JP2523650B2 - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
- Publication number
- JP2523650B2 JP2523650B2 JP15464487A JP15464487A JP2523650B2 JP 2523650 B2 JP2523650 B2 JP 2523650B2 JP 15464487 A JP15464487 A JP 15464487A JP 15464487 A JP15464487 A JP 15464487A JP 2523650 B2 JP2523650 B2 JP 2523650B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- semiconductor substrate
- integrated circuit
- optical waveguide
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光通信および光情報処理分野における光集
積回路に関するものである。
積回路に関するものである。
従来の技術 近年、光情報処理の分野において大容量，高速通信シ
ステムの必要性が高まってきている。なかでもコヒーレ
ント通信方法は有望なものとしてその実現に期待が集ま
っている。この方法は送られてきた微小シグナルを、局
発信号とミキシングし、それらを光検出器に導入するこ
とにより、送信側信号を光のビートシグナルとして読み
出そうとするものである。
ステムの必要性が高まってきている。なかでもコヒーレ
ント通信方法は有望なものとしてその実現に期待が集ま
っている。この方法は送られてきた微小シグナルを、局
発信号とミキシングし、それらを光検出器に導入するこ
とにより、送信側信号を光のビートシグナルとして読み
出そうとするものである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらを実現するためには多くの光学
コンポーネントを必要とし、かつ精度よくかつ安定なア
ライメントが不可欠となる。これらの問題が、コヒーレ
ント通信を実現する上で１つの大きな障害となってい
る。
コンポーネントを必要とし、かつ精度よくかつ安定なア
ライメントが不可欠となる。これらの問題が、コヒーレ
ント通信を実現する上で１つの大きな障害となってい
る。
問題点を解決するための手段 そこで本発明の光集積回路では、このような問題点を
解決するため、半導体基板上に、一端が高反射率を有す
るよう構成されたストライプ状に発光する発光部と前記
発光部から発した光がなめらかにつながるように構成さ
れた３次元光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入
力ポートとするような２×２光スイッチを配置する。さ
らに、前記光スイッチの出力ポートのうち一方が高反射
率を有するよう終端し、他方は前記半導体基板の一端か
ら入射した受信光を導波し得る３次元光導波路と合流す
る形で、前記半導体基板上の一部に形成された第１の光
検出器に導びかれるよう配置する。また、前記光スイッ
チの１つの入力ポートは、前記半導体基板上の一部に形
成された第２の光検出器に接続されている。
解決するため、半導体基板上に、一端が高反射率を有す
るよう構成されたストライプ状に発光する発光部と前記
発光部から発した光がなめらかにつながるように構成さ
れた３次元光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入
力ポートとするような２×２光スイッチを配置する。さ
らに、前記光スイッチの出力ポートのうち一方が高反射
率を有するよう終端し、他方は前記半導体基板の一端か
ら入射した受信光を導波し得る３次元光導波路と合流す
る形で、前記半導体基板上の一部に形成された第１の光
検出器に導びかれるよう配置する。また、前記光スイッ
チの１つの入力ポートは、前記半導体基板上の一部に形
成された第２の光検出器に接続されている。
さらには、前記光スイッチの１つの出力ポートに設け
られた高反射率を有するものとして、回折波長可変の回
折格子を備えるものであってもよい。
られた高反射率を有するものとして、回折波長可変の回
折格子を備えるものであってもよい。
作用 上述のような構成において、発光部端面と、光スイッ
チの出力ポートの高反射率端面の間で、外部共振器レー
ザが構成され、これが局部発振器として機能する。この
局部発振器の周波数を受信号の周波数近傍に設定するこ
とにより、このレーザ光の一部と外部からの光信号を、
導波路内でミキシングした後、第１の光検出器に導入す
ることにより、送信側の情報をヘテロダイン検波するこ
とが可能となる。
チの出力ポートの高反射率端面の間で、外部共振器レー
ザが構成され、これが局部発振器として機能する。この
局部発振器の周波数を受信号の周波数近傍に設定するこ
とにより、このレーザ光の一部と外部からの光信号を、
導波路内でミキシングした後、第１の光検出器に導入す
ることにより、送信側の情報をヘテロダイン検波するこ
とが可能となる。
また第２の光検出器の設置により、局発光のモニタも
容易に行なうことができ、局発光のAPC動作が可能とな
る。
容易に行なうことができ、局発光のAPC動作が可能とな
る。
実施例 図は本発明の光集積回路の第１の実施例を示すもの
で、１は半導体基板、２は発光部、３は３次元光導波
路、４は２×２光スイッチ、５および７は光検出器、６
は反射膜、８は外部からの信号を光検出器５に導くため
の３次元光導波路である。ここで、構成材料はGaAs,InP
又はZnS等のIII−ＶもしくはII−VIの化合物半導体が望
ましいが、３次元光導波路３等のパッシブな部分に関し
ては上述の半導体材料に限定するものではない。これら
のことは以下の実施例についても同様である。
で、１は半導体基板、２は発光部、３は３次元光導波
路、４は２×２光スイッチ、５および７は光検出器、６
は反射膜、８は外部からの信号を光検出器５に導くため
の３次元光導波路である。ここで、構成材料はGaAs,InP
又はZnS等のIII−ＶもしくはII−VIの化合物半導体が望
ましいが、３次元光導波路３等のパッシブな部分に関し
ては上述の半導体材料に限定するものではない。これら
のことは以下の実施例についても同様である。
発光部２にて発した光は３次元光導波路３を通り、光
スイッチ４をへて反射膜６で反射され、活性部（発光
部）２に帰還され、これが外部共振器型レーザとして動
作する。この光の一部を光スイッチ４によりとり出し、
３次元光導波路８により導入された受信光と合波し、光
検出器５に導びくことにより外部からの信号を読み出す
ものである。また反射膜６のかわりに、回折波長可変の
回折格子を配置することにより、局部発振光の周波数を
制御することによりヘテロダイン受信時の周波数帯に自
由度をもたせることが可能となる。
スイッチ４をへて反射膜６で反射され、活性部（発光
部）２に帰還され、これが外部共振器型レーザとして動
作する。この光の一部を光スイッチ４によりとり出し、
３次元光導波路８により導入された受信光と合波し、光
検出器５に導びくことにより外部からの信号を読み出す
ものである。また反射膜６のかわりに、回折波長可変の
回折格子を配置することにより、局部発振光の周波数を
制御することによりヘテロダイン受信時の周波数帯に自
