JP2520329B2

JP2520329B2 - 中心穴を有する磁石を受動的に調整する方法

Info

Publication number: JP2520329B2
Application number: JP2337011A
Authority: JP
Inventors: ビズハン・エヌエムエヌ・ドーリ; マーク・アーネスト・ヴアーミリア
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1989-12-04
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1996-07-31
Anticipated expiration: 2011-07-31
Also published as: IL96422A; EP0431848A3; US5045794A; JPH03235076A; EP0431848A2; CA2021619A1; IL96422A0

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気共鳴磁石の穴の内部における磁界の一
様性を最大にするために磁石内部の受動シムの場所と厚
さを決定する方法に関するものである。

〔従来の技術〕

磁気共鳴（MR）磁石においては、検査されている患者
の内部の水素核を分極させるために均一な磁界が用いら
れる。磁界の不均一性が走査される患者の内部の位置情
報を歪ませ、映像の質を劣化させる。化学シフト分光に
おいては、化学的にシフトされた周波数ピークはしばし
ば100万分の１の何分の１程度分離させられるだけなの
で、磁界の高い均一性が要求される。電磁石により非常
に一様な磁界を生じさせるためには、慎重に指定された
形に磁石を製造し、製造条件等の違いによる指定された
形からのずれを最小にするために努力することを必要と
する。しかし、磁石の諸特性が設計諸特性からずれた
り、磁石の付近に強磁性体が依存したりするために、そ
の結果として、希望のレベルの均一性を達成するために
は磁界を修正することが典型的に要求される。

磁界の一様性を向上させるために修正コイルが典型的
に用いられる。それらのコイルは異なる磁界形状を生ず
ることができる。それらの異なる磁界形状は、全体の磁
界の一様性が増大するよう不均一な主磁界を補正する目
的で、主磁界に重畳させることができる。そのようなコ
イルの多くの組が典型的には要求される。磁気共鳴映像
発生磁石技術の状態は独立した10〜20組の修正コイルを
有する。各修正コイルは専用の電源から修正電流を受け
る。修正コイルは抵抗を有するコイル、超電導コイル、
または両者を組合わせたコイルとすることができる。そ
れらのコイルを用いると磁石のコストが大幅に高くな
り、かつ磁石の構造が非常に複雑になる。

修正コイルの必要をなくす方法の１つは、最初に不均
一な磁界を映像発生のための均一仕様の磁界にするため
に鉄片だけを用いて、磁石に受動的なシムを設けること
である。鉄片は磁石の外部または磁石の穴の内部に置く
ことができる。鉄片を磁石の穴の内部に置く方法は、必
要な鉄の量を少なくでき、それにより磁石の寸法や重量
が減少するという利点を有する。そのような磁石装置
は、典型的な修正コイルの組合わせよりもはるかに安価
で、かつ信頼度が高い。そのようなシム法の実現におけ
る主な困難は、磁界を調整するために要求される鉄片を
置く場所と、鉄片の寸法を予測することにある。ある球
面状高調波磁界膨張のある項を生ずるために電磁コイル
が一般的に設計される。そのような設計の基準は、受動
的なシムに対しては次の２つの理由から困難となる。そ
の理由の１つは、鉄の内部における磁界の反転を指定す
ることができないことであり、別の理由は１つの高調波
磁界を生ずるために必要とする鉄片群の寸法が大きく、
かつ複雑なことである。シムの間の磁界の結合も事態を
複雑にする要因であるから、物理的に接近することが避
けられない大きな鉄片で調整を行うことが困難になる。

より優雅で、効率的な解決法は、磁界を修正するため
に戦略的な場所に置かれる多数の小さい鉄片を使用する
ことである。既に最適に近くされている撮像空間の部分
の近くでは小さい修正を加え、まだ最適状態の近くに至
っていない部分に大きい修正を加えるために鉄片を構成
できる。

この解決法における困難は、可能なシムの場所および
シム厚みを決定すべき数が多いために、場所と、シムの
厚さとを予測することが困難なことである。

いくつかのMR磁石製造者は、修正コイル単独では取り
扱うことができない形または大きさを有する磁界の形を
除く立場から、製造する磁石に受動的なシムを設けて、
磁石を修正コイルで調整できるようにすることを研究し
てきた。ある磁石製造者は、受動的に調整される、すな
わち、修正コイルを使用しない磁石装置を提供した。米
国特許第4,771,244号明細書には、受動シム最適化のた
めに線形最小自乗アルゴリズムを用いる方法が記載され
ている。いくつかの受動シムではそのアルゴリズムを用
いて成功しているが、「調整を行うことが困難な」場合
には、磁界の不均一性を許容レベル以下に減少させるこ
とはできない。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、MR磁石内部に一様な磁界を生ずる受
動シムの最適な場所と最適な厚さを決定することであ
る。

本発明の別の目的は、磁石内部に一様な磁界を発生さ
せるために、強磁性体片だけを用いてMR磁石を調整する
方法を得ることである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、中心穴を有する磁石を強磁性体のシ
ムを用いて調整する方法が得られる。磁石の中心穴内部
の磁界の強さを、所定数の点において測定する。測定し
た磁界の強さから磁界の不均一性を判定する。既知サイ
ズの１つのシムを磁石の中心穴の異なる所定位置に位置
させた時に生じる磁界を決定する。線形プログラミング
レゾルバを用いて、磁石の中心穴中でのシム位置および
シムのサイズを、磁界の不均一性およびシムの総量を最
小にするよう決定する。シムのサイズの決定は、磁石の
中心穴の内部の磁界の測定された強さと、磁石の中心穴
の所定数の位置に位置させられた１つのシムにより生成
される磁界とを基礎として、行われる。各シム位置のシ
ムのサイズを決定された値に調節する。シムを所定位置
に有する磁石の磁界を強さを、磁石の中心穴内部の所定
数の点において測定し、測定した磁界の強さから磁界の
不均一性を判定する。磁界の不均一性が希望の値より大
きければ、シムのサイズが再び決定され、シムがさらに
配設され、磁界の不均一性が希望の不均一性以下になる
まで、繰り返される。

〔実施例〕

全体的な最小のピーク対ピーク（peak to peak）不均
一性を達成するために、強磁性体シムを設ける場所と厚
さを予測するために、問題を線形プログラミング問題と
して定式化した。ここに、ピーク対ピーク不均一性は、
対象とする空間内で測定された最大の磁界と最小の磁界
の値の間の差である。線形プログラミング（線形計画
法）というのは、線形制約系を満たす値に変数が制限さ
れるような目的関数と呼ばれる線形方程式を最大または
最小にするための数学的な技法である。線形プログラミ
ング問題はいくつかの周知の技法により解くことができ
る。しかし、問題の定式化には、利用できる簡単な方法
または規制が無いような技法である。本発明において
は、目的関数は、使用するシムの総量プラス磁界の較差
（不均一性）を最小にするためのものである。制約は、
全体の磁界の平均値からの較差の半分以内に、あらゆる
測定点における磁界の値を抑えることを含む。全体の磁
界の平均値は、測定される磁界内の任意の場所における
磁界の最大値と最小値の和の半分である。目的関数が
（１）式に示されている。この式において、Ｎはシムの
場所の総数、Ｍは磁界を測定する場所の総数、X_iは場所
ｉにおけるシムの厚さ、Ａは重みづけ関数、Ｔは許容較
差Ｅを超えるピーク対ピーク磁界較差（磁界の最大値と
最小値との差）である。X_iとＴは未知の変数である。

目的関数（（１）式）は、式（２）と（３）における
制約を条件として、最小にする必要がある。式（２），
（３）は、あらゆる測定点における磁界の値を、全ての
点における磁界の強さの平均値から較差の半分以内に抑
える制約を課す。BMEANは、測定される磁界内の任意の
場所における最大磁界強さと最小磁界強さとの間の平均
値を表わす変数である。

上の式はＮ個のシムを取り扱うために立てられたもの
である。磁界は磁石の穴の内部のＭ個の点で測定される
磁界である。項ΔB_ijは、所定の寸法のシムｉによる、
ｊ点における磁界の強さの変化を表わす。この値は、シ
ムを所定数の場所に順次実際に位置させ、選択した各シ
ム場所に対して、Ｍ個の全ての点における磁界を測定す
ることにより決定できる。各シムに対して磁界が軸線方
向に決定されたとすると、他の各円周方向位置における
シムの作用を対称性を用いて見出すことができる。磁界
に対するシムの作用は別のやり方で決定できる。項BM_j
は磁石の穴の内部における磁界の値を表わす。

本発明の一実施例においては、300個所の可能なシム
場所と、314個の可能な測定される磁界の点がある。こ
の結果として、302個の変数と628個の制約の線形プログ
ラミング問題が生ずることになる。X_i,T,BMEANは未知の
変数であるが、全てのX_iが決定されるとＴとBMEANを決
定できるから、X_iだけが独立変数であって、ＴとBMEAN
は従属変数である。しかし、線形プログラミングの手法
はX_i,T,BMEANを同時に決定する。

302個の変数と628個の制約を有する線形プログラミン
グ問題は、任意の線形プログラミングアルゴリズムを用
いて解くことができる。しかし、線形プログラミング問
題を解くために用いられる係数マトリックス（制約内の
変数のほとんどは非零の係数を有する）が高密度である
ために、標準的な線形プログラミングアルゴリズムに対
しては計算時間が長くかかる。

式を検討すると、線形プログラムのフェーズ１とフェ
ーズ２を解く必要があることが示唆される。その理由
は、制約の中に、不等式条件で表わしたときに右辺が負
になるものが含まれるからである。フェーズ１は、基底
可能解を見出すか、可能解が存在しないことを判定する
ステップである。基底可能解は、全ての制約を満たす
が、目的関数を必ずしも最小にはしない解である。基底
可能解がひとたび決定されると、最適解がフェーズ２に
おいて決定される。

この線形プログラミング問題を双対形で表わすと、得
られる双対問題は628個の変数と302個の制約を有し、零
が可能な解であるからフェーズ２の問題だけを解く必要
があることになる。ｎ個の変数とｍ個の制約を有し、か
つ最小にすべき線形目的関数を有する線形プログラミン
グ問題（主問題）の双対問題は、ｍ個の変数と、ｎ個の
不等合と、最大にすべき線形目的関数を有する。不等合
の符号は元の系の符号とは逆である。また、式の右辺の
係数は他の系の目的関数の係数であり、主問題と双対問
題との一方における列が他方における行に対応し、また
は一方における行が他方における列に対応することを除
き、係数は両方の系（問題）において同じである。もち
ろん、２つの系のいずれかを主問題としてとることがで
き、そうすると他方を双対問題とすることができる。式
（１）〜（３）の双対（dual）形が式（５）〜（８）で
示されている。Ｙは、この特定の問題に関する限りは、
どのような物理的意味も持たない双対変数である。

主問題系と双対系の間の特定の関係のために、解の間
にも関係が存在する。線形プログラミング・アルゴリズ
ムは２つの線形プログラミング問題、すなわち、主問題
と双対問題、を同時に解く。この状況においては、線形
プログラミング問題はそれの双対問題にリフォームさ
れ、双対問題の双対解は元の主問題解を表わす。

シンプレックス法、改訂シンプレックス法、双対シン
プレックス法およびカーマーカ（Karmarkar）法のよう
な、線プログラミング問題を解くために多くの方法があ
る。改訂シンプレックス法はこの問題を解くための効率
的な方法である。というのは、ピポット演算中の多くの
計算を縦に対称の係数マトリックスに対して減少できる
からである。また、係数マトリックスを半分だけ格納す
ることにより、コンピュータ記憶装置を減少できる。

シムの場所と厚さとの決定に線形プログラミングを用
いるためには、磁石の穴の内部に存在する磁界を測定す
る必要がある。第１図には、磁石の冷却装置の真空容器
９の穴に直接設けられている12本のレールにより支持さ
れているシム６を担持する、軸線方向に延長する12個の
弧状の引出し部材５を示す。それらの引出し部材５は、
軸線方向での滑動により取り出し可能であり、それによ
り、各引出し部材５における25個所のシム位置に接近可
能できる。穴の中心の周囲に位置させられている物体の
内部の磁界は、穴の中から離れるにつれて不均一の程度
が増大するから、対象とする物体の周縁部だけを測定す
れば良い。対象とする物体の周縁部における不均一性が
減少すると、その物体の内部の不均一性は可能な限り小
さくなり、おそらく周縁部における不均一性より小さく
なる。１つの測定点列が第１図に示されており、穴の長
手軸に整列させられた長手軸を有する仮想円筒形物体を
含む。測定点は第１図に点13として示されている。測定
される物体の中心は穴の中心に一致する。これは長手軸
と円筒の中心線15との交点において生ずる。測定円筒の
長さは40cmで、直径は30cmである。直径が30cmの11個の
仮想円が円筒形物体に沿って隔てられる。各仮想円はそ
の円周に沿って等しい間隔で配置された24個の点を有す
る。直径が20cmの別の仮想円（そのうちの１つは示され
ていない）が、端の２個の円17のおのおのと同心円状に
配置される。直径20cmの円も円周に沿って等間隔に配置
された24個の点を有する。直径20cmの各円の中心に更に
２個の点21（１つの点は示されていない）が設けられる
から、点の総数は314個となる。

