JP2533502B2 - プラズマｘ線源 - Google Patents
プラズマｘ線源Info
- Publication number
- JP2533502B2 JP2533502B2 JP61231168A JP23116886A JP2533502B2 JP 2533502 B2 JP2533502 B2 JP 2533502B2 JP 61231168 A JP61231168 A JP 61231168A JP 23116886 A JP23116886 A JP 23116886A JP 2533502 B2 JP2533502 B2 JP 2533502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- capacitor
- ray
- ray source
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマＸ線源に係り、特に、LSI製造用Ｘ
線リソグラフィ装置の光源に用いられるのに好適なプラ
ズマＸ線源に関する。
線リソグラフィ装置の光源に用いられるのに好適なプラ
ズマＸ線源に関する。
従来のプラズマＸ線源としては、特開昭60-151945号
公報に示されているようなものが知られている。これは
第６図に示すように、充電用電源1,充電用抵抗2,コンデ
ンサ3,放電スイツチ4,電路7,放電装置５から構成されて
いる。16は露光用マスク、17は露光ウエーハ、19はアラ
イナである。放電装置５は、図示していない排気装置，
真空容器18,電極11,12から構成されている。動作は、先
ず適当に制御された充電用電源１より充電用抵抗２を介
してコンデンサ３に電力を供給し、所定の電圧まで充電
する。その後、放電スイツチ４を図示しない外的要因に
より閉じて、電路７を経由し、放電装置５の有する一対
の電極11,12間に、上記電圧を印加して放電を起こさ
せ、そしてプラズマを生成し、それ以後コンデンサ３に
蓄えられたエネルギーを供給することによつてプラズマ
ピンチを生じさせ、強いＸ線14を放出させる。保護抵抗
６は放電装置５で、放電を生じなかつた場合、コンデン
サ３のエネルギーを吸収するために設けたものである。
このＸ線14は、Ｘ線取り出し窓15とＸ線マスク16を通し
てレジストを塗布したウエーハ17に照射され、露光す
る。このような、従来装置は、まだ研究の段階であり、
電源コンデンサには、一般に電力用に使用されている油
浸紙コンデンサや、油浸プラスチツクフイルムコンデン
サなどが使用されている。
公報に示されているようなものが知られている。これは
第６図に示すように、充電用電源1,充電用抵抗2,コンデ
ンサ3,放電スイツチ4,電路7,放電装置５から構成されて
いる。16は露光用マスク、17は露光ウエーハ、19はアラ
イナである。放電装置５は、図示していない排気装置，
真空容器18,電極11,12から構成されている。動作は、先
ず適当に制御された充電用電源１より充電用抵抗２を介
してコンデンサ３に電力を供給し、所定の電圧まで充電
する。その後、放電スイツチ４を図示しない外的要因に
より閉じて、電路７を経由し、放電装置５の有する一対
の電極11,12間に、上記電圧を印加して放電を起こさ
せ、そしてプラズマを生成し、それ以後コンデンサ３に
蓄えられたエネルギーを供給することによつてプラズマ
ピンチを生じさせ、強いＸ線14を放出させる。保護抵抗
６は放電装置５で、放電を生じなかつた場合、コンデン
サ３のエネルギーを吸収するために設けたものである。
このＸ線14は、Ｘ線取り出し窓15とＸ線マスク16を通し
てレジストを塗布したウエーハ17に照射され、露光す
る。このような、従来装置は、まだ研究の段階であり、
電源コンデンサには、一般に電力用に使用されている油
浸紙コンデンサや、油浸プラスチツクフイルムコンデン
サなどが使用されている。
上記従来技術は、Ｘ線取り出し窓15が電極11,12より
の蒸発物質により汚損することへの対策が考慮されてい
なかつた。すなわち、電極11,12間にて放電が行なわれ
ると、プラズマピンチが発生し、高エネルギーのイオン
や電子が生じる。又、電極11,12からは電極材料が溶け
て金属蒸気が放出される。これらの高エネルギーのイオ
ンや電子は、磁気的手段によりＸ線取り出し窓15へ飛来
しないようにできるが、金属蒸気は中性であるので、軌
道を曲げることができずＸ線取り出し窓15の汚損を防止
することは困難であつた。
の蒸発物質により汚損することへの対策が考慮されてい
なかつた。すなわち、電極11,12間にて放電が行なわれ
ると、プラズマピンチが発生し、高エネルギーのイオン
や電子が生じる。又、電極11,12からは電極材料が溶け
て金属蒸気が放出される。これらの高エネルギーのイオ
ンや電子は、磁気的手段によりＸ線取り出し窓15へ飛来
しないようにできるが、金属蒸気は中性であるので、軌
道を曲げることができずＸ線取り出し窓15の汚損を防止
することは困難であつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、
Ｘ線取り出し窓の汚損の低減を図つたプラズマＸ線源を
提供するにある。
Ｘ線取り出し窓の汚損の低減を図つたプラズマＸ線源を
提供するにある。
本発明では上記目的を達成するために、コンデンサバ
ンクの電路側に、一対の電極間で放電が生じた際に超音
波を発生させるセラミックコンデンサを配置し、該セラ
ミックコンデンサによる超音波振動を、電路、及び放電
装置を介してＸ線を取り出すＸ線取り出し窓に伝播させ
