JP2531569Y2 - 発光表示装置 - Google Patents
発光表示装置Info
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- JP2531569Y2 JP2531569Y2 JP12030090U JP12030090U JP2531569Y2 JP 2531569 Y2 JP2531569 Y2 JP 2531569Y2 JP 12030090 U JP12030090 U JP 12030090U JP 12030090 U JP12030090 U JP 12030090U JP 2531569 Y2 JP2531569 Y2 JP 2531569Y2
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- Japan
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- insulating substrate
- electrode
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は発光ダイオード等の発光表示装置に関するも
のである。
のである。
従来技術及び本考案の解決すべき課題 発光ダイオードチップ等の発光素子が縦方向と横方向
にそれぞれ多数個づつ配置された発光表示装置がある。
従来のこの種の発光表示装置は、例えば特開昭63−5580
号公報に開示されているように発光素子が縦横に多数個
配設されたプリント基板に対してこれとは別体の反射壁
（リフレクタ）を取り付けた構造となっている。このた
め装置の薄型化が困難であるという問題があった。
にそれぞれ多数個づつ配置された発光表示装置がある。
従来のこの種の発光表示装置は、例えば特開昭63−5580
号公報に開示されているように発光素子が縦横に多数個
配設されたプリント基板に対してこれとは別体の反射壁
（リフレクタ）を取り付けた構造となっている。このた
め装置の薄型化が困難であるという問題があった。
そこで、本考案は上記の問題を解決でき且つ発光素子
の高密度実装化を可能にする新規な構造の発光表示装置
を提供することを目的とする。
の高密度実装化を可能にする新規な構造の発光表示装置
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本考案の発光表示装置によれば、絶縁性基板の一方の
主面に横方向と縦方向にそれぞれ複数個の凹部が形成さ
れ、凹部の各々に発光素子が配置される。絶縁性基板の
一方の主面上に形成される仮想多角形の頂点に凹部が形
成され、凹部に光反射性を有する第１の電極体と第２の
電極体が互いに離間して形成される。発光素子の下面に
形成された電極は第１の電極体に固着される。発光素子
の上面に形成された電極と第２の電極体はリード細線を
介して電気的に接続される。絶縁性基板の仮想多角形の
対角線の交差点近傍にスルーホールが形成される。スル
ーホールに形成された導体層を介して絶縁性基板の他方
の主面に形成された電極体接続用導体に第１の電極体又
は第２の電極体が電気的に接続される。
主面に横方向と縦方向にそれぞれ複数個の凹部が形成さ
れ、凹部の各々に発光素子が配置される。絶縁性基板の
一方の主面上に形成される仮想多角形の頂点に凹部が形
成され、凹部に光反射性を有する第１の電極体と第２の
電極体が互いに離間して形成される。発光素子の下面に
形成された電極は第１の電極体に固着される。発光素子
の上面に形成された電極と第２の電極体はリード細線を
介して電気的に接続される。絶縁性基板の仮想多角形の
対角線の交差点近傍にスルーホールが形成される。スル
ーホールに形成された導体層を介して絶縁性基板の他方
の主面に形成された電極体接続用導体に第１の電極体又
は第２の電極体が電気的に接続される。
作用 本考案の発光表示装置によれば絶縁性基板の一方の主
面に形成された凹部に光反射性を有する第１及び第２の
電極体を配線導体として形成し、第１の電極体上に発光
素子を固着したので、第１及び第２の電極体が反射板と
して効果的に機能する。従って大きな発光輝度が得られ
且つ発光素子を載置する基板とは別体のリフレクタが不
用となり装置の薄型化が可能である。
面に形成された凹部に光反射性を有する第１及び第２の
電極体を配線導体として形成し、第１の電極体上に発光
素子を固着したので、第１及び第２の電極体が反射板と
して効果的に機能する。従って大きな発光輝度が得られ
且つ発光素子を載置する基板とは別体のリフレクタが不
