JP2503382B2 - ヒスチジルプロリンアミド誘導体の製法 - Google Patents
ヒスチジルプロリンアミド誘導体の製法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Peptides Or Proteins (AREA)
Description
中間体として有用な、ヒスチジルプロリンアミド誘導体
の製法に関する。
ンアミドは、各種の生理活性ペプチド、例えば、サイロ
トロピン分泌因子又は甲状腺刺激因子として知られてい
るL−ピログルタミル−L−ヒスチジル−L−プロリン
アミド等の合成中間体として有用な化合物である。ま
た、当該中間体の製法としては、従来、ヒスチジンのカ
ルボキシル基をエステル化し、そのアミノ基をベンジル
オキシカルボニル基で保護した後、ヒドラジンと反応さ
せてベンジルオキシカルボニル・ヒスチジルヒドラジド
を製し、ついでこれをアジド化し、プロリンアミドと縮
合反応させる方法が知られている(特開昭52−116
465号)。
チジンから当該中間体を得るまでに計5工程を要し、収
率も20〜25%程度にすぎないという技術的難点があ
り、さらには、爆発の危険性があるアジド化工程を含む
ため、必ずしも工業的に有利な製法とは言えなかった。
の難点を克服し、より少ない工程で、高収率に、しかも
危険なアジド化工程を経ることなく、アミノ基の保護さ
れたヒスチジルプロリンアミドを製造し得る、工業的有
利な製法を提供するものである。
を表す)で表されるアミノ基の保護されたヒスチジルプ
ロリンアミド(以下、目的化合物(I)と称する)は、
アミノ基とイミダゾール環上のイミノ基が共にベンジル
オキシカルボニル基で保護されたヒスチジン(以下、原
料化合物と称する)又はそのカルボキシル基における反
応性誘導体とプロリンアミドとを縮合させて一般式
示されるヒスチジン誘導体を製した後、イミダゾール環
上のベンジルオキシカルボニル基を選択的に除去して製
造することができる。
は、縮合剤の存在下で実施することができる。縮合剤と
しては、ペプチド合成に用いられる慣用のものをいずれ
も用いることができ、例えばジシクロヘキシルカルボジ
イミド(DCC)をあげることができる。反応は、適当
な溶媒(クロロホルム、塩化メチレン等)中、室温にて
実施するのが好ましい。
る反応性誘導体とプロリンアミドとの縮合反応は脱酸剤
の存在下又は非存在下に実施することができる。
る反応性誘導体としては、ペプチド合成に慣用に用いら
れるものをいずれも用いることができ、例えば混合酸無
水物(イソブチルオキシカルボン酸との無水物、トリメ
チル酢酸との無水物、等)をあげることができる。脱酸
剤としては、トリ低級アルキルアミン、N,N−ジ低級
アルキルアミン、ピリジンの如き有機塩基や、水酸化ア
ルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属
の如き無機塩基を好適に用いることができる。反応は、
適当な溶媒(テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、クロロホルム、塩化メチレン、等)中冷却下、とり
わけ−20〜−15℃で実施するのが好ましい。
イミダゾール環上のベンジルオキシカルボニル基の選択
的除去は、ヒスチジン誘導体(II)を適当な溶液中、
アンモニア、アルカリ金属アルコキシド、水酸化アルカ
リ金属又は有機アミン(ベンジルアミン等)で冷却下な
いし加温下処理して、好適に実施することができる。
基とイミダゾール環上のイミノ基が共にベンジルオキシ
カルボニル基で保護されたヒスチジンは、ベンジルオキ
シカルボニルハライドとヒスチジンとを、炭酸アルカリ
金属、水酸化アルカリ金属など脱酸剤の存在下に反応さ
せて製造でき、その際反応溶媒として、水とテトラヒド
ロフランとの混合溶媒を用いれば、とりわけ好収率で得
ることができる。
らにアルコール和物(例えばメタノール和物、エタノー
ル和物)又は塩(例えばジシクロヘキシルアミン塩)と
して用いても良く、これらの付加物又は塩は結晶として
単離できるため、以後の反応操作が容易になり、また分
解を抑えることができる。
溶かし、15℃に冷却する。これに、ヒスチジン塩酸塩
・1水和物125.8gを加えて溶かす。次いでこの液
に炭酸カリウム248.8gを加えて溶かした後、テト
ラヒドロフラン300mlを加え、10℃に冷却する。
この液にクロロ炭酸ベンジル225.2gを10〜20
℃で滴下後、同温にて1.5時間かくはんする。反応終
了後、35%塩酸300mlを20℃以下で滴下し、酢
酸エチルで抽出する。抽出液を乾燥後、酢酸エチルを留
去し、残さをエタノール中で結晶化して、アミノ基とイ
ミダゾール環が共にベンジルオキシカルボニル基で保護
されたヒスチジン(Z−His(Z)−OH)・エタノ
ール和物207.0gを得る。 収率74% 〔α〕D:+21.8°(c=1,ジオキサン,20
℃) M.P.:105−107℃ 水分値(カールフィッシャー法):0.39%
ド44.5gをクロロホルム1210mlに溶解する。
次いでこの液を−10〜−5℃まで冷却し、DCC8
8.5gを加える。同温にて0.5時間反応後、25〜
30℃にて終夜反応する。反応後、50%酢酸24ml
を加え、10℃に冷却し、析出晶をろ別し、クロロホル
ムで洗浄する。洗浄液とろ液とをあわせ、洗浄、乾燥
後、減圧濃縮して油状物(ヒスチジンのアミノ基とイミ
ダゾール環が共にベンジルオキシカルボニル基で保護さ
れたヒスチジルプロリンアミド、Z−His(Z)−P
ro−NH2)を得る。この油状物をメタノールに溶か
し、24%アンモニア水30.4gを10〜15℃で滴
下し、同温にて0.5時間、20〜25℃にて2.5時
間かくはんする。反応後、反応液を減圧濃縮し、2.5
%塩酸900mlを加え、析出物をろ去する。ろ液を、
クロロホルム洗浄、活性炭処理後、メタノール及び24
%アンモニア水を加え、アルカリ性条件下で終夜晶析し
て、アミノ基がベンジルオキシカルボニル基で保護され
たヒスチジルプロリンアミド(Z−His−Pro−N
H2)109.7gを得る。 収率73% 〔α〕D:−41.2°(c=1,メタノール,20
