JP2522110B2 - リ―ドの半田メッキ装置 - Google Patents
リ―ドの半田メッキ装置Info
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- JP2522110B2 JP2522110B2 JP2307577A JP30757790A JP2522110B2 JP 2522110 B2 JP2522110 B2 JP 2522110B2 JP 2307577 A JP2307577 A JP 2307577A JP 30757790 A JP30757790 A JP 30757790A JP 2522110 B2 JP2522110 B2 JP 2522110B2
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- Japan
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- lead
- leads
- solder plating
- semiconductor device
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、IC（半導体集積回路）等の半導体装置の
リード（端子）に半田メッキを施すリードの半田メッキ
装置に関する。
リード（端子）に半田メッキを施すリードの半田メッキ
装置に関する。
「従来の技術」 従来より、第３図に示すようなクワッドフラットパッ
ケージ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置をは
じめとする各種半導体装置には基板への半田付けの作業
の効率化を図るために、予め各リードに半田層を形成し
ている（例えば実開昭63−67261号公報参照）。
ケージ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置をは
じめとする各種半導体装置には基板への半田付けの作業
の効率化を図るために、予め各リードに半田層を形成し
ている（例えば実開昭63−67261号公報参照）。
第４図は上記従来技術を改善し、電気メッキにより半
田層を形成する改良技術のリードの半田メッキ装置の概
略構成を示す正断面図である。この図において、２はチ
タン材による陰極であり、略直方体状をなすと共に、そ
の上部は絶縁材によるカバー３によって覆われ、その下
部は半導体装置１の本体部1aに対応した形状の凹部が形
成されている。この凹部の周囲のチタン材が本体部1aの
４辺に配列した全てのリード1b,1b…の基部に当接する
ようになっている。４はPEEK材等の絶縁材による下受台
であり、その上部は中央部が除去されることにより、リ
ード1b,1b,…の各基部に当接する塀状部4a,4a,…が形成
されている。また、下受台４はその断面積が下部へ向か
う程小さくなるように側部にテーパが形成されている。
５は保持部材であり、下受台４のテーパ部と当接するす
り鉢状の凹部が形成されている。また、保持部材５の周
囲には陰極２と対向する位置に陽極６が設けられてい
る。
田層を形成する改良技術のリードの半田メッキ装置の概
略構成を示す正断面図である。この図において、２はチ
タン材による陰極であり、略直方体状をなすと共に、そ
の上部は絶縁材によるカバー３によって覆われ、その下
部は半導体装置１の本体部1aに対応した形状の凹部が形
成されている。この凹部の周囲のチタン材が本体部1aの
４辺に配列した全てのリード1b,1b…の基部に当接する
ようになっている。４はPEEK材等の絶縁材による下受台
であり、その上部は中央部が除去されることにより、リ
ード1b,1b,…の各基部に当接する塀状部4a,4a,…が形成
されている。また、下受台４はその断面積が下部へ向か
う程小さくなるように側部にテーパが形成されている。
５は保持部材であり、下受台４のテーパ部と当接するす
り鉢状の凹部が形成されている。また、保持部材５の周
囲には陰極２と対向する位置に陽極６が設けられてい
る。
この半田メッキ装置による半田メッキは次のようにし
て行なわれる。リードフォーミングの完了した半導体装
置は、下受台４に載せられ、その本体部1aの４辺の各リ
ード1b,1b…の基部が塀状部4a,4a,…によって下から支
えられる。次いで、陰極２が半導体装置１の上に載せら
れ、陰極２の下面凹部の周囲のチタン材と下受台４の塀
状部4a,4a,…によってリード1b,1b,…が挾まれる。そし
て、半導体装置１および陰極２の載置された下受台４が
保持部材４のすり鉢状部に収納され、リード1b,1b,…と
陽極６との間隔ｄがメッキ条件（電流値、メッキ液温
度、撹拌強さ、メッキ液成分、濃度等）に応じて定ま
る、数mm〜数十mmのうちの適切な値になるように、保持
部材５が適度に挾みつけられる。このようにして半導体
装置１の装着が完了し、この半田メッキ装置が半田メッ
キ液中に浸され、陰極２と陽極６に電流が流される。
て行なわれる。リードフォーミングの完了した半導体装
置は、下受台４に載せられ、その本体部1aの４辺の各リ
ード1b,1b…の基部が塀状部4a,4a,…によって下から支
えられる。次いで、陰極２が半導体装置１の上に載せら
れ、陰極２の下面凹部の周囲のチタン材と下受台４の塀
状部4a,4a,…によってリード1b,1b,…が挾まれる。そし
て、半導体装置１および陰極２の載置された下受台４が
保持部材４のすり鉢状部に収納され、リード1b,1b,…と
陽極６との間隔ｄがメッキ条件（電流値、メッキ液温
度、撹拌強さ、メッキ液成分、濃度等）に応じて定ま
る、数mm〜数十mmのうちの適切な値になるように、保持
部材５が適度に挾みつけられる。このようにして半導体
装置１の装着が完了し、この半田メッキ装置が半田メッ