用となり装置の薄型化が可能である。
また、絶縁性基板の上の仮想多角形の頂点に凹部を配
置し、電極体と電極体接続用導体を接続するスルーホー
ルを仮想多角形の対角線の交点近傍に設けたので、凹部
とスルーホールを絶縁性基板に少スペースで形成でき、
発光素子の高密度実装化を実現できる。
置し、電極体と電極体接続用導体を接続するスルーホー
ルを仮想多角形の対角線の交点近傍に設けたので、凹部
とスルーホールを絶縁性基板に少スペースで形成でき、
発光素子の高密度実装化を実現できる。
実施例 以下、本考案の一実施例に係るドットマトリックス型
発光ダイオード装置（以下、ドットマトリックスLEDと
称する）を第１図〜第５図について説明する。
発光ダイオード装置（以下、ドットマトリックスLEDと
称する）を第１図〜第５図について説明する。
本実施例のドットマトリックスLEDは第１図及び第４
図に示すように絶縁性基板（１）を備えている。絶縁性
基板（１）は液晶ポリマー等の成形性及び耐熱性に優れ
た超高機能樹脂で作られる。逆載頭円錐形状の複数の凹
部（６）は絶縁性基板（１）の第１及び第２の縁部
（A1）（A2）に沿う縦方向と、第３及び第４の縁部
（A3）（A4）に沿う横方向に、絶縁性基板（１）の一方
の主面に配設されている。第５図に示すように逆載頭円
錐形状の凹部（６）の中心点は絶縁性基板（１）の一方
の主面に形成された仮想正四角形（７）の頂点にある。
簡略化図示のため、第１図には縦方向と横方向にそれぞ
れ３個づつの凹部６を配列した例を略示するが、実際の
絶縁性基板（１）には縦横両方向にそれぞれ十数個づつ
の凹部（６）が配設される。第３図に示すように、凹部
（６）の側壁面（８）は、底面（９）を含む平面に対し
てほぼ45°の角度で傾斜する。各凹部（６）の側壁面
（８）と底面（９）には、絶縁性基板（１）の第３の縁
部（A3）側に第１の電極体（10）が設けられており、電
極体（10）から分離して絶縁性基板（１）の第４の縁部
（A4）側に第２の電極体（11）が設けられている。横方
向の同一の列に配設された複数の凹部（６）に形成され
た第１の電極体（10）は、絶縁性基板（１）の一方の主
面に横方向に形成された第１の電極体接続用導体（12）
によって互いに電気的に接続される。第１の電極体接続
用導体（12）の第１の縁部（A1）側には屈曲部分（12
a）が設けられ、屈曲部分（12a）には絶縁性基板（１）
を貫通するスルーホール（13）が形成されている。３本
の第１の電極体接続用導体（12）はスルーホール（13）
の内壁に形成された導体層（14）に電気的に接続されて
いる。また、第１図に示すように、各凹部（６）に形成
された第２の電極体（11）は、絶縁性基板（１）の一方
の主面上まで延在して形成される。仮想正四角形（７）
の対角線の交差点には、第１図に示すように、スルーホ
ール（15）が形成されている。各凹部（６）に形成され
た第２の電極体（11）は、第１図で各凹部（６）の左側
下方に配設されたスルーホール（15）の内壁に形成され
た導体層（16）に電気的に接続されている。第２図に示
すように、縦方向の同一の列に配設されたスルーホール
（16）は、絶縁性基板（１）の他方の主面に形成された
第２の電極体接続用導体（17）によって互いに電気的に
接続される。第２の電極体接続用導体（17）は第２の縁
部（A2）側に引回されている。第２の縁部（A2）側には
絶縁性基板（１）を貫通するスルーホール（18）が形成
され、スルーホール（18）の内壁には導体層（19）が形
成されている。第２の電極体（11）は導体層（16）及び
第２の電極体接続用導体（17）を介して導体層（19）に
電気的に接続されている。
図に示すように絶縁性基板（１）を備えている。絶縁性
基板（１）は液晶ポリマー等の成形性及び耐熱性に優れ
た超高機能樹脂で作られる。逆載頭円錐形状の複数の凹
部（６）は絶縁性基板（１）の第１及び第２の縁部
（A1）（A2）に沿う縦方向と、第３及び第４の縁部
（A3）（A4）に沿う横方向に、絶縁性基板（１）の一方
の主面に配設されている。第５図に示すように逆載頭円
錐形状の凹部（６）の中心点は絶縁性基板（１）の一方
の主面に形成された仮想正四角形（７）の頂点にある。
簡略化図示のため、第１図には縦方向と横方向にそれぞ
れ３個づつの凹部６を配列した例を略示するが、実際の
絶縁性基板（１）には縦横両方向にそれぞれ十数個づつ
の凹部（６）が配設される。第３図に示すように、凹部
（６）の側壁面（８）は、底面（９）を含む平面に対し
てほぼ45°の角度で傾斜する。各凹部（６）の側壁面