次に、本発明の方法の過程を示す流れ図が示されてい
る第２図を参照する。ブロック25においては、磁石の穴
の内部の磁界を描くために、各測定点において磁界を測
定する。次に、判定ブロック27において、314個の点の
全ての点の磁界の最高値と最低値との差として得られた
ピーク対ピーク磁界値を、希望のピーク対ピーク磁界値
と比較する。測定したピーク対ピーク磁界値が希望のピ
ーク対ピーク磁界値より高いと、シムを設ける場所とシ
ムの厚さの決定をブロック29で行う。シムを置く場所と
シムの厚さの決定においてブロック29において行う過程
を示す流れ図を第３図に示す。初めに第３図のブロック
31において、各測定点における磁界に対する各シムの個
々の作用についてのデータを必要とする。例えば約2.5m
m（100ミル）のような既知の厚さの１つのシムを、１つ
の引出し部材の各位置に順次位置させ、各シムについて
314個の点における磁界の強さを測定することにより、
上記データを決定できる。そうすると、他の各引出し部
材内の１個のシムの作用は対称性により決定できる。こ
れは１回だけおこなわれ、同じ設計の全ての磁石におい
て用いることができ、または、シムを用いる全ての磁石
に対して再び行うこともできる。シムの磁界に対する作
用を決定するために対称性に依存するのではなくて、各
シム場所に対して磁界を測定することもできる。あるい
は、314個の点における磁界の強さを決定するために有
限要素解析を実行できる。（１）式における重みづけ係
数Ａは、測定されたピーク対ピーク磁界値が大きけれ
ば、小さい値に選択され、ピーク対ピーク磁界値が希望
の値に近ければ、大きい値に選択される。重みづけ係数
は、最小にすべき目的関数中で、強調すべき部分を指定
する作用をする。重みづけ係数が小さいと、使用するシ
ムの総量を制限するよりもピーク対ピーク磁界値を最小
にする方がより重要な意味を持つことになる。重みづけ
係数が大きいと、シムの全体としての厚さを少し厚くす
ることが、磁界を一様することにとって一層重要な意味
を持つ。たとえば、重みづけ係数は30/ピーク対ピークP
PMに等しくセットできる。重みづけ係数は、磁界の不均
一性が高ければ小さくでき、磁界の不均一性が低ければ
大きくできる。シムの総量を減少できるように、磁界の
許容不均一性Ｅが提供される。Ｅが零に等しくセットさ
れたとすると、磁界の不均一性を更に低くするために付
加シム物質を必要とする。

磁界マップと、シムの配置できる各シム場所における
シムの作用を基にして双対の線形プログラミング問題が
ブロック33において構成される。式（５）〜（８）に示
されている式（１）〜（４）の双対問題（dual）を基に
して、双対問題がその目的関数、係数マトリックスおよ
び右辺とともにひとたび設定されると、ブロック35にお
いて線形プログラムソルバが呼び出される。双対問題の
双対解がブロック37において抽出されて、シムの場所
と、それらの各場所におけるシムの厚さを与える。ブロ
ック39においては、たとえば、切上げまたは切捨てによ
って不均一性が最低になるのであれば、シムの厚さは約
0.001mm（20分の１ミル）まで丸められる。シムの場所
と厚さがブロック41において第２図のブロック43へ供給
される。第２図を再び参照して、ブロック43において、
各引出し部材の適切な場所に適切な厚さのシムを置く。
メモリ要求が0.8MB以下であるポータブルPCでPSHIMコー
ドを実行できる。このコードの実行時間は約３〜20分間
である。

