JP2525754B2 - Shield case - Google Patents
Shield caseInfo
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- JP2525754B2 JP2525754B2 JP3356067A JP35606791A JP2525754B2 JP 2525754 B2 JP2525754 B2 JP 2525754B2 JP 3356067 A JP3356067 A JP 3356067A JP 35606791 A JP35606791 A JP 35606791A JP 2525754 B2 JP2525754 B2 JP 2525754B2
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- shield case
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ
等に好適なパワートランジスタが実装されたシールドケ
ースに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shield case in which a power transistor suitable for a DC-DC converter or the like is mounted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＤＣ−ＤＣコンバータ等では、放熱が良
好なアルミナ基板にパワートランジスタが実装され、シ
ールドケースに収納されたものが用いられている。図３
は、従来のシールドケースにアルミナ基板にパワートラ
ンジスタが実装された一例を示す断面図である。図３に
於いて、１1 はシールドケースであって、そのシールド
ケース１1 の両側壁に突起１2,１3 が設けられ、シール
ドケース１1 の底部にラグ端子１4 が設けられている。
２は、アルミナ基板であって、チップ状の電子部品５，
６が半田９で固着され、且つ、パワートランジスタ４の
端子ピン４1 とその本体が直にアルミナ基板２に半田９
によって固着されている。アルミナ基板２には、端子ピ
ン８が植設されている。パワートランジスタ４及び電子
部品５，６が実装されたアルミナ基板２は、シールドケ
ース１1 内に挿入され、シールドケース１1 に設けられ
た突起１2,１3 に係合されアルミナ基板２はシールドケ
ース１1 内に係止される。その後、金属性の裏蓋３がシ
ールドケース１1 の底部に設けられた突起に嵌合されて
閉じられ、シールド構造が形成される。2. Description of the Related Art In a DC-DC converter or the like, a power transistor is mounted on an alumina substrate having good heat dissipation and is housed in a shield case. FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example in which a power transistor is mounted on an alumina substrate in a conventional shield case. In FIG. 3, 1 1 is a shield case, the shield case 1 1 protrusions on both side walls 1 2, 1 3 are provided, lug 1 4 is provided at the bottom of the shield case 1 1 .
2 is an alumina substrate, which is a chip-shaped electronic component 5,
6 is fixed with solder 9, and the terminal pin 4 1 of the power transistor 4 and its body are directly soldered to the alumina substrate 2.
Is stuck by. Terminal pins 8 are implanted in the alumina substrate 2. Alumina substrate 2 where the power transistors 4 and electronic component 5 and 6 are mounted is inserted into the shield case 1 in 1, the protrusions 1 2, 1 alumina substrate 2 is engaged with the 3 provided in the shield case 1 1 Shield Locked in case 1 1 . Thereafter, the back cover 3 of the metallic is closed is fitted to a projection provided on the bottom of the shield case 1 1, the shield structure is formed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】図３に示すようにシー
ルドケース１1 の中にパワートランジスタ４を取り付け
られたアルミナ基板２が収納された構造では、アルミナ
基板２の放熱性が良いとしても、アルミナ基板２のシー
ルドケース１1 との接触面がその側面だけであって、し
かも、密着性が良好とは言いがたく、シールドケース１
1 及び裏蓋３とアルミナ基板２との間の空気層を通して
放熱しなければならなく、熱の放散がかならずしも充分
ではなかった。又、図３のような構造では、かならずし
も放熱が充分でない為に、小型のパワートランジスタが
使用できなく、発熱に強いパワートランジスタを用いね
ばならないので高価なものとなる欠点がある。更に、ア
ルミナ基板２は、シールドケース１1 内に押圧して、突
起１2,１3 に係止されるが、この際に、アルミナ基板２
が破壊したり、アルミナ基板２に被着されたガラス層が
割れたりする不都合が生じる欠点があった。本発明は、
上述のごとき欠点を解消しようとするものであって、パ
ワートラジスタの取り付けが容易であると共に、アルミ
ナ基板が実装されたパワートラジスタから発生した熱を
効率よく外気に放出し得る構造を有するシールドケース
を提供しようとするものである。In THE INVENTION It is an object to be solved alumina substrate 2 attached to the power transistors 4 in the shield case 1 1 as shown in FIG. 3 is accommodated structure, even better heat dissipation of the alumina substrate 2, contact surface between the shield case 1 1 of the alumina substrate 2 is merely a side, moreover, Gataku say adhesion good, the shield case 1
