JPH11266090A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH11266090A
JPH11266090A JP6637798A JP6637798A JPH11266090A JP H11266090 A JPH11266090 A JP H11266090A JP 6637798 A JP6637798 A JP 6637798A JP 6637798 A JP6637798 A JP 6637798A JP H11266090 A JPH11266090 A JP H11266090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
motherboard
case
semiconductor
heat
connector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6637798A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Itabashi
Toshinori Matsui
Kazuya Sanada
Hideo Wakata
俊憲 松井
板橋  徹
一也 真田
秀雄 若田
Original Assignee
Denso Corp
株式会社デンソー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, 株式会社デンソー filed Critical Denso Corp
Priority to JP6637798A priority Critical patent/JPH11266090A/en
Publication of JPH11266090A publication Critical patent/JPH11266090A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable heat which is released from a power device from among plural electronic components to be efficiently absorbed and dissipated. SOLUTION: A ceramic board 10 mounted with a drive transistor 21 which releases heat and other electronic components 22 are mounted on a motherboard 10. A wall 72 is provided protruding from a case 70 and parallel with the ceramic board 10 on the motherboard 60, in a length such that it does not abutt against the board 60. As a result, a heat conduction route from the drive transistor 21 or the like mounted on the ceramic board 10 to the case 70 of a large thermal capacity can be improved in thermal conductivity, without having stresses applied to the ceramic board 10 and to the motherboard 60 sides from a case 70 side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子部品を
実装する基板をマザーボードに実装してなる半導体装置
に関するもので、特に、パワー素子からの熱を効率良く
放熱できる半導体装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a substrate on which a plurality of electronic components are mounted is mounted on a motherboard, and more particularly to a semiconductor device capable of efficiently radiating heat from a power element. .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置に関連する先行技術文
献としては、特開平8−111575号公報にて開示さ
れたものが知られている。このものでは、金属基板上に
半導体チップそのものを直接実装する所謂、ベアチップ
実装し、その基板に設けられた位置決めピンをマザーボ
ード上の穴に挿入して組付けると共に、パワー素子から
の熱を放熱するための技術が示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a prior art document relating to a semiconductor device, one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 8-111575 is known. In this device, a semiconductor chip itself is directly mounted on a metal substrate, so-called bare chip mounting, and positioning pins provided on the substrate are inserted into holes on the motherboard and assembled, and heat from the power elements is radiated. The technique for is shown.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のもの
では、複数の電子部品が実装された基板は金属基板であ
るため、基板自身が放熱フィン(ヒートシンク)の機能
を備えてはいるが、自ずと基板の大きさには限界があ
り、基板に実装されたパワー素子からの熱を効率良く吸
収・発散させるに十分な熱容量が得られないという不具
合があった。
By the way, in the above-mentioned device, since the substrate on which a plurality of electronic components are mounted is a metal substrate, the substrate itself has a function of a heat radiating fin (heat sink). There is a limit in the size of the substrate, and there is a problem that a heat capacity sufficient to efficiently absorb and diffuse heat from the power element mounted on the substrate cannot be obtained.
【0004】そこで、この発明はかかる不具合を解決す
るためになされたもので、複数の電子部品が実装された
基板をマザーボード上に実装し筐体に収容した半導体装
置であって、複数の電子部品のうちのパワー素子からの
発熱を効率良く吸収・発散させることが可能な半導体装
置の提供を課題としている。
In view of the above, the present invention has been made in order to solve such a problem, and is a semiconductor device in which a board on which a plurality of electronic components are mounted is mounted on a motherboard and housed in a housing. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of efficiently absorbing and radiating heat generated from a power element.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項1の半導体装置に
よれば、発熱性を有する電子部品を含む複数の電子部品
が実装された基板がマザーボードに実装され、筐体から
壁部がマザーボード上の基板の近傍で平行、かつマザー
ボード面に当接しないように突設される。このため、筐
体側から基板やマザーボード側に応力をかけることな
く、基板に実装されている複数の電子部品から熱容量の
大きな筐体側への熱伝導性を向上することができる。
According to the semiconductor device of the present invention, a substrate on which a plurality of electronic components including an electronic component having heat generation properties are mounted is mounted on a motherboard, and a wall portion from a housing is formed on the motherboard. Are protruded so as to be parallel to each other in the vicinity of the substrate and not to come into contact with the motherboard surface. For this reason, it is possible to improve the thermal conductivity from a plurality of electronic components mounted on the board to the housing having a large heat capacity without applying stress from the housing to the board or the motherboard.