キ液中に浸され、陰極２と陽極６に電流が流される。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の半田メッキ装置において
は、半導体装置１のリード1b,1b,…に半田メッキを行っ
た際に、各リード1b,1b,…の間にバリの成長等が生じた
り、また第５図に示すように陰極２に半田メッキ７が付
着し、これが各リード1b,1b,…間をブリッジしてしまう
という問題があった。また、第５図に示すように各リー
ド1b,1b,…の高さにバラツキにあるので、このバラツキ
によって一部のリード1b,1b,…に給電が行なわれなかっ
たり、また全てのリード1b,1b,…に給電が行われなかっ
たりして、メッキ不良が生じてしまうという問題もあっ
た。
は、半導体装置１のリード1b,1b,…に半田メッキを行っ
た際に、各リード1b,1b,…の間にバリの成長等が生じた
り、また第５図に示すように陰極２に半田メッキ７が付
着し、これが各リード1b,1b,…間をブリッジしてしまう
という問題があった。また、第５図に示すように各リー
ド1b,1b,…の高さにバラツキにあるので、このバラツキ
によって一部のリード1b,1b,…に給電が行なわれなかっ
たり、また全てのリード1b,1b,…に給電が行われなかっ
たりして、メッキ不良が生じてしまうという問題もあっ
た。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、半
導体装置の各リードへのメッキのバリの成長等や、リー
ド間にブリッジが生じなく、さらにメッキ不良を起こす
ことがないリードの半田メッキ装置を提供することを目
的としている。
導体装置の各リードへのメッキのバリの成長等や、リー
ド間にブリッジが生じなく、さらにメッキ不良を起こす
ことがないリードの半田メッキ装置を提供することを目
的としている。
「課題を解決するための手段」 この発明は、半導体装置の周囲に配設された複数のリ
ードに当接する陰極と、前記各リードから離間配設され
た陽極と、半田メッキ液とを具備し、前記半導体装置の
各リードに半田メッキを施すリードの半田メッキ装置に
おいて、前記陰極と前記各リードの基部との間に介挿さ
れ前記各リードを加圧する方向に耐して導電性を示す加
圧異方性導電材料からなる介挿部材を備えたことを特徴
とする。
ードに当接する陰極と、前記各リードから離間配設され
た陽極と、半田メッキ液とを具備し、前記半導体装置の
各リードに半田メッキを施すリードの半田メッキ装置に
おいて、前記陰極と前記各リードの基部との間に介挿さ
れ前記各リードを加圧する方向に耐して導電性を示す加
圧異方性導電材料からなる介挿部材を備えたことを特徴
とする。
「作用」 上記構成によれば、加圧異方性導電材料からなる介挿
部材を陰極と半導体装置の各リードの基部との間に介挿
することにより、各リードの高さのバラツキが吸収され
るので、給電不良が生じることがない。すなわち、加圧
異方性導電材料からなる介装部材には、導通状態となる
加圧力の下限値が存在し、各リードの高さに違いがあっ
ても、介装部材がその違いに応じて変形するので、全て
のリードを上記下限加圧力以上の加圧力で押圧するよう
働くのである。介装部材の弾性変形に着目したものであ
る。
部材を陰極と半導体装置の各リードの基部との間に介挿
することにより、各リードの高さのバラツキが吸収され
るので、給電不良が生じることがない。すなわち、加圧
異方性導電材料からなる介装部材には、導通状態となる
加圧力の下限値が存在し、各リードの高さに違いがあっ
ても、介装部材がその違いに応じて変形するので、全て
のリードを上記下限加圧力以上の加圧力で押圧するよう
働くのである。介装部材の弾性変形に着目したものであ
る。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例によるリードの半田メッ
キ装置の要部の概略構成を示す正断面図である。この図
に示すように、陰極２と半導体装置１のリード1b,1b,…
の基部との間に加圧異方性導電ゴム（加圧異方性導電材
料）10が介挿されている点が前述した第４図に示す従来
の装置と異なっている。なお、この加圧異方性導電ゴム
10以外の他の部分は共通している。この加圧異方性導電
ゴム10は加圧作用方向に対してのみ導電性を示す性質を
有するものであり、これを陰極２と半導体装置１のリー
ド1b,1b,…の基部との間に介挿して陰極２によるリード
1b,1b,…を押える方向に圧力を加えることにより、この
圧力方向に対して導電性を示す。この場合、第２図に示
すように、加圧異方性導電ゴム10の金属粒子パス12,12,
…の互いに接触する部分が導通状態になる。
キ装置の要部の概略構成を示す正断面図である。この図
に示すように、陰極２と半導体装置１のリード1b,1b,…
の基部との間に加圧異方性導電ゴム（加圧異方性導電材
料）10が介挿されている点が前述した第４図に示す従来
の装置と異なっている。なお、この加圧異方性導電ゴム
10以外の他の部分は共通している。この加圧異方性導電
ゴム10は加圧作用方向に対してのみ導電性を示す性質を
有するものであり、これを陰極２と半導体装置１のリー
ド1b,1b,…の基部との間に介挿して陰極２によるリード
1b,1b,…を押える方向に圧力を加えることにより、この
圧力方向に対して導電性を示す。この場合、第２図に示
すように、加圧異方性導電ゴム10の金属粒子パス12,12,
…の互いに接触する部分が導通状態になる。
このような加圧異方性導電ゴム10を陰極２と半導体装
置１のリード1b,1b,…の基部との間に介挿し、これを介
してリード1b,1b,…に圧力を加えると、第２図に示すよ
うに同ゴム10が押しつぶされ、その一部分10a,10a,…が
リード1b,1b,…の各間に押し出される。この押し出され
た一部分10a,10a,…がリード1b,1b,…の各間をシールす
るので、各リード1b,1b,…の間にメッキ液が浸透しな