由度をもたせることが可能となる。
また、光検出器７により局部発振用のパワーをモニタ
することが可能となり、精度よい受信が行なわれる。
することが可能となり、精度よい受信が行なわれる。
発明の効果 上述のように本発明によれば、光信号を局部発信信号
とミキシングし、ビート検出方法を実現するに必要な光
学的要素を同一基板上に集積化することにより、複雑な
アライメント等の必要がなくなる。また回折格子の回折
波長を制御することにより、送られてくる信号をヘテロ
ダイン検出する時の周波数帯に自由度が得られる。
とミキシングし、ビート検出方法を実現するに必要な光
学的要素を同一基板上に集積化することにより、複雑な
アライメント等の必要がなくなる。また回折格子の回折
波長を制御することにより、送られてくる信号をヘテロ
ダイン検出する時の周波数帯に自由度が得られる。
図は本発明の一実施例における光集積回路の構成を示す
上面図である。 １……半導体基板、２……発光部、３……３次元光導波
路、４……２×２光スイッチ、5,7……光検出器、６…
…反射膜、８……３次元光導波路。
上面図である。 １……半導体基板、２……発光部、３……３次元光導波
路、４……２×２光スイッチ、5,7……光検出器、６…
…反射膜、８……３次元光導波路。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板に、一端が高反射率を有するよ
う構成されたストライプ状に発光する発光部と前記発光
部から発した光がなめらかにつながるように構成された
３次元光導波路と、前記３次元光導波路を１つの入力ポ
ートとするような２×２光スイッチが配置され、前記光
スイッチの出力ポートのうち一方が高反射率を有するも
ので終端し、他方は前記半導体基板の一端から入射した
受信光を導波し得る３次元光導波路と合流する形で前記
半導体基板上の一部に形成された第１の光検出器に導び
かれるように配置され、前記光スイッチの１つの入力ポ
ートが、前記半導体基板上の一部に形成された第２の光
検出器に接続されている光集積回路。 - 【請求項２】高反射率を有するものとして回折波長可変
の回折格子が配置されている特許請求の範囲第１項記載
の光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464487A JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15464487A JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318529A JPS63318529A (ja) | 1988-12-27 |
| JP2523650B2 true JP2523650B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15588726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15464487A Expired - Fee Related JP2523650B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523650B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006052A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and its constituents |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
| US5581643A (en) * | 1994-12-08 | 1996-12-03 | Northern Telecom Limited | Optical waveguide cross-point switch |
| JP4868827B2 (ja) | 2005-11-08 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | レーザ誘導光配線装置 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15464487A patent/JP2523650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63318529A (ja) | 1988-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9246596B2 (en) | Monolithic widely-tunable coherent receiver | |
| JP3672202B2 (ja) | 空間光伝送装置及び空間光伝送方法 | |
| JP3245932B2 (ja) | 光半導体装置、その駆動方法及びそれを用いた光伝送方式 | |
| US4888785A (en) | Miniature integrated optical beam splitter | |
| US20200067276A1 (en) | External cavity laser | |
| US4843609A (en) | Optical integrated circuit for heterodyne detection | |
| US7149381B2 (en) | Optical filtering device and method | |
| WO2001071866A1 (fr) | Module source de lumière | |
| US5471301A (en) | Optical fiber gyro | |
| CN110459956B (zh) | 一种窄线宽可调谐激光器 | |
| US20230131908A1 (en) | High power, narrow linewidth semiconductor laser system and method of fabrication | |
| JPH0327027A (ja) | 光増幅器 | |
| JP2523650B2 (ja) | 光集積回路 | |
| JPH02184827A (ja) | 光変調波復調装置 | |
| JPS63205611A (ja) | デユアルバランス型受光器 | |
| JP6610834B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
| CN112764008A (zh) | 一种激光雷达芯片 | |
| JPH06140717A (ja) | 外部共振器型半導体レーザ光源 | |
| JPH0821706B2 (ja) | 光集積回路 | |
| JPH1168233A (ja) | 可変波長レーザ光源 | |
| JP2527007B2 (ja) | 光機能素子 | |
| JP2518027B2 (ja) | 半導体レ―ザモジュ―ル | |
| JPH0218526A (ja) | 光伝送方式と光伝送装置 | |
| JPS5961822A (ja) | ホモダイン検波型光受光装置 | |
| JP2701611B2 (ja) | 同一波長双方向送受信モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |