JP2530225B2 - Ｓｉ単結晶引上用ルツボの製造方法 - Google Patents
Ｓｉ単結晶引上用ルツボの製造方法Info
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- JP2530225B2 JP2530225B2 JP1187255A JP18725589A JP2530225B2 JP 2530225 B2 JP2530225 B2 JP 2530225B2 JP 1187255 A JP1187255 A JP 1187255A JP 18725589 A JP18725589 A JP 18725589A JP 2530225 B2 JP2530225 B2 JP 2530225B2
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
- C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、Si単結晶引上用ルツボの製造方法に関し、
高純度合成石英ガラス粉末からのSi単結晶引上用ルツボ
の製造方法に関する。
高純度合成石英ガラス粉末からのSi単結晶引上用ルツボ
の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 従来、Si単結晶引上げ用石英ガラスルツボは、天然に
産出する結晶質石英粉末を溶融して製造されているが、
高純度の結晶質石英が天然産では取得し難いこともあっ
て、合成石英ガラス粉を用いてSi単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボが製造されている。
産出する結晶質石英粉末を溶融して製造されているが、
高純度の結晶質石英が天然産では取得し難いこともあっ
て、合成石英ガラス粉を用いてSi単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボが製造されている。
このような合成石英ガラス粉を使用するSi単結晶引上
げ用石英ガラスルツボの製造法としては、粉末二酸化珪
素の成形体を予備焼成して一次成形体を作り、この予備
焼成による一次成形体を更に加熱して製造する方法が、
例えば、特公昭47−5272号公報，特公昭47−5273号公
報，特公昭47−5274号公報により提唱されている。しか
し、これらの一次成形体を形成後、加熱焼成するのは手
間が掛かり、コストが高いものである。
げ用石英ガラスルツボの製造法としては、粉末二酸化珪
素の成形体を予備焼成して一次成形体を作り、この予備
焼成による一次成形体を更に加熱して製造する方法が、
例えば、特公昭47−5272号公報，特公昭47−5273号公
報，特公昭47−5274号公報により提唱されている。しか
し、これらの一次成形体を形成後、加熱焼成するのは手
間が掛かり、コストが高いものである。
また、ゾルゲル法により得られる高純度シリカゲルを
乾燥後600〜1000℃の範囲の温度において加熱焼成し
て、高純度合成石英ガラス粉を製造し、この高純度合成
石英ガラス粉からSi単結晶引上げ用石英ガラスルツボを
製造する製造方法が、例えば、特開昭62−176928号公
報、特公昭61−5657号公報、特開昭61−14144号公報等
により提案されている。しかし、高純度乾燥ゲルを600
〜1000℃の範囲で加熱保持して効率的に脱水するには、
常圧下では、長時間加熱を必要とし、製造コストが大幅
に高くなり問題である。といって、減圧容器中で加熱す
るには、減圧設備を要し、コストが高い割には処理能力
が小さくて問題である。
乾燥後600〜1000℃の範囲の温度において加熱焼成し
て、高純度合成石英ガラス粉を製造し、この高純度合成
石英ガラス粉からSi単結晶引上げ用石英ガラスルツボを
製造する製造方法が、例えば、特開昭62−176928号公
報、特公昭61−5657号公報、特開昭61−14144号公報等
により提案されている。しかし、高純度乾燥ゲルを600
〜1000℃の範囲で加熱保持して効率的に脱水するには、
常圧下では、長時間加熱を必要とし、製造コストが大幅
に高くなり問題である。といって、減圧容器中で加熱す
るには、減圧設備を要し、コストが高い割には処理能力
が小さくて問題である。
このように製造された高純度合成石英ガラス粉を用い
て製造されたSi単結晶引上用ルツボは、チョクラルスキ
ー法によるSi単結晶引き上げ時に、異常に泡が発生して
危険であり問題とされていた。
て製造されたSi単結晶引上用ルツボは、チョクラルスキ
ー法によるSi単結晶引き上げ時に、異常に泡が発生して
危険であり問題とされていた。
そこで、かかるSi単結晶引上時の加熱によるルツボの
発泡を避けるために、例えば、高純度の四塩化ケイ素を
加水分解して得た粒状シリカを、脱塩酸後、100〜1000
℃の範囲内の温度で加熱乾燥させ、次いで、高温におい
て磨砕し篩分けて40〜1000μｍの粒子を得、この粒子を
引き続いて1400℃の温度までゆっくり加熱して、天然石
英の嵩密度にできるだけ近付くようにする方法が、特開
昭62−21708号公報において提案されている。
発泡を避けるために、例えば、高純度の四塩化ケイ素を
加水分解して得た粒状シリカを、脱塩酸後、100〜1000
℃の範囲内の温度で加熱乾燥させ、次いで、高温におい
て磨砕し篩分けて40〜1000μｍの粒子を得、この粒子を
引き続いて1400℃の温度までゆっくり加熱して、天然石
英の嵩密度にできるだけ近付くようにする方法が、特開
昭62−21708号公報において提案されている。
しかし、粒子状合成高純度二酸化珪素の嵩密度を、天
然石英の嵩密度の1.4g/cm3以上に加熱するのは多くの時
間を要し、また大変な作業であって、問題とされてい
る。
然石英の嵩密度の1.4g/cm3以上に加熱するのは多くの時
間を要し、また大変な作業であって、問題とされてい
る。
（ハ）問題点を解決するための手段 本発明者らは、石英ガラス粉末の嵩密度を増加させる
ための加熱を特定の条件で行えば、石英ガラス粉末の嵩
密度が1.1〜1.3g/cm3範囲内となったところで停止した
後、溶融して石英ガラス製品にしても、Si単結晶引上時
に真空中で加熱しても、内部の泡が異常に発泡しないこ
とを発見して、本発明に到達したものである。
ための加熱を特定の条件で行えば、石英ガラス粉末の嵩
密度が1.1〜1.3g/cm3範囲内となったところで停止した
後、溶融して石英ガラス製品にしても、Si単結晶引上時
に真空中で加熱しても、内部の泡が異常に発泡しないこ
とを発見して、本発明に到達したものである。
本発明は、Si単結晶引上時に発泡しない合成石英ガラ
スルツボを極めて短時間で製造できるSi単結晶引上用ル
ツボの製造方法を提供することを目的としている。
スルツボを極めて短時間で製造できるSi単結晶引上用ル
ツボの製造方法を提供することを目的としている。
即ち、本発明は、ゾル−ゲル法により合成されたシリ
カゲルを乾燥及び焼成して得られた高純度合成石英ガラ
ス粉末を使用してSi単結晶引上げ用ルツボを製造するSi
単結晶引上げ用ルツボの製造方法において、結合水が５
乃至20％の乾燥ゲル粉末を、石英ガラス製容器内で攪拌
しながら、乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中
で、1100乃至1200℃の温度範囲内の焼成温度で焼成し、
次いで、乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中で、
1150乃至1300℃の温度範囲内で前の焼成温度よりも50℃
以上高い焼成温度で焼成して、嵩密度が1.2乃至1.3g/cm
3で、1480℃の温度及び10-2トールの圧力条件下で４時
間熱処理したときに、泡膨れを生ない石英ガラス粉末を
製造し、この製造された石英ガラス粉末を回転軸を中心
に回転可能の型中に充填し、回転アーク熔融法によりル
ツボを成形することを特徴とするSi単結晶引上げ用ルツ
ボの製造方法にある。
カゲルを乾燥及び焼成して得られた高純度合成石英ガラ
ス粉末を使用してSi単結晶引上げ用ルツボを製造するSi
単結晶引上げ用ルツボの製造方法において、結合水が５
乃至20％の乾燥ゲル粉末を、石英ガラス製容器内で攪拌
しながら、乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中
で、1100乃至1200℃の温度範囲内の焼成温度で焼成し、
次いで、乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中で、
1150乃至1300℃の温度範囲内で前の焼成温度よりも50℃
以上高い焼成温度で焼成して、嵩密度が1.2乃至1.3g/cm
3で、1480℃の温度及び10-2トールの圧力条件下で４時
間熱処理したときに、泡膨れを生ない石英ガラス粉末を
製造し、この製造された石英ガラス粉末を回転軸を中心
に回転可能の型中に充填し、回転アーク熔融法によりル
ツボを成形することを特徴とするSi単結晶引上げ用ルツ
ボの製造方法にある。
本発明においては、高純度合成石英ガラス粉末は、最
終段において、1150乃至1300℃の温度範囲内の焼成温度
で焼成される。この最終段の焼成温度は、前段の1100乃
至1200℃の温度範囲内の焼成温度よりも高い温度であ
り、このような温度に最終段の焼成温度を設定して焼成
することにより、得られる高純度合成石英ガラス粉末の
嵩密度を、1.1〜1.3g/cm3、好ましくは1.2g/cm3とし
て、Si単結晶引上用ルツボ製造時における発泡等による
ルツボ内表面のうねりの問題を解決でき、しかも、Si単
結晶引上時に、ルツボ内部の泡が異常に発泡しないSi単
結晶引上用ルツボを製造することができる。
終段において、1150乃至1300℃の温度範囲内の焼成温度
で焼成される。この最終段の焼成温度は、前段の1100乃
至1200℃の温度範囲内の焼成温度よりも高い温度であ
り、このような温度に最終段の焼成温度を設定して焼成
することにより、得られる高純度合成石英ガラス粉末の
嵩密度を、1.1〜1.3g/cm3、好ましくは1.2g/cm3とし
て、Si単結晶引上用ルツボ製造時における発泡等による
ルツボ内表面のうねりの問題を解決でき、しかも、Si単
結晶引上時に、ルツボ内部の泡が異常に発泡しないSi単
結晶引上用ルツボを製造することができる。
本発明において、加熱される乾燥シリカゲルは、金属
アルコキシドまたは無機けい酸塩を原料とし、公知のゾ
ル−ゲル法で製造した非晶質シリカゲルを使用する。
アルコキシドまたは無機けい酸塩を原料とし、公知のゾ
ル−ゲル法で製造した非晶質シリカゲルを使用する。
この公知のゾル−ゲル法は、例えばテトラエチルオル
ソシリケートのような金属アルフキシドとエチルアルコ
ールとの混合液又は水ガラスのような無機けい酸塩の水
溶液を、加温下で寒天状にゾル化したのち、これを低温
で加熱してアルコール、水を追い出して乾燥シリカゲル
とすることができる。
ソシリケートのような金属アルフキシドとエチルアルコ
ールとの混合液又は水ガラスのような無機けい酸塩の水
溶液を、加温下で寒天状にゾル化したのち、これを低温
で加熱してアルコール、水を追い出して乾燥シリカゲル
とすることができる。
本発明の方法は、このように公知のゾル−ゲル法で得
た乾燥シリカゲルを原料とするが、乾燥シリカゲルは結
合水を含有するために発泡し易いものであるので、焼成
時の発泡を極力避けるために、乾燥シリカゲルの結合水
は、５乃至20％とするのが好ましい。
た乾燥シリカゲルを原料とするが、乾燥シリカゲルは結
合水を含有するために発泡し易いものであるので、焼成
時の発泡を極力避けるために、乾燥シリカゲルの結合水
は、５乃至20％とするのが好ましい。
本発明において、乾燥シリカゲルは、焼成が均一に行
われるように、粉状のものが使用される。本発明におい
て使用される乾燥シリカゲル粉は、粒度は、500μｍ以
下であるのが好ましく、特に、150μｍ以下の粒度のも
のが40重量％以上、即ち、500乃至150μｍの粒度範囲の
ものが60重量％以下であるのが好ましい。乾燥シリカゲ
ル粉体の粒子径は、加熱処理中に収縮するので、加熱後
に500μｍ以下の範囲になるように、粒度範囲よりやや
大きめのものを選択することができるが、最初から500
μｍ以下の粒度のものを選択すると、発泡が避けられ更
に脱水効率も良く好ましい。乾燥シリカゲル粉体の粒度
が、500μｍ以上では脱水が不充分だし、10μｍ以下の
粒度では加熱中に静電気が発生して乾燥シリカゲル粉