るようにしたことを特徴とする。
ンクの電路側に、一対の電極間で放電が生じた際に超音
波を発生させるセラミックコンデンサを配置し、該セラ
ミックコンデンサによる超音波振動を、電路、及び放電
装置を介してＸ線を取り出すＸ線取り出し窓に伝播させ
るようにしたことを特徴とする。
すなわち、セラミツクコンデンサは一種の圧電素子で
あり、あらかじめ充電しておいて、急速な放電を行なわ
せると歪が急速に消える結果、その過程で超音波振動を
発生する。この超音波振動は電路などの構成物体を介し
て放電装置、さらにはＸ線取り出し窓に伝播する。その
結果、Ｘ線取り出し窓にゆるく付着していた金属蒸気原
子は、再び空間に放出され、Ｘ線取り出し窓の汚損が低
減される。
あり、あらかじめ充電しておいて、急速な放電を行なわ
せると歪が急速に消える結果、その過程で超音波振動を
発生する。この超音波振動は電路などの構成物体を介し
て放電装置、さらにはＸ線取り出し窓に伝播する。その
結果、Ｘ線取り出し窓にゆるく付着していた金属蒸気原
子は、再び空間に放出され、Ｘ線取り出し窓の汚損が低
減される。
以下、第１図の実施例にて本発明を詳細に説明する。
ここで、第６図の実施例と同一の構成要素には同一の番
号を付けてある。コンデンサ３と電路７の間には、セラ
ミツクコンデンサ20が設けられている。セラミツクコン
デンサ20は、充電された状態では、セラミツクコンデン
サ20の極間を縮める方向にストレスを受けている。放電
装置５の電極11,12間で放電が生じると、セラミツクコ
ンデンサ20の受けていたストレスはきわめて短い時間の
うちに放出される。その結果、セラミツクコンデンサ20
は元の状態へ復旧し、この時のセラミツクコンデンサ20
は超音波21を発生することになる。この超音波21は電路
７を通つて放電装置５へ達し、Ｘ線取り出し窓15へ達す
る。一方この時点には、電極11,12よりの蒸発物質が、
温度がさめず熱いままゆるく付着した状態にある。その
結果、Ｘ線取り出し窓15での付着物質は容易に超音波振
動により離脱してしまい、汚損の低減がもたらされる。
ここで、第６図の実施例と同一の構成要素には同一の番
号を付けてある。コンデンサ３と電路７の間には、セラ
ミツクコンデンサ20が設けられている。セラミツクコン
デンサ20は、充電された状態では、セラミツクコンデン
サ20の極間を縮める方向にストレスを受けている。放電
装置５の電極11,12間で放電が生じると、セラミツクコ
ンデンサ20の受けていたストレスはきわめて短い時間の
うちに放出される。その結果、セラミツクコンデンサ20
は元の状態へ復旧し、この時のセラミツクコンデンサ20
は超音波21を発生することになる。この超音波21は電路
７を通つて放電装置５へ達し、Ｘ線取り出し窓15へ達す
る。一方この時点には、電極11,12よりの蒸発物質が、
温度がさめず熱いままゆるく付着した状態にある。その
結果、Ｘ線取り出し窓15での付着物質は容易に超音波振
動により離脱してしまい、汚損の低減がもたらされる。
第２図は本発明の他の実施例であり、放電スイツチ４
が設けられた回路に適用した例であり、これも第１図と
全く同様の効果を奏することができる。
が設けられた回路に適用した例であり、これも第１図と
全く同様の効果を奏することができる。
第３図は本発明のさらに別の実施例であり、電源コン
デンサをすべてセラミツクコンデンサ20にした例であ
り、これも第１図と全く同様の効果を奏することができ
る。
デンサをすべてセラミツクコンデンサ20にした例であ
り、これも第１図と全く同様の効果を奏することができ
る。
第４図は本発明のさらに又他の実施例である。これは
電路が導体板8,9に変えてケーブル22が使用されている
ものに適用した例であり、これも又、第１図の実施例と
全く同様の効果を達成できる。第５図は本発明のさらに
又別の実施例である。これは電路の導体板8,9の間にセ
ラミツクコンデンサ20a〜20hをサイドイツチ状に配置し
た例である。この例では、第１図の実施例と同様の効果
の他に、コンデンサ回路のインダクタンスを非常に小さ
くでき、放電電流の立ち上りが早くなり、その分だけ強
力なＸ線を発生できる。
電路が導体板8,9に変えてケーブル22が使用されている
ものに適用した例であり、これも又、第１図の実施例と
全く同様の効果を達成できる。第５図は本発明のさらに
又別の実施例である。これは電路の導体板8,9の間にセ
ラミツクコンデンサ20a〜20hをサイドイツチ状に配置し
た例である。この例では、第１図の実施例と同様の効果
の他に、コンデンサ回路のインダクタンスを非常に小さ
くでき、放電電流の立ち上りが早くなり、その分だけ強
力なＸ線を発生できる。
なお、第１図〜第５図の実施例ではコンデンサをすべ
てセラミツクコンデンサとしており、従来の油浸フイル
ムを用いたコンデンサに比べて、２桁程度、充放電回数
の寿命が伸びるという付帯的な効果も奏することができ
る。
てセラミツクコンデンサとしており、従来の油浸フイル
ムを用いたコンデンサに比べて、２桁程度、充放電回数
の寿命が伸びるという付帯的な効果も奏することができ
る。
以上説明した本発明のプラズマＸ線源によれば、コン
デンサバンクの電路側に、一対の電極間で放電が生じた
際に超音波を発生させるセラミックコンデンサを配置
し、該セラミックコンデンサによる超音波振動を、電
路、及び放電装置を介してＸ線を取り出すＸ線取り出し
窓に伝播させるようにしたものであるから、Ｘ線取り出
し窓に伝播した超音波振動により、Ｘ線取り出し窓に付
着していた金属蒸気原子は離脱され、汚損が低減される
という効果がある。