The heat must be dissipated through the air layer between 1 and the back cover 3 and the alumina substrate 2, and the heat dissipation was not always sufficient. Further, in the structure as shown in FIG. 3, the heat dissipation is not always sufficient, so that a small power transistor cannot be used, and a power transistor that is resistant to heat generation must be used, which is expensive. Further, the alumina substrate 2 is pressed into the shield case 1 1 and locked by the protrusions 1 2 and 1 3. At this time, the alumina substrate 2
However, there is a disadvantage that the glass is broken or the glass layer adhered to the alumina substrate 2 is broken. The present invention
In order to solve the above-mentioned drawbacks, a shield having a structure in which a power transistor can be easily attached and the heat generated from the power transistor mounted with an alumina substrate can be efficiently released to the outside air. It is intended to provide a case.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のシールドケース
は、そのシールドケースの側壁が少なくとも一つが長く
切り出され、その側壁金属板の延在部をシールドケース
内に折り返して、その先端部をシールドケースの天井板
に平行に折り曲げて、シールドケースと一体となった舌
状板の金属板を形成し、その舌片状の金属板に、パワー
トランジスタが実装されたアルミナ基板を高熱伝導性の
接着剤で固着したものである。In the shield case of the present invention, at least one side wall of the shield case is cut out long, the extending portion of the side wall metal plate is folded back into the shield case, and the tip portion thereof is shielded. Bend in parallel to the ceiling plate of the case to form a tongue-shaped metal plate that is integrated with the shield case, and adhere the alumina substrate on which the power transistor is mounted to the tongue-shaped metal plate with high thermal conductivity. It is fixed with an agent.
【０００５】[0005]
【作用】本発明のシールドケースは、そのシールドケー
スの側壁金属板の延在部がシールドケース内に折り曲げ
られて形成された舌片状の金属板に、パワートランジス
タが実装されたアルミナ基板を高熱伝導性の接着剤で固
着することによって、アルミナ基板からの熱をシールド
ケースに効率良く伝導すると共に、組み立て作業を容易
なものとし、パワートランジスタの放熱効率を改善した
ものである。In the shield case of the present invention, the alumina substrate on which the power transistor is mounted is highly heated on the tongue-shaped metal plate formed by bending the extending portion of the side wall metal plate of the shield case into the shield case. By fixing with a conductive adhesive, the heat from the alumina substrate is efficiently conducted to the shield case, the assembly work is facilitated, and the heat dissipation efficiency of the power transistor is improved.
【０００６】[0006]
【実施例】図１は、本発明のシールドケースの外観を示
す図であり、図２がそのシールドケースの一実施例を示
す断面図である。図１，図２に於いて、１はシールドケ
ース、２はアルミナ基板、３はシールドケース１の裏
蓋、７はシールドケース１から突出するラグ端子であ
る。アルミナ基板２には、パワートランジスタ４が熱伝
導を良好なものとする為に半田９によってアルミナ基板
２にその本体が直に接着され、その端子ピン４1 も半田
９によってアルミナ基板２に接着されており、他にチッ
プ状の電子部品５，６が半田９によって実装されてい
る。８は、アルミナ基板２に植設された端子ピンであ
る。シールドケース１は、対向する金属板の側壁が長い
板状に切り出されており、その金属板の延在部がシール
ドケース１の内側に折り返され、夫々の先端部をシール
ドケース１の天井板に平行に折り返されて、夫々舌片状
の金属板（以下、舌状板と称する。）１4 が形成されて
いる。図２の実施例では、舌状板１4 が対向する側壁に
形成されている。しかし、シールドケース１の側壁の一
つの側壁が長く引き出され、その延在部に舌状板１4 を
形成して、その舌状板１4 にアルミナ基板を接着するよ
うにしてもによい。この場合、舌状板１4 は、アルミナ
基板を接着するのに充分な長さを必要とする。更に、パ
ワートランジスタ４は、放熱を良好なものとする為に、
アルミナ基板２の上側に実装し、シールドケース１の天
井板と接する程度に近接して形成される。更に又、基板
としてアルミナ基板が用いられているが、熱良伝導性の
回路基板であれば良く、実施例に限定するものではな