【0006】請求項2の半導体装置では、壁部がコネク
タ部材の近傍に配置されることで、基板の実装された電
子部品とコネクタ部材との距離を最短の長さにできる。
このため、電子部品からの大電流を効率良くコネクタ部
材側に流すことができる。また、筐体に突設された壁部
がコネクタ部材の近傍に配置されることで、コネクタ部
材部分から内部に侵入しようとする電磁波等の外部ノイ
ズを遮断することができる。
In the semiconductor device according to the second aspect, the distance between the electronic component on which the board is mounted and the connector member can be minimized by disposing the wall portion near the connector member.
For this reason, a large current from the electronic component can efficiently flow to the connector member side. In addition, since the wall protruding from the housing is arranged near the connector member, external noise such as electromagnetic waves that may enter the inside from the connector member portion can be cut off.
【0007】請求項3の半導体装置では、筐体側にマザ
ーボードをねじ止めする際、筐体のねじ穴部に対応して
マザーボードに穿設された長穴を利用して、筐体に突設
された壁部が基板から離れた位置で組合わせられ仮止め
されたのち、筐体の壁部がマザーボードの長穴を利用し
てマザーボードに接続された基板側に移動され、壁部が
基板側への接触状態となった位置でねじ止めによる結合
が完了される。このため、筐体とマザーボードとの組合
わせが容易であり、結合完了状態での壁部と基板側との
接触状態が補償されると共に、マザーボード等における
製造上の寸法公差を吸収することもできる。
In the semiconductor device according to the third aspect, when the motherboard is screwed to the housing side, the motherboard is protruded from the housing by using an elongated hole formed in the motherboard corresponding to a screw hole of the housing. After the assembled wall is assembled and temporarily fixed at a position away from the board, the wall of the housing is moved to the board connected to the motherboard using the long hole of the motherboard, and the wall is moved to the board side The connection by screwing is completed at the position where the contact state is established. For this reason, the housing and the motherboard can be easily combined, the contact state between the wall and the board in the completed connection state can be compensated, and the dimensional tolerance in manufacturing of the motherboard or the like can be absorbed. .
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below based on examples.
【0009】図1は本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の全体構成を示す分解斜視図であり、図
2は図1における要部構成を示す部分断面図である。な
お、以下の図中、同様の構成または相当部分からなるも
のについては同一符号及び同一記号を付し、その詳細な
説明を省略する。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an entire configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a main portion in FIG. In the following drawings, components having the same configuration or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and symbols, and detailed description thereof will be omitted.
【0010】図1及び図2において、本実施例の半導体
装置100では、厚膜用基板として放熱性が高い複数の
セラミック基板10が用いられている。これら複数のセ
ラミック基板10には、発熱性を有するパワー素子とし
ての駆動トランジスタ(パワートランジスタ)21やそ
の他の電子部品22が実装されている。また、複数のセ
ラミック基板10は、更に駆動トランジスタ21で発生
する熱を吸収・発散させるためアルミニウム材料等で形
成された1つの放熱フィン40の所望の位置に熱伝導性
が良好な例えば、シリコン系の接合剤を介して接合され
ている。そして、放熱フィン40はマザーボード60に
ビス49を用いて固定されていると共に、セラミック基
板10からのリード端子31はマザーボード60に穿設
された所定の穴60aに挿入されはんだ付けされてい
る。
1 and 2, in a semiconductor device 100 of this embodiment, a plurality of ceramic substrates 10 having high heat dissipation are used as a thick film substrate. A drive transistor (power transistor) 21 as a power element having heat generation properties and other electronic components 22 are mounted on the plurality of ceramic substrates 10. In addition, the plurality of ceramic substrates 10 further have a good thermal conductivity at a desired position of one radiating fin 40 formed of an aluminum material or the like in order to absorb and radiate heat generated by the driving transistor 21. Are bonded via a bonding agent. The radiation fins 40 are fixed to the motherboard 60 using screws 49, and the lead terminals 31 from the ceramic substrate 10 are inserted into predetermined holes 60a formed in the motherboard 60 and soldered.