デンサバンクの電路側に、一対の電極間で放電が生じた
際に超音波を発生させるセラミックコンデンサを配置
し、該セラミックコンデンサによる超音波振動を、電
路、及び放電装置を介してＸ線を取り出すＸ線取り出し
窓に伝播させるようにしたものであるから、Ｘ線取り出
し窓に伝播した超音波振動により、Ｘ線取り出し窓に付
着していた金属蒸気原子は離脱され、汚損が低減される
という効果がある。
第１図は本発明のプラズマＸ線源の一実施例を一部破断
して示す図、第２図は本発明の他の実施例を一部破断し
て示す図、第３図は本発明の別の実施例を一部破断して
示す図、第４図は本発明の更に他の実施例を一部破断し
て示す図、第５図は本発明の更に別の実施例を一部破断
して示す図、第６図は従来例のプラズマＸ線源を一部破
断して示す図である。 ３……コンデンサ、５……放電装置、７……電路、８、
９……導体板、11、12……電極、14……Ｘ線、15……Ｘ
線取り出し窓、18……真空容器、20、20a〜20h……セラ
ミックコンデンサ、21……超音波、22……ケーブル。
して示す図、第２図は本発明の他の実施例を一部破断し
て示す図、第３図は本発明の別の実施例を一部破断して
示す図、第４図は本発明の更に他の実施例を一部破断し
て示す図、第５図は本発明の更に別の実施例を一部破断
して示す図、第６図は従来例のプラズマＸ線源を一部破
断して示す図である。 ３……コンデンサ、５……放電装置、７……電路、８、
９……導体板、11、12……電極、14……Ｘ線、15……Ｘ
線取り出し窓、18……真空容器、20、20a〜20h……セラ
ミックコンデンサ、21……超音波、22……ケーブル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平沢 邦夫 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−111000（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−117340（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内に設けられた少なくとも一対の
電極を有する放電装置と、該放電装置にパルス大電流を
供給する電路とコンデンサバンクからなるプラズマＸ線
源において、 前記コンデンサバンクの電路側に、前記一対の電極間で
放電が生じた際に超音波を発生させるセラミックコンデ
ンサを配置し、該セラミックコンデンサによる超音波振
動を、前記電路、及び放電装置を介してＸ線を取り出す
Ｘ線取り出し窓に伝播させるようにしたことを特徴とす
るプラズマＸ線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231168A JP2533502B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | プラズマｘ線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61231168A JP2533502B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | プラズマｘ線源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388794A JPS6388794A (ja) | 1988-04-19 |
| JP2533502B2 true JP2533502B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16919378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61231168A Expired - Lifetime JP2533502B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | プラズマｘ線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533502B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2839556A1 (de) * | 2012-05-30 | 2015-02-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Funkenstrecke mit einem kapazitiven energiespeicher |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56117340U (ja) * | 1980-02-10 | 1981-09-08 | ||
| JPS61111000A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Hitachi Ltd | プラズマｘ線発生装置の制御方法 |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61231168A patent/JP2533502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6388794A (ja) | 1988-04-19 |
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