が、団子状になって好ましくない。
われるように、粉状のものが使用される。本発明におい
て使用される乾燥シリカゲル粉は、粒度は、500μｍ以
下であるのが好ましく、特に、150μｍ以下の粒度のも
のが40重量％以上、即ち、500乃至150μｍの粒度範囲の
ものが60重量％以下であるのが好ましい。乾燥シリカゲ
ル粉体の粒子径は、加熱処理中に収縮するので、加熱後
に500μｍ以下の範囲になるように、粒度範囲よりやや
大きめのものを選択することができるが、最初から500
μｍ以下の粒度のものを選択すると、発泡が避けられ更
に脱水効率も良く好ましい。乾燥シリカゲル粉体の粒度
が、500μｍ以上では脱水が不充分だし、10μｍ以下の
粒度では加熱中に静電気が発生して乾燥シリカゲル粉
が、団子状になって好ましくない。
本発明において、このような乾燥シリカゲル粉末は、
1100乃至1200℃の温度範囲、好ましくは、1200℃の温度
で所定の時間、例えば少なくとも1step好ましくは２〜3
stepに亙って加熱処理される。このように加熱焼成処理
されたシリカガラス粉末は、次いで約1150乃至1300℃の
温度範囲内の焼成温度で、その嵩密度を1.2〜1.3g/cm3
になるまで加熱焼成されて、高純度の合成石英ガラス粉
末とされる。
1100乃至1200℃の温度範囲、好ましくは、1200℃の温度
で所定の時間、例えば少なくとも1step好ましくは２〜3
stepに亙って加熱処理される。このように加熱焼成処理
されたシリカガラス粉末は、次いで約1150乃至1300℃の
温度範囲内の焼成温度で、その嵩密度を1.2〜1.3g/cm3
になるまで加熱焼成されて、高純度の合成石英ガラス粉
末とされる。
加熱処理中の雰囲気については、特に限定はしない
が、乾燥された雰囲気が好ましく、N2,O2等のガス雰囲
気が好ましい。また、減圧状態については、石英ガラス
の容器中で行えば、不純物の混入が防止でき非常に好ま
しい。特に好ましいのは石英ガラス容器内で攪拌しなが
ら熱処理するのが好ましい。
が、乾燥された雰囲気が好ましく、N2,O2等のガス雰囲
気が好ましい。また、減圧状態については、石英ガラス
の容器中で行えば、不純物の混入が防止でき非常に好ま
しい。特に好ましいのは石英ガラス容器内で攪拌しなが
ら熱処理するのが好ましい。
本発明の方法により得られた合成石英ガラス粉末は、
1.1〜1.3g/cm3、好ましくは1.2g/cm3の嵩密度を有す
る。得られる合成石英ガラス粉末の嵩密度が、1.3g/cm3
超える場合は、高温で長時間の加熱処理を必要として経
済的ではない。合成石英ガラス粉末の嵩密度が、1.1g/c
m3未満の場合は、石英ガラス溶融中に発泡が多くなり、
良質の製品が得られない。
1.1〜1.3g/cm3、好ましくは1.2g/cm3の嵩密度を有す
る。得られる合成石英ガラス粉末の嵩密度が、1.3g/cm3
超える場合は、高温で長時間の加熱処理を必要として経
済的ではない。合成石英ガラス粉末の嵩密度が、1.1g/c
m3未満の場合は、石英ガラス溶融中に発泡が多くなり、
良質の製品が得られない。
（ニ）作用 本発明は、乾燥シリカゲル粉末を1100乃至1200℃の温
度範囲内の焼成温度で焼成し、次いで、1150乃至1300℃
の温度範囲内で前段の焼成温度より高い焼成温度で焼成
して、嵩密度が1.2乃至1.3g/cm3の合成石英ガラス粉末
をSi単結晶引上用の原料とするので、天然石英と同様
に、例えば回転アーク溶融法等により、Si単結晶引上用
ルツボを製造することができる。また、製造された石英
ルツボはSi単結晶の引上に使用して、発泡等のトラブル
を生じることなく、Si単結晶を引上ることができる。
度範囲内の焼成温度で焼成し、次いで、1150乃至1300℃
の温度範囲内で前段の焼成温度より高い焼成温度で焼成
して、嵩密度が1.2乃至1.3g/cm3の合成石英ガラス粉末
をSi単結晶引上用の原料とするので、天然石英と同様
に、例えば回転アーク溶融法等により、Si単結晶引上用
ルツボを製造することができる。また、製造された石英
ルツボはSi単結晶の引上に使用して、発泡等のトラブル
を生じることなく、Si単結晶を引上ることができる。