【0011】更に、マザーボード60の1辺の周縁近傍
には、コネクタ50がビス59を用いて固定されている
と共に、コネクタ50のリード端子51がはんだ付けさ
れ電気的に接続されている。このように構成されたマザ
ーボード60は、図1に示すような、熱伝導性が高い例
えば、アルミニウム材料等で形成されたケース70内に
収容されたのち、図示しないアルミニウム材料等で形成
されたカバーが被せられ、ねじ止めされることで半導体
装置100が構成される。
Further, near the periphery of one side of the motherboard 60, a connector 50 is fixed using screws 59, and lead terminals 51 of the connector 50 are soldered and electrically connected. The motherboard 60 thus configured is housed in a case 70 made of, for example, aluminum material having high thermal conductivity, as shown in FIG. 1, and then formed of a cover made of aluminum material (not shown). And the semiconductor device 100 is configured by being screwed.
【0012】このとき、半導体装置100のマザーボー
ド60上で略垂直方向となるように実装されたセラミッ
ク基板10が接合された放熱フィン40の裏面に接触
し、かつマザーボード60面に当接しないように隙間を
有してケース70内側の上面から壁部72が突設されて
いる。このため、マザーボード60側がケース70側か
ら組付けによる応力を受けることがなく、駆動トランジ
スタ21等からの熱がセラミック基板10及び放熱フィ
ン40を介して壁部72から熱容量の大きなケース70
側へ吸収・発散される。
At this time, the ceramic substrate 10 mounted on the motherboard 60 of the semiconductor device 100 so as to be substantially vertical is in contact with the back surface of the radiating fin 40 to which the ceramic substrate 10 is joined and is not in contact with the surface of the motherboard 60. A wall portion 72 protrudes from the upper surface inside the case 70 with a gap. For this reason, the motherboard 60 does not receive the stress due to the assembly from the case 70 side, and heat from the drive transistor 21 and the like is transferred from the wall 72 via the ceramic substrate 10 and the radiation fins 40 to the case 70 having a large heat capacity.
Absorbed and diverged to the side.
【0013】また、半導体装置100のケース70内に
収容されたマザーボード60に固定されたコネクタ50
はその接続端子側のみがケース70の開口部71から外
部に臨むこととなる。このため、本実施例の構成におけ
る半導体装置100では、ケース70内部にコネクタ5
0に略平行に並べて衝立状に放熱フィン40が配置さ
れ、その裏面となる内部側に壁部72が配置されること
となる。つまり、アルミニウム材料等からなるケース7
0及びカバー(図示略)、更には開口部71側も同じ材
料からなる壁部72及び放熱フィン40で囲まれること
で、半導体装置100内部は電磁的に遮蔽されることと
なる。
The connector 50 fixed to the motherboard 60 housed in the case 70 of the semiconductor device 100
Only the connection terminal side faces the outside from the opening 71 of the case 70. Therefore, in the semiconductor device 100 having the configuration of the present embodiment, the connector 5
The heat dissipating fins 40 are arranged in the form of a screen so as to be substantially parallel to 0, and the wall portion 72 is arranged on the inner side which is the back surface. That is, the case 7 made of an aluminum material or the like
The inside of the semiconductor device 100 is electromagnetically shielded by surrounding the inside of the semiconductor device 100 with the wall portion 72 and the radiation fins 40 made of the same material, and the cover 71 (not shown) and the opening 71 side.
【0014】このように、本実施例の半導体装置100
は、発熱性を有する電子部品としての駆動トランジスタ
21を含む複数の電子部品21,22を実装するセラミ
ック基板10と、セラミック基板10を略垂直方向に電
気的に接続するマザーボード60と、マザーボード60
を収容する筐体としてのケース70と、ケース70から
マザーボード60上のセラミック基板10の近傍で平
行、かつマザーボード60面とに隙間を有して突設する
壁部72とを具備するものである。
As described above, the semiconductor device 100 of this embodiment
Are a ceramic substrate 10 on which a plurality of electronic components 21 and 22 including a drive transistor 21 as an electronic component having heat generation are mounted; a mother board 60 for electrically connecting the ceramic substrates 10 in a substantially vertical direction;
, And a wall 72 protruding from the case 70 in parallel with the ceramic substrate 10 on the motherboard 60 near the ceramic substrate 10 with a gap from the surface of the motherboard 60. .
【0015】つまり、複数の電子部品21,22が実装
されたセラミック基板10がマザーボード60に実装さ
れる。そして、ケース70から壁部72がマザーボード
60上のセラミック基板10の近傍で平行、かつマザー
ボード60面に当接しない長さ寸法にて突設される。こ
のため、ケース70側からセラミック基板10やマザー
ボード60側に応力がかかることなく、セラミック基板
10に実装されている発熱性を有する駆動トランジスタ
21等から熱容量の大きなケース70側への熱伝導性を
向上することができる。
That is, the ceramic substrate 10 on which the plurality of electronic components 21 and 22 are mounted is mounted on the motherboard 60. Then, a wall portion 72 is protruded from the case 70 so as to be parallel in the vicinity of the ceramic substrate 10 on the motherboard 60 and have a length dimension that does not abut against the surface of the motherboard 60. Therefore, the thermal conductivity from the heat-generating drive transistor 21 or the like mounted on the ceramic substrate 10 to the case 70 having a large heat capacity can be reduced without applying stress from the case 70 to the ceramic substrate 10 or the motherboard 60. Can be improved.
【0016】また、本実施例の半導体装置100は、更
に、マザーボード60が外部配線と電気的に接続するコ
ネクタ部材としてのコネクタ50を具備し、壁部72を
コネクタ50の近傍で略平行に並べて配置するものであ
る。つまり、壁部72がコネクタ50の近傍に配置され
ることで、セラミック基板10の駆動トランジスタ21
とコネクタ50との距離を最短の長さにできる。このた
め、駆動トランジスタ21等のパワー素子からの大電流
を効率良くコネクタ50側に流すことができる。また、
ケース70に突設された壁部72がコネクタ50の近傍
に配置されることで、コネクタ50部分から内部に侵入
しようとする電磁波等の外部ノイズを遮断することがで
きる。
Further, the semiconductor device 100 of the present embodiment further includes a connector 50 as a connector member for electrically connecting the motherboard 60 to external wiring, and the wall portions 72 are arranged substantially in parallel near the connector 50. It is something to arrange. That is, since the wall portion 72 is disposed near the connector 50, the drive transistor 21 of the ceramic substrate 10
The distance between the connector and the connector 50 can be set to the shortest length. For this reason, a large current from a power element such as the drive transistor 21 can efficiently flow to the connector 50 side. Also,
By arranging the wall portion 72 protruding from the case 70 near the connector 50, it is possible to block external noises such as electromagnetic waves from entering the inside from the connector 50 portion.
【0017】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置の要部構成における変形例を示す図3を
参照して説明する。
Next, a description will be given, with reference to FIG. 3, showing a modification of the essential configuration of the semiconductor device according to one example of the embodiment of the present invention.
