JP2515567B2 - 記録方法 - Google Patents

記録方法

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JP2515567B2
JP2515567B2 JP62318929A JP31892987A JP2515567B2 JP 2515567 B2 JP2515567 B2 JP 2515567B2 JP 62318929 A JP62318929 A JP 62318929A JP 31892987 A JP31892987 A JP 31892987A JP 2515567 B2 JP2515567 B2 JP 2515567B2
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liquid crystal
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、消去可能な書き換え型の記録方式において
連続的多値記録を行う方法に関する。
[従来の技術] 従来の書き換え可能な記録方式として無機系材料を用
いたものでは、磁性材料の磁気光学特性を利用した光磁
気方式,カルコゲン化物薄膜のアモルファス−結晶間の
可逆的相転移を用いた相転移方式およびアモルファス相
温度領域内での構造変化を用いた方式が知られている。
また有機材料系では、フォトクロミック材料によるフォ
トンモードの記録方式や高分子液晶の均一配向状態と無
配向状態の光反射率変化を利用した方式等が知られてい
る。
近年ではより高密度の情報記録方式が求められてお
り、記録密度を向上させる方式のひとつとして記録スポ
ットに多値の状態を与える多値的情報記録方式を挙げる
ことができる。この多値的情報記録方式としてコレステ
リック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるかあるい
は無配向状態のピット形成によって光反射率を多値的に
変化せしめる方式が提案されている(特開昭62−107448
号公報,同昭62−12937号公報)。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、光磁気記録方式であればスピンの反転を利用
して、スピンの反転にともなうカー効果・ファラデー効
果による偏光面の回転を検出することで記録状態を読み
出しており、その回転角は1°以下と小さいため、ダイ
ナミックレンジの広い多値化を行うことは困難である。
また相変化記録方式においては、アモルファス状態と液
晶状態を選択する相転移温度は領域がせまく、温度によ
って多値化を行うことは困難である。
これに対して高分子液晶を用いた多値記録の方法とし
ては特開昭62−107448号公報に示されるような照射エネ
ルギー密度によってコレステリック高分子液晶のラセン
ピック長又はラセン軸の傾き、配向状態を制御する方法
が示されている。また、特開昭62−12937号公報に示さ
れるような照射エネルギーに更に電場・磁場を印加し、
しかもその方向を制御することで多値化することが開示
されている。
しかしながら、前記の多値化の試みではダイナミック
レンジが十分とれないことや多値化のための書き込み装
置が複雑になることの他、多値化した場合に書き込みの
ための照射エネルギーや電場・磁場の強度・異方性と読
み取り光量が直線的な関係にないことなどの欠点があっ
た。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であって、高分子液晶からなる記憶層を有する記憶媒体
を用いて記録を行う記録方法において、前記高分子液晶
の液晶化度を制御して、記録部を形成し、該記録部分と
非記録部分の液晶化度の差により記録を行うことを特徴
とするものである。
本発明における液晶化度とは、高分子液晶マトリック
スにおいて液晶としての秩序を有している部分の割合で
ある。
(下記式(1)〜(13)中、15>n≧1である。) (下記式(14)〜(17)中、p=5〜1000,p1+p2=5
〜1000,q=1〜16,q1=1〜16,q2=1〜16である。) (下記式(18)〜(46)中、*は不斉炭素中心を示し、
n=5〜1000である。) 前記高分子液晶は単独で用いても、2種以上を組み合
わせてもよい。
使用される高分子液晶組成物の記録状態もしくは非記
録状態は偏光顕微鏡にてクロスニコルで観察した場合に
異方性がなく、高分子液晶組成物サンプルを回転しても
透過光量に変化がないことが望ましい。また記録状態も
しくは非記録状態は階調のダイナミックレンジを拡げる
ために液晶化部が出来るだけ少ないことが望ましく、等
方相ガラス状態で用いることがより好ましい。
良好な記録層を得るためには、溶媒に溶解した高分子
液晶溶液をバーコート,スピンコート,ディッピング等
によって基板に塗布し乾燥して得られる。もしくは、得
られた高分子液晶膜を等方相以上に加熱し、急冷するこ
とによっても良好な状態が得られる。
等方相ガラス状態を非記録状態として高分子液晶記録
媒体へ連続階調書き込みを行うためには、記録ピットを
高分子液晶のガラス転移点以上で等方相転移点以下の温
度に保ち、液晶化時間を制御することを行う。ガラス転
移点以下では液晶化速度が小さすぎるために実用的でな
く、等方相転移点以上では液晶化しないために用いるこ
とが出来ない。また、非記録状態として液晶相を用いる
場合は記録ピットを等方相転移点以上の温度に保ち、相
転移時間を制御することを行なう。等方相転移温度に分
布がある場合には温度を制御することによっても同様に
液晶化度を制御することが可能である。発熱体ヘッドに
より液晶化度を制御して記録媒体へ書き込むためには、
ヘッドに流れる電流を制御するとともにパルスの電圧,
長さデューテイ比,等を制御する。
光照射によって書き込む場合は該書き込み光に吸収を
有する光吸収層,もしくは顔料,色素を添加する必要が
ある。
そのような目的で使用できる色素としては次のような
ものがある。
上述のように、発熱体ヘッド又は書き込み光の変調に
よって液晶化度の制御を行い、記録部分の光学濃度を連
続的に変化させ(具体的には後述の第2図)、これによ
り連続階調記録が可能となる。
以下、実用例により本発明の方法をより具体的に説明
する。
[実施例] 実施例1 第1図に半導体レーザーを用いた本発明の記録方法を
行う、書き込み・読み取り装置の例を示す。
830nm半導体レーザー1を偏光ビームスプリッター2,1
/4波長板3を通して円偏光とした後、対物レンズ4にて
記録媒体5上へ焦点を合わせた。図中、9は検出器を示
す。ここで記録媒体5は、ガラス基板6に下記高分子液
をシクロヘキサノンにて10wt%に溶解した後、下記近赤
外吸収色素 を上記高分子に対して1wt%加え、バーコーターによっ
て均一に塗布・乾燥して高分子液晶7を形成し、更にア
ルミニウム反射層7を蒸着することにより作製した。
この状態で高分子液晶7bは透明であり、反射率は約40
%であった。
また、上記の記録媒体に5mWにてレーザー光を照射
し、その時の反射率の変化を第2図に示した。反射率24
〜40%の間で、反射率はレーザー照射時間とほぼ比例し
ている。
実施例2 第3図に発熱体ヘッドを用いた本発明の記録方法を行
う、書き込み装置の例を示す。
基板16に高分子液晶(実施例1と同じもの)をシクロ
ヘキサノンにて20wt%に溶解した後、バーコーターによ
って均一に塗布した。乾燥後アルミニウム反射層18を蒸
着することで作製した。
発熱体ヘッド12を反射層18に接近もしくは接触させ10
0KHzの5V短形波で駆動したところ、反射率は90%から40
%まで30secで変化した。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の記録方法によって使用エ
ネルギーに対して直線性のよい、ダイナミックレンジの
大きな連続階調記録が行なえる。しかも、書き込み、読
み取り系とも簡便な装置でよく、十分な性能が得られ
る。
さらに本発明においては書き換えが可能であり、ディ
スプレイとしても使用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体レーザーを用いた本発明の記録方法を行
う書き込み・読み取り装置の例を示す図であり、第2図
は反射率とレーザー照射時間との関係を示すグラフであ
り、第3図は発熱体ヘッドを用いた本発明の記録方法を
行う書き込み装置の例を示す図である。 5,15……記憶媒体、6,16……基板 7,17……記憶層、8,18……反射層

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高分子液晶からなる記憶層を有する記憶媒
    体を用いて記録を行う記録方法において、前記記憶層に
    記録部分と非記録部分を形成し、前記高分子液晶の液晶
    化度を制御して、記録部分の光学濃度を連続的に変化さ
    せ、記録を行うことを特徴とする記録方法。
  2. 【請求項2】高分子液晶が、記録状態もしくは非記録状
    態で等方相ガラス状態であることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載の記録方法。
  3. 【請求項3】液晶化度の制御が、書き込み光の変調によ
    ってなされることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載の記録方法。
  4. 【請求項4】液晶化度の制御が、発熱体ヘッドの変調に
    よってなされることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の記録方法。
JP62318929A 1987-09-08 1987-12-18 記録方法 Expired - Fee Related JP2515567B2 (ja)

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EP88114621A EP0306925B1 (en) 1987-09-08 1988-09-07 Recording method and recording apparatus
US07/241,214 US4965591A (en) 1987-09-08 1988-09-07 Recording with polymer liquid crystal recording medium
DE8888114621T DE3878357T2 (de) 1987-09-08 1988-09-07 Aufzeichnungsverfahren und aufzeichnungsgeraet.
DE3856109T DE3856109T2 (de) 1987-09-08 1988-09-07 Vorrichtung zur Aufzeichnung

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