（ホ）実施例 本発明の実施の態様について、以下実施例を参照して
説明するが、本発明は、これらの説明及び例示によっ
て、何等限定を受けるものではない。
説明するが、本発明は、これらの説明及び例示によっ
て、何等限定を受けるものではない。
例.1 テトラエチルオルソシリケート［Si（OC2H5）４］と
１％酢酸水溶液を混合し、加水分解および縮重合して得
たシリカゲル10Kgをプラスチックビーカーに注入し、恒
温槽にて60℃の条件で100時間放置し、乾燥シリカゲル
の凝集体を得た。これをロールクラッシャーで粉砕し、
フルイ分けし、50〜500μｍの乾燥シリカゲル粉末を5Kg
を得た。
１％酢酸水溶液を混合し、加水分解および縮重合して得
たシリカゲル10Kgをプラスチックビーカーに注入し、恒
温槽にて60℃の条件で100時間放置し、乾燥シリカゲル
の凝集体を得た。これをロールクラッシャーで粉砕し、
フルイ分けし、50〜500μｍの乾燥シリカゲル粉末を5Kg
を得た。
次いで、この粉末を石英ガラス製容器の中に充填し
た。この乾燥シリカゲル粉末が入れられた石英ガラス製
容器は、10/minでN2ガスを導入しながら、1rpmの回転
速度で回転させて、1200℃に加熱されている電気炉内へ
挿入し、その温度下で前記粉末を５時間加熱した。この
加熱工程において、シリカガラス粉末が石英ガラス製容
器内壁に付着する現象が生じたので、この付着したシリ
カガラス粉末を、適宜石英ガラス製ムク棒で掻き落とし
て加熱を続けた。最後に、電気炉の温度を1250℃に昇温
し、粉末を５時間加熱した。加熱後、石英ガラス製容器
の端部より合成石英ガラス粉末を取り出した。なお、12
50℃の加熱時にも、シリカガラス製容器内壁面に石英ガ
ラス粉末の付着が認められたので、適宜掻き落として加
熱処理を行った。
た。この乾燥シリカゲル粉末が入れられた石英ガラス製
容器は、10/minでN2ガスを導入しながら、1rpmの回転
速度で回転させて、1200℃に加熱されている電気炉内へ
挿入し、その温度下で前記粉末を５時間加熱した。この
加熱工程において、シリカガラス粉末が石英ガラス製容
器内壁に付着する現象が生じたので、この付着したシリ
カガラス粉末を、適宜石英ガラス製ムク棒で掻き落とし
て加熱を続けた。最後に、電気炉の温度を1250℃に昇温
し、粉末を５時間加熱した。加熱後、石英ガラス製容器
の端部より合成石英ガラス粉末を取り出した。なお、12
50℃の加熱時にも、シリカガラス製容器内壁面に石英ガ
ラス粉末の付着が認められたので、適宜掻き落として加
熱処理を行った。
比較例１ 1250℃の加熱処理だけを行わず、その他は実施例と同
様に処理して合成石英ガラス粉末を得た。
様に処理して合成石英ガラス粉末を得た。
比較例２ 実施例１と同様にして得た50〜500μｍの乾燥シリカ
ゲル粉末5Kgを石英ガラス容器の中に充填し、この乾燥
シリカゲル粉末を入れた石英ガラス容器に10/minでN2
ガスを導入し、1r.p.m.の回転速度で回転させて、1000
℃に加熱されている電気炉に挿入された。前記シリカゲ
ル粉末は1000℃で５時間加熱された後、電気炉の温度を
1050℃に昇温し、５時間加熱保持された。ついで石英ガ
ラス容器を電気炉から取り出し室温迄放冷し、ついで石
英ガラス容器中の焼成水分を取り出して4kgの粉末を得
た。
ゲル粉末5Kgを石英ガラス容器の中に充填し、この乾燥
シリカゲル粉末を入れた石英ガラス容器に10/minでN2
ガスを導入し、1r.p.m.の回転速度で回転させて、1000
℃に加熱されている電気炉に挿入された。前記シリカゲ
ル粉末は1000℃で５時間加熱された後、電気炉の温度を
1050℃に昇温し、５時間加熱保持された。ついで石英ガ
ラス容器を電気炉から取り出し室温迄放冷し、ついで石
英ガラス容器中の焼成水分を取り出して4kgの粉末を得
た。
以上で得られた合成石英ガラス粉末の嵩密度を測定し
た。
た。
嵩密度 実施例 １ 1.2 g/cm3 比較例 １ 1.1 g/cm3 〃 ２ 1.05g/cm3 次に、以上で得られた合成石英ガラス粉末の夫々につ
いて、回転成型アーク溶融法により溶融し、Si単結晶引
上用石英ガラスルツボを得た。ここで得られた石英ガラ
スルツボについて外観を観察した。