【0018】図3では、セラミック基板10とケース7
0から突設された壁部72との間に、図2に示すセラミ
ック基板10が接合されている放熱フィン40に代え
て、熱伝導性シート73を介在させたものである。この
ような構成によれば、組付結合時において弾性変形自在
な熱導電性シート73を利用して製造上における複数の
部品の寸法公差を吸収させ、マザーボード60に接続さ
れたセラミック基板10を熱導電性シート73を介して
ケース70に突設された壁部72に確実に接触させるこ
とができる。これにより、熱導電性シート73に比べて
高価な放熱フィン40が不要となり組付工数も削減され
ることでコスト低減を図ることができる。
In FIG. 3, the ceramic substrate 10 and the case 7
A heat conductive sheet 73 is interposed between the heat radiation fin 40 and the wall portion 72 protruding from 0 in place of the radiation fin 40 to which the ceramic substrate 10 shown in FIG. 2 is joined. According to such a configuration, the dimensional tolerance of a plurality of components in manufacturing is absorbed by utilizing the thermally conductive sheet 73 which is elastically deformable at the time of assembly connection, and the ceramic substrate 10 connected to the motherboard 60 is heated. The conductive sheet 73 can be reliably brought into contact with the wall 72 protruding from the case 70 via the conductive sheet 73. This eliminates the need for the radiation fins 40, which are more expensive than the heat conductive sheet 73, and reduces the number of assembling steps, thereby reducing costs.
【0019】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置におけるケース70とマザーボード60
との結合状態を示す図4を参照して説明する。なお、図
4(a)におけるセラミック基板10が接合された放熱
フィン40とケース70に突設された壁部72とは、図
2と同様の構成であるため同一符号及び同一記号を付
し、その詳細な説明を省略する。また、図4(b)は図
4(a)のマザーボード60に穿設された長穴形状部分
を示す底面図である。
Next, the case 70 and the motherboard 60 in the semiconductor device according to one embodiment of the present invention will be described.
A description will be given with reference to FIG. The radiation fins 40 to which the ceramic substrate 10 is joined and the wall portions 72 protruding from the case 70 in FIG. 4A are the same as those in FIG. A detailed description thereof will be omitted. FIG. 4B is a bottom view showing an elongated hole portion formed in the motherboard 60 of FIG. 4A.
【0020】図4(a)及び図4(b)において、ケー
ス70とマザーボード60とを結合するには、まず、ケ
ース70側の壁部72がマザーボード60側の放熱フィ
ン40に当接しない離れた位置で組合わせられる。次
に、ケース70の側壁74等に設けられているねじ穴部
75に対応しマザーボード60側に穿設された長穴65
を利用しビス79にてマザーボード60がケース70側
に仮止めされる。そして、ケース70とマザーボード6
0とが相対的に移動され、壁部72が放熱フィン40側
に寄せられ接触状態となった位置でマザーボード60が
ケース70側のねじ穴部75にビス79によって結合完
了される。
4A and 4B, in order to connect the case 70 and the motherboard 60, first, the wall portion 72 on the case 70 side is separated from the radiating fins 40 on the motherboard 60 side. Combined at different positions. Next, a long hole 65 formed in the motherboard 60 side corresponding to the screw hole 75 provided in the side wall 74 of the case 70 or the like.
The motherboard 60 is temporarily fixed to the case 70 side with the screw 79 by using. Then, the case 70 and the motherboard 6
And the motherboard 60 is completely connected to the screw hole 75 of the case 70 by the screw 79 at the position where the wall 72 is brought closer to the radiating fin 40 and brought into a contact state.