磁界を再びマップし（ブロック25）、シムと、ピーク
対ピークppm不均一性を再び決定する。磁界が希望のも
のより不均一性が高ければ（ブロック27）、ブロック29
において前記コードを再び実行する。希望の不均一性が
達成されると、この方法はブロック44において終わらさ
れる。ppm差が減少していると、シムの総量を最少にす
ることが以前におけるよりも重要になるので、重みづけ
係数は変えられる。しかし、較差はいぜんとして最小に
する必要がある。

ピーク対ピークppmが希望のレベルに近いと、結果磁
界と予測磁界の差を最小にするために、シムの増加は小
さくすべきである。線形プログラミング方程式は異なる
シムの間の相互作用をとらず、シムにより発生された磁
界はシムの厚さとともに直線的に変化する。それらの近
似により、とくに、シムの全体の厚さが小さい時に、正
確な結果が生ずる。

コードにより予測された付加を反映するためにシムが
設けられると、磁界は再びマップされる。ピーク対ピー
ク不均一性が仕様の範囲内にあれば、受け入れられるシ
ム形状が見出されたので、この方法は終わる。不均一性
がいぜんとして大きすぎると、コードを再び実行して、
付加シムを設けることができる。

第１図乃至第３図に示す実施例においては、ある場所
に加えられたシムは除去できない。また、ある１つの場
所においてはシムの厚さには制限はない。

第４図と第５図に示す本発明の別の実施例において
は、シムの最大厚さが定められ、シムを除去できるとと
もに、次にシムを再び設けることができる。（９）式に
示されている、用いられる目的関数と、初めの２つの制
約式（10），（11）は前の実施例におけるものと異なら
ない。付加制約が課され、それらの付加制約は式（12）
と（13）で示されている。

X_i≦_i（ｉ＝１〜Ｎに対して）（12） X_k≧−t_k（ｋは１〜Ｎのサブセットである）（13） X_e≧０（ｅ≠ｋで、ｅは１〜Ｎのサブセットである）
（14） X_kの符号は制約されず、ｋは１〜Ｎのサブセットである（15） BMEAN≧０（16）Ｔ≧０（17）式（12）は、全てのシムの厚さが、Ｎ個の各点におけ
る最大厚さS_i以下となることを示す。S_iの厚さは、以前
の反復により置かれた各場所に存在するシムの量（厚
さ）を減少することにより、減少させられる。ｋをＮの
サブセットとして、ｋ個の場所は、既に存在するシムの
量を減少できる場所である。X_kは、厚みを減少させる値
を示す場合に負値をとる。t_kは場所ｋに既に存在するシ
ムの厚さであり、式（13）は、除去されるシムの量が、
そこに既に存在する量より多くないことを検査する。X_e
は、シムの量が不変のまま、または増大しようとしてい
る場所を表わす。X_eとX_kの場所は相互に排他的であっ
て、X_eとX_kとでもってＮ個の場所を構成する。X_k場所は
符号が負なり得る唯一の場所である。302個の変数と928
〜1228個の制約が存在する。制約の数は、シムを減少す
べき場所の数に依存する。式（14），（15），（16），
（17）は真であるが、変数は通常は非負であるから主問
題の決定に用いられる制約ではない。式（９）〜（13）
により表わされる線形プログラミング問題は、変数X_kの
制約されない符号のために、修正なしでは解くことはで
きない。しかし、式（18）〜（22）で示されている双対
問題は、符号が制約されない変数を持たない。双対問題
の双対解は主問題の解である。

本発明のこの実施例の過程を示す流れ図が第４図と第
５図に示されている。前の実施例におけるように、磁界
をマップし（ブロック45）、磁界の不均一性を調べる
（ブロック47）。第５図に示す過程を用いてシムの場所
と厚さを決定する（ブロック49）。第５図のブロック51
において供給される入力データは、以前の値、すなわ
ち、任意のシム場所でシムの厚さが付加されて磁界がマ
ップされた時の値、および、最大許容厚さと同じであ
る。双対問題をブロック53において構成し、双対問題の
双対解を得る。

何れが最小の不均一性を与えるかにより決定される切
上げ、または切捨てを行う判定に従って、丸め手続きを
行う（ブロック61）。シムの場所と厚さを得る（ブロッ
ク63,65）。負の厚さは、減少すべき特定の場所におけ
るシムの厚さを示す。