い。これにより、各リード1b,1b,…の間にブリッジが生
ぜず、またバリの成長が生じない。また、加圧異方性導
電性ゴム10の陰極２とリード1bとによる加圧部のみが導
電性を示すので、各リード1b,1b,…の高さのバラツキを
吸収でき、給電不良が防止される。
置１のリード1b,1b,…の基部との間に介挿し、これを介
してリード1b,1b,…に圧力を加えると、第２図に示すよ
うに同ゴム10が押しつぶされ、その一部分10a,10a,…が
リード1b,1b,…の各間に押し出される。この押し出され
た一部分10a,10a,…がリード1b,1b,…の各間をシールす
るので、各リード1b,1b,…の間にメッキ液が浸透しな
い。これにより、各リード1b,1b,…の間にブリッジが生
ぜず、またバリの成長が生じない。また、加圧異方性導
電性ゴム10の陰極２とリード1bとによる加圧部のみが導
電性を示すので、各リード1b,1b,…の高さのバラツキを
吸収でき、給電不良が防止される。
「発明の効果」 以上説明したようにこの発明のリードの半田メッキ装
置によれば、陰極と半導体装置の各リードの基部との間
に加圧作用方向に対して導電性を示す加圧異方性導電材
料からなる介挿部材を設たので、介挿部材の加圧される
陰極とリードとの間のみ導電性を示すので、半導体装置
の各リードの高さのバラツキが吸収され、給電不良も生
じることがない。
置によれば、陰極と半導体装置の各リードの基部との間
に加圧作用方向に対して導電性を示す加圧異方性導電材
料からなる介挿部材を設たので、介挿部材の加圧される
陰極とリードとの間のみ導電性を示すので、半導体装置
の各リードの高さのバラツキが吸収され、給電不良も生
じることがない。
また、この介挿部材を介して各リードを加圧すること
により同部材が各リード間に押し出され、各リード間を
シールする。これにより、各リードの間へのメッキ液の
浸透が起こらない。また、メッキ液の浸透が起こらない
ことから各リード間でバリの成長も生じない。
により同部材が各リード間に押し出され、各リード間を
シールする。これにより、各リードの間へのメッキ液の
浸透が起こらない。また、メッキ液の浸透が起こらない
ことから各リード間でバリの成長も生じない。
第１図はこの発明の一実施例によるリードの半田メッキ
装置の要部の概略構成を示す正断面図、第２図は同要部
の一部拡大図、第３図はクワッドフラットパッケージタ
イプの半導体装置を示す斜視図、第４図は従来のリード
の半田メッキ装置の概略構成を示す正断面図、第５図は
同装置の一部拡大図である。 １……半導体装置、 ２……陰極、 1b,1b,………リード、 ４……下受台、 ６……陽極、 10……介挿部材。
装置の要部の概略構成を示す正断面図、第２図は同要部
の一部拡大図、第３図はクワッドフラットパッケージタ
イプの半導体装置を示す斜視図、第４図は従来のリード
の半田メッキ装置の概略構成を示す正断面図、第５図は
同装置の一部拡大図である。 １……半導体装置、 ２……陰極、 1b,1b,………リード、 ４……下受台、 ６……陽極、 10……介挿部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高林 正良 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株 式会社内 (72)発明者 前嶋 義久 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置の周囲に配設された複数のリー
ドに当接する陰極と、 前記各リードから離間配設された陽極と、 半田メッキ液と、 を具備し、前記半導体装置の各リードに半田メッキを施
すリードの半田メッキ装置において、 前記陰極と前記各リードの基部との間に介挿され前記各
リードを加圧する方向に対して導電性を示す加圧異方性
導電材料からなる介挿部材を備えたことを特徴とするリ
ードの半田メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307577A JP2522110B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | リ―ドの半田メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307577A JP2522110B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | リ―ドの半田メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179259A JPH04179259A (ja) | 1992-06-25 |
| JP2522110B2 true JP2522110B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=17970754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307577A Expired - Fee Related JP2522110B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | リ―ドの半田メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522110B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307577A patent/JP2522110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04179259A (ja) | 1992-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |