JP2518969B2 - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はRE,Ba,Cuの酸化物からなる酸化物超電導体に
関し、特に、溶融法における一方向凝固法によって、よ
り広い範囲にわたって方位が制御された高臨界電流密度
のバルク材又は線材、及びその製造方法に関する。
関し、特に、溶融法における一方向凝固法によって、よ
り広い範囲にわたって方位が制御された高臨界電流密度
のバルク材又は線材、及びその製造方法に関する。
従来の金属系の超電導線材またはマグネット製造方法
は、大別して二つある。合金系材料では、主に金属の塑
性変形を利用して極細多芯線等に加工した後これをコイ
ルに巻くことによって超電導マグネットが作製される。
現在実用化になっているNb−Ti合金は、その最もよい例
である。これに対して合金系に比べて加工性の劣る金属
間化合物では、原料になる金属をある程度加工して線材
を作りこれをコイルに巻き、その後熱処理することによ
って超電導相を得、マグネット化する方法（表面拡散
法、ブロンズ法、in−situ法等）がとられる。また、酸
化物超電導材料においても、これらの金属系材料の線材
化を応用しての試みが報告されている（Jpn.J.Appl.Phy
s,Vol.26,No.5,1987,pp/L865−L866）。しかしこれらの
試みは、線内部の超電導相が多結晶体であり方位がバラ
バラで揃っていないため実用レベルには、程遠い状況に
ある。
は、大別して二つある。合金系材料では、主に金属の塑
性変形を利用して極細多芯線等に加工した後これをコイ
ルに巻くことによって超電導マグネットが作製される。
現在実用化になっているNb−Ti合金は、その最もよい例
である。これに対して合金系に比べて加工性の劣る金属
間化合物では、原料になる金属をある程度加工して線材
を作りこれをコイルに巻き、その後熱処理することによ
って超電導相を得、マグネット化する方法（表面拡散
法、ブロンズ法、in−situ法等）がとられる。また、酸
化物超電導材料においても、これらの金属系材料の線材
化を応用しての試みが報告されている（Jpn.J.Appl.Phy
s,Vol.26,No.5,1987,pp/L865−L866）。しかしこれらの
試みは、線内部の超電導相が多結晶体であり方位がバラ
バラで揃っていないため実用レベルには、程遠い状況に
ある。
酸化物超電導体の実用化には、溶融法などで作製した
高臨界電流密度の材料を長尺線あるいは、大面積のバル
ク材に成形する必要がある。しかしながらこの材料は、
単結晶状の組織であるために金属材料系で行なわれてい
た従来の方法で線引きしたり圧延した後熱処理して超電
導相を得ることはきわめて困難である。このように塑性
加工が困難な材料をマグネット化するためには、高磁場
でのJcの高い酸化物超電導体の長尺化あるいは、大面積
化が課題であり、本発明はこの課題にかんがみ、RE−Ba
−Cu−Ｏ系酸化物超電導体およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
高臨界電流密度の材料を長尺線あるいは、大面積のバル
ク材に成形する必要がある。しかしながらこの材料は、
単結晶状の組織であるために金属材料系で行なわれてい
た従来の方法で線引きしたり圧延した後熱処理して超電
導相を得ることはきわめて困難である。このように塑性
加工が困難な材料をマグネット化するためには、高磁場
でのJcの高い酸化物超電導体の長尺化あるいは、大面積
化が課題であり、本発明はこの課題にかんがみ、RE−Ba
−Cu−Ｏ系酸化物超電導体およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明は、RE（Ｙを含む希土類元素の１種類又はその
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体において、単結晶状の前記超電導体中に第
２図に示すような針状又は粒状のRE2BaCuO5が微細分散
した組織を有する板状又は線状の超電導体であり、かつ
方位差が20度以上の大傾角粒界がなく、さらに前記超電
導体のｃ軸が板状又は線状の超電導体の板面の法線に対
して±30度以内あるいは60度から120度の範囲で揃って
いることを特徴とする酸化物超電導体であり、又は前記
酸化物超電導体の集合体である。
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体において、単結晶状の前記超電導体中に第