決定された場所においてシムの厚さを調節し、再び磁
界をマップする（ブロック45）。ピーク対ピーク磁界pp
mがまだ希望のレベルにないとすると、磁石の穴の中の3
00個の各位置において、それまでにシムが存在している
場所とシムの厚さとによる効果が決定される。これは、
同じ設計の別の磁石に対して見出されたデータに依存す
ることよりも、非常に小さい不均一性の達成に役立つ。

シムの場所と厚さを調節して、磁界を再びマップす
る。希望の不均一性に達すると、この方法を終わる（ブ
ロック67）。

実施例においてシムの厚さを決定する代わりに、同じ
式を用いてシムの重さないし体積を決定できる。シムの
サイズの語を、厚さ，重さ，体積などの総称として使用
できる。

磁界の不均一性を大域的なピーク対ピーク不均一性で
測定した。平均または充たされた傾き不均一性のような
他の不均一性測定を代わりに最小にできる。

第２図と第３図に示す実施例を用いて、最初の不均一
性が300ppmピーク対ピークより大きい、ある数の0.5Tの
MR映像形成磁石の調整に成功した。全ての場合に、10pp
mより小さい不均一性を達成した。

以上、受動シムだけを用い、大域的なピーク対ピーク
磁界不均一性を最小にする磁石にシムを加える方法につ
いて説明した。

【図面の簡単な説明】

第１図はMR磁石と、磁界測定を行うその磁石の穴の内部
における仮想円筒格子との一部を切欠いて示す斜視図、
第２図は本発明に従って磁石に受動的に調整する方法の
過程を示す流れ図、第３図は本発明に従ってシムの量と
場所の決定を行う過程を詳しく示す流れ図、第４図は本
発明の別の実施例を示す流れ図、第５図は本発明に従っ
てシムの厚さと場所を決定する過程を詳しく示す流れ図
である。５…引出し部材、６…シム、９…真空容器。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】中心穴を有する磁石を受動的に調整する方
法であって、ａ）磁石の中心穴内部の磁界の強さを、所定数の点にお
いて測定する過程と、ｂ）測定した磁界の強さから磁界の不均一性を判定する
過程と、ｃ）既知サイズの１つのシムを磁石の中心穴の異なる所
定位置に位置させた時に生じる磁界を決定する過程と、ｄ）線形プログラミングレゾルバを用いて、磁界の不均
一性およびシムの総量を最小にするよう、磁石の中心穴
中でのシム位置およびシムのサイズを決定する過程と、ｅ）過程ｄ）で決定されたシム位置のシムのサイズを、
過程ｄ）で決定された値に調節する過程と、ｆ）シムを所定位置に有する磁石の磁界の強さを、磁石
の中心穴内部の所定数の点において測定する過程と、ｇ）測定した磁界の強さから磁界の不均一性を判定する
過程と、ｈ）磁界の不均一性を希望の値と比較する過程と、ｉ）磁界の不均一性が希望の不均一性以下になるまで、
過程d,e,f,g,hを繰り返す過程とを備え；ｊ）線形プログラミングレゾルバの使用にあたって、用
いるシムの総量の最小化だけでなく、シムのサイズの決
定が、磁石の中心穴の内部の磁界の測定された強さと、
磁石の中心穴の所定数の位置に位置させられた１つのシ
ムにより生成される磁界とを基礎として行われるよう、
線形プログラミングレゾルバを使用することを特徴とす
る、中心穴を有する磁石を受動的に調整する方法。
【請求項２】請求項１記載の方法において、シム位置お
よびシムのサイズを決定する過程は、磁界の不均一性が
小さくなるに伴って、不均一性の最小化に比べて、シム
の総量の最小化の方に重点が移るよう、不均一性の最小
化とシムの総量の最小化との間の相対的重要性が変化す
ること、を特徴とする方法。
【請求項３】請求項１記載の方法において、磁界の不均
一性は、全体的なピーク対ピークの磁界不均一性として
測定され、シム位置およびシムのサイズが決定されると
全体的なピーク対ピークの磁界不均一性が最小化される
こと、を特徴とする方法。
【請求項４】請求項１記載の方法において、シムのサイ
ズは、固定の長さおよび幅と、可変の厚さとによって定
まり、位置ごとに適切な厚さが決定されること、を特徴
とする方法。