JP2530886Y2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、半導体装置の製造装置
のクランプリングの改良に関するものである。

【０００２】近年の半導体装置の製造装置の処理室は、
処理を行う半導体基板の寸法の大径化に伴い大型化して
いる。このためクリーンルーム内にこのような装置を設
置するには大きなスペースが必要になる。

【０００３】以上のような状況から、大径化した半導体
基板を処理できるが、処理室が比較的小さな半導体装置
の製造装置が要望されている。

【０００４】

【従来の技術】従来の６インチ径（150mm)の半導体基板
の処理に用いる平行平板型リアクティブイオンエッチン
グ装置（以下、平行平板型ＲＩＥ装置と略称する）につ
いて図２により詳細に説明する。

【０００５】図２は従来の平行平板型ＲＩＥ装置の概略
構造を示す図である。図に示すように、６インチ径（直
径150mm)の半導体基板の処理に用いる平行平板型ＲＩＥ
装置の直径が 300mmの処理室11の上部には接地された上
部電極12、下部には高周波電源14と接続され、処理を行
うべき半導体基板７を載置する下部電極13を設け、この
下部電極13の全周には絶縁材料からなる絶縁リング16を
配設している。反応ガスの処理室11内への導入は処理室
11の側壁に設けた給気口11a により行っている。

【０００６】この半導体基板７を下部電極13に密着して
固定するクランプ部15b を３ケ所に備えたリング部15a
で形成される絶縁材料からなるクランプリング15は、上
部電極12と一体に設けられており、半導体基板７の処理
を行う場合には、上部電極12とクランプリング15とを下
降させ、このクランプリング15のクランプ部15b で半導
体基板７を下部電極13に固定している。半導体基板７の
取り出しを行う場合には、図において点線にて示すよう
に上方に移動している。クランプリング15の材料として
はセラミック或いは表面に酸化膜を形成したアルミニウ
ムを用いている。

【０００７】８インチの半導体基板の処理を行うには、
処理室11の直径を 400mmにしなければならず、仮にこの
ような６インチの半導体基板を処理する平行平板型ＲＩ
Ｅ装置を用いて、８インチの半導体基板を処理しようと
すると、半導体基板の周囲と処理室11の側壁との距離が
近くなり、異常放電が発生している。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】以上説明した従来の６
インチ径の半導体基板の処理に用いる平行平板型ＲＩＥ
装置においては、図３に示すように高周波電源14により
高周波電圧が印加されている下部電極13と処理室11との
間の全周に絶縁リング16を配設してこの間の絶縁を保っ
ているが、８インチ径の半導体基板７をこの下部電極13
の表面に載置すると、半導体基板７と処理室11の側壁と
の間にはクランプ部15b が設けられている部分以外は図
の右側に示すように、何も無いために、この半導体基板
７と処理室の側壁との間に異常放電が発生し易くなって
おり、これを防止するには距離をとる以外に方法がない
という問題点があった。

【０００９】本考案は以上のような状況から、下部電極
の表面に載置した大径化した半導体基板と処理室の側壁
との間隔を大きくとらないで、半導体基板と処理室の側
壁との間の異常放電の発生を防止することが可能となる
半導体装置の製造装置の提供を目的としたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本考案の半導体装置の製
造装置は、半導体装置の製造装置の下部電極の表面に載
置した半導体基板を固定するクランプリングにおいて、
このクランプリングのクランプ部を連結するリング部の
全周の下面に、この下部電極の全周に配設した絶縁リン
グの上面に形成した溝に挿入可能に突出させて形成した
遮蔽板を具備するように構成する。

【００１１】

【作用】即ち本考案においては、図１に示すようにクラ
ンプリング５のリング部5aの下方に突出する遮蔽板5cを
設け、クランプリング５のクランプ部5bで半導体基板７
を下部電極３の表面に押し付けた場合に、この遮蔽板5c
の下方の一部分を絶縁リング６に設けた溝6a内に挿入し
ているから、クランプリング５のクランプ部5bが形成さ
れていない部分を通ってプラズマが周囲に漏洩し、処理
室１の側壁との間で放電が生じるのを防止できるので、
半導体基板７と処理室１の側壁との間の間隔を狭めても
この間の異常放電の発生を防止することが可能となり、
大径化した半導体基板７の処理を小型の処理室１内で行
うことが可能となる。