【0021】このように、本実施例の半導体装置100
は、更に、筐体としてのケース70にはマザーボード6
0をねじ止めするねじ穴部75と、マザーボード60に
はケース70のねじ穴部75に対応しセラミック基板1
0と壁部72とが接近する方向に穿設した長穴65とを
具備するものである。これにより、ケース70側にマザ
ーボード60をねじ止めする際には、まず、ケース70
のねじ穴部75に対応してマザーボード60に長穴65
が穿設されていることを利用して、ケース70に突設さ
れた壁部72がセラミック基板10から離れた位置で組
合わせられビス79によって仮止めされる。こののち、
ケース70即ち、壁部72がマザーボード60に穿設さ
れた長穴65を利用してマザーボード60に接続された
セラミック基板10側に移動され、壁部72がセラミッ
ク基板10側への接触状態となった位置でビス79によ
るねじ止め結合が完了される。このため、ケース70と
マザーボード60との組合わせが容易であり、結合完了
状態での壁部72とセラミック基板10側との接触状態
が補償されると共に、マザーボード60等における製造
上の寸法公差を吸収することもできる。
As described above, the semiconductor device 100 of this embodiment
In addition, the case 70 as a housing has a motherboard 6
Screw holes 75 for screwing the ceramic substrate 1 into the mother board 60 corresponding to the screw holes 75 of the case 70.
0 and a long hole 65 formed in a direction in which the wall 72 approaches. Thereby, when screwing the motherboard 60 to the case 70 side, first, the case 70
Slot 65 in the motherboard 60 corresponding to the screw hole 75 of
By utilizing the fact that the holes are formed, the wall portion 72 protruding from the case 70 is assembled at a position distant from the ceramic substrate 10 and temporarily fixed with screws 79. After this,
The case 70, that is, the wall 72 is moved to the ceramic substrate 10 connected to the motherboard 60 by using the elongated hole 65 formed in the motherboard 60, and the wall 72 is brought into contact with the ceramic substrate 10. The screw connection by the screw 79 is completed at the set position. Therefore, the case 70 and the motherboard 60 can be easily combined, the state of contact between the wall portion 72 and the ceramic substrate 10 in the completed connection state can be compensated, and the dimensional tolerance of the motherboard 60 and the like in manufacturing can be reduced. It can also be absorbed.
【0022】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる半導体装置におけるケース70とマザーボード60
との結合状態の変形例を示す図5を参照し図4と比較し
て説明する。なお、図中、上述の実施例と同様の構成ま
たは相当部分からなるものについては同一符号及び同一
記号を付し、その詳細な説明を省略する。
Next, the case 70 and the motherboard 60 in the semiconductor device according to one embodiment of the present invention will be described.
5 will be described with reference to FIG. 5 showing a modification of the state of connection with FIG. In the drawings, the same reference numerals and symbols are given to components having the same configuration or corresponding portions as those in the above-described embodiment, and detailed description thereof will be omitted.
【0023】図5において、図4との相違点は、マザー
ボード60をケース70側にねじ止めする際、ケース7
0の側壁74等に設けられているねじ穴部75に対応し
マザーボード60側に穿設された穴が長穴形状でなく丸
穴であって、放熱フィン40とケース70に突設された
壁部72との間に所定厚寸法の弾性変形自在な熱伝導性
シート73が介在されていることである。これにより、
ケース70とマザーボード60との組合わせが容易であ
り、マザーボード60等における製造上の寸法公差が熱
伝導性シート73の弾性変形によって吸収される。ま
た、マザーボード60とケース70との結合完了状態で
の壁部72とセラミック基板10側との接触状態が補償
される。
FIG. 5 is different from FIG. 4 in that when the motherboard 60 is screwed to the case 70 side, the case 7
The hole drilled on the motherboard 60 side corresponding to the screw hole 75 provided on the side wall 74 of the "0" is not a long hole but a round hole, and the wall protruded from the radiation fin 40 and the case 70. An elastically deformable heat conductive sheet 73 having a predetermined thickness is interposed between the heat conductive sheet 73 and the portion 72. This allows
The combination of the case 70 and the motherboard 60 is easy, and the dimensional tolerance in manufacturing of the motherboard 60 and the like is absorbed by the elastic deformation of the heat conductive sheet 73. In addition, the state of contact between the wall portion 72 and the ceramic substrate 10 in the state where the motherboard 60 and the case 70 have been combined is compensated.