い。1 is a view showing the outer appearance of a shield case of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the shield case. 1 and 2, 1 is a shield case, 2 is an alumina substrate, 3 is a back cover of the shield case 1, and 7 is a lug terminal protruding from the shield case 1. The main body of the power transistor 4 is directly bonded to the alumina substrate 2 by the solder 9 and the terminal pins 4 1 are also bonded to the alumina substrate 2 by the solder 9 in order to improve the heat conduction of the power transistor 4. In addition, chip-shaped electronic components 5 and 6 are mounted by solder 9. Reference numeral 8 is a terminal pin embedded in the alumina substrate 2. In the shield case 1, the side walls of the opposing metal plates are cut out in a long plate shape, the extending portions of the metal plates are folded back inside the shield case 1, and the respective tip portions are made into the ceiling plate of the shield case 1. folded parallel, each tongue-shaped metal plate (hereinafter, referred to as the tongue board.) 1 4 is formed. In the embodiment of FIG. 2, the tongue-shaped plate 1 4 is formed on the opposite side walls. However, one side wall of the side wall of the shield case 1 is drawn long, good to form a tongue plate 1 4 at its extending portion, even if its tongue plate 1 4 so as to bond the alumina substrate. In this case, the tongue-like plate 1 4 requires a length sufficient to bond the alumina substrate. In addition, the power transistor 4 has good heat dissipation,
It is mounted on the upper side of the alumina substrate 2 and is formed close to the ceiling plate of the shield case 1. Furthermore, although an alumina substrate is used as the substrate, any circuit board having good thermal conductivity may be used, and the present invention is not limited to the embodiment.
【０００７】次に、本発明のシールドケースの組み立て
について以下に説明する。シールドケース１の内部に突
出する舌状板１4 の裏面に高熱伝導性の接着剤１０を塗
布した後に、チップ状の電子部品５，６とパワートラン
ジスタ４が実装されたアルミナ基板２を、舌状板１4 に
押し付けて接着される。続いて、金属製の裏蓋４がシー
ルドケース１の底部から挿入され、シールドケース１に
形成された突起（図示されていない。）に裏蓋３が係合
されて取り付けられ、シールド構造が形成される。放熱
特性の良好なアルミナ基板２には、パワートランジスタ
４が半田９によって接着されており、パワートランジス
タ４から発生する熱は、シールドケース１内の空気層を
介してシールドケース１を通して放出されると共に、大
半の熱は、アルミナ基板２を通して舌状板１4 に伝わ
り、シールドケース１を介して外気に放出される為にパ
ワートランジスタ４の効率は極めて向上する。Next, the assembly of the shield case of the present invention will be described below. After applying the adhesive 10 of high thermal conductivity tongue plate 1 4 backside of projecting into the interior of the shield case 1, the alumina substrate 2 on which the electronic components 5, 6 and the power transistor 4 chips like is mounted, the tongue It is bonded against the Jo plate 1 4. Subsequently, a metal back cover 4 is inserted from the bottom of the shield case 1, and the back cover 3 is engaged and attached to a protrusion (not shown) formed on the shield case 1 to form a shield structure. To be done. The power transistor 4 is bonded to the alumina substrate 2 having a good heat dissipation property by the solder 9, and the heat generated from the power transistor 4 is released through the shield case 1 through the air layer in the shield case 1. , most of the heat is transmitted to the tongues plate 1 4 through an alumina substrate 2, the efficiency of the power transistor 4 to be discharged to the outside air through the shield case 1 is extremely improved.
