第1集合の電気接触子の中
    間部の列と列の間で各列から離してあり、前記接触領域
    のベースに接続されていることを特徴とするコネクタア
    センブリ。
  31. 【請求項31】 請求項30において、バッフル接触部
    は、回路アセンブリの接触領域に接続するため、第3接
    触部とバッフル接触部が行列状に配置される導電性バッ
    フルからそれぞれ延在されていることを特徴とするコネ
    クタアセンブリ。
  32. 【請求項32】 請求項31において、導電性壁は近隣
    のバッフル対に接続され、ベースから延在されているこ
    とを特徴とするコネクタアセンブリ。
  33. 【請求項33】 請求項30において、絶縁性ブロック
    はそれぞれ第1組の接触子の列を保持するためのブロッ
    クパッセジを含むことを特徴とするコネクタアセンブ
    リ。
  34. 【請求項34】 請求項30において、前記ベースから
    延在され、ベースとともに接触領域を部分的に囲む導電
    性側壁を備えたことを特徴とするコネクタアセンブリ。
  35. 【請求項35】 複数の接触領域を有する回路アセンブ
    リと、嵌合コネクタとを電気的および機械的に相互接続
    するコネクタアセンブリであって、前記嵌合コネクタは
    第1側壁と、該第1側壁内に行列状に配置した複数の第
    1接触部と、少なくとも1つの第2側部接触部とを有す
    るコネクタアセンブリにおいて、 第1の複数の導電性ピンと、 絶縁性のハウジングと、 細長いグランドストリップと、 導電性のスプリング接触部と、 スプリング接触部と、 第2の複数のピンとを備え、 前記第1の複数の導電性ピンは第1エンドと第2エンド
    をそれぞれ有し、該第1端部が前記第1接触部に係合す
    るためのものであり、 前記絶縁性のハウジングは凹部を有し、キャビティエン
    ドが第1エンドにあり、 前部と後部の細長い側壁により囲まれ、2つの端部側壁
    はフロアと一体であり、そのフロアは複数の貫通孔があ
    り、該複数の貫通孔は前記導電性ピンとそれぞれ係合し
    ており、サイドスカートがそれぞれ前および後側壁から
    下方向に延在しており、複数のグルーブを有し、該複数
    のグルーブはそれぞれ前記ピンと平行に延在しており、
    前記各サイドスカートのリブにより分離されており、 前記グランドストリップは前記サイドスカートの間に取
    り付けてあり、該サイドスカートの各グルーブの端部と
    複数のノッチが整合しており、 前記導電性のスプリング接触部は、接触ビームが少なく
    とも1つの第2接触部と係合しており、しかも、キャリ
    アストリップから共通平面内に上方に突出しており、複
    数のロッキングタブが前記キャリアタブに取り付けら
    れ、各接触ビームから突出しており、複数のシェルフタ
    ブはロッキングタブの間のキャリアストリップに取り付
    けられ、前記ロッキングタブと同一方向に延在され、 前記スプリング接触部は前記ハウジングに取り付けてあ
    り、前記接触ビームはそれぞれ前記前および後側壁の内
    側に接触しており、前記シェルフタブと前記ロッキング
    タブが前記グランドストリップの平坦側を保持するため
    に曲げられ、 前記第2複数ピンは第1エンドと第2エンドを有し、該
    第2複数ピンの第1エンドが前記キャリアストリップに
    接続され、前記第1複数ピンの第2エンドと前記第2複
    数ピンの第2エンドが行列状に配置され、前記回路アセ
    ンブリまで延在され、前記接触領域と係合していること
    を特徴とするコネクタアセンブリ。
  36. 【請求項36】 請求項35において、第2ピン群の第
    1エンドは前記シェルフタブの外側とロッキングタブに
    接続したことを特徴とするコネクタアセンブリ。
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