JP2538126B2 - 短波長レ―ザ光源 - Google Patents
短波長レ―ザ光源Info
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- JP2538126B2 JP2538126B2 JP2338148A JP33814890A JP2538126B2 JP 2538126 B2 JP2538126 B2 JP 2538126B2 JP 2338148 A JP2338148 A JP 2338148A JP 33814890 A JP33814890 A JP 33814890A JP 2538126 B2 JP2538126 B2 JP 2538126B2
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- Japan
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
ものである。
on,K.Yamamoto and T.Taniuchi:プロシーディング・エ
ス ピーアイ イ(Proc.SPIE)Vol.898 Miniature Opt
ics and Lasers(1988)]に示されている。
ので、9はアルミ材を用いた鏡筒、6は鏡筒9の端に樹
脂接着されたLiNbO3基板上に光導波路7を形成した光波
長変換素子、1は鏡筒9に光波長変換素子6と反対側の
端に取り付けられた波長0.84μmのレーザ光2を発生さ
せる半導体レーザ、3は半導体レーザ1のレーザ光出射
側に位置するコリメートレンズ、5は光波長変換素子6
の光入射面側に位置するフォーカスレンズ、4はコリメ
ートンズ3とフォーカスレンズ5の間に位置する半波長
板である。8は光波長変換素子6の光出射面より出射さ
れる出力レーザ光である。
作を説明する。半導体レーザ1より出射された波長0.84
μmのレーザ光2はコリメートレンズ3に入射し平行ビ
ームとなり、半波長板4により偏向方向が修正され、フ
ォーカスレンズ5に入射する。フォーカスレンズ5を出
射したレーザ光2は、LiNbO3光波長変換素子6の光入射
面に集光され光導波路7を伝搬し、波長を1/2に変換さ
れ波長0.42μmの出力レーザ光8としてアルミ鏡筒9よ
り出射される。
おいて、フォーカスレンズ5により集光されたレーザ光
2の集光スポットが光導波路7に結合する際,光導波路
7の深さ方向にずれた場合における出力レーザ光8の出
力変動を示している。出力レーザ光8の出力が最大とな
る集光スポット位置が最適な光軸調整が行われた状態で
あるとし、この位置を横軸において零点とした。第8図
によれば、±0.33μmの集光スポットずれが生じただけ
で出力レーザ光8の出力が±50%変動しており、極めて
精密な光軸調整が必要とされることがわかる。
おける出力レーザ光8の環境温度特性を示している。
な構成では、第9図に示したように、環境温度が±10℃
変化したとき、光波長変換素子6とアルミ鏡筒9の熱膨
張係数差による歪で光軸ずれが発生し、レーザ光8の出
力が50%以上低下するという課題が判明していた。この
ように、わずか±10℃の変化でこのような出力低下が生
じることは実使用において大きな問題となることが明ら
かとなり、この改善が強く望まれることとなった。
動の小さな短波長レーザ光源を提供することを目的とす
る。
光波長変換素子と、レーザ光源とを鏡筒内で同一光軸上
に固定するとともに、この鏡筒の材料に熱膨張係数が前
記非線形光学結晶に等しいかまたは近い材質を用いたこ
とを特徴とする短波長レーザ光源である。
との熱膨張係数差が小さくなり、環境温度が変化したと
きの前記光波長変換素子と前記鏡筒との接着部における
歪が緩和されることにより光軸ずれが低減し、短波長レ
ーザ光源の出力は安定化することが明かとなった。
源の構成を示したもので、10はステンレス材としてたと
えばSUS316を用いた鏡筒、6はLiNbO3基板上に光導波路
7を形成した光波長変換素子で鏡筒10に樹脂20で固着さ
れている。1は波長0.84μmのレーザ光2を発生させる
半導体レーザ、3はコリメートレンズ、4は半波長板、
5はフォーカスレンズである。7は光導波路8は光波長
変換素子6の光出射面より出射される出力レーザ光であ
る。
基本的には第7図に示した従来の短波長レーザ光源と同
じ構成であるので、同一構成部分には同一番号を付して
詳細な説明を省略する。
境温度特性を示す。25±10℃における出力低下率は8%
となっている。このように、本発明によれば、極めて優
れた性能向上が可能となった。
ザ光源の構成を示したもので、11は真ちゅう材としてC3
046を用いた鏡筒、6はLiNbO3基板上に光導波路7を形
成した光波長変換素子、1は波長0.84μmのレーザ光2
を発生させる半導体レーザ、3はコリメートレンズ、4
は半波長板、5はフォーカスレンズである。8は光波長
変換素子6の光出射面より出射される出力レーザ光であ
る。
基本的には第7図に示した従来の短波長レーザ光源と同
じ構成であるので、同一構成部分には同一番号を付して
詳細な説明を省略する。
境温度特性を示す。25±10℃における出力低下率は10%
となっている。この場合も極めて大きな改善がなされて
いる。
ザ光源の構成を示したもので、14はステンレス材として