（８）と底面（９）には、絶縁性基板（１）の第３の縁
部（A3）側に第１の電極体（10）が設けられており、電
極体（10）から分離して絶縁性基板（１）の第４の縁部
（A4）側に第２の電極体（11）が設けられている。横方
向の同一の列に配設された複数の凹部（６）に形成され
た第１の電極体（10）は、絶縁性基板（１）の一方の主
面に横方向に形成された第１の電極体接続用導体（12）
によって互いに電気的に接続される。第１の電極体接続
用導体（12）の第１の縁部（A1）側には屈曲部分（12
a）が設けられ、屈曲部分（12a）には絶縁性基板（１）
を貫通するスルーホール（13）が形成されている。３本
の第１の電極体接続用導体（12）はスルーホール（13）
の内壁に形成された導体層（14）に電気的に接続されて
いる。また、第１図に示すように、各凹部（６）に形成
された第２の電極体（11）は、絶縁性基板（１）の一方
の主面上まで延在して形成される。仮想正四角形（７）
の対角線の交差点には、第１図に示すように、スルーホ
ール（15）が形成されている。各凹部（６）に形成され
た第２の電極体（11）は、第１図で各凹部（６）の左側
下方に配設されたスルーホール（15）の内壁に形成され
た導体層（16）に電気的に接続されている。第２図に示
すように、縦方向の同一の列に配設されたスルーホール
（16）は、絶縁性基板（１）の他方の主面に形成された
第２の電極体接続用導体（17）によって互いに電気的に
接続される。第２の電極体接続用導体（17）は第２の縁
部（A2）側に引回されている。第２の縁部（A2）側には
絶縁性基板（１）を貫通するスルーホール（18）が形成
され、スルーホール（18）の内壁には導体層（19）が形
成されている。第２の電極体（11）は導体層（16）及び
第２の電極体接続用導体（17）を介して導体層（19）に
電気的に接続されている。
第３図に示すように発光ダイオードチップ（２）の下
面に形成された電極（カソード電極）は、凹部（６）の
底面（９）に形成された第２の電極体（11）に固着され
ている。また、発光ダイオードチップ（２）の上面に形
成された電極（アノード電極）と第１の電極体（10）と
の間はリード細線（３）によって電気的に接続されてい
る。
面に形成された電極（カソード電極）は、凹部（６）の
底面（９）に形成された第２の電極体（11）に固着され
ている。また、発光ダイオードチップ（２）の上面に形
成された電極（アノード電極）と第１の電極体（10）と
の間はリード細線（３）によって電気的に接続されてい
る。
絶縁性基板（１）の第１の縁部（A1）側に配置された
外部リード（５）はスルーホール（13）に挿入されて、
この内壁に形成された導体層（14）に半田を介して接続
される。これらの外部リード（５）は第１の電極体接続
用導体（12）を介して第１の電極体（10）に電気的に接
続されるから、発光ダイオードチップ（２）のアノード
電極の取出し電極となる。絶縁性基板（１）の第２の縁
部（A2）側に配置された外部リード（図示せず）はスル
ーホール（18）に挿入されて、この内壁に形成された導
体層（19）に半田を介して接続される。これらの外部リ
ード（５）は第２の電極体接続用導体（17）を介して第
２の電極体（11）に電気的に接続されるから、発光ダイ
オードチップ（２）のカソード電極の取出し電極とな
る。発光ダイオードチップ（２）及びリード細線（３）
は各凹部（６）内に形成された光透過性樹脂体（４）に
よって被覆されている。
外部リード（５）はスルーホール（13）に挿入されて、
この内壁に形成された導体層（14）に半田を介して接続
される。これらの外部リード（５）は第１の電極体接続
用導体（12）を介して第１の電極体（10）に電気的に接
続されるから、発光ダイオードチップ（２）のアノード
電極の取出し電極となる。絶縁性基板（１）の第２の縁
部（A2）側に配置された外部リード（図示せず）はスル
ーホール（18）に挿入されて、この内壁に形成された導
体層（19）に半田を介して接続される。これらの外部リ
ード（５）は第２の電極体接続用導体（17）を介して第
２の電極体（11）に電気的に接続されるから、発光ダイ
オードチップ（２）のカソード電極の取出し電極とな
る。発光ダイオードチップ（２）及びリード細線（３）
は各凹部（６）内に形成された光透過性樹脂体（４）に
よって被覆されている。
本実施例の発光表示装置において、発光ダイオードチ
ップ（２）から放射された光は、発光ダイオードチップ
（２）の上面側から上方に放射されて直接的に光透過性