【０００８】[0008]
【発明の効果】本発明のシールドケースは、シールドケ
ース内に折り曲げられて形成された舌状板の裏面に高熱
伝導性の接着剤１０が塗布されており、パワートランジ
スタ等の電子部品が実装されたアルミナ基板をシールド
ケース内に挿入して接着し、裏蓋を閉じてシールドケー
スが構成されており、パワートランジスタの熱の放散が
効率よくなされる利点がある。又、従来のように回路基
板がシールドケースの突起に係止される構造より、パワ
ートランジスタの放熱効率が良好となる為、比較的安価
な小型のパワートランジスタであっても、充分な特性を
得ることができる効果を奏するものである。更に、本発
明のシールドケースは、シールドケース内の舌状板にア
ルミナ基板を接着剤で固着する形状であって、アルミナ
基板の挿入時に突起によるアルミナ基板の破壊やその絶
縁層であるガラス層の割れが生じることがなく、而も、
パワートランジスタを実装したアルミナ基板をシールド
ケースに組み込み安く、組み立て工数を低減することが
できる利点がある。In the shield case of the present invention, the adhesive 10 having high thermal conductivity is applied to the back surface of the tongue-shaped plate formed by bending inside the shield case, and electronic parts such as power transistors are mounted on the back surface. Since the alumina substrate is inserted into the shield case and adhered thereto, and the back cover is closed to form the shield case, there is an advantage that heat of the power transistor is efficiently dissipated. Further, since the heat dissipation efficiency of the power transistor is better than the conventional structure in which the circuit board is locked to the protrusion of the shield case, sufficient characteristics can be obtained even with a relatively inexpensive small power transistor. This is an effect that can be achieved. Further, the shield case of the present invention has a shape in which the alumina substrate is fixed to the tongue-shaped plate inside the shield case with an adhesive, and the alumina substrate is destroyed by protrusions when the alumina substrate is inserted or the glass layer which is its insulating layer There is no crack, and
There is an advantage that the alumina substrate on which the power transistor is mounted can be cheaply incorporated into the shield case and the number of assembling steps can be reduced.
【図１】本発明のパワートランジスタが実装されたシー
ルドケースの外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a shield case in which a power transistor of the present invention is mounted.
【図２】本発明のパワートランジスタが実装されたシー
ルドケースの一実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a shield case in which the power transistor of the present invention is mounted.
【図３】従来のパワートランジスタが実装されたシール
ドケースの一例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional shield case in which a power transistor is mounted.
１ シールドケース １4 舌状板 ２ アルミナ基板 ３ 裏蓋 ４ パワートランジスタ ４1 端子ピン ５，６ チップ状の電子部品 ７ ラグ端子 ８ 端子ピン ９ 半田 １０ 接着剤1 Shield Case 1 4 Tongue Plate 2 Alumina Substrate 3 Back Lid 4 Power Transistor 4 1 Terminal Pins 5, 6 Chip-shaped Electronic Components 7 Lug Terminals 8 Terminal Pins 9 Solder 10 Adhesive
Claims (2)
も一つが長く切り出され、該金属板の延在部が該シール
ドケース内に折り返され、且つ、該シールドケースの天
井板に平行に折り曲げられて舌片状を呈し、該シールド
ケースの底部からパワートランジスタ等の電子部品が実
装された熱良伝導性の回路基板が挿入され、該舌片状の
金属板に熱良伝導性の接着剤によって接着され、該シー
ルドケースの底部に裏蓋が設けられたことを特徴とする
シールドケース。1. At least one of the side wall metal plates of the shield case is cut out long, the extending portion of the metal plate is folded back into the shield case, and the tongue is bent in parallel with the ceiling plate of the shield case. A heat-conductive circuit board having a piece shape and having electronic components such as power transistors mounted thereon is inserted from the bottom of the shield case, and adhered to the tongue-shaped metal plate with a heat-conductive adhesive. A shield case having a back cover provided at the bottom of the shield case.
板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
シールドケース。2. The shield case according to claim 1, wherein the circuit board having good thermal conductivity is an alumina board.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3356067A JP2525754B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Shield case |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3356067A JP2525754B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Shield case |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175682A JPH05175682A (en) | 1993-07-13 |
| JP2525754B2 true JP2525754B2 (en) | 1996-08-21 |
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ID=18447159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3356067A Expired - Fee Related JP2525754B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Shield case |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| CN111669889B (en) * | 2020-06-16 | 2023-09-29 | 深圳市创然电子有限公司 | Super junction metal oxide semiconductor field effect transistor structure |
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1991
- 1991-12-20 JP JP3356067A patent/JP2525754B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH05175682A (en) | 1993-07-13 |
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