たとえばSUS316を用いた鏡筒、6はLiNbO3基板上に光導
波路7を形成した光波長変換素子で鏡筒14に樹脂20で固
着されている。13は波長0.84μmのレーザ光2を発生さ
せる半導体レーザチップで、12は半導体レーザチップ13
を固定するマウントである。
の動作を説明する。半導体レーザチップ13より出射され
た波長0.84μmのレーザ光2は、LiNbO3光波長変換素子
6の光入射面において光導波路7に入射し、波長を1/2
に変換され波長0.42μmの出力レーザ光8としてステン
レス鏡筒14より出射される。なお、鏡筒の材質はステン
レスを用いたが、LiNbO3と熱膨張係数が近い材質であれ
ばよく、鏡筒の材質は真ちゅうであってもよい。
一、第二および第三の実施例で用いた非線形光学結晶と
鏡筒の材質の熱膨張係数を示す。ステンレスおよび真ち
ゅうは、アルミに比較し非線形光学結晶であるLiNbO3に
十分近い値となっており、鏡面の材質として適すること
がわかる。
学結晶としてLiNbO3を用いたが、非線形光学結晶として
MgO:LiNbO3(MgOをドープしたLiNbO3),KTP(KTiOPO4)
または水晶を用いてもよい。
の接着部における温度歪が緩和されることは、波長変換
レーザ出力の向上に以外に大きな効果が生じることが明
かとなり、この種レーザ光源の実用化に貢献することが
判明した。
れる短波長レーザ光源の環境温度変化に伴う出力変動は
低減し、その実用的効果は大きく向上することになり、
短波長レーザ光源の実用化に大きく寄与するものであ
る。
面図、第2図は本発明の一実施例の短波長レーザ光源の
出力温度特性図、第3図は本発明の第二の実施例の短波
長レーザ光源の要部断面図、第4図は本発明の第二の実
施例の短波長レーザ光源の出力温度特性図、第5図は本
発明の第三の実施例の短波長レーザ光源の要部断面図、
第6図は本発明第一、第二および第三の実施例で用いた
非線形光学結晶と鏡筒の材質の熱膨張係数を記入した
図、第7図は従来の短波長レーザ光源の要部断面図、第
8図は従来の短波長レーザ光源の光軸ずれに対する出力
特性図、第9図は従来の短波長レーザ光源の出力温度特
性図である。 1……半導体レーザ、3……コリメートレンズ、4……
半波長板、5……フォーカスレンズ、6……LiNbO3光波
長変換素子、7……光導波路、10……ステンレス鏡筒、
11……真ちゅう鏡筒、13……半導体レーザチップ、14…
…ステンレスまたは真ちゅう鏡筒。
Claims (4)
- 【請求項1】非線形光学結晶を基板とし、前記基板上に
光導波路を形成した光波長変換素子とレーザ光源とを鏡
筒内で同一光軸上に固定すると共に、前記光波長変換素
子と熱膨張係数が等しいかまたは近接した材質で前記鏡
筒を構成することを特徴とする短波長レーザ光源。 - 【請求項2】レーザ光源より出射されたレーザ光を集光
するためのレンズを備え、光波長変換素子と前記レーザ
光源と前記レンズとを鏡筒内で同一光軸上に固定したこ
とを特徴とする請求項1記載の短波長レーザ光源。 - 【請求項3】非線形光学結晶として、LiNbO3またはKTP
または水晶を用いたことを特徴とする請求項1または2
記載の短波長レーザ光源。 - 【請求項4】非線形光学結晶としてLiNbO3を用い、鏡筒
の材質としてステンレスまたは真ちゅうを用いたことを
特徴とする請求項1または2記載の短波長レーザ光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2338148A JP2538126B2 (ja) | 1989-12-20 | 1990-11-30 | 短波長レ―ザ光源 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-330515 | 1989-12-20 | ||
JP33051589 | 1989-12-20 | ||
JP2338148A JP2538126B2 (ja) | 1989-12-20 | 1990-11-30 | 短波長レ―ザ光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03223727A JPH03223727A (ja) | 1991-10-02 |
JP2538126B2 true JP2538126B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=26573560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2338148A Expired - Lifetime JP2538126B2 (ja) | 1989-12-20 | 1990-11-30 | 短波長レ―ザ光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2538126B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2338148A patent/JP2538126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03223727A (ja) | 1991-10-02 |
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