樹脂（４）の外側に導き出される第１の成分と、発光ダ
イオードチップ（２）の側面側から側方に放射されて凹
部（６）の側壁面（８）で反射して光透過性樹脂（４）
の外側に導き出される第２の成分から成る。発光ダイオ
ードチップ（２）から放射される波長領域の光に対する
第１及び第２の配線導体（10）（11）の反射率は、絶縁
性基板（１）の表面での反射率より大きい。このため、
凹部（６）の側壁面は発光ダイオードチップ（２）から
放射された光に対して反射板として有効に機能する。こ
のため、上記の第２の成分の光を増大でき、結果として
高輝度の発光表示装置を実現できる。
ップ（２）から放射された光は、発光ダイオードチップ
（２）の上面側から上方に放射されて直接的に光透過性
樹脂（４）の外側に導き出される第１の成分と、発光ダ
イオードチップ（２）の側面側から側方に放射されて凹
部（６）の側壁面（８）で反射して光透過性樹脂（４）
の外側に導き出される第２の成分から成る。発光ダイオ
ードチップ（２）から放射される波長領域の光に対する
第１及び第２の配線導体（10）（11）の反射率は、絶縁
性基板（１）の表面での反射率より大きい。このため、
凹部（６）の側壁面は発光ダイオードチップ（２）から
放射された光に対して反射板として有効に機能する。こ
のため、上記の第２の成分の光を増大でき、結果として
高輝度の発光表示装置を実現できる。
また、超高機能樹脂から成る絶縁性基板（１）には樹
脂成形法によって凹部（６）を形成できる。したがっ
て、1.5mm程度の厚さの基板（１）で従来のプリント基
板とリフレクタが一体化した構造を実現でき、従来の発
光表示装置に比べて薄型化できる。
脂成形法によって凹部（６）を形成できる。したがっ
て、1.5mm程度の厚さの基板（１）で従来のプリント基
板とリフレクタが一体化した構造を実現でき、従来の発
光表示装置に比べて薄型化できる。
更に、本実施例の発光表示装置では上述のように凹部
（６）を仮想正四角形（７）の頂点に配設し、スルーホ
ール（15）を仮想正四角形（７）の対角線の交点近傍に
配置したので、絶縁性基板（１）の小面積化、換言すれ
ば発光ダイオードチップ（２）の高密度実装化が可能と
なっている。
（６）を仮想正四角形（７）の頂点に配設し、スルーホ
ール（15）を仮想正四角形（７）の対角線の交点近傍に
配置したので、絶縁性基板（１）の小面積化、換言すれ
ば発光ダイオードチップ（２）の高密度実装化が可能と
なっている。
変形例 本考案の上記実施例は種々の変更が可能である。
（１）絶縁性基板（１）の一方の主面に形成された仮想
三角形又は五角形等の頂点に凹部（６）を配置しても良
い。
三角形又は五角形等の頂点に凹部（６）を配置しても良
い。
（２）凹部（６）の側壁面（８）の傾斜角は、発光ダイ
オードチップ（２）の側面から放射された光が上方に向
かって良好に反射されるように40〜50°の角度範囲に設
定するのが良い。
オードチップ（２）の側面から放射された光が上方に向
かって良好に反射されるように40〜50°の角度範囲に設
定するのが良い。
（３）凹部（６）の側壁面（８）において第１の電極体
（10）と第２の電極体（11）の両方が配設される領域で
は、第１の電極体（10）と第２の電極体（11）とをエッ
チングにより良好に分離するため側壁面（８）の角度を
70°以下に設定すべきである。
（10）と第２の電極体（11）の両方が配設される領域で
は、第１の電極体（10）と第２の電極体（11）とをエッ
チングにより良好に分離するため側壁面（８）の角度を
70°以下に設定すべきである。
（４）凹部（６）の側壁面（８）の傾斜角度を２段階又
は３段階以上に変化させても良い。凹部（６）の側壁面
（８）に２段階傾斜面を形成する場合、発光ダイオード
チップ（２）の側面に対向する下方の第１の傾斜面は、
発光ダイオードチップ（２）の側面から放射される光を
上方に向かって良好に反射するように40〜50°の角度に
設定すべきである。また、第１の傾斜面の上側に配設さ
れる第２の傾斜面を第１の傾斜面より大きい傾斜角で形
成すれば装置の小面積化に有効である。
は３段階以上に変化させても良い。凹部（６）の側壁面
（８）に２段階傾斜面を形成する場合、発光ダイオード
チップ（２）の側面に対向する下方の第１の傾斜面は、
発光ダイオードチップ（２）の側面から放射される光を
上方に向かって良好に反射するように40〜50°の角度に
設定すべきである。また、第１の傾斜面の上側に配設さ
れる第２の傾斜面を第１の傾斜面より大きい傾斜角で形
成すれば装置の小面積化に有効である。