【００１２】

【実施例】以下図１により本考案による一実施例の平行
平板型ＲＩＥ装置について詳細に説明する。

【００１３】図１は本考案による一実施例の平行平板型
ＲＩＥ装置の概略構造を示す図である。図に示すよう
に、平行平板型ＲＩＥ装置の処理室１の上部には接地さ
れた上部電極２、下部には高周波電源４と接続され、処
理を行うべき半導体基板７を載置する下部電極３を設
け、この下部電極３の全周にはセラミック或いはテフロ
ン等の絶縁材料からなる絶縁リング６を配設している。
反応ガスの処理室１内への導入は処理室１の側壁に設け
た給気口1aにより行っている。

【００１４】この半導体基板７を下部電極３に密着させ
て固定するクランプ部5bを３ケ所に備えたリング部5aで
形成されるクランプリング５は、上部電極２に接続部2a
により固定されており、半導体基板７の処理を行う場合
には上部電極２とクランプリング５とを同時に下降さ
せ、このクランプリング５のクランプ部5bで半導体基板
７を下部電極３に固定している。半導体基板７の取り出
しを行う場合には、図において点線にて示すように上方
に移動している。クランプリング５の材料としてはセラ
ミック或いは表面に酸化膜を形成したアルミニウムを用
いている。

【００１５】本考案においては、クランプリング５のリ
ング部5aの下方に突出する遮蔽板5cを設け、クランプリ
ング５のクランプ部5bで半導体基板７を下部電極３の表
面に押し付けた場合に、この遮蔽板5cの下方の一部分を
絶縁リング６に設けた溝6a内に挿入しているから、クラ
ンプリング５のクランプ部5bが形成されていない部分を
通ってプラズマが周囲に漏洩し、処理室１の側壁との間
で放電が生じるのを防止できるので、半導体基板７と処
理室１の側壁との間の間隔を狭めてもこの間の異常放電
の発生を防止することが可能となり、大口径の半導体基
板７の処理を小型の処理室１内で行うことが可能とな
る。

【００１６】本実施例は平行平板型ＲＩＥ装置の場合に
ついて説明したが、本考案の半導体装置の製造装置は平
行平板型ＲＩＥ装置に限定するものではなく、高周波電
圧を印加した上部電極に設けた孔から反応ガスを導入し
て半導体基板の処理を行うプラズマエッチング装置や、
平行平板型ＲＩＥ装置の処理室の周囲にコイルを設けて
磁場をかけ、半導体基板の処理を行うマグネトロンエッ
チング装置にも適用して大口径の半導体基板の処理を小
型の処理室内で行うことが可能である。

【００１７】

【考案の効果】以上の説明から明らかなように、本考案
によれば極めて簡単なクランプリングの構造の変更によ
り、半導体基板と処理室の側壁との間隔が狭くても、異
常放電の発生を防止することが可能となり、処理室の形
状を小型にすることが可能となる等の利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる平行平板
型ＲＩＥ装置の提供が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本考案による一実施例の平行平板型ＲＩＥ装
置の概略構造を示す図、

【図２】 従来の平行平板型ＲＩＥ装置の概略構造を示
す図である。

【図３】 従来の平行平板型ＲＩＥ装置の問題点を示す
図、

【符号の説明】

１は処理室、 1aは給気口、 1bは排気口、
２は上部電極、３は下部電極、 ４は高周波電
源、５はクランプリング、5aはリング部、5bはクランプ
部、 5cは遮蔽板、 ６は絶縁リング、 6aは溝、
７は半導体基板、

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置の製造装置の下部電極(3) の
   表面に載置した半導体基板(7) を固定するクランプリン
   グ(5) において、該クランプリング(5) のクランプ部(5
   b)を連結するリング部(5a)の全周の下面に、前記下部電
   極(3) の全周に配設した絶縁リング(6) の上面に形成し
   た溝(6a)に挿入可能に突出させて形成した遮蔽板(5c)を
   具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。