℃) M.P.:103−108℃ 水分値(カールフイッシャー法):5.1%
し、アミノ基とイミダゾール環が共にベンジルオキシカ
ルボニル基で保護されたヒスチジン(Z−His(Z)
−OH)・メタノール和物を得る。 収率85% 〔α〕D:+37.8゜(c=3,酢酸エチル,20
℃) M.P.:98−99℃ 水分値(カールフィッシャー法):0.39%
理して、アミノ基がベンジルオキシカルボニル基で保護
されたヒスチジルプロリンアミド(Z−His−Pro
−NH2)を得る。本品の物性値は実施例1−(2)の
目的物のそれと一致した。
溶かし、15℃に冷却する。これに、ヒスチジン塩酸塩
・1水和物125.8gを加えて溶かす。次いでこの液
に炭酸カリウム248.8gを加えて溶かした後、テト
ラヒドロフラン300mlを加え、10℃に冷却する。
この液にクロロ炭酸ベンジル225.2gを10〜20
℃で滴下後、同温にて1.5時間かくはんする。反応終
了後、35%塩酸300mlを20℃以下で滴下し、酢
酸エチルで抽出する。抽出液を乾燥後、ジシクロヘキシ
ルアミン108.8gを加え、接種する。終夜晶析し
て、アミノ基とイミダゾール環が共にベンジルオキシカ
ルボニル基で保護されたヒスチジン(Z−His(Z)
−OH)・ジシクロヘキシルアミン塩108.0gを得
る。 収率73% 〔α〕D:+26.5°(c=1,クロロホルム,20
℃) M.P.:142−144℃
で抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後、酢酸エチルを留去
する。残さを実施例1−(2)と同様に処理して、アミ
ノ基がベンジルオキシカルボニル基で保護されたヒスチ
ジルプロリンアミド(Z−His−Pro−NH2)を
得る。本品の物性値は実施例1−(2)の目的物のそれ
と一致した。
アミノ基の保護されたヒスチジルプロリンアミド(I)
を、原料化合物からわずか2工程で、かつ70%を超え
る高収率で得ることができる。また原料化合物もヒスチ
ジンから1工程で70%をこえる高収率で得ることがで
きるので、従来法と比較して、ヒスチジンから目的化合
物(I)までの工程を2工程短縮でき、しかも従来法の
2倍にあたる50%をこえる高収率でヒスチジンから目
的化合物(I)を製造できるという工業的に有利な利点
が得られる。
ルボキシル基を有するため、例えば縮合剤を用いる方法
や混合酸無水物法によりプロリンアミドとの縮合反応を
実施でき、従来法のように爆発の危険性があるアジド化
工程を経る必要がないという利点も得られる。
Claims (3)
- 【請求項1】 アミノ基とイミダゾール環上のイミノ基
が共にベンジルオキシカルボニル基で保護されたヒスチ
ジン又はそのカルボキシル基における反応性誘導体とプ
ロリンアミドとを縮合させて、一般式Z −His(Z)−Pro−NH2 (式中、Zはベンジルオキシカルボニル基を表す) で示されるヒスチジン誘導体を製した後、ヒスチジンの
イミダゾール環上のベンジルオキシカルボニル基を選択
的に除去することを特徴とする、一般式Z −His−Pro−NH2 (式中、Zは前記と同一意味を有する) で示されるアミノ基が保護されたヒスチジルプロリンア
ミドの製法。 - 【請求項2】 アミノ基とイミダゾール環上のイミノ基
が共にベンジルオキシカルボニル基で保護されたヒスチ
ジンのアルコール和物又は塩を用いることを特徴とする
請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ヒスチジン及びプロリンとしてL体を用
いることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117059A JP2503382B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ヒスチジルプロリンアミド誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117059A JP2503382B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ヒスチジルプロリンアミド誘導体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04273898A JPH04273898A (ja) | 1992-09-30 |
JP2503382B2 true JP2503382B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14702414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3117059A Expired - Lifetime JP2503382B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ヒスチジルプロリンアミド誘導体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2503382B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101137503B1 (ko) * | 2009-07-14 | 2012-04-20 | 웰이앤씨 주식회사 | 고분자 고체 지지체를 이용한 히스티딜-프롤린아미드 유도체의 제조 방법 |
CN102002004A (zh) * | 2010-10-15 | 2011-04-06 | 深圳翰宇药业股份有限公司 | 一种他替瑞林中间体及他替瑞林的合成方法 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3117059A patent/JP2503382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04273898A (ja) | 1992-09-30 |
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