考案の効果 以上のように、本考案によれば複数の発光素子を備え
た発光表示装置においてその薄型化及び小面積化（高密
度実装化）、並びに高輝度化が可能な発光表示装置を提
供できる。
た発光表示装置においてその薄型化及び小面積化（高密
度実装化）、並びに高輝度化が可能な発光表示装置を提
供できる。
第１図は本考案の一実施例を示すドットマトリックス型
発光ダイオード装置の平面図、第２図はその底面図、第
３図は発光ダイオードチップを含む部分断面図、第４図
は第１図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第５図は凹部及びス
ルーホールの幾何学的位置を示す説明図である。 （１）……絶縁性基板、（２）……発光ダイオードチッ
プ、（３）……リード細線、（６）……凹部、（７）…
…仮想正四角形、（８）……側壁面、（10）……第１の
電極体、（11）……第２の電極体、（17）……電極体接
続用導体、
発光ダイオード装置の平面図、第２図はその底面図、第
３図は発光ダイオードチップを含む部分断面図、第４図
は第１図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第５図は凹部及びス
ルーホールの幾何学的位置を示す説明図である。 （１）……絶縁性基板、（２）……発光ダイオードチッ
プ、（３）……リード細線、（６）……凹部、（７）…
…仮想正四角形、（８）……側壁面、（10）……第１の
電極体、（11）……第２の電極体、（17）……電極体接
続用導体、
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板の一方の主面に横方向と縦方向
にそれぞれ複数個の凹部を形成し、該凹部の各々に発光
素子を配置した発光表示装置において、 前記絶縁性基板の一方の主面上に形成される仮想多角形
の頂点に前記凹部を形成し、該凹部に光反射性を有する
第１の電極体と第２の電極体を互いに離間させて形成
し、前記発光素子の下面に形成された電極を前記第１の
電極体に固着し、前記発光素子の上面に形成された電極
と前記第２の電極体とをリード細線を介して電気的に接
続し、前記絶縁性基板の前記仮想多角形の対角線の交差
点近傍にスルーホールを形成し、該スルーホールに形成
された導体層を介して前記絶縁性基板の他方の主面に形
成された電極体接続用導体に前記第１の電極体又は前記
第２の電極体を電気的に接続したことを特徴とする発光
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12030090U JP2531569Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12030090U JP2531569Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477270U JPH0477270U (ja) | 1992-07-06 |
| JP2531569Y2 true JP2531569Y2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=31868213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12030090U Expired - Lifetime JP2531569Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531569Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP6052952B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-12-27 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
| JP2017162940A (ja) | 2016-03-08 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP12030090U patent/JP2531569Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477270U (ja) | 1992-07-06 |
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