２図に示すような針状又は粒状のRE2BaCuO5が微細分散
した組織を有する板状又は線状の超電導体であり、かつ
方位差が20度以上の大傾角粒界がなく、さらに前記超電
導体のｃ軸が板状又は線状の超電導体の板面の法線に対
して±30度以内あるいは60度から120度の範囲で揃って
いることを特徴とする酸化物超電導体であり、又は前記
酸化物超電導体の集合体である。
又、本発明は該酸化物超電導体を製造する方法であっ
て、前記RE,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固して成
形した板状又は線状の成形体を加熱し、２℃/cm以上の
温度勾配を有する1050〜910℃の温度領域を0.4cm/hr以
下の移動速度で移動し、単結晶状化させることを特徴と
する。又、前記RE,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固
して成形した板状又は線状の成形体を加熱炉中に固定し
て加熱し、前記加熱炉の温度勾配を２℃/cm以上とし、
前記温度勾配を維持しつつ加熱炉の温度を0.8℃/hr以下
の速度で低下させながら前記板状又は線状成形体内に10
50〜910℃の温度領域を0.4cm/hr以下の移動速度で通過
させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法であ
る。
て、前記RE,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固して成
形した板状又は線状の成形体を加熱し、２℃/cm以上の
温度勾配を有する1050〜910℃の温度領域を0.4cm/hr以
下の移動速度で移動し、単結晶状化させることを特徴と
する。又、前記RE,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固
して成形した板状又は線状の成形体を加熱炉中に固定し
て加熱し、前記加熱炉の温度勾配を２℃/cm以上とし、
前記温度勾配を維持しつつ加熱炉の温度を0.8℃/hr以下
の速度で低下させながら前記板状又は線状成形体内に10
50〜910℃の温度領域を0.4cm/hr以下の移動速度で通過
させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法であ
る。
上記製造方法において、1050〜910℃の温度領域で、R
E,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固して成形した板
状又は線状の成形体を連続挿入し成形体を半溶融状態に
おいて順次接合すること、あるいは1050〜910℃の温度
領域を通過させる時に、半溶融状態の成形体の低温側に
結晶方位が一定方向に配向したバルクを種結晶として接
触させることを特徴とする。かゝる方法により123相の
核生成を制御し、その成長端を安定化することにより前
述の特徴を有する酸化物超電導体を成形することができ
る。
E,Ba,Cu各元素を含む溶融体を急冷凝固して成形した板
状又は線状の成形体を連続挿入し成形体を半溶融状態に
おいて順次接合すること、あるいは1050〜910℃の温度
領域を通過させる時に、半溶融状態の成形体の低温側に
結晶方位が一定方向に配向したバルクを種結晶として接
触させることを特徴とする。かゝる方法により123相の
核生成を制御し、その成長端を安定化することにより前
述の特徴を有する酸化物超電導体を成形することができ
る。
第１図は、半溶融状態で重ねることによって方位を揃
えたまま試料を接合した場合の接合組織のスケッチ図で
あり、 第２図は、本発明に係る211相が分散した超電導体の
組織を示すものであり、123相の結晶方位が揃っている
状態を示す微細組織の顕微鏡写真であり、 第３図は、小傾角粒界で、双晶の方向がわずかに異な
っている状態を示す微細組織の顕微鏡写真であり、 第４図は、REBa2Cu3O7-yの結晶構造を示す説明図であ
り、 第５図は、板状マグネットとして用いたときの割れと
電流の流れを示す説明図であり、 第６図は、線材として用いたときの割れと電流の流れ
を示す説明図であり、 第７図は、板の法線とｃ軸とがほぼ一致した試料の結
晶構造の顕微鏡写真であり、 第８図（Ａ）は、40時間半溶融状態にした後超電導相
を成長させた試料の微細組織の顕微鏡写真であり、第８
図（Ｂ）は、40時間半溶融状態にした後炭酸バリウムを
添加して超電導相を成長させた試料の微細組織の顕微鏡
写真である。
えたまま試料を接合した場合の接合組織のスケッチ図で
あり、 第２図は、本発明に係る211相が分散した超電導体の
組織を示すものであり、123相の結晶方位が揃っている
状態を示す微細組織の顕微鏡写真であり、 第３図は、小傾角粒界で、双晶の方向がわずかに異な
っている状態を示す微細組織の顕微鏡写真であり、 第４図は、REBa2Cu3O7-yの結晶構造を示す説明図であ
り、 第５図は、板状マグネットとして用いたときの割れと
電流の流れを示す説明図であり、 第６図は、線材として用いたときの割れと電流の流れ
を示す説明図であり、 第７図は、板の法線とｃ軸とがほぼ一致した試料の結
晶構造の顕微鏡写真であり、 第８図（Ａ）は、40時間半溶融状態にした後超電導相
を成長させた試料の微細組織の顕微鏡写真であり、第８
図（Ｂ）は、40時間半溶融状態にした後炭酸バリウムを
添加して超電導相を成長させた試料の微細組織の顕微鏡
写真である。
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳
述する。
述する。
溶融法で作製したバルク材料は、比較的広い範囲（約
30mm3）で結晶方位が揃っているため粒内で高い臨界電
流密度を有している。しかし実際にこの材料を線材また
はマグネット化しようとする場合さらに広い領域にわた
って方位を揃える必要がある。
30mm3）で結晶方位が揃っているため粒内で高い臨界電
流密度を有している。しかし実際にこの材料を線材また
はマグネット化しようとする場合さらに広い領域にわた
って方位を揃える必要がある。
また、結晶内の粒界の角度に対するJcの依存性はＹ系
薄膜について4.2Kにおいて行なわれている（D.Dimos,P.
Chaudhari,J.Mannhart,and F.K.Legoues:Phy.Rev.Let
t）。彼らの実験結果は結晶方位のずれの大きさ、すな
わち傾向が大きい粒界ほどJcの低下が大きくなることを
示している。そこで結晶性の評価の目安として大傾角粒
界が少なく、50mm3以上の領域にわたって方位が揃って
いるとした。このような材料は高磁場下において高臨界
電流密度の酸化物超電導体のバルク材となる。
薄膜について4.2Kにおいて行なわれている（D.Dimos,P.
Chaudhari,J.Mannhart,and F.K.Legoues:Phy.Rev.Let
t）。彼らの実験結果は結晶方位のずれの大きさ、すな
わち傾向が大きい粒界ほどJcの低下が大きくなることを
示している。そこで結晶性の評価の目安として大傾角粒
界が少なく、50mm3以上の領域にわたって方位が揃って
いるとした。このような材料は高磁場下において高臨界
電流密度の酸化物超電導体のバルク材となる。
超電導相の結晶構造を第４図に示す。層状構造をとる
ためａ−ｂ面方向とｃ軸方向とでは、大きな異方性があ
る。このためａ−ｂ面と平行な方向に第３図の様なクラ
ックが入りやすい。したがって超電導電流をクラックの
影響を受けない方向に流す必要がある。板状のマグネッ
トとして応用する場合板の平面を第５図の様に電流を流
す必要がある。以上の理由から超電導体の結晶のｃ軸が
前記板状成形体の板面の法線に対して±30゜以内に揃っ
ていることが必要である。また第６図に示すような板状
の成形体から線状に切出された材料を用いる場合、同図
のように超電導電流を流す必要があるため、結晶のｃ軸
が前記板状成形体の板面の法線に対して60゜から120゜
の範囲で揃っていることが望ましい。
ためａ−ｂ面方向とｃ軸方向とでは、大きな異方性があ
る。このためａ−ｂ面と平行な方向に第３図の様なクラ
ックが入りやすい。したがって超電導電流をクラックの
影響を受けない方向に流す必要がある。板状のマグネッ
トとして応用する場合板の平面を第５図の様に電流を流
す必要がある。以上の理由から超電導体の結晶のｃ軸が
前記板状成形体の板面の法線に対して±30゜以内に揃っ
ていることが必要である。また第６図に示すような板状
の成形体から線状に切出された材料を用いる場合、同図
のように超電導電流を流す必要があるため、結晶のｃ軸
が前記板状成形体の板面の法線に対して60゜から120゜
の範囲で揃っていることが望ましい。
本発明の超電導体の結晶構造は、以上の要件を全て備
えている。
えている。
即ち、本発明の超電導体は第２図のように、REBa2Cu3
O7-y（123相）の結晶方位の揃った単結晶状の組織が50m
m3以上の広い範囲にわたって生成されている。しかし第
３図のように結晶方位は成長中にわずかにずれることが
あるが本発明の結晶はこのずれ角の小さい小傾角粒界で
あるので超電導電流を妨げない。
O7-y（123相）の結晶方位の揃った単結晶状の組織が50m
m3以上の広い範囲にわたって生成されている。しかし第
３図のように結晶方位は成長中にわずかにずれることが
あるが本発明の結晶はこのずれ角の小さい小傾角粒界で
あるので超電導電流を妨げない。
すなわち、本発明では方位差が20゜以上の大傾角粒界
の結晶粒はほとんどなく、しかも、RE2BaCuO5（211相）
が微細に分散しているので高い臨界電流密度を得ること
ができる。
の結晶粒はほとんどなく、しかも、RE2BaCuO5（211相）
が微細に分散しているので高い臨界電流密度を得ること
ができる。
更に又、本発明の結晶のＣ軸が、本発明の超電導体に
よって形成された板状又は線状の成形体の板面の法線に
対し、それぞれ±30゜以内又は60〜120゜の範囲で揃っ
ているので、クラックに影響されずに超電導電流を流す
ことができる。
よって形成された板状又は線状の成形体の板面の法線に
対し、それぞれ±30゜以内又は60〜120゜の範囲で揃っ
ているので、クラックに影響されずに超電導電流を流す
ことができる。
次に、かゝる超電導体を製造する方法について説明す
る。
る。
先ず、REBaCuOの粉末を溶融して、RE2O3,CuO及びBaCu
O2等の酸化物を含む溶融体を製造し、次いで、該溶融体
を銅板又は冷却ロール等によって急冷して板状又は線状
の成形体を造る。
O2等の酸化物を含む溶融体を製造し、次いで、該溶融体
を銅板又は冷却ロール等によって急冷して板状又は線状
の成形体を造る。
次に、上記成形体を、酸化性雰囲気中で1050〜910℃
の温度域を２℃/cm以上の温度勾配が付くように温度制
御した加熱炉内に挿入し、0.4cm/hr以下の速度で移動し
て、加熱したあと炉外へ取出す。
の温度域を２℃/cm以上の温度勾配が付くように温度制
御した加熱炉内に挿入し、0.4cm/hr以下の速度で移動し
て、加熱したあと炉外へ取出す。
上記成形体が上記の熱処理条件で加熱されると、該成
形体中のマトリックスの123相の核が２℃以上の温度勾
配中で0.4cm/hr以下の速度で成長せしめられる。温度領
域を1050〜910℃に限定したのはこの温度領域が、123相
が酸素雰囲気中で生成し始める温度領域であるからであ
り、温度勾配を２℃/cm以上としたのは２℃/cm未満であ
ると核成長端よりも高温側で核生成が起きる確率が大き
くなり結晶性が悪くなるからである。また成形体の移動
速度を0.4cm/hr以下に限定したのは、比較的成長速度の
大きいａ−ｂ面に平行な方位の最大成長速度がほぼ0.4c
m/hrであるからである。
形体中のマトリックスの123相の核が２℃以上の温度勾
配中で0.4cm/hr以下の速度で成長せしめられる。温度領
域を1050〜910℃に限定したのはこの温度領域が、123相
が酸素雰囲気中で生成し始める温度領域であるからであ
り、温度勾配を２℃/cm以上としたのは２℃/cm未満であ
ると核成長端よりも高温側で核生成が起きる確率が大き
くなり結晶性が悪くなるからである。また成形体の移動
速度を0.4cm/hr以下に限定したのは、比較的成長速度の
大きいａ−ｂ面に平行な方位の最大成長速度がほぼ0.4c
m/hrであるからである。
炉外へ取出された成形体は徐冷又は引抜かれて、REBa
2Cu3O7-y（123相）が一方向に凝固され、広い領域また
は長尺の範囲において方位の揃った単結晶状の組織の高
臨界電流密度のバルク材又は線材が得られる。
2Cu3O7-y（123相）が一方向に凝固され、広い領域また
は長尺の範囲において方位の揃った単結晶状の組織の高
臨界電流密度のバルク材又は線材が得られる。
また、上記製造方法の他の例として、次のような熱処
理法を施してもよい。
理法を施してもよい。
加熱炉の中心部を1050℃以上の温度に加熱し、炉出側
に向って２℃/cmの温度勾配をつけるように炉出側の温
度を低くする。このような状態の炉内に前記成形体を、
その先端部が1050〜910℃の温度域に入るように設置す
る。該成形体先端部に123相の核が発生した段階で上記
温度勾配を維持しつゝ加熱温度を0.8℃/hr以下の速度で
低下する。これにより、前記成形体の内部を1050〜910
℃の温度域が0.4cm/hr以下の速度で通過することにな
り、この結果、前記成形体内に123相が0.4cm/hr以下の
速度で成長し、該成形体後端部まで単結晶の組織を生成
することができる。
に向って２℃/cmの温度勾配をつけるように炉出側の温
度を低くする。このような状態の炉内に前記成形体を、
その先端部が1050〜910℃の温度域に入るように設置す
る。該成形体先端部に123相の核が発生した段階で上記
温度勾配を維持しつゝ加熱温度を0.8℃/hr以下の速度で
低下する。これにより、前記成形体の内部を1050〜910
℃の温度域が0.4cm/hr以下の速度で通過することにな
り、この結果、前記成形体内に123相が0.4cm/hr以下の
速度で成長し、該成形体後端部まで単結晶の組織を生成
することができる。
なお、上記の製造方法ではバルクまたは線材の長さは
加熱炉の大きさによって制限される。その理由は加熱炉
より長い成形体を入れて移動した場合、炉の入側で成形
体が室温から炉温まで昇熱する段階で成形体の組成RE2O
3,CuOとBaCuO2が反応し直接123相ができる温度領域があ
るからである。また長い炉を用いた場合でも、123相の
成長速度が4mm/hr以下ときわめて遅いため成形体は長時
間、半溶融状態になければならなくなり、支持材との反
応や組成の偏在が進みやすく組織コントロールがむずか
しくなる。
加熱炉の大きさによって制限される。その理由は加熱炉
より長い成形体を入れて移動した場合、炉の入側で成形
体が室温から炉温まで昇熱する段階で成形体の組成RE2O
3,CuOとBaCuO2が反応し直接123相ができる温度領域があ
るからである。また長い炉を用いた場合でも、123相の
成長速度が4mm/hr以下ときわめて遅いため成形体は長時
間、半溶融状態になければならなくなり、支持材との反
応や組成の偏在が進みやすく組織コントロールがむずか
しくなる。
そこで、短い成形体を逐次炉内に挿入し、半溶融状態
で成形体を接触させて接合するようにすれば、比較的短
い炉を用いても本発明の超電導体を造ることができる。
即ち、成形体が半溶融状態（固相の針状RE2BaCuO5（211
相）に液相のBa,Cu酸化物が染み込んだ状態）にある
と、かゝる成形体を接触するだけで液相が染み込み、12
3相が連続的に成長し、容易に接合できるのである。そ
のため成形体を長時間高温にさらさずにすみ、組成の偏
在が少なく結晶性のよい大面積のバルク材が得られる。
この方法により、例えば第１図のように連続的にバルク
材を製造することができる。
で成形体を接触させて接合するようにすれば、比較的短
い炉を用いても本発明の超電導体を造ることができる。
即ち、成形体が半溶融状態（固相の針状RE2BaCuO5（211
相）に液相のBa,Cu酸化物が染み込んだ状態）にある
と、かゝる成形体を接触するだけで液相が染み込み、12
3相が連続的に成長し、容易に接合できるのである。そ
のため成形体を長時間高温にさらさずにすみ、組成の偏
在が少なく結晶性のよい大面積のバルク材が得られる。
この方法により、例えば第１図のように連続的にバルク
材を製造することができる。
また、本発明のように、溶融法により作製したバルク
材料はａ−ｂ平面と平行な方向にクラックが比較的入り
やすい性質がある。そのため、ａ−ｂ面と超電導電流が
流れる方向とが平行になるように方位を制御することが
必要である。すなわち板状マグネットおよび線材を考え
た場合、第5,6図のように板状バルク材の面がａ−ｂ面
とほぼ平行または垂直になるようにすることが必要であ
る。
材料はａ−ｂ平面と平行な方向にクラックが比較的入り
やすい性質がある。そのため、ａ−ｂ面と超電導電流が
流れる方向とが平行になるように方位を制御することが
必要である。すなわち板状マグネットおよび線材を考え
た場合、第5,6図のように板状バルク材の面がａ−ｂ面
とほぼ平行または垂直になるようにすることが必要であ
る。
そこで、本発明の効果を一層発揮するため、方位が判
っている種結晶を用いて結晶方位を更に制御する。
っている種結晶を用いて結晶方位を更に制御する。
すなわち、かゝる種結晶を123相が生成する温度に近
い半溶融状態の成形体に接触させると、種結晶から123
相の成長が始まり、成形体の結晶方位を厳密に制御する
ことができる。
い半溶融状態の成形体に接触させると、種結晶から123
相の成長が始まり、成形体の結晶方位を厳密に制御する
ことができる。
また、超電導相の一方向成長を安定して行なわしめる
ために、半溶融状態の成形体にBa,Cuを含む物質を添加
して液相成分の組成を制御してもよい。
ために、半溶融状態の成形体にBa,Cuを含む物質を添加
して液相成分の組成を制御してもよい。