いて、回転成型アーク溶融法により溶融し、Si単結晶引
上用石英ガラスルツボを得た。ここで得られた石英ガラ
スルツボについて外観を観察した。
外観 実施例 １ 良好 比較例 １ 内表面にうねりが観察された 〃 ２ 良好 以上で得られたSi単結晶引上用石英ガラスルツボを14
80℃で10-2torrの雰囲気下で４時間加熱して、内部の泡
の膨張状態を観察した。
80℃で10-2torrの雰囲気下で４時間加熱して、内部の泡
の膨張状態を観察した。
外観 実施例 １ 泡膨れ無し 比較例 １ わずかな泡膨れあり 〃 ２ 異常に発泡 以上の実施例において、嵩密度の値は、筒井理化学器
械（株）のABD粉体特性測定器を使用して測定されたも
のである。
械（株）のABD粉体特性測定器を使用して測定されたも
のである。
（ヘ）発明の効果 本発明は乾燥シリカゲル粉体を、1100乃至1200℃の温
度範囲内の焼成温度で焼成し、続いて1150乃至1300℃の
温度範囲内で、前段の焼成温度より高い焼成温度で合成
石英ガラス粉末の、嵩密度が1.2〜1.3g/cm3になるまで
加熱焼成してSi単結晶引上用ルツボ製造用の高純度石英
ガラス粉末を製造し、これを原料としてSi単結晶引上用
ルツボを製造するので、従来のSi単結晶引上用の高純度
石英ガラスの製造方法に比して、単時間で、したがつ
て、経済的に、Si単結晶引上時に、発泡や泡膨れの起こ
らないSi単結晶引上用ルツボを製造することができる。
度範囲内の焼成温度で焼成し、続いて1150乃至1300℃の
温度範囲内で、前段の焼成温度より高い焼成温度で合成
石英ガラス粉末の、嵩密度が1.2〜1.3g/cm3になるまで
加熱焼成してSi単結晶引上用ルツボ製造用の高純度石英
ガラス粉末を製造し、これを原料としてSi単結晶引上用
ルツボを製造するので、従来のSi単結晶引上用の高純度
石英ガラスの製造方法に比して、単時間で、したがつ
て、経済的に、Si単結晶引上時に、発泡や泡膨れの起こ
らないSi単結晶引上用ルツボを製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】ゾル−ゲル法により合成されたシリカゲル
を乾燥及び焼成して得られた高純度合成石英ガラス粉末
を使用してSi単結晶引上げ用ルツボを製造するSi単結晶
引上げ用ルツボの製造方法において、結合水が５乃至20
％の乾燥ゲル粉末を、石英ガラス製容器内で攪拌しなが
ら、乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中で、1100
乃至1200℃の温度範囲内の焼成温度で焼成し、次いで、
乾燥された雰囲気又は減圧された雰囲気中で、1150乃至
1300℃の温度範囲内で前の焼成温度よりも50℃以上高い
焼成温度で焼成して、嵩密度が1.2乃至1.3g/cm3で、148
0℃の温度及び10-2トールの圧力条件下で４時間熱処理
したときに、泡膨れを生じない石英ガラス粉末を製造
し、この製造された石英ガラス粉末を回転軸を中心に回
転可能の型中に充填し、回転アーク熔融法によりルツボ
を成形することを特徴とするSi単結晶引上げ用ルツボの
製造方法。 - 【請求項２】乾燥ゲル粉末の粒度分布が、500μｍ乃至1
50μｍの粉末が60重量％以下であることを特徴とする請
求項１に記載のSi単結晶引上げ用ルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187255A JP2530225B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | Ｓｉ単結晶引上用ルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187255A JP2530225B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | Ｓｉ単結晶引上用ルツボの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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