【0024】ところで、上記実施例では、複数の電子部
品を実装する基板として厚膜用基板の主流である放熱性
に優れたセラミック基板10を用いているが、本発明を
実施する場合には、これに限定されるものではなく、金
属基板等を用いて構成することもできる。
In the above embodiment, the ceramic substrate 10 having excellent heat dissipation, which is the mainstream of the thick film substrate, is used as the substrate on which a plurality of electronic components are mounted. However, the present invention is not limited to this, and may be configured using a metal substrate or the like.
【0025】また、上記実施例では、ケース70に突設
された壁部72が1列だけであるが、本発明を実施する
場合には、これに限定されるものではなく、セラミック
基板10に対応した位置に必要列数だけ突設することが
できる。
Further, in the above embodiment, only one row of the wall portions 72 protruding from the case 70 is provided. However, the present invention is not limited to this. The required number of columns can be protruded at the corresponding positions.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】 図1は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to an example of an embodiment of the present invention.
【図2】 図2は図1における要部構成を示す部分断面
図である。
FIG. 2 is a partial sectional view showing a configuration of a main part in FIG.
【図3】 図3は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置における要部構成の変形例を示す部分断面
図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a modification of a main part configuration in a semiconductor device according to one example of an embodiment of the present invention.
【図4】 図4は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置におけるケースとマザーボードとの結合状
態を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a connection state between a case and a motherboard in a semiconductor device according to one example of an embodiment of the present invention;
【図5】 図5は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る半導体装置におけるケースとマザーボードとの結合状
態の変形例を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a modified example of a connection state between a case and a motherboard in a semiconductor device according to an example of an embodiment of the present invention.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
10 セラミック基板 21 駆動トランジスタ(発熱性を有する電子部品) 50 コネクタ(コネクタ部材) 60 マザーボード 65 長穴 70 ケース(筐体) 72 壁部 75 ねじ穴部 100 半導体装置 Reference Signs List 10 ceramic substrate 21 drive transistor (electronic component having heat generation) 50 connector (connector member) 60 motherboard 65 long hole 70 case (housing) 72 wall portion 75 screw hole portion 100 semiconductor device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若田 秀雄 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hideo Wakata 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi Pref.

Claims (3)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 発熱性を有する電子部品を含む複数の電
    子部品を実装する基板と、 前記基板を略垂直方向に電気的に接続するマザーボード
    と、 前記マザーボードを収容する筐体と、 前記筐体から前記マザーボード上の前記基板の近傍で平
    行、かつ前記マザーボード面とに隙間を有して突設する
    壁部とを具備することを特徴とする半導体装置。
    1. A board on which a plurality of electronic components including heat-generating electronic components are mounted, a motherboard electrically connecting the boards in a substantially vertical direction, a housing for housing the motherboard, and the housing And a wall protruding from the motherboard in parallel with the substrate on the motherboard with a gap from the motherboard surface.
  2. 【請求項2】 更に、前記マザーボードは外部配線と電
    気的に接続するコネクタ部材を具備し、 前記壁部は前記コネクタ部材の近傍で略平行に並べて配
    置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
    2. The device according to claim 1, wherein the motherboard further includes a connector member for electrically connecting to an external wiring, and the wall portion is arranged substantially in parallel near the connector member. Semiconductor device.
  3. 【請求項3】 更に、前記筐体には前記マザーボードを
    ねじ止めするねじ穴部と、 前記マザーボードには前記筐体の前記ねじ穴部に対応し
    前記基板と前記壁部とが接近する方向に穿設した長穴と
    を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装
    置。
    3. A screw hole for screwing the motherboard to the housing, wherein the motherboard is provided on the motherboard in a direction corresponding to the screw hole of the housing and the substrate and the wall approach each other. The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a perforated slot.
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