すなわち、成形体は長時間半溶融状態にあると、成形
体の支持材（白金、アルミナ等）と成形体の液相成分と
の反応により液相成分の組成がずれてしまう。この組成
ずれを補うため、本発明では予め成形体の上にBa,Cu元
素を含む物質を加えた後熱処理するか、又は、熱処理中
にBa,Cu元素を含む物質を添加して液相成分の組成を制
御し、超電導相の成長を安定して行なわしめるのであ
る。
体の支持材（白金、アルミナ等）と成形体の液相成分と
の反応により液相成分の組成がずれてしまう。この組成
ずれを補うため、本発明では予め成形体の上にBa,Cu元
素を含む物質を加えた後熱処理するか、又は、熱処理中
にBa,Cu元素を含む物質を添加して液相成分の組成を制
御し、超電導相の成長を安定して行なわしめるのであ
る。
実施例１ YBaCuOの粉末を1450℃で５分間加熱溶融した後銅板に
より急冷し、厚さ1.5mmの成形体を作成した。この成形
体を長さ4cm、幅2cmに切り出し、これを1100℃で再加熱
し10分保持した後成形体の端が1000℃まで降温し、その
後15℃/cmの温度勾配中で0.5mm/hrの速度で成形体を移
動し結晶成長終了後に炉内で徐冷することによって一方
向凝固を行なった。その結果、第２図の様に広い領域
（60mm3）にわたって単結晶状のバルク材料を得ること
ができた。
より急冷し、厚さ1.5mmの成形体を作成した。この成形
体を長さ4cm、幅2cmに切り出し、これを1100℃で再加熱
し10分保持した後成形体の端が1000℃まで降温し、その
後15℃/cmの温度勾配中で0.5mm/hrの速度で成形体を移
動し結晶成長終了後に炉内で徐冷することによって一方
向凝固を行なった。その結果、第２図の様に広い領域
（60mm3）にわたって単結晶状のバルク材料を得ること
ができた。
実施例２ 炉内で半溶融状態において逐次成形体を重ねた後、実
施例１の条件で一方向凝固を行なった。第１図に接合部
の組織を示す。接合部でも123相の方位が揃っているこ
とが分かる。
施例１の条件で一方向凝固を行なった。第１図に接合部
の組織を示す。接合部でも123相の方位が揃っているこ
とが分かる。
第７図にａ−ｂ面と板状バルク材の面とがほぼ一致し
た材料を示す。双晶の方向がほぼ直角に交わっているこ
とから、上記のことが確認できる。
た材料を示す。双晶の方向がほぼ直角に交わっているこ
とから、上記のことが確認できる。
実施例３ 第８図（Ａ），（Ｂ）にそれぞれ40時間半溶融状態に
した後何も添加せずに実施例１の条件で超電導相を成長
させた試料と、炭酸バリウムを添加した後実施例１の条
件で成長させた試料の微細組織を示す。無添加の試料は
半溶融状態に長時間保定されていたので、液相中のBaが
支持材と反応して不足したために、同図（Ａ）のように
超電導相の組織が乱れており、123相の方位の揃った結
晶が安定して成長しなかった。これに対しBaを添加した
試料は第８図（Ｂ）のように一方向成長が安定して起き
ていることがわかる。
した後何も添加せずに実施例１の条件で超電導相を成長
させた試料と、炭酸バリウムを添加した後実施例１の条
件で成長させた試料の微細組織を示す。無添加の試料は
半溶融状態に長時間保定されていたので、液相中のBaが
支持材と反応して不足したために、同図（Ａ）のように
超電導相の組織が乱れており、123相の方位の揃った結
晶が安定して成長しなかった。これに対しBaを添加した
試料は第８図（Ｂ）のように一方向成長が安定して起き
ていることがわかる。
実施例４ Y,Gd,Sm,Dy,Ndについて第１表の割合で混合し、さら
にRE:Ba:Cuが1:2:3となるようにBa,Cu化合物を混合し
た。これを1450℃で加熱溶融した後、クエンチし、厚さ
1mmの成形体を作成した。これら成形体の組織はＹ系と
ほぼ同様の組織のものと、針状に発達した組織が混ざっ
たものとに大別された。
にRE:Ba:Cuが1:2:3となるようにBa,Cu化合物を混合し
た。これを1450℃で加熱溶融した後、クエンチし、厚さ
1mmの成形体を作成した。これら成形体の組織はＹ系と
ほぼ同様の組織のものと、針状に発達した組織が混ざっ
たものとに大別された。
これらを1100℃で５分保持した後、1100℃から950℃
の温度域を15℃/cmの温度勾配で１℃/hrで炉の温度を低
下させることにより成長速度を0.07cm/hrで結晶成長さ
せた。その後、600℃で８時間酵素雰囲気中で処理を行
なった。その結果、Ｙ系同様211相が微細に分散した組
織が得られた。これら試料のJcを磁化曲線から評価し第
１表に示した。Ｙ系同様77K,1Tで104A/cm2程度の高い特
性が得られた。
の温度域を15℃/cmの温度勾配で１℃/hrで炉の温度を低
下させることにより成長速度を0.07cm/hrで結晶成長さ
せた。その後、600℃で８時間酵素雰囲気中で処理を行
なった。その結果、Ｙ系同様211相が微細に分散した組
織が得られた。これら試料のJcを磁化曲線から評価し第
１表に示した。Ｙ系同様77K,1Tで104A/cm2程度の高い特
性が得られた。
以上詳述したごとく本発明は、これまで不可能であっ
た高臨界電流密度のバルク材の大面積化または線材の長
尺化および結晶方位制御を可能にするもので、各分野で
の応用が可能でありきわめて工業的効果が大きい。具体
例としては、 超電導線材 これらの方法により高臨界電流密度の線材ができ長距
離送電線としても使用可能である。
た高臨界電流密度のバルク材の大面積化または線材の長
尺化および結晶方位制御を可能にするもので、各分野で
の応用が可能でありきわめて工業的効果が大きい。具体
例としては、 超電導線材 これらの方法により高臨界電流密度の線材ができ長距
離送電線としても使用可能である。
超電導コイル これらの方法により高磁場発生用のマグネットが容易
にできる。
にできる。
超電導シールド材 大型の板状バルク材はマグネット、シールド材として
も有効である。
も有効である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 昭一 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新 日本製鐵株式会社 第１技術研究所内 (56)参考文献 特開 平２−153803（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−153891（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−204358（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−204322（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ．52 （24）ｐ．2074−６
Claims (7)
- 【請求項１】RE（Ｙを含む希土類元素の１種類又はその
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体において、単結晶状の前記超電導体中にRE
2BaCuO5が微細分散した組織を有する板状又は線状の超
電導体であり、かつ方位差が20度以上の大傾角粒界がな
く、さらに前記超電導体のｃ軸が前記超電導体の板面の
法線に対して±30度以内の範囲で揃っていることを特徴
とする酸化物超電導体。 - 【請求項２】RE（Ｙを含む希土類元素の１種類又はその
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体において、単結晶状の前記超電導体中にRE
2BaCuO5が微細分散した組織を有する板状又は線状の超
電導体であり、かつ方位差が20度以上の大傾角粒界がな
く、さらに前記超電導体のｃ軸が前記超電導体の板面の
法線に対して60度から120度の範囲で揃っていることを
特徴とする酸化物超電導体。 - 【請求項３】前記超電導体を集合体とした請求の範囲１
又は２記載の酸化物超電導体。 - 【請求項４】RE（Ｙを含む希土類元素の１種類又はその
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体を製造する方法において、RE,Ba,Cuの各元
素を含む溶融体を急冷凝固して成形した板状もしくは線
状の成形体を加熱して半溶融状態にし、かゝる状態の成
形体を２℃/cm以上の温度勾配を有する1050〜910℃の温
度領域を0.4cm/hr以下の移動速度で移動し、単結晶状化
させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項５】RE（Ｙを含む希土類元素の１種類又はその
組み合わせ）、Ba,Cuの酸化物からなるREBa2Cu3O7-y酸
化物超電導体を製造する方法において、RE,Ba,Cuの各元
素を含む溶融体を急冷凝固して成形した板状もしくは線
状の成形体を加熱炉中に固定し、加熱して半溶融状態に
し、次いで前記加熱炉の温度勾配を２℃/cm以上とし、
前記温度勾配を維持しつつ加熱炉の温度を0.8℃/hr以下
の速度で低下させながら前記成形体内に1050〜910℃の
温度領域を0.4cm/hr以下の移動速度で通過させることを
特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項６】RE,Ba,Cuの各元素を含む溶融体を急冷凝固
して成形した板状もしくは線状の成形体を前記1050〜91
0℃の温度領域に連続挿入して半溶融状態にし、かゝる
状態において順次接合する請求の範囲４または５記載の
酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項７】前記成形体を1050〜910℃の温度領域に通
過させる時に、半溶融状態の成形体の低温側に結晶方位
が一定方向に配向したバルクを種結晶として接触させる
請求の範囲４または５記載の酸化物超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2506698A JP2518969B2 (ja) | 1989-05-02 | 1990-05-02 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-111982 | 1989-05-02 | ||
| JP11198289 | 1989-05-02 | ||
| JP1-240658 | 1989-09-19 | ||
| JP24065889 | 1989-09-19 | ||
| JP2506698A JP2518969B2 (ja) | 1989-05-02 | 1990-05-02 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2518969B2 true JP2518969B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=27312148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2506698A Expired - Lifetime JP2518969B2 (ja) | 1989-05-02 | 1990-05-02 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518969B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153891A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-13 | Hitachi Ltd | 分解溶融組成結晶体の製造方法 |
| JPH02204358A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Kyocera Corp | 酸化物超電導体及びその製法 |
| JPH02204322A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Asahi Glass Co Ltd | 新規な組織を有する酸化物超電導体の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2506698A patent/JP2518969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153891A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-13 | Hitachi Ltd | 分解溶融組成結晶体の製造方法 |
| JPH02204358A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Kyocera Corp | 酸化物超電導体及びその製法 |
| JPH02204322A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-14 | Asahi Glass Co Ltd | 新規な組織を有する酸化物超電導体の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ．５２（２４）ｐ．２０７４−６ |
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